JP3363936B2

JP3363936B2 - 情報の読み出し方法

Info

Publication number: JP3363936B2
Application number: JP04487793A
Authority: JP
Inventors: 元康寺尾; 公夫中村; 治一宮本; 博之粟野; 敏夫新原; 譲細江; 圭▲吉▼ 安藤; 靖宮内
Original assignee: Hitachi Maxell Energy Ltd
Current assignee: Hitachi Maxell Energy Ltd
Priority date: 1993-03-05
Filing date: 1993-03-05
Publication date: 2003-01-08
Anticipated expiration: 2018-01-08
Also published as: JPH06259823A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はレーザ光，電子線，電流
等の記録用エネルギーによって、たとえば映像や音声な
どのアナログ信号をＦＭ変調したものや、たとえば電子
計算機のデータや，ファクシミリ信号やディジタルオー
ディオ信号などのディジタル情報を、記録された記録用
薄膜から情報の読み出しを行う方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、光ディスク、光カードなどの光メ
モリにおいては、読出しは、１つの光検出器で記録媒体
からの反射光の強度（位相差による干渉で強度が変化す
る効果を含む）を検出したり、２つ以上の光検出器で反
射光の強度分布を検出したり、検光子を透過する光量に
よって、反射光の偏向面を検出したりすることによって
行うが、情報を読み出す時の分解能が光の波長によって
決まっており、波長以下のピッチで記録された情報を読
み出すのは極めて困難であった。この困難を克服するた
め、記録媒体上に、読みだし信号を制限する絞りを設け
る手法（特開平３−９３０５６号公報）や、記録マーク
の拡大よみだし法も知られている。記録マークの拡大読
みだし方法としては、特開平１―１４３０４１号公報
に、情報の保持層とともに記録された読みだし層の磁区
を、読みだし時に情報保持層からの磁気的な制約を断ち
切ることで、拡大を行なう方法が示されている。この文
献では、読み出し層はＧｄＦｅＣｏ（ＦｅＣｏリッチ）
から形成されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、上記従来技術の問題点を無くした情報の読み出し方
法を実現することにある。

【０００４】また、従来の磁区を拡大して微小マークを
読みだす手法においては、読みだし層上の記録情報に対
応した磁区列の一部だけを拡大するために、磁区拡大の
範囲が、隣に書かれた磁区に接触しない範囲に限定され
る。また、拡大した磁区と隣の磁区との距離が狭まるこ
とで、読みだし時のクロストークも問題となる。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は以下の構成とする。

【０００６】本発明に従えば、光磁気記録媒体に光ビー
ムを照射して情報を再生する方法において、磁性材料か
ら構成された記録層と、磁性材料から構成された読み出
し層と、記録層及び読み出し層の間に位置し且つ磁性材
料から構成されたスイッチング層とを有し、上記記録層
と読み出し層がスイッチング層を介して交換結合してい
ることにより記録層に記録された記録磁区が読み出し層
に転写されており、記録層のキュリー温度Ｔｃ１、読み
出し層のキュリー温度Ｔｃ２及びスイッチング層のキュ
リー温度Ｔｃ３が、Ｔｃ３＜Ｔｃ１，Ｔｃ２の関係を満
たしている光磁気記録媒体を用い；光ビームの上記光磁
気記録媒体上の光スポットを上記光磁気記録媒体に対し
て相対的に移動させながら、外部磁界の下、上記光ビー
ムの照射により光磁気記録媒体の高温部分の温度ＴがＴ
ｃ３＜Ｔ＜Ｔｃ１，Ｔｃ２となるように加熱して、それ
により光ビームのスポット中心よりも後方に位置する上
記転写された磁区の磁壁を上記光スポットの相対移動と
は反対側に移動させ；上記磁壁が移動した磁区から再生
信号を検出することを特徴とする光磁気記録媒体の再生
方法が提供される。この方法において、光ビームの光ス
ポット中心が、上記記録層に記録されている記録磁区の
中心位置に達するｔ秒前に再生信号を検出し、ｔは、
０．２Ｂ／Ａ＜ｔ＜Ｂ／Ａ（式中、Ａは記録磁区の光
スポットに対する相対速度（ｍ／ｓ）、Ｂは光スポット
の半値直径（ｍ）をそれぞれ示す）を満足することが好
ましい。

