JP2729068B2 - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
- Publication number
- JP2729068B2 JP2729068B2 JP63298249A JP29824988A JP2729068B2 JP 2729068 B2 JP2729068 B2 JP 2729068B2 JP 63298249 A JP63298249 A JP 63298249A JP 29824988 A JP29824988 A JP 29824988A JP 2729068 B2 JP2729068 B2 JP 2729068B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective layer
- adhesive layer
- layer
- nco
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、情報記録媒体、特に相変化型情報記録媒体
であって、光ビームを照射することにより記録層材料に
相変化を生じさせ、情報の記録、再生を行い、かつ、書
き換えが可能である情報記録媒体に関するものであり、
光メモリー関連機器に応用できるものである。
であって、光ビームを照射することにより記録層材料に
相変化を生じさせ、情報の記録、再生を行い、かつ、書
き換えが可能である情報記録媒体に関するものであり、
光メモリー関連機器に応用できるものである。
［従来の技術］ 電磁波、特にレーザービームの照射により情報の記
録、再生および消去可能な光メモリー媒体の一つとし
て、結晶−非晶質相間或いは結晶−結晶相間の転移を利
用する。いわゆる相変化型記録媒体が良く知られてい
る。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビームによるオ
ーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系もより
単純であることなどから最近その研究開発が活発になっ
ている。その代表的な材料例として、USP3,530,441に開
示されているようにGe−Te、Ge−Te−Sb、Ge−Te−Ｓ、
Ge−Se−Ｓ、Ge−Se−Sb、Ge−As−Se、In−Te、Se−T
e、Se−As等所謂カルコゲン系合金材料が挙げられる。
又、安定性、高速結晶化等の向上を目的にGe−Te系にAu
（特開昭61−219692）、Sn及びAu（特開昭61−27019
0）、Pd（特開昭62−19490）等を添加した材料の提案
や、記録／消去の繰返し性能向上を目的にGe−Te−Se−
Sbの組成比を特定した材料（特開昭62−73438）の提案
等もなされている。しかしながら、そのいずれもが相変
化型書換え可能な光メモリー媒体として要求される諸特
性のすべてを満足し得るものとはいえない。特に記録感
度、消去感度の向上、オーバーライト時の消し残りによ
り消去比低下の防止、並びに記録部、未記録部の長寿命
化が解決すべき最重要課題となっている。
録、再生および消去可能な光メモリー媒体の一つとし
て、結晶−非晶質相間或いは結晶−結晶相間の転移を利
用する。いわゆる相変化型記録媒体が良く知られてい
る。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビームによるオ
ーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系もより
単純であることなどから最近その研究開発が活発になっ
ている。その代表的な材料例として、USP3,530,441に開
示されているようにGe−Te、Ge−Te−Sb、Ge−Te−Ｓ、
Ge−Se−Ｓ、Ge−Se−Sb、Ge−As−Se、In−Te、Se−T
e、Se−As等所謂カルコゲン系合金材料が挙げられる。
又、安定性、高速結晶化等の向上を目的にGe−Te系にAu
（特開昭61−219692）、Sn及びAu（特開昭61−27019
0）、Pd（特開昭62−19490）等を添加した材料の提案
や、記録／消去の繰返し性能向上を目的にGe−Te−Se−
Sbの組成比を特定した材料（特開昭62−73438）の提案
等もなされている。しかしながら、そのいずれもが相変
化型書換え可能な光メモリー媒体として要求される諸特
性のすべてを満足し得るものとはいえない。特に記録感
度、消去感度の向上、オーバーライト時の消し残りによ
り消去比低下の防止、並びに記録部、未記録部の長寿命
化が解決すべき最重要課題となっている。
一般に相変化型光メモリー媒体の層構成は第２図に示
すように、透孔性基板１の上に順次下部耐熱性保護層
２、記録層３、上部耐熱性保護層４を有し、耐環境性
能、力学的強度等の向上を目的として更に有機高分子物
質からなる表面保護層５を有するものである。
すように、透孔性基板１の上に順次下部耐熱性保護層
２、記録層３、上部耐熱性保護層４を有し、耐環境性
能、力学的強度等の向上を目的として更に有機高分子物
質からなる表面保護層５を有するものである。
一方、カルコゲン化合物に代表される結晶−非晶質間
の相変化を利用した書換え型光メモリーの場合、レーザ
ー光照射による溶融−急冷により、結晶相を非晶質相に
転移させ情報を記録する。その最記録層の温度は数百℃
以上に達するため、その上下には通常、無機系の耐熱材
料が積層されている。
の相変化を利用した書換え型光メモリーの場合、レーザ
ー光照射による溶融−急冷により、結晶相を非晶質相に
転移させ情報を記録する。その最記録層の温度は数百℃
以上に達するため、その上下には通常、無機系の耐熱材
