JPS59154402A - 光学薄膜の製法 - Google Patents
光学薄膜の製法Info
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- JPS59154402A JPS59154402A JP58029078A JP2907883A JPS59154402A JP S59154402 A JPS59154402 A JP S59154402A JP 58029078 A JP58029078 A JP 58029078A JP 2907883 A JP2907883 A JP 2907883A JP S59154402 A JPS59154402 A JP S59154402A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
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- C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本兄明は、光学薄膜およびその製法に関するもので、詳
しくは光−磁気ディスクや光ディスクの反射防止膜に適
した高屈折率を有する光学薄膜およびその製法に関する
ものである。
しくは光−磁気ディスクや光ディスクの反射防止膜に適
した高屈折率を有する光学薄膜およびその製法に関する
ものである。
従来、光学薄膜を得る方法として、例えば米国特許第３
９３４９６１ 号公報に開示された酸化アルミニウム（
ＡＪ２０ｘ） （！：酸化ジルコニウム（Ｚｒ０２）を
混合焼結して得たものを蒸着用薬品として用いるか、又
は特開昭５０−、；５２１１号公報に開示された酸化ジ
ルコニウム（Ｚｒ０２）と酸化チタン（ＴｉＯ２）を混
合焼結して得たものを蒸着用薬品として用いるか、ある
いはば化チタン単独を蒸着用薬品として用いて、被蒸着
脅（ガラスやプラスチック）に真空下で蒸着する方法が
知られている。
９３４９６１ 号公報に開示された酸化アルミニウム（
ＡＪ２０ｘ） （！：酸化ジルコニウム（Ｚｒ０２）を
混合焼結して得たものを蒸着用薬品として用いるか、又
は特開昭５０−、；５２１１号公報に開示された酸化ジ
ルコニウム（Ｚｒ０２）と酸化チタン（ＴｉＯ２）を混
合焼結して得たものを蒸着用薬品として用いるか、ある
いはば化チタン単独を蒸着用薬品として用いて、被蒸着
脅（ガラスやプラスチック）に真空下で蒸着する方法が
知られている。
しかし、前述のｋｌ、０．−ＺｒＯ２焼結物やＺｒＯ□
−Ｔｉ０２焼結物を用いて被蒸着体を室温（約２０℃）
下の温度〜８０℃の温度にして蒸着成膜された光学薄膜
は、十分に旨い屈折率を示すことがなく、ＺｒＯ２膜と
ほぼ同程度の屈折率である。一方、被蒸着体を３００℃
以上の温度に加熱し、そこに前述の如き光学薄膜を成膜
することによって高屈ゼテ率なものとすることができる
。しかし、光−磁気ディスクや光ディスクを製造する工
程中で、記録層や基体の上に設けたメタクリル樹脂、硬
質塩ビ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ユリア欄脂、ポリ
エチ１７ン樹力旨などからなる断熱層が３００℃以上の
温度に加熱されることは）好ましいことでなり、特にこ
れらの断熱層の上に光学薄膜を形成す、る除、断熱層が
３００℃以上に加熱されてると、その表面が酸化され、
”く八 もり″発生の原因となっている。又、記録層が加熱され
ると、レーザに対する感応性がなくなることがある。
−Ｔｉ０２焼結物を用いて被蒸着体を室温（約２０℃）
下の温度〜８０℃の温度にして蒸着成膜された光学薄膜
は、十分に旨い屈折率を示すことがなく、ＺｒＯ２膜と