【０００７】本発明では、読みだし時のクロストークの
ない、拡大読みだしを行ない、これにより微小磁区の読
みだしを可能にしている。上記読みだし層には例えば、
保磁力が０．２Ｔ以下の軟磁気特性を持つ垂直磁化膜で
あるＲＥ−ＴＭ合金やガーネットを用いる。ここで、そ
れぞれＲＥは希土類元素から、ＴＭはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ
から選ばれる一種類以上の元素とする。この読みだし層
の膜厚は、２０ｎｍから１００ｎｍとする。記録層から
の交換磁界または漏洩磁界を調整するための層を、記録
層と読みだし層の間に挟んで設けることもある。記録層
と読みだし層の間にスイッチング層が設けられている。
このスイッチング層を介して記録層と読みだし層が交換
結合しているので、記録層に記録された記録磁区が読み
だし層に転写されている。情報の再生時には、外部磁界
を印加しながら、光ビームの光磁気記録媒体上の光スポ
ットを上記光磁気記録媒体に対して相対的に移動させ
る。このとき、光磁気記録媒体の高温部分の温度Ｔがス
イッチング層のキュリー温度Ｔｃ３より高く、記録層の
キュリー温度Ｔｃ１及び再生層のキュリー温度Ｔｃ２よ
りも低くなるようにする。このように光ビームを照射す
ると、光ビームのスポット中心よりも後方に位置する上
記転写された磁区の磁壁が光スポットの相対移動方向と
は反対側に移動し、転写された磁区が拡大する。この拡
大した磁区から（磁壁が移動した磁区）から再生信号が
検出される。

【０００８】読出し時の磁区の拡大率は、実施例１と同
様で、１．５〜１０倍の範囲が好ましい。

【０００９】読み出し光をパルス光とする時、一定周波
数（ディスクの内・外周で変えてもよい）のパルス光と
するのがよい。

【００１０】光磁気記録を行う場合は、図３に示したよ
うに記録層である磁性層２８の光入射側と反対側に誘電
体層であるＺｎＳを主成分とする層を介して補助磁性層
であるＴｂＣｏより成る磁性層３０を設けるのが効果が
有る。例えば記録層よりキュリー点の低い補助磁性層の
場合、図３に示したように補助磁性層がキュリー点を越
える領域は光磁気記録膜がキュリー点を越える領域より
光スポット進行方向と反対方向に遅れるので、記録パル
スが終わって照射部分の温度が下がり始めると光磁気記
録層（磁性層２８）がキュリー点を越える領域が小さく
なると同時に、補助磁性層がキュリー点を越える領域が
縮小し、記録マークは光スポットの進行方向と反対方向
に強く寄せられる。読出し用エネルギービームを照射す
ると、照射中の場所近傍の泡は膨張するので、読出しに
適した大きさとなり、大きな読出し信号が得られる。さ
らに、図４に示すように、光磁気記録層２８に近接して
ＴｂＦｅＣｏより成るメモリー層（磁性層３５）を設
け、メモリー層に光磁気記録層２８から磁区を転写して
おけば、記録層からの読み出し時に記録点の拡大・縮小
を行ってもメモリー層から逆転写して磁区を元に戻せる
ので記録マークの位置や大きさが変化するおそれが無
い。

【００１１】

【実施例】[実施例１] 射出成形法で形成し、表面にＵ字型のトラッキング用の
溝と、トラックやセクターのアドレスや同期信号を示す
ピットを転写した光ディスク用ポリカーボネート基板３
２の表面に、まずエンハンス層である窒化シリコン層を
厚さ約７０ｎｍに形成し、次に光磁気記録層として短波
長用光磁気記録膜として公知のＰｔ／Ｃｏ多層交互積層
膜を厚さ約３０ｎｍに形成した。続いて中間層である窒
化シリコン層を厚さ３０ｎｍに形成し、その上にＡｌ ₉₇
Ｔｉ ₃ 層を厚さ５０ｎｍに形成した。もう一枚同じ光デ
ィスクを用意し、一方向に初期磁化させた後、紫外線硬
化樹脂によって上記Ａｌ−Ｔｉ層側を内側にして貼り合
わせた。

【００１２】上記のようにして作製した光ディスクの記
録膜を波長７８０ｎｍの半導体レーザを光源とした市販
の光ディスク装置でレーザパワーを調整できるように改
造したものにセットし、弱いレーザ光でオートフォーカ
スとトラッキングを行い、ディスクを挟んで光ヘッドの
反対側に配置した電磁石から記録方向の磁場を印加しな
がら、ディスクに保存したい情報を記録した。