料が積層されている。
この無機系耐熱保護層上に前記有機系表面保護層を設
け、環境保護機能を具備させるが、無機材料と有機材料
とでは、親和性がない（一般に無機材料表面は親水性、
有機材料表面は親油性）ため、接着力に乏しい。又、両
者の熱膨脹率に大きな差があるため、レーザー光による
記録−消去の繰返しにより、両者界面が徐々に剥離して
きたり、機械的な衝撃等で同様の界面剥離を生じやすい
という欠点がある。
け、環境保護機能を具備させるが、無機材料と有機材料
とでは、親和性がない（一般に無機材料表面は親水性、
有機材料表面は親油性）ため、接着力に乏しい。又、両
者の熱膨脹率に大きな差があるため、レーザー光による
記録−消去の繰返しにより、両者界面が徐々に剥離して
きたり、機械的な衝撃等で同様の界面剥離を生じやすい
という欠点がある。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、無機系の耐熱保護層と有機系表面保護層と
の間の剥離を起さない情報記録媒体を提供しようとする
ものである。
の間の剥離を起さない情報記録媒体を提供しようとする
ものである。
［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するための本発明の構成は、基板上
に、下部無機系耐熱保護層、記録層、上部無機系耐熱保
護層、接着層、表面保護層を順次積層してなる情報記録
媒体において、接着層が下記の一群の物質のうちの少な
くとも一種を含有することを特徴とする情報記録媒体 １）チタネート系カップリング剤、 ２）金属アルコキシド化合物、 ３）有機金属錯体、 ４）下記一般式で表われさるシリルイソシアネート化合
物、 ただし、 R:水素またはメチル基、 X:炭素数１〜20の飽和アルキル基、 m:整数１、２または３の何れか、 l:0、１または２の何れか、 ５）下記一般式で表わされるシリルイソシアネート化合
物、 （ＲmSiNCO）4-m ただし、 R:炭素数１〜20の飽和アルキル基、 m:0、１、２または３の何れか、 ６）下記一般式で表わされるシリルイソシアネート化合
物、 （ROmSiNCO）4-m ただし、 R:炭素数１〜20の飽和アルキル基 m:1、２または３の何れか、 である。
に、下部無機系耐熱保護層、記録層、上部無機系耐熱保
護層、接着層、表面保護層を順次積層してなる情報記録
媒体において、接着層が下記の一群の物質のうちの少な
くとも一種を含有することを特徴とする情報記録媒体 １）チタネート系カップリング剤、 ２）金属アルコキシド化合物、 ３）有機金属錯体、 ４）下記一般式で表われさるシリルイソシアネート化合
物、 ただし、 R:水素またはメチル基、 X:炭素数１〜20の飽和アルキル基、 m:整数１、２または３の何れか、 l:0、１または２の何れか、 ５）下記一般式で表わされるシリルイソシアネート化合
物、 （ＲmSiNCO）4-m ただし、 R:炭素数１〜20の飽和アルキル基、 m:0、１、２または３の何れか、 ６）下記一般式で表わされるシリルイソシアネート化合
物、 （ROmSiNCO）4-m ただし、 R:炭素数１〜20の飽和アルキル基 m:1、２または３の何れか、 である。
具体的に説明すると第１図に示すように、透光性基板
１の上に、下部耐熱性保護層２、記録層３、上部耐熱性
保護層４を有し、これと表面保護層５との間に接着層６
を設けたものである。
１の上に、下部耐熱性保護層２、記録層３、上部耐熱性
保護層４を有し、これと表面保護層５との間に接着層６
を設けたものである。
本発明で用いられる基板は通常ガラス、セラミックス
あるいは樹脂であり、樹脂基板が成型性、コスト等の点
で好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート
樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フ
ッ素系樹脂、ABS樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる
が、加工性、光学特性等の点でポリカーボネート樹脂、
アクリル系樹脂が好ましい。又、基板の形状としてはデ
ィスク状、カード状あるいはシート状であっても良い。
あるいは樹脂であり、樹脂基板が成型性、コスト等の点
で好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート
樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フ
ッ素系樹脂、ABS樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる
が、加工性、光学特性等の点でポリカーボネート樹脂、
アクリル系樹脂が好ましい。又、基板の形状としてはデ
ィスク状、カード状あるいはシート状であっても良い。
無機系耐熱性保護層の材料としては、SiO、SiO2、Zn
O、SnO2、Al2O3、TiO2、I2O3、MgO、ZrO2等の金属酸化
物、Si3N4、AlN、TiN、BN、ZrN等の窒化物、SiC、TaC、
B4C、WC、TiC、ZrC等の炭化物やダイヤモンド状カーボ
ン或いはそれらの混合物が挙げられる。又、必要に応じ
て不純物を含んでいてもよい。このような耐熱性保護層
は各種気相成膜法、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、
プラズマCVD法、光CDV法、イオンプレーティング法、電
子ビーム蒸着法等によって形成できる。
O、SnO2、Al2O3、TiO2、I2O3、MgO、ZrO2等の金属酸化