ほぼ同程度の屈折率である。一方、被蒸着体を３００℃
以上の温度に加熱し、そこに前述の如き光学薄膜を成膜
することによって高屈ゼテ率なものとすることができる
。しかし、光−磁気ディスクや光ディスクを製造する工
程中で、記録層や基体の上に設けたメタクリル樹脂、硬
質塩ビ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ユリア欄脂、ポリ
エチ１７ン樹力旨などからなる断熱層が３００℃以上の
温度に加熱されることは）好ましいことでなり、特にこ
れらの断熱層の上に光学薄膜を形成す、る除、断熱層が
３００℃以上に加熱されてると、その表面が酸化され、
”く八 もり″発生の原因となっている。又、記録層が加熱され
ると、レーザに対する感応性がなくなることがある。
又、被蒸着体を室温下の温度にした蒸着法により成膜し
た光学薄膜のうち、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ７）膜は
屈折率が約１．９と高屈折率を示シ、又酸化タンタル（
’ｉ’ａ２０ｉ）膜と五酸化ニオブ（Ｎ ｂｚ０５ ）
膜がそれぞれ約２．０と約２．１の高屈折率を示してい
る。しかし、これらの光学薄膜は、酸化ジルコニウム、
酸化タンタルや五酸化ニオブの焼結物を蒸Ｉｔ用薬品と
して用いて、真伊下に電子銃を照射することによって被
蒸着体の上に成膜することができるが、蒸着時に蒸着用
薬品が飛散し、それが膜の上に微細な粒状物となって何
者し、製造時の鍋い不良率の原因となっている。
た光学薄膜のうち、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ７）膜は
屈折率が約１．９と高屈折率を示シ、又酸化タンタル（
’ｉ’ａ２０ｉ）膜と五酸化ニオブ（Ｎ ｂｚ０５ ）
膜がそれぞれ約２．０と約２．１の高屈折率を示してい
る。しかし、これらの光学薄膜は、酸化ジルコニウム、
酸化タンタルや五酸化ニオブの焼結物を蒸Ｉｔ用薬品と
して用いて、真伊下に電子銃を照射することによって被
蒸着体の上に成膜することができるが、蒸着時に蒸着用
薬品が飛散し、それが膜の上に微細な粒状物となって何
者し、製造時の鍋い不良率の原因となっている。
本発明の目的は、前述の欠点を解消した光学薄膜、特に
高屈折率の反射防止膜に適した光学薄膜を提供すること
にある。
高屈折率の反射防止膜に適した光学薄膜を提供すること
にある。
本発明の別の目的は、高屈折率を有する光学薄膜を室温
程度の温度に設定されている被蒸着体に蒸着法で成膜す
ることができる光学薄膜の製法を提供することにある。
程度の温度に設定されている被蒸着体に蒸着法で成膜す
ることができる光学薄膜の製法を提供することにある。
本発明の他の目的は、蒸着時に生じる蒸着用薬品の飛散
を防止し、被蒸着体あるいは蒸着膜に形成される微細な
粒状物の発生を防止した光学薄膜の製法を提供すること
にある。
を防止し、被蒸着体あるいは蒸着膜に形成される微細な
粒状物の発生を防止した光学薄膜の製法を提供すること
にある。
本発明の光学薄膜は、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ，）と咽
化ジルコニウム（Ｚｒ０２）を有し、特に酸化タンタル
が酸化ジルコニウムに対して１モル以上の比率で含有す
ると１．９以上の高屈折率を示すことができる。又、酸
化メンタルと酸化ジルコニウムの分子量、密度、蒸気圧
と混合モル比から、成膜された光学薄膜の屈折率を予測
することができる。例えば、酸化タンタルと酸化ジルコ
ニウムのモル混合比をａ：１、その分子量の比をｃ：１
．その密度の比をｄ：１．その蒸気圧の比をｂ＝１、酸
化タンタル膜の屈折率をｎＴ ｓさらに酸化ジルコニウ