【００１３】図２（ａ）に示したように、記録すべきセ
クターのユーザデータ記録領域において、ディジタル信
号の”１”の部分でレーザ光９を強めると記録膜の発熱
によって大きなキュリー点を超えた領域１０が発生し
た。この領域は光スポットが通り過ぎると温度が下がっ
て縮小し、中心が温度勾配によって光スポットの移動方
向と反対方向に少し動いて磁気バブル（磁区１１）とな
って保存される。なお、図中で縮小した磁区を上下から
挟んでいるように見える直線は、基板表面の溝（逆に凸
部でもよい）の傾斜部分である。この磁気バブル磁区
は、常温では保磁力が大きいため、通常の光磁気ディス
クの記録磁場である２００Ｏｅ程度では大きさが変わら
ず、移動しない。このように、磁区の有無がディジタル
信号の１と０に対応させて記録される。このように記録
を続けてゆくと、記録された情報は縮小して保存される
ので、極めて多量の情報を記録することができる。縮小
した記録マークの光スポット進行方向と反対方向への動
きを強めて、さらに記録密度を高めるために、図３に示
したように、基板３１上の記録層である磁性層１（２
８）の光入射側と反対側に非磁性（誘電体）層であるＺ
ｎＳを主成分とする層（２９）を介して、補助磁性層で
あるＴｂ ₂₀ Ｃｏ ₈₀ （製膜時のスパッタリングタ−ゲット
の面積比より推定した組成）より成る磁性層２（３０）
を設けるのが効果が有る。この時、各層の膜厚の例は、
下部保護層が約７０ｎｍ、磁性層１が３０ｎｍ、非磁性
層が２００ｎｍ、磁性層２が約２００ｎｍであって、磁
性層２は磁性層１の１．５倍以上厚いのが好ましい。こ
の場合、磁性層２の上に中間層とＡｌ−Ｔｉ層は無くて
もよいが、有った方が放熱が良く、記録特性が良くな
る。補助磁性層の磁化は一方向に揃えておく。記録層よ
りキュリー点の低い補助磁性層の場合、図３の下部に示
したように、補助磁性層がキュリー点を越える領域は光
磁気記録膜がキュリー点を越える領域より光スポット進
行方向と反対方向に遅れる。このため、記録パルスが終
わって照射部分の温度が下がり始めると光磁気記録層
（磁性層１）がキュリー点を越える領域が小さくなると
同時に、補助磁性層がキュリー点を越える領域が縮小
し、記録マークは光スポットの進行方向と反対方向に強
く寄せられる。次の記録パルスで、補助磁性層がキュリ
ー点を越える領域が再び拡大すると同時に光磁気記録層
の温度が上昇すると、新たな記録マークが形成され始
め、拡大する。補助層として、キュリー点でなく、補償
温度に対応する等温線が図３の下部の外側の曲線のよう
になる磁気特性を有するものを用いれば、磁性層１の磁
区に働く磁場の変化率を大きくしやすいという利点が有
る。この場合、補助層のキュリー点は記録層よりも高
く、室温をＴｏ，磁性層１と磁性層２のキュリー点をそ
れぞれＴｃ ₁ ，Ｔｃ ₂ とし、磁性層２の補償温度をＴｃｏ
ｍｐ ₂ とした時、Ｔｃ ₂ ＞Ｔｃ ₁ ＞Ｔｃｏｍｐ ₂ ＞Ｔｏとす
るのがよい。情報の読出し時には、図２（ｂ）に示した
ように、記録時のパルスよりは低いパワーの一定パワー
のレーザ光１４を照射すると、レーザ光の当たった部分
近傍の磁区１５、１６だけが温度が上がって膨張するの
で、光スポットで十分分解して情報を読み取ることがで
きる。記録後、図４に示したように、記録層３３に近接
したＴｂ_２５Ｆｅ_６５Ｃｏ_１０より成るメモリー層３５
に磁区を転写すれば、記録層３３からの読み出し時に記
録点の拡大・縮小を行ってもメモリー層から逆転写して
磁区を元に戻せるので記録マークの位置や大きさが変化
するおそれが無い。すなわち、ここでは記録層３３は
「読み出し層」として作用し、逆に、メモリー層３５は
「記録層」として作用している。転写の時期は、記録の
直後から読出しの直前までが考えられる。この転写を実
現し、かつ、記録・読み出しがうまくゆくには、上記メ
モリー層と記録層の間に、Ｔｂ_２０Ｆｅ_６０Ｃｏ_１０Ａ
ｌ_１０より成るスイッチング層３４が設けられている。
スィッチング層３４が無いと磁区の拡大、縮小はやや難
しくなるが、転写は可能である。図４において、３２，
３６，３７は、図３の３１，２９，３０にそれぞれ対応
する基板、誘電体層、補助磁性層である。これらの層の
保磁力Ｈｃと交換力Ｈｅｘｃの差の温度依存性は、例
えば図５に示したようにするのが好ましい。またこの場
合、記録層３３、補助磁性層３７、スィッチング層３４
とメモリー層３５の好ましい膜厚の例は、それぞれ３０
ｎｍ、２００ｎｍ、１０ｎｍおよび３０ｎｍである。