物、Si3N4、AlN、TiN、BN、ZrN等の窒化物、SiC、TaC、
B4C、WC、TiC、ZrC等の炭化物やダイヤモンド状カーボ
ン或いはそれらの混合物が挙げられる。又、必要に応じ
て不純物を含んでいてもよい。このような耐熱性保護層
は各種気相成膜法、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、
プラズマCVD法、光CDV法、イオンプレーティング法、電
子ビーム蒸着法等によって形成できる。
耐熱性保護層の膜厚としては200〜5000Å、好適には5
00〜3000Åとするのが良い。200Åより薄くなると耐熱
性保護層としての機能を果たさなくなり、逆に5000Åよ
り厚くなると、感度低下を来たしたり、界面剥離を生じ
易くなる。又、必要に応じて保護層を多層化することも
できる。
00〜3000Åとするのが良い。200Åより薄くなると耐熱
性保護層としての機能を果たさなくなり、逆に5000Åよ
り厚くなると、感度低下を来たしたり、界面剥離を生じ
易くなる。又、必要に応じて保護層を多層化することも
できる。
本発明における記録層は光磁気記録材料として一般に
知られている磁性薄膜か、カルコゲン系化合物に代表さ
れる相変化材料が好ましい。但し、レーザービームによ
るヒートモード記録−消去の繰返し時に生じる熱的スト
レスは通常無機系相変化型の光メモリー媒体の方が大き
くなるため、本発明の効果の点では記録層として相変化
型記録材料を選択した場合により顕著になる。
知られている磁性薄膜か、カルコゲン系化合物に代表さ
れる相変化材料が好ましい。但し、レーザービームによ
るヒートモード記録−消去の繰返し時に生じる熱的スト
レスは通常無機系相変化型の光メモリー媒体の方が大き
くなるため、本発明の効果の点では記録層として相変化
型記録材料を選択した場合により顕著になる。
相変化材料の代表例としては、Se−Te、Se−Te−Sn、
Ge−Te、Ge−Sb−Te、Ge−Sb−Se−Te、Ge−Sb−Se、Sb
−Te、In−Te、Sn−Te、Si−Te、Ge−Sb−As−Te、Ge−
As−Se、Se−Te−As、Ge−Ｓ−Se−Te、Se−Ｓ、In−S
e、In−Se−Te、In−Se−Sb等のカルコゲン系化合物、A
gGaTe2、AgInTe2、AgGaSe2、AgInSe2、CuIn・Te2、ZnSn
Sb2等のカルコパイライト型化合物、或いはGe−Sn、Si
−Sn、Ag−Zn、Cu−Al等結晶−非晶質、結晶−結晶質間
の相転移を生じる合金やIn−Sb等の結晶粒径に変化を生
じる合金等が挙げられる。
Ge−Te、Ge−Sb−Te、Ge−Sb−Se−Te、Ge−Sb−Se、Sb
−Te、In−Te、Sn−Te、Si−Te、Ge−Sb−As−Te、Ge−
As−Se、Se−Te−As、Ge−Ｓ−Se−Te、Se−Ｓ、In−S
e、In−Se−Te、In−Se−Sb等のカルコゲン系化合物、A
gGaTe2、AgInTe2、AgGaSe2、AgInSe2、CuIn・Te2、ZnSn
Sb2等のカルコパイライト型化合物、或いはGe−Sn、Si
−Sn、Ag−Zn、Cu−Al等結晶−非晶質、結晶−結晶質間
の相転移を生じる合金やIn−Sb等の結晶粒径に変化を生
じる合金等が挙げられる。
このような記録層の成膜法としては真空蒸着法、電子
ビーム蒸着法、スパッタ法、CVD法、イオンプレーティ
ング法等の各種気相成膜法が利用できる。
ビーム蒸着法、スパッタ法、CVD法、イオンプレーティ
ング法等の各種気相成膜法が利用できる。
又、上記相変化材料単層のみならず、多層膜あるいは
超微粒子状の相変化物質を耐熱性マトリックス中に分散
せしめたようなものであっても良い。
超微粒子状の相変化物質を耐熱性マトリックス中に分散
せしめたようなものであっても良い。
後者のような記録膜の作製法としては、前記気相成膜
法以外にゾルーゲル法のような湿式プロセスも適用可能
である。
法以外にゾルーゲル法のような湿式プロセスも適用可能
である。
記録層の膜厚としては、200〜10,000Å、好適には500
〜3000Å、最適には700〜2000Åである。
〜3000Å、最適には700〜2000Åである。
本発明における接着層用材料であるチタネート系カッ
プリング剤の具体例は下記のとおりである。
プリング剤の具体例は下記のとおりである。
イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソ
プロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタ
ネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノ
エチル）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシ
ルホスファイト）チタネート、テトラ（2,2−ジアリル
オキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホス
ファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェ
ート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチル
パイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピ
ルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタク
リルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリド
デシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイ
ソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルト
リ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピ
ルトリクミルフェニルチタネート、テトライソプロピル
ビス（ジオクチルホスファイト）チタネート等が挙げら
れる。
プロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタ
ネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノ
エチル）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシ
ルホスファイト）チタネート、テトラ（2,2−ジアリル
オキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホス
ファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェ
ート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチル
パイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピ
ルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタク
リルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリド
デシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイ
ソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルト
リ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピ
ルトリクミルフェニルチタネート、テトライソプロピル
ビス（ジオクチルホスファイト）チタネート等が挙げら
れる。
この接着層の膜厚は1000Å以下、好適には200Å以下
である。
である。
接着層６に用いられる金属アルコキシドは、特に限定
されないが、例えばテトラメトキシシラン、テトラエト
キシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシ
シラン、テトラエトキシチタン、テトラプロポキシチタ
ン、テトラブトキシチタン、テトラエトキシジルコニウ
ム、テトラプロポキシジルコニウム、テトラブトキシジ
ルコニウム、トリエトキシアルミニウム、トリプロポキ
シアルミニウム、トリブトキシアルミニウム、トリエト
キシバナジウム、トリプロポキシバナジウム、トリブト
キシバナジウムなどがあげられる。これらの金属アルコ
キシドは、単独でもあるいは２種以上の混合物としても
用いることができる。
されないが、例えばテトラメトキシシラン、テトラエト
キシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシ
シラン、テトラエトキシチタン、テトラプロポキシチタ
ン、テトラブトキシチタン、テトラエトキシジルコニウ
ム、テトラプロポキシジルコニウム、テトラブトキシジ
ルコニウム、トリエトキシアルミニウム、トリプロポキ
シアルミニウム、トリブトキシアルミニウム、トリエト
キシバナジウム、トリプロポキシバナジウム、トリブト
キシバナジウムなどがあげられる。これらの金属アルコ
キシドは、単独でもあるいは２種以上の混合物としても
用いることができる。
本発明の接着層６を形成するには、前記金属アルコキ
シドをリグロイン、ヘキサン等の適当な溶媒に溶解させ
た溶液を上部耐熱性保護層４上に塗布後、加熱硬化させ
れば良い。
シドをリグロイン、ヘキサン等の適当な溶媒に溶解させ
た溶液を上部耐熱性保護層４上に塗布後、加熱硬化させ
れば良い。
接着層６の膜厚は0.1μｍ以下特に0.05〜0.005μｍが
好ましい。
好ましい。
次に、接着層の成分である有機金属錯体の具体例とし
ては下記の物質が挙げられる。アルミニウムトリス−
（アセチルアセトナート）、鉄トリス−（アセチルアセ
トナート）、コバルトビス−（アセチルアセトナー
ト）、銅ビス−（アセチルアセトナート）、マグネシウ
ム−ビス（アセチルアセトナート）、マンガン（Ｉ）ビ
ス（アセチルアセトナート）、ニッケル（Ｉ）ビス（ア
セチルアセトナート）、バナジウムトリス−（アセチル
アセトナート）、亜鉛ビス−（アセチルアセトナー
ト）、スズビス−（アセチルアセトナート）、ジルコニ
ウムテトラキスアセチルアセトネート、ジルコニウムジ
ブトキシビスアセチルアセトナート、ジルコニウムトリ
ブトキシアセチルアセトナート、ジルコニウムテトラキ
スエチルアセトアセテート、ジルコニウムブトキシトリ
スエチルアセトアセテート、ジルコニウムジブトキシビ
スエチルアセトアセテート、ジルコニウムトリブトキシ
モノエチルアセトアセテート、ジルコニウムテトラキス
エチルラタテート、ジルコニウムジブトキシビスエチル
ラクテート、ビスアセチルアセトネートビスエチルアセ
トアセテートジルコニウム、モノアセチルアセトネート
トリスエチルアセトアセテートジルコニウム、ビスアセ
チルアセトネートビスエチルラクテートジルコニウム、
ジイソプロポキシチタンビス（アセチルアセトネート）
等が使用できる。