ム膜の屈折率をｎｚとすると、ある蒸発温度ＴＫで成膜
された光学薄膜の屈折率ｎ７ｚは、次の式（１）で表わ
すことができる。
化ジルコニウム（Ｚｒ０２）を有し、特に酸化タンタル
が酸化ジルコニウムに対して１モル以上の比率で含有す
ると１．９以上の高屈折率を示すことができる。又、酸
化メンタルと酸化ジルコニウムの分子量、密度、蒸気圧
と混合モル比から、成膜された光学薄膜の屈折率を予測
することができる。例えば、酸化タンタルと酸化ジルコ
ニウムのモル混合比をａ：１、その分子量の比をｃ：１
．その密度の比をｄ：１．その蒸気圧の比をｂ＝１、酸
化タンタル膜の屈折率をｎＴ ｓさらに酸化ジルコニウ
ム膜の屈折率をｎｚとすると、ある蒸発温度ＴＫで成膜
された光学薄膜の屈折率ｎ７ｚは、次の式（１）で表わ
すことができる。
前記式（１）によれば、酸化タンタルと酸化ジルコニウ
ムの間ではｂは約１５ Ｃは約３．６、ｄは約１．６と
なり、混合比ａ＝ｌとしだ時には、ｎＴｚは約１．９７
となり、又ａ＝３とした時にはｎＴＺは約２．０となる
。
ムの間ではｂは約１５ Ｃは約３．６、ｄは約１．６と
なり、混合比ａ＝ｌとしだ時には、ｎＴｚは約１．９７
となり、又ａ＝３とした時にはｎＴＺは約２．０となる
。
本発明の光学ｌｑ膜は、混合した酸化タンタル粉末と酸
化ジルコニウム粉末を高圧プレスによって成型した後、
これを約１０ ’ Ｔｏｒｒの真空炉中でホットプレス
処理して焼結パレット（焼結物）を作成し、約１０Ｔｏ
ｒｒの真空度および被蒸着体温度を室温（２０℃）下の
温度〜８０℃の温度に設定し、前述の焼結ペレットを蒸
着用薬品として電子銃加熱することによって、微細な粒
状物を付着させることなく光学薄膜を被蒸着体の上に成
膜することができる。
化ジルコニウム粉末を高圧プレスによって成型した後、
これを約１０ ’ Ｔｏｒｒの真空炉中でホットプレス
処理して焼結パレット（焼結物）を作成し、約１０Ｔｏ
ｒｒの真空度および被蒸着体温度を室温（２０℃）下の
温度〜８０℃の温度に設定し、前述の焼結ペレットを蒸
着用薬品として電子銃加熱することによって、微細な粒
状物を付着させることなく光学薄膜を被蒸着体の上に成
膜することができる。
この光学薄膜は、好ましい具体例では光ディスクや光−
磁気ディスク技術の分野で用いられている反射防止膜と
して有効なものである。例えば、基体（ガラス板、金属
やプラスチック板２）の上ｒト設けた断熱層（こめ断熱
層は、メタクリル樹脂、硬質」型化ビニル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、ユリア樹脂、ポ・リエチレンなどの樹
脂によって形成されている）と光−磁気記録層の間ある
いは光−磁気記録層の上に＝ｉ■述の光学薄膜を反射防
止膜として配置することができる。
磁気ディスク技術の分野で用いられている反射防止膜と
して有効なものである。例えば、基体（ガラス板、金属
やプラスチック板２）の上ｒト設けた断熱層（こめ断熱
層は、メタクリル樹脂、硬質」型化ビニル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、ユリア樹脂、ポ・リエチレンなどの樹
脂によって形成されている）と光−磁気記録層の間ある
いは光−磁気記録層の上に＝ｉ■述の光学薄膜を反射防
止膜として配置することができる。
この際、被蒸着体としての断熱層は高温までに加熱する
必要がないため、加熱によシ生じる表面酸ｆヒに帰因す
る“くもり″現象の発生を防止することができ、又反射
防止層を光−磁気記録層の一ヒに設ける際には被蒸着体
としての光−磁気記録層を高温に加熱することがないた
めに光−磁気記録材としての選択範囲を拡大でき、より
好ましい記録材の選択を容易になすことができる。特に