【００１４】読み出しを行う時、少なくとも、記録層３
３、スィッチング層３４およびメモリー層３５の温度の
高い領域は、スィッチング層３４のキュリー点とメモリ
ー層３５のキュリー点の中間の温度になる。スィッチン
グ層３４のキュリー点を越えていることから、記録層３
３の磁区はメモリー層３５の磁区とは関係無く拡大して
読むことができる。すなわち、光スポット内に入り込ん
でくる記録層に転写されている磁区は、メモリ層と記録
層の磁気的な結合が高温領域で突然に失われるため図４
の白磁区（上向きの磁化を持つ磁区）のように拡大す
る。読み出し時は記録時より温度が低いので、磁区の拡
大は、コイルによる外部磁場の強度または向きを記録時
と変えることによって実現する。読み出し光照射は連続
的でもよいが、パルス状とした方が好ましい。高速磁場
変調可能なコイルを用いる場合は、磁場も高速で変化さ
せるのが好ましい。温度勾配および磁場の強度勾配によ
って、磁区の拡大は光スポットの記録媒体に対する相対
運動とは反対の方向に起こる。すなわち、磁区の中心は
相対運動と反対方向に移動し、その後縮小する。パルス
光やパルス磁場の場合はこの縮小が起こりやすい。この
ため、まだ読み出していない磁区が影響を受けるおそれ
は無い。この結果、記録媒体上に保存されている記録点
の中心位置を光スポットの中心が通過する時点より早く
その記録点の存在を示す再生信号電圧の頂部または底部
が記録媒体からの反射光強度を検出する検出器によって
検出される。この検出の進み時間ｔは、記録トラックの
読み出し時の線速度をＡｍ／s，光スポットの半値直径
をＢｍとすると、０．２Ｂ／Ａ＜t＜Ｂ／Ａの条件を満
たすのが好ましく、０．３Ｂ／Ａ＜t＜０．７Ｂ／Ａの
条件を満たせばさらに好ましい。この条件を満たさない
時は、記録点の拡大が十分でなく、十分な再生信号強度
が得られない。

【００１５】光スポットが通過して温度が下がり、スィ
ッチング層３４のキュリー点より低い温度になると、記
録層３３とメモリー層３５が再び交換結合し、図５の２
つの曲線が交わる点のＨｃ ₁ −Ｈｅｘｃ ₁₄ の値よりも正
方向（磁性層１の記録点の磁化の方向を正とする）の例
えば矢印の位置に対応する磁場がかかっていることによ
り、メモリー層３５に保存されていた磁区パターンが、
読み出しによって磁区が乱れた記録層３３に転写され
る。

【００１６】一方、また別の方法として、記録層３３か
らメモリー層３５に転写した後、さらに上記メモリー層
に隣接したＧｄ_２５Ｆｅ_６５Ｃｏ_１０（希土類（Ｇｄ）
リッチ組成）より成る読み出し層に転写してから、読み
出し層で拡大して読み出してもよい。

【００１７】補助磁性層の磁気特性が図６に示したよう
なものであるとき、読み出し時に、補助磁性層が補償温
度となる等温線が図３の下部の外側の曲線に示したよう
になるよう、補助磁性層の磁気特性を与えると、等温線
の内側では補助磁性層が外部磁場を強め、等温線の外側
では弱めるように働くので、拡大した磁区が光スポット
の運動方向と逆方向に動くのを助ける。