ては下記の物質が挙げられる。アルミニウムトリス−
（アセチルアセトナート）、鉄トリス−（アセチルアセ
トナート）、コバルトビス−（アセチルアセトナー
ト）、銅ビス−（アセチルアセトナート）、マグネシウ
ム−ビス（アセチルアセトナート）、マンガン（Ｉ）ビ
ス（アセチルアセトナート）、ニッケル（Ｉ）ビス（ア
セチルアセトナート）、バナジウムトリス−（アセチル
アセトナート）、亜鉛ビス−（アセチルアセトナー
ト）、スズビス−（アセチルアセトナート）、ジルコニ
ウムテトラキスアセチルアセトネート、ジルコニウムジ
ブトキシビスアセチルアセトナート、ジルコニウムトリ
ブトキシアセチルアセトナート、ジルコニウムテトラキ
スエチルアセトアセテート、ジルコニウムブトキシトリ
スエチルアセトアセテート、ジルコニウムジブトキシビ
スエチルアセトアセテート、ジルコニウムトリブトキシ
モノエチルアセトアセテート、ジルコニウムテトラキス
エチルラタテート、ジルコニウムジブトキシビスエチル
ラクテート、ビスアセチルアセトネートビスエチルアセ
トアセテートジルコニウム、モノアセチルアセトネート
トリスエチルアセトアセテートジルコニウム、ビスアセ
チルアセトネートビスエチルラクテートジルコニウム、
ジイソプロポキシチタンビス（アセチルアセトネート）
等が使用できる。
この接着層の膜厚は100〜3000Å、好適には200〜2000
Åである。
Åである。
更に、接着層の成分として用いられる前記（４）の一
般式で示されるシリルイソシアネート化合物の具体例は
下記のとおりである。
般式で示されるシリルイソシアネート化合物の具体例は
下記のとおりである。
などがある。
前記（５）の一般式で示されるシリルイソシアネート
の具体例としては下記の物質が挙げられる。
の具体例としては下記の物質が挙げられる。
トリメチルシリルイソシアネート （CH3）3SiNCO ジメチルシリルジイソシアネート （CH3）2Si（NCO）２ メチルシリルトリイソシアネート CH3Si（NCO）３ オクタデシルシリルトリイソシアネート C18H37Si（NCO）３ ドデシルシリルトリイソシアネート C12H25Si（NCO）３ ステアリルシリルトリイソシアネート C17H35Si（NCO）３ トリオクタデシルシリルイソシアネート （C18H37）3Si（NCO） ジドデシルシリルジイソシアネート （C12H25）2Si（NCO）２ ジエチルシリルジイソシアネート （C2H5）2Si（NCO）２ ブチルシリルトリイソシアネート C4H9Si（NCO）３ ジプロピルシリルジイソシアネート （C3H7）2Si（NCO）２ エチルシリルトリイソシアネート C2H5Si（NCO）３ トリエチルシリルイソシアネート （C2H5）3SiNCO トリプロピルシリルイソシアネート （C3H7）3SiNCO プロピルシリルトリイソシアネート C3H7Si（NCO）３ テトライソシアネートシラン Si（NCO）４ などがある。
次に、前記（６）の一般式で示されるシリルイソシア
ネートの具体例としては下記の物質が挙げられる。
ネートの具体例としては下記の物質が挙げられる。
CH3OSi（NCO）３ （CH3O）2Si（NCO）２ （CH3O）3SiNCO C2H5OSi（NCO）２ C2H5OSi（NCO）３ （C2H5O）2Si（NCO）２ （C2H5O）3SiNCO （C8H17O）3SiNCO （C8H17O）2Si（NCO）２ C8H17OSi（NCO）３ C4H9OSi（NCO）３ C6H13OSi（NCO）３ C8H17OSi（NCO）３ （C10H21）3SiNCO C12H25OSi（NCO）３ C15H31OSi（NCO）３ （C18H37O）2Si（NCO）２ （C20H41O）3Si（NCO） などがある。
これらのシリルイソシアネートを用いた場合の接着層
６の膜厚は１μｍ以下、0.005μｍ以上、特に0.5μｍ以
下0.01μｍ以上が好適である。接着層の形成は浸漬法、
スプレー法、気相法などの方法により成膜することがで
きる。
６の膜厚は１μｍ以下、0.005μｍ以上、特に0.5μｍ以
下0.01μｍ以上が好適である。接着層の形成は浸漬法、
スプレー法、気相法などの方法により成膜することがで
きる。
シリルイソシアネート化合物は上記の如くSi−NCO結
合を持つもので、下記の如く、湿気分解反応でケイ素酸
化膜を形成する。
合を持つもので、下記の如く、湿気分解反応でケイ素酸
化膜を形成する。
−Si−NCO−2H2O→−Si−OH＋NH3＋CO2 −Si−OH＋−Si−OH→［Si−Ｏ−Si］ｎ したがって、Si−NCO結合をもつ化合物を基本成分と
して、ケイ素酸化膜形成剤ができる。必要に応じてアル
キルシリケート、有機ポリマー、無機ポリマーも混合利
用できる。又、チタン、ジルコニウム、スズ、アルミニ
ウム、アンチモン等を加えて、メタロシロキサン結合を
形成することもできる。
して、ケイ素酸化膜形成剤ができる。必要に応じてアル
キルシリケート、有機ポリマー、無機ポリマーも混合利
用できる。又、チタン、ジルコニウム、スズ、アルミニ
ウム、アンチモン等を加えて、メタロシロキサン結合を
形成することもできる。
本発明はかかるシリルイソシアネート化合物の性質を
利用して、すぐれた特性をもつ接着層が形成されること
を見出してなされたものである。
利用して、すぐれた特性をもつ接着層が形成されること
を見出してなされたものである。
これらの化合物は単独でも２種以上の混合物として用
いることができる。又、接着性改善のため、上記シリル
イソシアネート化合物と他の有機化合物との混合物及び
必要ならば触媒を加えて用いることもできる。
いることができる。又、接着性改善のため、上記シリル
