JP2624114B2 - 光磁気記録用媒体 - Google Patents
光磁気記録用媒体Info
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- JP2624114B2 JP2624114B2 JP5079954A JP7995493A JP2624114B2 JP 2624114 B2 JP2624114 B2 JP 2624114B2 JP 5079954 A JP5079954 A JP 5079954A JP 7995493 A JP7995493 A JP 7995493A JP 2624114 B2 JP2624114 B2 JP 2624114B2
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- recording film
- film
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録用媒体、特
に高密度記録に適する光磁気記録用媒体に関する。
に高密度記録に適する光磁気記録用媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光磁気記録用媒体において、高い
キュリー温度と大きなカー回転角を有する再生用の垂直
磁化膜（読みだし層）と低いキュリー温度と相対的に小
さなカー回転角を有する垂直磁化膜（記録層）を交換結
合させ、再生信号強度の増加と記録パワーに関して高感
度化を計った高感度２層膜と称される媒体が存在する。
このような媒体は特開昭６２−１８４６４４号公報、特
開昭６３−１６４４４号公報、特開昭６３−１８５４４
号公報、特開昭６３−１８５４５号公報など数多く示さ
れているが、これらの媒体における記録マーク形成は、
記録層のキュリー温度付近において、読みだし層が磁化
反転し始め、温度が下がる過程で読みだし層の磁化が記
録層に転写されるという形をとる。室温では、記録層の
保磁力が高いため、記録マークは固定され、安定に存在
できる。この高感度２層膜が持つ従来の単層膜媒体と違
う特性としては、読みだし層の保磁力が小さいことに起
因する高記録磁界感度などがあげられる。
キュリー温度と大きなカー回転角を有する再生用の垂直
磁化膜（読みだし層）と低いキュリー温度と相対的に小
さなカー回転角を有する垂直磁化膜（記録層）を交換結
合させ、再生信号強度の増加と記録パワーに関して高感
度化を計った高感度２層膜と称される媒体が存在する。
このような媒体は特開昭６２−１８４６４４号公報、特
開昭６３−１６４４４号公報、特開昭６３−１８５４４
号公報、特開昭６３−１８５４５号公報など数多く示さ
れているが、これらの媒体における記録マーク形成は、
記録層のキュリー温度付近において、読みだし層が磁化
反転し始め、温度が下がる過程で読みだし層の磁化が記
録層に転写されるという形をとる。室温では、記録層の
保磁力が高いため、記録マークは固定され、安定に存在
できる。この高感度２層膜が持つ従来の単層膜媒体と違
う特性としては、読みだし層の保磁力が小さいことに起
因する高記録磁界感度などがあげられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の高感度２層膜で
は、記録マークの形成を、読みだし層の反転に頼るた
め、記録層のキュリー温度付近において、読みだし層の
保磁力を充分に小さくしなければならず、読みだし層に
は、あまり保磁力の大きな記録膜やキュリー温度が高す
ぎる記録膜を使用することができなかった。また、記録
特性（記録磁界依存性など）が読みだし層に支配され、
記録特性の変更が容易ではなかった。光の照射側に最も
近い記録膜に、その記録膜よりも光の照射側から遠い記
録膜の記録特性を反映させようとする試みは、特開平４
−１８４７３４号公報などに示されているが、記録膜が
少なくとも３層以上必要となり、光の照射側から偶数番
目の記録膜には、キュリー温度を低くして両側の記録膜
の交換相互作用を切ったりつないだりするスイッチの役
割を持たせなければならなかった。
は、記録マークの形成を、読みだし層の反転に頼るた
め、記録層のキュリー温度付近において、読みだし層の
保磁力を充分に小さくしなければならず、読みだし層に
は、あまり保磁力の大きな記録膜やキュリー温度が高す
ぎる記録膜を使用することができなかった。また、記録
特性（記録磁界依存性など）が読みだし層に支配され、
記録特性の変更が容易ではなかった。光の照射側に最も