、平坦なディスク状基体の上にＴｅやＢｉなどの低融点
金属を被膜形成ｉ〜だ光ディスク、記録媒体や８＠俣え
可能なＴｂＦｅ 、 Ｇａｇｅ 、 ０１ｄｃＯ。
必要がないため、加熱によシ生じる表面酸ｆヒに帰因す
る“くもり″現象の発生を防止することができ、又反射
防止層を光−磁気記録層の一ヒに設ける際には被蒸着体
としての光−磁気記録層を高温に加熱することがないた
めに光−磁気記録材としての選択範囲を拡大でき、より
好ましい記録材の選択を容易になすことができる。特に
、平坦なディスク状基体の上にＴｅやＢｉなどの低融点
金属を被膜形成ｉ〜だ光ディスク、記録媒体や８＠俣え
可能なＴｂＦｅ 、 Ｇａｇｅ 、 ０１ｄｃＯ。
ＭｎＢ１やＧｄＴｂＦ”ｅなどの金属を被膜形成した光
−磁気ディスク配録媒体の反射防止膜として有効である
。
−磁気ディスク配録媒体の反射防止膜として有効である
。
本発明の光学薄膜は、その光学膜厚をλ／４あるいはλ
／２（λ：波長）とすることができ、特に約２０００人
の膜厚で形成することによって反射防止＋ｂｓとするこ
とができる。又、酸化メンタル／酸化ジルコニウム≧１
となるモル比で成型した焼結パレットを蒸着用薬品とし
て用いて成膜−した薄膜は、その屈折林玉を１．９以上
とすることができ、特に本発明で好ましいものである。
／２（λ：波長）とすることができ、特に約２０００人
の膜厚で形成することによって反射防止＋ｂｓとするこ
とができる。又、酸化メンタル／酸化ジルコニウム≧１
となるモル比で成型した焼結パレットを蒸着用薬品とし
て用いて成膜−した薄膜は、その屈折林玉を１．９以上
とすることができ、特に本発明で好ましいものである。
又、この光学薄膜は、前述の光ディスクや光−磁気ディ
スク技術分野で用いる反射防止膜に限き゛らず、他の技
術分野、例えばレンズ光学系を用いた光学機器における
反射防止膜あるいは干渉薄膜などにも用いることができ
る。
スク技術分野で用いる反射防止膜に限き゛らず、他の技
術分野、例えばレンズ光学系を用いた光学機器における
反射防止膜あるいは干渉薄膜などにも用いることができ
る。
又、本発明の光学薄膜は、単数の層として形成すること
ができる他に、別の薄膜、例えば酸化チタン（ＴｉＯ□
）膜、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ，、）膜や五酸化ニオ
ブ（Ｎｂ２０５）膜などを組合せた複数の層としても形
成することができる。
ができる他に、別の薄膜、例えば酸化チタン（ＴｉＯ□
）膜、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ，、）膜や五酸化ニオ
ブ（Ｎｂ２０５）膜などを組合せた複数の層としても形
成することができる。
以下、本発明を実施例に従って説明する。
実施例１
モル比１：１の酸化タンタル粉末と酸化ジルコニウム粉
末を加圧プレスにて成型した後、これをｌ Ｑ ’ Ｔ
ｏｒｒの真空度および１０００℃の温度下でホットプレ
ス処理して焼結生成したパレットを作成した。
末を加圧プレスにて成型した後、これをｌ Ｑ ’ Ｔ
ｏｒｒの真空度および１０００℃の温度下でホットプレ
ス処理して焼結生成したパレットを作成した。
次に、表向が光学的精度で研摩された直径２０側および
厚さ５間のガラス基板に熱伝導率５×１０ Ｃａｌ／（
１）・就・℃ のポリメチルメタクリレート樹脂をスピ
ンナー塗布して断熱層を形成した。
厚さ５間のガラス基板に熱伝導率５×１０ Ｃａｌ／（
１）・就・℃ のポリメチルメタクリレート樹脂をスピ
ンナー塗布して断熱層を形成した。
次いで、真空度１０ ’Ｔｏｒｒ下で、室１ｍ下の温度
となっている焼結パレットを電子銃で加熱することによ
って断熱層の上に酸化タンタル−酸化ジルコニウム膜を