イソシアネート化合物と他の有機化合物との混合物及び
必要ならば触媒を加えて用いることもできる。
有機系表面保護層の材料としては、公知の各種有機樹
脂化合物を使用できるが、好適には紫外線や電子線の照
射により重合硬化する所謂、放射線硬化型化合物が良
い。
脂化合物を使用できるが、好適には紫外線や電子線の照
射により重合硬化する所謂、放射線硬化型化合物が良
い。
その代表例としてはエポキシアクリレート樹脂、ウレ
タンアクリレート樹脂等が挙げられる。
タンアクリレート樹脂等が挙げられる。
このような有機系表面保護層の膜厚は0.5〜30μｍ、
好適には１〜10μｍである。
好適には１〜10μｍである。
又、その成膜法としてはスピンコート、スプレーコー
ト、ディッピング等、公知の方法を適用し得る。
ト、ディッピング等、公知の方法を適用し得る。
以上、基本層構成について述べたが、感度向上等を目
的に必要に応じて反射層や誘電体層等を設けても良い。
的に必要に応じて反射層や誘電体層等を設けても良い。
以下、比較例および実施例によって、本発明を具体的
に説明する。
に説明する。
まず、比較例として、接着層を設けない試料を作製、
試験をし、実施例は、比較例の試料に対して、特定の接
着層を設けた点のみが相違する試料を作製、試験をし
た。
試験をし、実施例は、比較例の試料に対して、特定の接
着層を設けた点のみが相違する試料を作製、試験をし
た。
［比較例Ｉ］ あらかじめ溝（深さ700Å、巾0.6μｍ、ピット1.6μ
ｍ）を設けた厚さ1.2mm、直径130mmφのポリカーボネー
ト基板上にスパッタリング法により、下部耐熱保護層と
してSiO2を2000Å、記録層としてGe2Sb2Te5を700Å、上
部耐熱保護層としてSiO2を1000Åを順次積層した。
ｍ）を設けた厚さ1.2mm、直径130mmφのポリカーボネー
ト基板上にスパッタリング法により、下部耐熱保護層と
してSiO2を2000Å、記録層としてGe2Sb2Te5を700Å、上
部耐熱保護層としてSiO2を1000Åを順次積層した。
さらにこの上にエポキシアクリレート系の紫外線硬化
型樹脂を有機表面保護層として、スピンコートにより塗
布し、塗布後、紫外線を15秒照射し架橋硬化させ、膜厚
５μｍの保護膜を形成せしめた。
型樹脂を有機表面保護層として、スピンコートにより塗
布し、塗布後、紫外線を15秒照射し架橋硬化させ、膜厚
５μｍの保護膜を形成せしめた。
又、上記耐熱保護層と有機表面保護層間の付着強度測
定用として、スライドガラス上にスパッタリング法によ
りSiO2を1000Å成膜した後、上記紫外線硬化樹脂をスピ
ンコート法にて約５μｍ積層硬化した試料も準備した。
定用として、スライドガラス上にスパッタリング法によ
りSiO2を1000Å成膜した後、上記紫外線硬化樹脂をスピ
ンコート法にて約５μｍ積層硬化した試料も準備した。
［実施例−Ｉ］ 上部耐熱保護層と有機表面保護層との間に下記接着層
を設けた以外は比較例と同様の方法で実施例Ｉ−１〜Ｉ
−６を作製した。
を設けた以外は比較例と同様の方法で実施例Ｉ−１〜Ｉ
−６を作製した。
なお、実施例に記載の各成分の量（部）は重量部であ
る。
る。
実施例Ｉ−１ イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェー
ト）チタネート 2部 ｎ−ヘキサン 98部 からなる接着層形成液を塗布し、50℃で１時間乾燥し
て、100Å以下の接着層を形成した。
ト）チタネート 2部 ｎ−ヘキサン 98部 からなる接着層形成液を塗布し、50℃で１時間乾燥し
て、100Å以下の接着層を形成した。
実施例Ｉ−２ ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタ
ネート 1部 ｎ−ヘキサン 99部 からなる接着層形成液を塗布し、50℃で１時間乾燥し
て、100Å以下の接着層を形成した。
ネート 1部 ｎ−ヘキサン 99部 からなる接着層形成液を塗布し、50℃で１時間乾燥し
て、100Å以下の接着層を形成した。
実施例Ｉ−３ Ti（OC4H9）４ 4部 リグロイン 96部 からなる接着層形成液を塗布し、90℃で１時間乾燥し
て、400Å以下の接着層を形成した。
て、400Å以下の接着層を形成した。
実施例Ｉ−４ Zr（OC4H9）４ 4部 リグロイン 96部 からなる接着層形成液を塗布し、90℃で１時間乾燥し
て、500Å以下の接着層を形成した。
て、500Å以下の接着層を形成した。
実施例Ｉ−５ ジルコニウムテトラキスアセチルアセトナート 1部 イソプロピルアルコール 30部 からなる接着層形成液をスピンコートで塗布し、100℃
で１時間乾燥して、約800Åの接着層を得た。
で１時間乾燥して、約800Åの接着層を得た。
実施例Ｉ−６ ジイソプロポキシチタンビスアセチルアセトナート 2部 γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン 1部 ｎ−ブタノール 40部 からなる接着層形成液をスピンコートにて塗布し、100
℃で１時間乾燥して、約700Åの接着層を形成した。
℃で１時間乾燥して、約700Åの接着層を形成した。
このようにして得られた試料について膜の付着強度、
評価、耐久性加速試験を実施した結果を表−Ｉに示す。
評価、耐久性加速試験を実施した結果を表−Ｉに示す。
［比較例II］ あらかじめ溝（深さ700Å、巾0.6μｍ、ピット1.6μ
ｍ）を設けた厚さ1.2mm、直径130mmφのポリカーボネー
ト基板上にスパッタリング法により、下部耐熱保護層と
してSiO2を2000Å、記録層としてGe2Sb2Te5を700Å、上