近い記録膜に、その記録膜よりも光の照射側から遠い記
録膜の記録特性を反映させようとする試みは、特開平４
−１８４７３４号公報などに示されているが、記録膜が
少なくとも３層以上必要となり、光の照射側から偶数番
目の記録膜には、キュリー温度を低くして両側の記録膜
の交換相互作用を切ったりつないだりするスイッチの役
割を持たせなければならなかった。
【０００４】本発明の目的は、このような問題を解決
し、大容量の光磁気記録用媒体を提供することにある。
し、大容量の光磁気記録用媒体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録用媒
体は、２層以上の記録膜を有する光磁気記録用媒体に対
し、記録マークを形成する際、光の照射側に最も近い第
１の記録膜に、この第１の記録膜の次に光の照射側に近
い第２の記録膜の磁化状態を転写する光磁気記録用媒体
において、第１の記録膜と前記第２の記録膜を少なくと
も有し、第２の記録膜のキュリー温度から室温の温度領
域にあって、第２の記録膜の界面磁壁エネルギー密度が
第１の記録膜の界面磁壁エネルギー密度よりも大きくな
る温度領域が存在するものである。
体は、２層以上の記録膜を有する光磁気記録用媒体に対
し、記録マークを形成する際、光の照射側に最も近い第
１の記録膜に、この第１の記録膜の次に光の照射側に近
い第２の記録膜の磁化状態を転写する光磁気記録用媒体
において、第１の記録膜と前記第２の記録膜を少なくと
も有し、第２の記録膜のキュリー温度から室温の温度領
域にあって、第２の記録膜の界面磁壁エネルギー密度が
第１の記録膜の界面磁壁エネルギー密度よりも大きくな
る温度領域が存在するものである。
【０００６】また本発明の光磁気記録用媒体は、２層以
上の記録膜を有する光磁気記録用媒体に対し、記録マー
クを形成する際、光の照射側に最も近い第１の記録膜
に、この第１の記録膜の次に光の照射側に近い第２の記
録膜の磁化状態を転写する光磁気記録用媒体において、
第１の記録膜と前記第２の記録膜を少なくとも有し、第
２の記録膜のキュリー温度から室温の温度領域にあっ
て、第１の記録膜と第２の記録膜を少なくとも有し、第
２の記録膜のキュリー温度から室温の温度領域にあっ
て、第１の記録膜と第２の記録膜の界面にできる界面磁
壁の厚さが第１の記録膜の膜厚よりも大きいものであ
る。
上の記録膜を有する光磁気記録用媒体に対し、記録マー
クを形成する際、光の照射側に最も近い第１の記録膜
に、この第１の記録膜の次に光の照射側に近い第２の記
録膜の磁化状態を転写する光磁気記録用媒体において、
第１の記録膜と前記第２の記録膜を少なくとも有し、第
２の記録膜のキュリー温度から室温の温度領域にあっ
て、第１の記録膜と第２の記録膜を少なくとも有し、第
２の記録膜のキュリー温度から室温の温度領域にあっ
て、第１の記録膜と第２の記録膜の界面にできる界面磁
壁の厚さが第１の記録膜の膜厚よりも大きいものであ
る。
【０００７】また本発明の光磁気記録用媒体は、２層以
上の記録膜を有する光磁気記録用媒体に対し、記録マー
クを形成する際、光の照射側に最も近い第１の記録膜
に、第１の記録膜の次に光の照射側に近い第２の記録膜
の磁化状態を転写する光磁気記録用媒体において、第１
の記録膜と、第２の記録膜と、室温付近で有効異方性磁
界（Ｈｋ−４πＭｓ）または保磁力が第２の記録膜の室
温付近の有効異方性磁界（Ｈｋ−４πＭｓ）または保磁
力よりも小さい第３の記録膜を少なくとも有し、第３の
記録膜は第２の記録膜より光照射側から見て遠い位置に
形成され、第２の記録膜のキュリー温度から室温の温度
領域にあって、第２の記録膜の界面磁壁エネルギー密度
が第１の記録膜の界面磁壁エネルギー密度よりも大きく
なる温度領域が存在し、第２の記録膜のキュリー温度付
近になると、第３の記録膜のおいて、第３の記録膜の有
効異方性磁界（Ｈｋ−４πＭｓ）、または保持力が記録
バイアス磁界以下になるものである。
上の記録膜を有する光磁気記録用媒体に対し、記録マー
クを形成する際、光の照射側に最も近い第１の記録膜
に、第１の記録膜の次に光の照射側に近い第２の記録膜
の磁化状態を転写する光磁気記録用媒体において、第１
の記録膜と、第２の記録膜と、室温付近で有効異方性磁
界（Ｈｋ−４πＭｓ）または保磁力が第２の記録膜の室
温付近の有効異方性磁界（Ｈｋ−４πＭｓ）または保磁
力よりも小さい第３の記録膜を少なくとも有し、第３の
記録膜は第２の記録膜より光照射側から見て遠い位置に
形成され、第２の記録膜のキュリー温度から室温の温度