反射防止膜として２０００人の膜厚で形、成した。この
際、この膜は屈折率１．９６を示し、しかも蒸着時に見
られていた酸化タンタル特有の飛散現象による微細粒子
の付着発生は見られなかった。
となっている焼結パレットを電子銃で加熱することによ
って断熱層の上に酸化タンタル−酸化ジルコニウム膜を
反射防止膜として２０００人の膜厚で形、成した。この
際、この膜は屈折率１．９６を示し、しかも蒸着時に見
られていた酸化タンタル特有の飛散現象による微細粒子
の付着発生は見られなかった。
しかる後に、記録層としてＧｄＴｂＦｅ膜を０．１μｍ
の膜厚となる様に゛スパッタ法で形成した後、保護層と
してＳｉＯ膜を１μｍの膜）ｌとなる様に蒸者法で形成
して、記録媒体を作成した。この記録媒体を液長０．８
３μｍの半導体レーザで記録した後、再生したところ良
好なＳ／Ｎ比が得られた。
の膜厚となる様に゛スパッタ法で形成した後、保護層と
してＳｉＯ膜を１μｍの膜）ｌとなる様に蒸者法で形成
して、記録媒体を作成した。この記録媒体を液長０．８
３μｍの半導体レーザで記録した後、再生したところ良
好なＳ／Ｎ比が得られた。
また、前述の反射防止膜は透明性、密着性および耐候性
の点で優れていることが判明した。
の点で優れていることが判明した。
比較例１
前記実施例１の焼結パレットを作成した際に用いた岐化
−タンタルと酸化ジルコニウムの混合粉床、に代えて酸
化タンタル粉末単独とした他は、実施例１と同様の方法
で焼結パレットを作成し、以下実施例１と同様の方法で
２０００人の膜厚で反射防止膜を作成したところ、膜上
に蒸着用薬品の飛散現象が原因となって発生した微細な
粒状物の付着が見られた。
−タンタルと酸化ジルコニウムの混合粉床、に代えて酸
化タンタル粉末単独とした他は、実施例１と同様の方法
で焼結パレットを作成し、以下実施例１と同様の方法で
２０００人の膜厚で反射防止膜を作成したところ、膜上
に蒸着用薬品の飛散現象が原因となって発生した微細な
粒状物の付着が見られた。
又、酸化ジルコニウム粉末および五酸化ニオブ粉末につ
いても、それぞれ前述の比較例と同様の方法で焼結パレ
ットを作成してから、 ２０００人の膜厚を有する反射
防止膜を作成したが、前述の比較例と同様の結果が得ら
れた。
いても、それぞれ前述の比較例と同様の方法で焼結パレ
ットを作成してから、 ２０００人の膜厚を有する反射
防止膜を作成したが、前述の比較例と同様の結果が得ら
れた。
実施例２
酸化タンタル／酸化ジルコニウム−３／】のモル比を有
する混合粉末を加圧プレスにて成型した陵、実施例工と
同様の方法でホットブレス処理するここによって焼結パ
レットを作成した。
する混合粉末を加圧プレスにて成型した陵、実施例工と
同様の方法でホットブレス処理するここによって焼結パ
レットを作成した。
次に、表面が光学的精度で研摩された直径２０儒および
厚さ５−のガラス基板に熱伝導率４，６×１０Ｃａｌ／
ｃｍ−８ｃ！ｃ・℃ のポリ力ｉ −＊ −） 値Ｆ
Ｊｅをスピンナー塗布して断熱層を形成した。次いで、
真空度１Ｏ−５“睨ｒ下で、呈温下の温度になっている
焼結パレットを電子銃で加熱することによって断熱層Ω
上に酸化タンタル−酸化ジルコニウム膜を反射防止膜と
して２０００人の膜厚で形成した。この際、こめ膜は屈
折也１．９９（約）を示し、しかも蒸着時に見られてい
た酸化タンタル特有の飛散現象による微細粒子の付着発
生は見られなかった。
厚さ５−のガラス基板に熱伝導率４，６×１０Ｃａｌ／
ｃｍ−８ｃ！ｃ・℃ のポリ力ｉ −＊ −） 値Ｆ
Ｊｅをスピンナー塗布して断熱層を形成した。次いで、
真空度１Ｏ−５“睨ｒ下で、呈温下の温度になっている
焼結パレットを電子銃で加熱することによって断熱層Ω
上に酸化タンタル−酸化ジルコニウム膜を反射防止膜と