【００１８】情報を読む必要が無く、ただトラック上で
待機しているだけの時は、読み出し時よりレーザパワー
を低くして、磁区の拡大や移動が起こらないようにした
方が良い。

【００１９】トラック方向に強度の勾配を持った外部か
らの磁場を読み出し時に印加すると、磁区の拡大がさら
に容易になる。

【００２０】読み出し光をパルス光とする時、一定周波
数（ディスクの内・外周で変えてもよい）のパルス光と
するのがよい。

【００２１】本実施例では記録パルスの幅を一定として
磁区の大きさをほぼ一定とした例を述べたが、記録パル
スの長さか強さを変えて、保存される磁区の大きさも変
えるピットエッジ方式の記録を行ってもよい。また、光
照射を一定のパワーで、あるいはパルス状にパワー変調
して行いながら情報信号に応じて磁場の方向を変化させ
て記録を行う磁界変調記録を行ってもよい。この場合、
記録マークはトラック方向（ディスクの円周方向）にか
なり高密度で形成できるので、記録時の縮小保存は必ず
しも必要でないし、実際、記録時の磁区の境界は光スポ
ット進行方向と逆方向の低温部の等温線で決まるので大
幅な縮小は起こらない。しかし、読み出し時には本実施
例のように拡大して読み出しを行えば大きな再生信号が
得られ、利益は大きい。

【００２２】また、記録層３３よりもさらに光入射側に
読み出し層を設けてもよい。この読み出し層と記録層３
３との間にも両側の層よりキュリー点が低いスイッチン
グ層が有った方がよいが、スイッチング層を省略した方
が積層は容易になる。記録を本実施例と同様にして高密
度で行ない、読み出しを、記録層から読出し層へ１磁区
ごとに転写して行なっても良い。

【００２３】本実施例は光で記録する場合について述べ
たが、電子線で記録する場合にも、また、磁場を印加す
ると磁区が膨張する記録媒体を用いれば、磁気ディスク
等の磁気記録にも適用できる。

【００２４】この読み出し層には記録直後に各磁区が転
写されてもよいが、アイリスター法として公知の読み出
し層に近いものを設け、読み出し中の磁区に近接した磁
区は転写されないようにすれば、読み出し中の磁区は拡
大されるようにする方が好ましい。

【００２５】記録時の縮小率や読み出し時の拡大率をあ
まり大きくしない場合は、補助磁性層３７、あるいは補
助磁性層３７とそれに隣接する誘電体層（非磁性層）は
省略してもよい。従って、本発明において取り得る積層
構造は下記のとおりとなる。１．補助磁性層―誘電体層―メモリー層―スイッチング
層―記録・読み出し層（磁性層１）２．補助磁性層―誘電体層―記録・読み出し層（磁性層
１）３．補助磁性層―誘電体層―メモリー層―スイッチング
層―記録層―スイッチング層―読出し層４．補助磁性層―誘電体層―メモリー層―記録層―スイ
ッチング層―読出し層５．補助磁性層―誘電体層―メモリー層―スイッチング
層―記録層―読出し層６．補助磁性層―誘電体層―メモリー層―記録層―読出
し層７．補助磁性層―誘電体層―記録層―スイッチング層―
読出し層８．補助磁性層―誘電体層―記録層―読出し層９．補助磁性層が無い上記１〜８の積層構造１０．補助磁性層と誘電体層が無い上記１〜８の積層構
造上記の各構造の一番左の層の上には、通常、紫外線硬化
樹脂による保護層を設け、両面ディスクとする場合は、
上記紫外線硬化樹脂層側がもう一枚のディスクと貼り合
わされる。

【００２６】上記の各構造の他に、メモリー層を記録層
と読み出し層の間に移した下記の構造としてもよい。１１．補助磁性層―誘電体層―メモリー層―スイッチン
グ層―記録層一スイッチング層―読出し層１２．補助磁性層―誘電体層―メモリー層―スイッチン
グ層―記録層―読出し層１３．補助磁性層―誘電体層―メモリー層―記録層―ス
イッチング層―読出し層１４．補助磁性層―誘電体層―メモリー層―記録層―読
出し層１５．補助磁性層が無い上記１１〜１４の積層構造１６．補助磁性層と誘電体層が無い上記１１〜１４の積
層構造上記７〜８の積層構造について読み出し時の動作を説明
すると、まず、読みだしレーザービームの照射によって
記録層の磁区が読みだし層に転写され、転写された磁区
の拡大が行われる。ここでは、一つのレーザービーム
で、転写拡大を起こす機能と読みだし機能とを兼ねるこ
ともできるし、転写拡大と読みだしとを、二つのレーザ
ービームで機能させることもできる。また、この読みだ
しの際は、補助的に外部から磁界を印加することも可能
である。読みだしレーザービームが記録磁区を順次たど
って行くことで、読みだしの終わった磁区を上書きする
形で順次新しい磁区の読みだしを繰り返してもよいし、
また、読みだし層の磁化方向が、記録媒体上方に少し離
れて配置された初期化磁石により均一に揃えられたのち
に、磁区が相互に干渉しないだけの間隔をあけて転写拡
大されて読みだされても良い。