領域にあって、第２の記録膜の界面磁壁エネルギー密度
が第１の記録膜の界面磁壁エネルギー密度よりも大きく
なる温度領域が存在し、第２の記録膜のキュリー温度付
近になると、第３の記録膜のおいて、第３の記録膜の有
効異方性磁界（Ｈｋ−４πＭｓ）、または保持力が記録
バイアス磁界以下になるものである。
【０００８】また本発明の光磁気記録用媒体は、第１の
記録膜と、第２の記録膜と、第３の記録膜を少なくとも
有し、第２の記録膜のキュリー温度から室温の温度領域
にあって、第１の記録膜と、第２の記録膜と、第３の記
録膜を少なくとも有し、第２の記録膜のキュリー温度か
ら室温の温度領域にあって、第１の記録膜と第２の記録
膜の界面にできる界面磁壁の厚さが第１の記録膜の膜厚
よりも大きく、第２の記録膜のキュリー温度付近になる
と、第３の記録膜の有効異方性磁界（Ｈｋ−４πＭｓ）
または保持力が記録バイアス磁界以下になるものであ
る。
記録膜と、第２の記録膜と、第３の記録膜を少なくとも
有し、第２の記録膜のキュリー温度から室温の温度領域
にあって、第１の記録膜と、第２の記録膜と、第３の記
録膜を少なくとも有し、第２の記録膜のキュリー温度か
ら室温の温度領域にあって、第１の記録膜と第２の記録
膜の界面にできる界面磁壁の厚さが第１の記録膜の膜厚
よりも大きく、第２の記録膜のキュリー温度付近になる
と、第３の記録膜の有効異方性磁界（Ｈｋ−４πＭｓ）
または保持力が記録バイアス磁界以下になるものであ
る。
【０００９】さらに、本発明の光磁気記録用媒体は、第
２の記録膜のキュリー温度付近になると、第２の記録膜
のキュリー温度付近にあって、前記第１の記録膜の有効
異方性磁界（Ｈｋ−４πＭｓ）または保磁力が記録バイ
アス磁界以上になるものである。
２の記録膜のキュリー温度付近になると、第２の記録膜
のキュリー温度付近にあって、前記第１の記録膜の有効
異方性磁界（Ｈｋ−４πＭｓ）または保磁力が記録バイ
アス磁界以上になるものである。
【００１０】以上に説明した本発明は、任意に組み合わ
せることが可能で、これにより複合的な作用効果が得ら
れる。
せることが可能で、これにより複合的な作用効果が得ら
れる。
【００１１】
【作用】第２の記録膜の磁化状態を第１の記録膜に転写
することにより、第２の記録膜の記録特性（記録磁界依
存性など）も有する記録膜を作製することができる。こ
れにより、第１の記録膜を変えなくても第２の記録膜を
変えることによって、記録特性を容易に変更できる。
することにより、第２の記録膜の記録特性（記録磁界依
存性など）も有する記録膜を作製することができる。こ
れにより、第１の記録膜を変えなくても第２の記録膜を
変えることによって、記録特性を容易に変更できる。
【００１２】交換結合力を利用した光磁気記録用媒体に
おいて、記録マーク形成時に生じる記録膜の界面の界面
磁壁は、界面磁界エネルギー密度の小さな記録膜のほう
に動き、界面磁壁エネルギー密度の小さい記録膜をパン
チスルーする。また、界面磁壁エネルギー密度の大小に
拘らず、記録膜に生じるはずの界面磁壁の厚さよりも記
録膜を薄くすると、界面磁壁はその記録膜をパンチスル
ーする。これは、ある記録膜の状態を他の記録膜（界面
磁壁をパンチスルーされる膜）に転写するということと
等価である。
おいて、記録マーク形成時に生じる記録膜の界面の界面
磁壁は、界面磁界エネルギー密度の小さな記録膜のほう
に動き、界面磁壁エネルギー密度の小さい記録膜をパン
チスルーする。また、界面磁壁エネルギー密度の大小に
拘らず、記録膜に生じるはずの界面磁壁の厚さよりも記
録膜を薄くすると、界面磁壁はその記録膜をパンチスル
ーする。これは、ある記録膜の状態を他の記録膜（界面
磁壁をパンチスルーされる膜）に転写するということと
等価である。
【００１３】従来の交換結合力を利用した光磁気記録用
媒体において、読みだし層に保磁力の大きいものまたは
キュリー温度が高いものを用いた場合、記録層には記録
マークが形成されているが、読みだし層には、良好に記
録マークが形成されていないことがよくある。この場
合、再生信号は読みだし層から得るために、期待される
再生出力を得ることができない。
媒体において、読みだし層に保磁力の大きいものまたは
キュリー温度が高いものを用いた場合、記録層には記録
マークが形成されているが、読みだし層には、良好に記
録マークが形成されていないことがよくある。この場
合、再生信号は読みだし層から得るために、期待される
再生出力を得ることができない。
【００１４】そこで、先に述べた２つの原理を利用し