部耐熱保護層としてSiO2を1000Åを順次積層した。
ｍ）を設けた厚さ1.2mm、直径130mmφのポリカーボネー
ト基板上にスパッタリング法により、下部耐熱保護層と
してSiO2を2000Å、記録層としてGe2Sb2Te5を700Å、上
部耐熱保護層としてSiO2を1000Åを順次積層した。
さらにこの上にウレタンアクリレート系の紫外線硬化
型樹脂を有機表面保護層としてスピンコートにより塗布
し、塗布後、紫外線を15秒照射し架橋硬化させ、膜厚５
μｍの保護膜を形成せしめた。
型樹脂を有機表面保護層としてスピンコートにより塗布
し、塗布後、紫外線を15秒照射し架橋硬化させ、膜厚５
μｍの保護膜を形成せしめた。
又、上記耐熱保護層と有機表面保護層間の付着強度測
定用として、スライドガラス上にスパッタリング法によ
りSiO2を1000Å成膜した後、上記紫外線硬化樹脂をスピ
ンコート法にて約５μｍ積層硬化した試料も準備した。
定用として、スライドガラス上にスパッタリング法によ
りSiO2を1000Å成膜した後、上記紫外線硬化樹脂をスピ
ンコート法にて約５μｍ積層硬化した試料も準備した。
［実施例−II］ 上部耐熱保護層と有機表面保護層との間に下記接着層
を設けた以外は比較例と同様の方法にて実施例II−１〜
６を作製した。
を設けた以外は比較例と同様の方法にて実施例II−１〜
６を作製した。
実施例II−１ 組成 ビニルシリルトリイソシアネート 10部 酢酸ｎブチル 70部 上部処方の液をスピンコートにて塗布後、室温、湿度
55〜65％RHで２時間乾燥し、膜厚700Åの接着層を得
た。
55〜65％RHで２時間乾燥し、膜厚700Åの接着層を得
た。
実施例II−２ 組成 ビニルメチルジイソシアネートシラン 10部 酢酸ｎブチル 70部 実施例II−１と同様にして膜厚600Åの接着層を得
た。
た。
実施例II−３ 組成 テトライソシアネートシラン 4部 メチルシリルトリイソシアネート 4部 酢酸ｎブチル 72部 上記処方の液をスピンコートにて塗布後、室温、湿度
55〜65％RHで22時間乾燥し、膜厚700Åの接着層を得
た。
55〜65％RHで22時間乾燥し、膜厚700Åの接着層を得
た。
実施例II−４ 組成 テトライソシアネートシラン 4部 ジメチルシリルジイソシアネート 4部 酢酸ｎブチル 80部 実施例II−３と同様にして膜厚600Åの接着層を得
た。
た。
実施例II−５ 組成 エトキシシラントリイソシアネート 10部 酢酸ｎブチル 75部 本処方液をスピンコート法により塗布後、40℃、50〜
60％RHで１時間乾燥し、膜厚900Åの接着層を得た。
60％RHで１時間乾燥し、膜厚900Åの接着層を得た。
実施例II−６ 組成 ジエトキシシランジイソシアネート 10部 酢酸ｎブチル 70部 スピンコート法により塗布後、40℃、60〜65％RHで１
時間乾燥し、膜厚.1000Åの接着層を得た。
時間乾燥し、膜厚.1000Åの接着層を得た。
このようにして得られた試料について、膜の付着強度
評価、耐久性加速試験を実施した結果を表−IIに示す。
評価、耐久性加速試験を実施した結果を表−IIに示す。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の情報記録媒体は表面保
護層の剥離が起らず、かつ、ビットエラーレートも低
く、優れた記録媒体である。
護層の剥離が起らず、かつ、ビットエラーレートも低
く、優れた記録媒体である。
第１図は本発明の情報記録媒体の構成を示す断面の模式
図、 第２図は従来の情報記録媒体の断面の模式図、 第３図は比較例および実施例の試料の試験をしたときの
ヒートサイクルを示す説明図である。 １……透明性基板、２……下部耐熱性保護層、 ３……記録層、４……上部耐熱性保護層、 ５……表面保護層、６……接着層。
図、 第２図は従来の情報記録媒体の断面の模式図、 第３図は比較例および実施例の試料の試験をしたときの
ヒートサイクルを示す説明図である。 １……透明性基板、２……下部耐熱性保護層、 ３……記録層、４……上部耐熱性保護層、 ５……表面保護層、６……接着層。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に、下部無機系耐熱保護層、記録
層、上部無機系耐熱保護層、接着層、表面保護層を順次
積層してなる情報記録媒体において、接着層が下記の一
群の物質のうちの少なくとも一種を含有することを特徴
とする情報記録媒体。 １）チタネート系カップリング剤、 ２）金属アルコキシド化合物、 ３）有機金属錯体、 ４）下記一般式で表われさるシリルイソシアネート化合
物、 ただし、 R:水素またはメチル基、 X:炭素数１〜20の飽和アルキル基、 m:整数１、２または３の何れか、 l:0、１または２の何れか、 ５）下記一般式で表わされるシリルイソシアネート化合
物、 （ＲmSiNCO）4-m ただし、 R:炭素数１〜20の飽和アルキル基、 m:0、１、２または３の何れか、 ６）下記一般式で表わされるシリルイソシアネート化合
物、 （ROmSiNCO）4-m ただし、 R:炭素数１〜20の飽和アルキル基 m:1、２または３の何れか、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63298249A JP2729068B2 (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63298249A JP2729068B2 (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02146114A JPH02146114A (ja) | 1990-06-05 |