【００２７】読みだしの終わった磁区を上書きする形で
順次新しい磁区の読みだしを繰り返す場合の、記録磁区
の読みだし層への転写は、図７に示すように、読み出し
ビーム４２の照射により、読みだし層３８が昇温し、読
みだし層の保磁力が記録層３９からの漏洩および／また
は交換磁界に比べて低下することで、読みだし層に磁化
反転の核４０が発生し、記録層の磁化方向４１が転写さ
れる。こうした磁化反転領域は磁壁の圧力また外部から
の磁界により、磁壁４３をある一定領域まで押し広げ
る。これは温度上昇に伴い読みだし層の磁壁の移動度が
変化することを利用したもので、この拡大範囲４４は読
み出しビーム照射による温度上昇部の外縁部に沿ったも
のとなる。こうした拡大は、図８に示すように、読みだ
し層の磁化方向４５が記録層の磁化方向４６に一致した
場合も同様であり、転写は発生せずともこれの磁化領域
４７は昇温部に沿って拡大する。従って、記録マーク前
後のクロストークがなくなる。この読みだしは、読みだ
し磁区が読みだしビーム径と同程度、あるいはそれ以上
に拡大することで再生性能が向上するため、特にマーク
の微小化による高密度記録の読み出しに適しており、高
密度に記録された微小磁区を拡大し、従来の光学系を大
幅に変更することなく、高性能な読みだしが可能であ
る。

【００２８】〔参考例１〕図１に示すように、ガラス円板上に紫外線硬化樹脂を塗
布し1.6μmのピッチでグルーブが形成されたものを基板
４８として用いた。この上にスパッタリングにより以下
の膜を製膜した。まず窒化シリコン膜４９を厚さ85nmだ
け積層した。次に読みだし層５０としてＧｄ_２０Ｔｂ_２
Ｃｏ_７８を８０nm、記録層５１としてキュリー温度が１
７０℃のＴｂ_２０Ｆｅ_７２Ｃｏ_８膜を４０nm、それぞれ
積層した。最後に、磁性層が酸化・腐食されるのを防ぐ
ために、窒化シリコン膜１５を８０nm形成した。このよ
うにして本発明になる光磁気記録媒体を完成した。ま
た、これとの比較サンプルとして、上記の構造から読み
だし層５０を取り除いた形の光磁気記録媒体を作製し
た。こうして完成した光磁気記録媒体を２４００rpmの
速さで回転させ、その記録領域のうちの最内周（半径３
０mm）位置に、レーザー波長７８０nm、ＮＡ０．５５、
記録パワーＰを１１mwに設定して１２MHz信号の記録を
行い、２mWの読みだしパワーで再生を行った。その結
果、読みだし層を付与したサンプルでは、連続的な転写
拡大がおこなわれ、信号の増加がみられた。

【００２９】〔参考例２〕参考例１と同じ構造で同条件にて記録の行なわれたサン
プルを用いて、図９に示すように、初期化磁石５３を用
い記録層５４の磁区４つおきに読みだしする方法で読み
だしを行なった。読みだしビーム５５はパワー２mWのパ
ルス５６として、記録磁区に同期させて、照射を行っ
た。初期化磁石５３により初期化された読みだし層５７
に、記録磁区長の３つ分間隔をあけて拡大読みだしをす
ることで、読みだしされた磁区５８どうしは、拡大され
てもお互い干渉しない距離だけ離れ、安定した読みだし
が行える。１つの周回が終わると初期化磁石で読み出し
層の磁区は消去され、記録磁区１つ分だけ読みだしパル
ス位相をずらして、次の周回の読みだしに移る。こうし
て、４回周回を重ね１つのトラックの読みだしを完了す
る。この方式では、連続的な読みだし以上の信号増加が
見られた。