て、界面磁壁が第１記録膜にパンチスルーするようにし
て、良好に形成された第２記録膜の記録マークを第１記
録膜に転写してやれば、第１記録膜に保磁力の大きなも
のまたはキュリー温度の高いものを用いた場合でも、第
１記録膜に良好な記録マークが形成され、期待する再生
出力を得ることができる。
て、界面磁壁が第１記録膜にパンチスルーするようにし
て、良好に形成された第２記録膜の記録マークを第１記
録膜に転写してやれば、第１記録膜に保磁力の大きなも
のまたはキュリー温度の高いものを用いた場合でも、第
１記録膜に良好な記録マークが形成され、期待する再生
出力を得ることができる。
【００１５】一方、このように第１記録膜に保磁力の大
きなものまたはキュリー温度の高いものを用いた場合、
従来の高感度２層膜が示した第１記録膜の保磁力が小さ
いことによる特性（高記録磁界感度など）が弱まってし
まう。そこで、第２記録膜のうえに保磁力の弱い第３記
録膜をつけ、第２記録膜の記録マーク形成を助けてやれ
ば、従来の高感度２層膜の特徴を持ち、さらに高再生出
力の媒体を作製することができる。この場合、記録マー
クの形成は以下のような過程で起こる。まず、第２記録
膜のキュリー温度付近において、第３記録膜が磁化反転
を起こし、それとともに第２記録膜の磁化を反転させ
る。その後、降温過程で、第２記録膜に形成された記録
マークを第１記録膜に転写することによって、記録マー
クの書き込みを終了する。
きなものまたはキュリー温度の高いものを用いた場合、
従来の高感度２層膜が示した第１記録膜の保磁力が小さ
いことによる特性（高記録磁界感度など）が弱まってし
まう。そこで、第２記録膜のうえに保磁力の弱い第３記
録膜をつけ、第２記録膜の記録マーク形成を助けてやれ
ば、従来の高感度２層膜の特徴を持ち、さらに高再生出
力の媒体を作製することができる。この場合、記録マー
クの形成は以下のような過程で起こる。まず、第２記録
膜のキュリー温度付近において、第３記録膜が磁化反転
を起こし、それとともに第２記録膜の磁化を反転させ
る。その後、降温過程で、第２記録膜に形成された記録
マークを第１記録膜に転写することによって、記録マー
クの書き込みを終了する。
【００１６】第２記録膜のキュリー温度付近で、第１記
録膜の有効垂直異方性磁界または保磁力がバイアス磁界
よりも大きく、第１記録膜に全く記録マークが形成され
なくても、界面磁壁を第２記録膜から第１記録膜にパン
チスルーするようにしてやれば降温過程で第２記録膜の
記録マークが第１記録膜に転写され、期待する再生出力
を得ることができる。
録膜の有効垂直異方性磁界または保磁力がバイアス磁界
よりも大きく、第１記録膜に全く記録マークが形成され
なくても、界面磁壁を第２記録膜から第１記録膜にパン
チスルーするようにしてやれば降温過程で第２記録膜の
記録マークが第１記録膜に転写され、期待する再生出力
を得ることができる。
【００１７】
【実施例】本発明の２層膜を用いたディスクの構成を図
１に示す。このディスクは、基板３に干渉膜４、記録膜
１、記録膜２、保護膜５を順次成膜することによって得
られる。
１に示す。このディスクは、基板３に干渉膜４、記録膜
１、記録膜２、保護膜５を順次成膜することによって得
られる。
【００１８】一例として、基板３として、直径１３０ｍ
ｍ、トラックピッチ１．６μｍのポリカーボネイト基板
を用い、その基板３に、干渉膜４として窒化シリコン膜
を８０ｎｍ、記録膜１としてＧｄＴｂＦｅＣｏ膜を３０
ｎｍ、記録膜２としてＴｂＦｅＣｏ膜を１００ｎｍ、保
護膜５として窒化シリコン膜を８０ｎｍ順次成膜した。
ｍ、トラックピッチ１．６μｍのポリカーボネイト基板
を用い、その基板３に、干渉膜４として窒化シリコン膜
を８０ｎｍ、記録膜１としてＧｄＴｂＦｅＣｏ膜を３０
ｎｍ、記録膜２としてＴｂＦｅＣｏ膜を１００ｎｍ、保
護膜５として窒化シリコン膜を８０ｎｍ順次成膜した。
【００１９】ＧｄＴｂＦｅＣｏ膜のキュリー温度は２５
０℃、室温での界面磁壁エネルギー密度は１．５ｅｒｇ
／ｃｍ2 である。また、ＴｂＦｅＣｏ膜のキュリー温度
は１５０℃、室温での界面磁壁エネルギー密度は２．３
ｅｒｇ／ｃｍ2 である。これにより、ＴｂＦｅＣｏ膜か
らＧｄＴｂＦｅＣｏ膜への界面磁壁のパンチスルーを生
じさせることができる。
０℃、室温での界面磁壁エネルギー密度は１．５ｅｒｇ
／ｃｍ2 である。また、ＴｂＦｅＣｏ膜のキュリー温度
は１５０℃、室温での界面磁壁エネルギー密度は２．３
ｅｒｇ／ｃｍ2 である。これにより、ＴｂＦｅＣｏ膜か