| JP2729068B2 true JP2729068B2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=17857173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63298249A Expired - Lifetime JP2729068B2 (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2729068B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06282872A (ja) * | 1993-03-30 | 1994-10-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | 書き込み可能な光情報記録媒体とその製造方法 |
| JPH06282874A (ja) * | 1993-03-30 | 1994-10-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | 書き込み可能な光情報記録媒体 |
| WO2008075714A1 (ja) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Seiko Epson Corporation | 薄膜電子デバイス接合基板の製造方法、及び電子機器 |
-
1988
- 1988-11-28 JP JP63298249A patent/JP2729068B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02146114A (ja) | 1990-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7291375B2 (en) | Phase-change optical recording medium | |
| JP3810076B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2001511288A (ja) | 再書き込み可能な光学情報媒体 | |
| JP2729068B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| TW200405323A (en) | Optical recording medium, process for manufacturing the same, sputtering target for manufacturing the same, and optical recording process using the same | |
| JP3570169B2 (ja) | 光学情報記録媒体 | |
| EP1131819A1 (en) | Rewritable optical information recording medium | |
| WO2005075212A1 (ja) | 相変化型情報記録媒体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、並びに相変化型情報記録媒体の使用方法及び光記録装置 | |
| JPH09309268A (ja) | 光学的記録媒体及び情報記録方法 | |
| EP1710088A1 (en) | Optical recording disk and its manufacturing method | |
| JP3429406B2 (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH08315418A (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 | |
| JP3885051B2 (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP3889028B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2827201B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2006182030A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH07307036A (ja) | 光学記録媒体 | |
| JP3664403B2 (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP2967949B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JP2967948B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JP2003331470A (ja) | 光記録媒体とその製造方法 | |
| JP3216552B2 (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| EP1504447A1 (en) | Multi-stack optical data storage medium and use of such medium | |
| JP3137093B2 (ja) | 相変化記録媒体 | |
| JP2003257081A (ja) | 相変化光記録媒体 |