【００３０】

【発明の効果】本発明の再生方法によれば、記録層から
読み出し層に転写及び拡大された磁区の磁化情報を確実
に再生することができる。再生された信号は磁区拡大に
より従来の光磁気ディスクに比べて増幅されている。ま
た、読み出し時に、記録マーク前後のクロストークがな
くなる。それゆえ、本発明の再生方法は、微小磁区が形
成された高密度記録用光磁気ディスクの再生に極めて有
用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】参考例１の光磁気ディスクの構造を示す断面図
である。

【図２】光照射により光スポットとキュリー点を越えた
領域を説明する図であり、（ａ）は記録時を示し、
（ｂ）は再生時を示す。

【図３】本発明の実施例における記録マークを縮小して
光スポット進行方向と逆方向に動かす原理図である。

【図４】本発明の第１実施例において作製した光磁気デ
ィスク構造断面図である。

【図５】本発明の実施例における各磁性層の交換結合力
の温度依存性を示す図である。

【図６】本発明の実施例における補助磁性層の磁気特性
を示す図である。

【図７】本発明の実施例における読みだし原理を示す図
である。

【図８】本発明の実施例における読みだし原理を示す図
である。

【図９】参考例における読みだし原理を説明する図であ
る。

【符号の説明】

９…光スポット、１０…形成された磁気バブル、１１…
縮小して保存された磁気バブル、１２…記録トラック、
１３…読み出し光スポット、１４…読出し中の磁気バブ
ル、１５，１６…読出し中の磁気バブルの前後の少し大
きくなった磁気バブル、１７…縮小して保存された磁気
バブル、２８…記録層、２９…誘電体層、３０…補助磁
性層、３１…基板、３２…基板、３３…記録層、３４…
スイッチング層、３５…メモリー層、３６…誘電体層、
３７…補助磁性層、３８…読みだし層、３９…記録層、
４０…磁化反転の核、４１…記録層の磁化方向、４２…
読みだしビーム、４３…磁壁、４４…拡大範囲、４５…
読みだし層の磁化方向、４６…記録層の磁化方向、４７
…磁化領域、４８…基板、４９…窒化シリコン膜、５０
…読みだし層、５１…記録層、５２…窒化シリコン膜、
５３…初期化磁石、５４…記録層、５５…読みだしビー
ム、５６…読みだしビームパワーの時間プロファイル、
５７…読みだし層、５８…読みだしされた磁区。

フロントページの続き (72)発明者粟野博之東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者新原敏夫東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者細江譲東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者安藤圭▲吉▼ 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者宮内靖東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 11/105

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】光磁気記録媒体に光ビームを照射して情
報を再生する方法において、磁性材料から構成された記録層と、磁性材料から構成さ
れた読み出し層と、記録層及び読み出し層の間に位置し
且つ磁性材料から構成されたスイッチング層とを有し、
上記記録層と読み出し層がスイッチング層を介して交換
結合していることにより記録層に記録された記録磁区が
読み出し層に転写されており、記録層のキュリー温度Ｔ
ｃ１、読み出し層のキュリー温度Ｔｃ２及びスイッチン
グ層のキュリー温度Ｔｃ３が、Ｔｃ３＜Ｔｃ１，Ｔｃ２
の関係を満たしている光磁気記録媒体を用い；光ビームの上記光磁気記録媒体上の光スポットを上記光
磁気記録媒体に対して相対的に移動させながら、外部磁
界の下、上記光ビームの照射により光磁気記録媒体の高
温部分の温度ＴがＴｃ３＜Ｔ＜Ｔｃ１，Ｔｃ２となるよ
うに加熱して、それにより光ビームのスポット中心より
も後方に位置する上記転写された磁区の磁壁を上記光ス
ポットの相対移動とは反対側に移動させ；上記磁壁が移動した磁区から再生信号を検出することを
特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。
【請求項２】光ビームの光スポット中心が上記記録層
に記録されている記録磁区の中心位置に達するｔ秒前に
再生信号を検出し、ｔは、０．２Ｂ／Ａ＜ｔ＜Ｂ／Ａ
（式中、Ａは記録磁区の光スポットに対する相対速度
（ｍ／ｓ）、Ｂは光スポットの半値直径（ｍ）をそれぞ
れ示す）を満足することを特徴とする請求項１に記載の
光磁気記録媒体の再生方法。