らＧｄＴｂＦｅＣｏ膜への界面磁壁のパンチスルーを生
じさせることができる。
【００２０】この媒体に、５．６ｍ／ｓで１ＭＨｚ，デ
ューティ５０％の記録を行ったところ、５５ｄＢのＣ／
Ｎが得られた。このときの記録磁界は４００Ｏｅ、レー
ザー波長は８３０ｎｍである。この媒体の記録パワー依
存性は、この記録膜２のＴｂＦｅＣｏ膜の記録パワー依
存性と類似していた。
ューティ５０％の記録を行ったところ、５５ｄＢのＣ／
Ｎが得られた。このときの記録磁界は４００Ｏｅ、レー
ザー波長は８３０ｎｍである。この媒体の記録パワー依
存性は、この記録膜２のＴｂＦｅＣｏ膜の記録パワー依
存性と類似していた。
【００２１】他の例として、記録膜１としてＴｂＦｅＣ
ｏ膜を２０ｎｍ、記録膜２として記録膜１と組成の多少
違うＴｂＦｅＣｏ膜を１００ｎｍ成膜したものを作製し
た。他の膜は上記の例と同じである。記録膜１のＴｂＦ
ｅＣｏ膜のキュリー温度は３００℃、室温での界面磁壁
エネルギー密度は２．７ｅｒｇ／ｃｍ2 である。また、
記録膜２のＴｂＦｅＣｏ膜のキュリー温度は１５０℃、
室温での界面磁壁エネルギー密度は２．３ｅｒｇ／ｃｍ
2 である。この場合、記録膜１ができるはずの界面磁壁
の厚さよりも薄いために、記録膜２から記録膜１への界
面磁壁のパンチスルーが起こる。この媒体に、５．６ｍ
／ｓで１ＭＨｚ，デューティ５０％の記録を行ったとこ
ろ５４ｄＢのＣ／Ｎが得られた。このときの記録磁界は
４００Ｏｅ、レーザー波長は８３０ｎｍである。この媒
体の記録パワー依存性は、この記録膜２のＴｂＦｅＣｏ
膜の記録パワー依存性と類似していた。
ｏ膜を２０ｎｍ、記録膜２として記録膜１と組成の多少
違うＴｂＦｅＣｏ膜を１００ｎｍ成膜したものを作製し
た。他の膜は上記の例と同じである。記録膜１のＴｂＦ
ｅＣｏ膜のキュリー温度は３００℃、室温での界面磁壁
エネルギー密度は２．７ｅｒｇ／ｃｍ2 である。また、
記録膜２のＴｂＦｅＣｏ膜のキュリー温度は１５０℃、
室温での界面磁壁エネルギー密度は２．３ｅｒｇ／ｃｍ
2 である。この場合、記録膜１ができるはずの界面磁壁
の厚さよりも薄いために、記録膜２から記録膜１への界
面磁壁のパンチスルーが起こる。この媒体に、５．６ｍ
／ｓで１ＭＨｚ，デューティ５０％の記録を行ったとこ
ろ５４ｄＢのＣ／Ｎが得られた。このときの記録磁界は
４００Ｏｅ、レーザー波長は８３０ｎｍである。この媒
体の記録パワー依存性は、この記録膜２のＴｂＦｅＣｏ
膜の記録パワー依存性と類似していた。
【００２２】他の例として、記録膜１としてＧｄＤｙＦ
ｅＣｏ膜を３０ｎｍ、記録膜２としてＴｂＦｅＣｏ膜を
１００ｎｍ成膜したものを作製した。他の膜は上記の例
と同じである。ＧｄＤｙＦｅＣｏ膜のキュリー温度は４
００℃、室温での界面磁壁エネルギー密度は１．８ｅｒ
ｇ／ｃｍ2 である。ＴｂＦｅＣｏ膜のキュリー温度は１
５０℃、室温での界面磁壁エネルギーは２．３ｅｒｇ／
ｃｍ2 である。ＴｂＦｅＣｏ膜のキュリー温度付近で
は、ＧｄＤｙＦｅＣｏ膜の有効異方性磁界は１ｋＯｅあ
り、バイアス磁界４００Ｏｅではこの膜は磁化反転しな
い。この媒体に、５．６ｍ／ｓで１ＭＨｚ，デューティ
５０％の記録を行ったところ５４ｄＢのＣ／Ｎが得られ
た。このときの記録磁界は４００Ｏｅ、レーザー波長は
８３０ｎｍである。この媒体の記録パワー依存性は、こ
の記録膜２のＴｂＦｅＣｏ膜の記録パワー依存性と類似
していた。
ｅＣｏ膜を３０ｎｍ、記録膜２としてＴｂＦｅＣｏ膜を
１００ｎｍ成膜したものを作製した。他の膜は上記の例
と同じである。ＧｄＤｙＦｅＣｏ膜のキュリー温度は４
００℃、室温での界面磁壁エネルギー密度は１．８ｅｒ
ｇ／ｃｍ2 である。ＴｂＦｅＣｏ膜のキュリー温度は１
５０℃、室温での界面磁壁エネルギーは２．３ｅｒｇ／
ｃｍ2 である。ＴｂＦｅＣｏ膜のキュリー温度付近で
は、ＧｄＤｙＦｅＣｏ膜の有効異方性磁界は１ｋＯｅあ
り、バイアス磁界４００Ｏｅではこの膜は磁化反転しな
い。この媒体に、５．６ｍ／ｓで１ＭＨｚ，デューティ
５０％の記録を行ったところ５４ｄＢのＣ／Ｎが得られ
た。このときの記録磁界は４００Ｏｅ、レーザー波長は
８３０ｎｍである。この媒体の記録パワー依存性は、こ
の記録膜２のＴｂＦｅＣｏ膜の記録パワー依存性と類似
していた。
【００２３】本発明の３層膜を用いたディスクの構成を
図２に示す。このディスクは、基板３に干渉膜４、記録
膜１、記録膜２、記録膜６、保護膜５を順次成膜するこ
とによって得られる。 一例として、基板３として、直
径１３０ｍｍ、トラックピッチ１．６μｍのポリカーボ
ネイト基板を用い、その基板３に、干渉膜４として窒化
シリコン膜を８０ｎｍ、記録膜１としてＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ膜を３０ｎｍ、記録膜２としてＴｂＦｅＣｏ膜を１０
０ｎｍ、記録膜６としてＧｄＦｅＣｏ膜を３０ｎｍ、保
護膜５として窒化シリコン膜を８０ｎｍ順次成膜した。
図２に示す。このディスクは、基板３に干渉膜４、記録
膜１、記録膜２、記録膜６、保護膜５を順次成膜するこ
とによって得られる。 一例として、基板３として、直
径１３０ｍｍ、トラックピッチ１．６μｍのポリカーボ
ネイト基板を用い、その基板３に、干渉膜４として窒化
シリコン膜を８０ｎｍ、記録膜１としてＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ膜を３０ｎｍ、記録膜２としてＴｂＦｅＣｏ膜を１０
０ｎｍ、記録膜６としてＧｄＦｅＣｏ膜を３０ｎｍ、保
護膜５として窒化シリコン膜を８０ｎｍ順次成膜した。
【００２４】ＧｄＴｂＦｅＣｏ膜のキュリー温度は２５
０℃、室温での界面磁壁エネルギー密度は１．５ｅｒｇ
／ｃｍ2 である。また、ＴｂＦｅＣｏ膜のキュリー温度
は１５０℃、室温での界面磁壁エネルギー密度は２．３
ｅｒｇ／ｃｍ2 である。また、ＧｄＦｅＣｏ膜のキュリ
ー温度は３１０℃、室温での保磁力は数十Ｏｅと小さ
い。これにより、ＧｄＦｅＣｏ膜からＴｂＦｅＣｏ膜を
通りＧｄＴｂＦｅＣｏ膜への界面磁壁のパンチスルーを
生じさせることができる。
０℃、室温での界面磁壁エネルギー密度は１．５ｅｒｇ
／ｃｍ2 である。また、ＴｂＦｅＣｏ膜のキュリー温度
は１５０℃、室温での界面磁壁エネルギー密度は２．３
ｅｒｇ／ｃｍ2 である。また、ＧｄＦｅＣｏ膜のキュリ
ー温度は３１０℃、室温での保磁力は数十Ｏｅと小さ
い。これにより、ＧｄＦｅＣｏ膜からＴｂＦｅＣｏ膜を
通りＧｄＴｂＦｅＣｏ膜への界面磁壁のパンチスルーを
生じさせることができる。
【００２５】この媒体に、５．６ｍ／ｓで１ＭＨｚ，デ
ューティ５０％の記録を行ったところ５３ｄＢのＣ／Ｎ
が得られた。このときの記録磁界は４００Ｏｅ、レーザ
ー波長は８３０ｎｍである。また、キャリアが出始める
磁場が−５０Ｏｅ、キャリアが飽和する磁場が５０Ｏｅ
であり、高記録磁界感度を有している。
ューティ５０％の記録を行ったところ５３ｄＢのＣ／Ｎ
が得られた。このときの記録磁界は４００Ｏｅ、レーザ
ー波長は８３０ｎｍである。また、キャリアが出始める
磁場が−５０Ｏｅ、キャリアが飽和する磁場が５０Ｏｅ
であり、高記録磁界感度を有している。
【００２６】他の例として、記録膜１として、ＴｂＦｅ
Ｃｏ膜を２０ｎｍ、記録膜２として記録膜１と組成の多
少違うＴｂＦｅＣｏ膜を１００ｎｍ、記録膜６としてＧ
ｄＦｅＣｏ膜を３０ｎｍ成膜したものを作製した。他の
膜は上記の例と同じである。
Ｃｏ膜を２０ｎｍ、記録膜２として記録膜１と組成の多
少違うＴｂＦｅＣｏ膜を１００ｎｍ、記録膜６としてＧ
ｄＦｅＣｏ膜を３０ｎｍ成膜したものを作製した。他の
膜は上記の例と同じである。
【００２７】記録膜１のＴｂＦｅＣｏ膜のキュリー温度
は３００℃、室温での界面磁壁エネルギー密度は２．７
ｅｒｇ／ｃｍ2 である。また、記録膜２のＴｂＦｅＣｏ
膜のキュリー温度は１５０℃、室温での界面磁壁エネル
ギー密度は２．３ｅｒｇ／ｃｍ2 である。また、ＧｄＦ
ｅＣｏ膜のキュリー温度は３１０℃、室温での保磁力は
数十Ｏｅと小さい。この場合、記録膜１ができるはずの
界面磁壁の厚さよりも薄いために、記録膜２から記録膜
１への界面磁壁のパンチスルーが起こる。この媒体に、
５．６ｍ／ｓで１ＭＨｚ，デューティ５０％の記録を行
ったところ５２ｄＢのＣ／Ｎが得られた。このときの記
録磁界は４００Ｏｅ、レーザー波長は８３０ｎｍであ
る。また、キャリアが出始める磁場が−１００Ｏｅ、キ
ャリアが飽和する磁場が５０Ｏｅであり、高記録磁界感
度を有している。
は３００℃、室温での界面磁壁エネルギー密度は２．７
ｅｒｇ／ｃｍ2 である。また、記録膜２のＴｂＦｅＣｏ
膜のキュリー温度は１５０℃、室温での界面磁壁エネル
ギー密度は２．３ｅｒｇ／ｃｍ2 である。また、ＧｄＦ
ｅＣｏ膜のキュリー温度は３１０℃、室温での保磁力は
数十Ｏｅと小さい。この場合、記録膜１ができるはずの
界面磁壁の厚さよりも薄いために、記録膜２から記録膜
１への界面磁壁のパンチスルーが起こる。この媒体に、
５．６ｍ／ｓで１ＭＨｚ，デューティ５０％の記録を行
ったところ５２ｄＢのＣ／Ｎが得られた。このときの記
録磁界は４００Ｏｅ、レーザー波長は８３０ｎｍであ
る。また、キャリアが出始める磁場が−１００Ｏｅ、キ
ャリアが飽和する磁場が５０Ｏｅであり、高記録磁界感
度を有している。
【００２８】他の例として、記録膜１としてＧｄＤｙＦ
ｅＣｏ膜を３０ｎｍ、記録膜２としてＴｂＦｅＣｏ膜を
１００ｎｍ、記録膜６としてＧｄＦｅＣｏ膜を３０ｎｍ
成膜したものを作製した。他の膜は上記の例と同じであ
る。ＧｄＤｙＦｅＣｏ膜のキュリー温度は４００℃、室
温での界面磁壁エネルギー密度は１．８ｅｒｇ／ｃｍ2
である。ＴｂＦｅＣｏ膜のキュリー温度は１５０℃、室
温での界面磁壁エネルギーは２．３ｅｒｇ／ｃｍ2 であ
る。また、ＧｄＦｅＣｏ膜のキュリー温度は３１０℃、
室温での保磁力は数十Ｏｅと小さい。ＴｂＦｅＣｏ膜の
キュリー温度付近では、ＧｄＤｙＦｅＣｏ膜の有効異方
性磁界は１ｋＯｅあり、バイアス磁界４００Ｏｅではこ
の膜は磁化反転しない。
ｅＣｏ膜を３０ｎｍ、記録膜２としてＴｂＦｅＣｏ膜を
１００ｎｍ、記録膜６としてＧｄＦｅＣｏ膜を３０ｎｍ
成膜したものを作製した。他の膜は上記の例と同じであ
る。ＧｄＤｙＦｅＣｏ膜のキュリー温度は４００℃、室
温での界面磁壁エネルギー密度は１．８ｅｒｇ／ｃｍ2
である。ＴｂＦｅＣｏ膜のキュリー温度は１５０℃、室
温での界面磁壁エネルギーは２．３ｅｒｇ／ｃｍ2 であ
る。また、ＧｄＦｅＣｏ膜のキュリー温度は３１０℃、
室温での保磁力は数十Ｏｅと小さい。ＴｂＦｅＣｏ膜の
キュリー温度付近では、ＧｄＤｙＦｅＣｏ膜の有効異方
性磁界は１ｋＯｅあり、バイアス磁界４００Ｏｅではこ
の膜は磁化反転しない。
【００２９】この媒体に、５．６ｍ／ｓで１ＭＨｚ，デ
ューティ５０％の記録を行ったところ５３ｄＢのＣ／Ｎ
が得られた。このときの記録磁界は４００Ｏｅ、レーザ
ー波長は８３０ｎｍである。また、キャリアが出始める
磁場が−５０Ｏｅ、キャリアが飽和する磁場が５０Ｏｅ
あり、高記録磁界感度を有している。
ューティ５０％の記録を行ったところ５３ｄＢのＣ／Ｎ
が得られた。このときの記録磁界は４００Ｏｅ、レーザ
ー波長は８３０ｎｍである。また、キャリアが出始める
磁場が−５０Ｏｅ、キャリアが飽和する磁場が５０Ｏｅ
あり、高記録磁界感度を有している。
【００３０】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
光照射側に最も近い記録膜の記録特性だけでなく、他の
記録膜の記録特性も引き出すことができる。 また、カー
回転角は、大きいが保磁力が大きすぎまたはキュリー温
度が高すぎるために、これまでの方法では使用できなか
った記録膜であっても、使用することができるようにな
る。 また本発明によれば、高記録磁界感度の良好な媒体
を作製することができる。これにより、光磁気記録用媒
体の高密度を実現することが可能となるので、大容量の
光ディスクを提供することが可能になるなどの効果を奏
することができる。
光照射側に最も近い記録膜の記録特性だけでなく、他の
記録膜の記録特性も引き出すことができる。 また、カー
回転角は、大きいが保磁力が大きすぎまたはキュリー温
度が高すぎるために、これまでの方法では使用できなか
った記録膜であっても、使用することができるようにな
る。 また本発明によれば、高記録磁界感度の良好な媒体
を作製することができる。これにより、光磁気記録用媒
体の高密度を実現することが可能となるので、大容量の
光ディスクを提供することが可能になるなどの効果を奏
することができる。
【図１】本発明の一実施例におけるディスク断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施例におけるディスク断面図であ
る。
る。
１ 第１記録膜 ２ 第２記録膜 ３ 基板 ４ 干渉膜 ５ 保護膜 ６ 第３記録膜
Claims (5)
- 【請求項１】２層以上の記録膜を有する光磁気記録用媒
体に対し、記録マークを形成する際に、光の照射側に最
も近い第１の記録膜に、その第１の記録膜の次に、光の
照射側に近い第２の記録膜の磁化状態を転写する光磁気
記録用媒体において、 前記第１の記録膜と前記第２の記録膜を少なくとも有
し、 前記第２の記録膜のキュリー温度から室温の温度領域に
あって、前記第２の記録膜の界面磁壁エネルギー密度が
前記第１の記録膜の界面磁壁エネルギー密度よりも大き
くなる温度領域が存在する ことを特徴とする光磁気記録
用媒体。 - 【請求項２】前記第１の記録膜と前記第２の記録膜を少
なくとも有し、 前記第２の記録膜のキュリー温度から室温の温度領域
で、前記第１の記録膜と前記第２の記録膜の界面にでき
る界面磁壁の厚さが前記第１の記録膜の膜厚より大きい
ことを特徴とする請求項１に記載の 光磁気記録用媒体。 - 【請求項３】２層以上の記録膜を有する光磁気記録用媒
体に対し、記録マークを形成する際に、光の照射側に最
も近い第１の記録膜に、この第１の記録膜の次に光の照
射側に近い第２の記録膜の磁化状態を転写する光磁気記
録用媒体において、 前記第１の記録膜と、前記第２の記録膜と、室温付近で
有効異方性磁界（Ｈｋ−４πＭｓ）または保磁力が第２
の記録膜の室温付近の有効異方性磁界（Ｈｋ−４πＭ
ｓ）または保磁力よりも小さい第３の記録膜を少なくと
も有し、 前記第３の記録膜は、前記第２の記録膜より光照射側か
ら見て遠い位置に形成され、前記第２の記録膜のキュリ
ー温度から室温の温度領域にあって、前記第２の記録膜
の界面磁壁エネルギー密度が、前記第１の記録膜の界面
磁壁エネルギー密度よりも大きくなる温度領域が存在
し、 前記第２の記録膜のキュリー温度付近になると、前記第
３の記録膜のおいて、前記第３の記録膜の有効異方性磁
界（Ｈｋ−４πＭｓ）、または保持力が記録バイアス磁
界以下 になることを特徴とする光磁気記録用媒体。 - 【請求項４】前記第１の記録膜と、前記第２の記録膜
と、前記第３の記録膜を少なくとも有し、前記第２の記
録膜のキュリー温度から室温の温度領域にあって、前記
第１の記録膜と、前記第２の記録膜と、前記第３の記録
膜を少なくとも有し、 前記第２の記録膜のキュリー温度から室温の温度領域に
あって、前記第１の記録膜と前記第２の記録膜の界面に
できる界面磁壁の厚さが前記第１の記録膜の膜厚よりも
大きく、前記第２の記録膜のキュリー温度付近になる
と、前記第３の記録膜の有効異方性磁界（Ｈｋ−４πＭ
ｓ）または保持力が記録バイアス磁界以下になる ことを
特徴とする請求項３に記載の光磁気記録用媒体。 - 【請求項５】前記第２の記録膜のキュリー温度付近にな
ると、前記第２の記録膜のキュリー温度付近にあって、
前記第１の記録膜の有効異方性磁界（Ｈｋ−４πＭｓ）
または保磁力が記録バイアス磁界以上になることを特徴
とする請求項１〜４のいずれかに記載の光磁気記録用媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5079954A JP2624114B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 光磁気記録用媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5079954A JP2624114B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 光磁気記録用媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06295478A JPH06295478A (ja) | 1994-10-21 |
| JP2624114B2 true JP2624114B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=13704710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5079954A Expired - Lifetime JP2624114B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 光磁気記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2624114B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0528563A (ja) * | 1991-07-18 | 1993-02-05 | Nec Corp | 光磁気記録再生方法 |
-
1993
- 1993-04-07 JP JP5079954A patent/JP2624114B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06295478A (ja) | 1994-10-21 |
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