して２０００人の膜厚で形成した。この際、こめ膜は屈
折也１．９９（約）を示し、しかも蒸着時に見られてい
た酸化タンタル特有の飛散現象による微細粒子の付着発
生は見られなかった。
次いで、実施例１の記録媒体を作成した時に用いた記録
層を設け、同様のテス）・を繰り返したところ、同様の
結果が得られた。
層を設け、同様のテス）・を繰り返したところ、同様の
結果が得られた。
実施例３
表面が光学的精度で研摩された直径２０ｃｍおよび厚さ
５屡のガラス基板に熱伝導率５×１０″ｃ ａｌ ７ｃ
ｍ−ｓｅｘ・℃ のボ）ツメチルメタクリレート樹脂を
スピンナー塗布して断熱層を形成した後、反射層として
アルミニウム蒸着膜を形成Ｌ ′に、。
５屡のガラス基板に熱伝導率５×１０″ｃ ａｌ ７ｃ
ｍ−ｓｅｘ・℃ のボ）ツメチルメタクリレート樹脂を
スピンナー塗布して断熱層を形成した後、反射層として
アルミニウム蒸着膜を形成Ｌ ′に、。
この基体の上に実施例１で用いた記録層と同様の記録層
を形成し、次すで実施例］で用いた酸化タンタル−酸化
ジルコニウム焼結パレットを真空度１０”ｒｏｒｒおよ
び室温下で電子銃加熱し、前述の記録層の上に２０００
λの酸化クンタル−酸化ジルコニウム膜を蒸着させた。
を形成し、次すで実施例］で用いた酸化タンタル−酸化
ジルコニウム焼結パレットを真空度１０”ｒｏｒｒおよ
び室温下で電子銃加熱し、前述の記録層の上に２０００
λの酸化クンタル−酸化ジルコニウム膜を蒸着させた。
この様にして形成した膜には酸化タンタル特有のフ１絽
故現象による微細粒子の付着は全くなく、シかも記録層
に実施例１と同様の方法でレーザや７き込みおよび再生
を行なったところ、良好なＳ／、Ｎ比が得られた。
故現象による微細粒子の付着は全くなく、シかも記録層
に実施例１と同様の方法でレーザや７き込みおよび再生
を行なったところ、良好なＳ／、Ｎ比が得られた。
谷実力角例から明らかな様に、酸化タンタルと酸化ジル
コニウムの混合系を用いることにより、蒸７ａ時に見ら
れる酸化タンタルの飛散現象を防止することかでさ、良
好な光学薄膜を得ることができる。しかも、本発明では
蒸着時の温度条件を低温付近（室温〜８０℃）に設定で
きるため、被照７＋′Ｊ体の選択範囲全拡大することが
でき、１、ｆに光ティスフや元−磁気ティスフの様な高
熱を嫌う技術分野における反射防止膜の作成に極めて通
付したものである。
コニウムの混合系を用いることにより、蒸７ａ時に見ら
れる酸化タンタルの飛散現象を防止することかでさ、良
好な光学薄膜を得ることができる。しかも、本発明では
蒸着時の温度条件を低温付近（室温〜８０℃）に設定で
きるため、被照７＋′Ｊ体の選択範囲全拡大することが
でき、１、ｆに光ティスフや元−磁気ティスフの様な高
熱を嫌う技術分野における反射防止膜の作成に極めて通
付したものである。
Claims (6)
- （１）単数又は複数の層よりなる光学薄膜において、前
記単数の層又は前記複数の層の少なくとも１つの層か酸
化タンタル（Ｐ ａ２０． ）と酸化ジルコニウム、（
Ｚｒ０２）を含むことを特徴とする光学薄膜。 - （２） 前記酸化タンタル（Ｔ ａ２０ｓ ）と酸化
ジルコニウム（Ｚｒ０２）がモル比で酸化タンタル（Ｔ
ａ、０．）／酸化ジルコニウム（Ｚｒ０２）≧１である
特許請求の範囲第１項記載の光学薄膜。 - （３）酸化タンタル（Ｔ ａ２０． ）と酸化ジルコニ
ウム（ｚｒ０２）を含む焼結パレットを癌沼−用薬品と
して使用し、被蒸着体温度を室温下の温度〜８０℃とし
た被蒸着体に酸化タンタル（’ｒａ２０．）と酸化ジル
コニウム（Ｚｒ０２）を含む蒸着膜を形成することを特
徴とする光学薄膜の製法。 - （４）前記被蒸着体温度を室温下の温度とした特許請求
の範囲第３項記載の光学薄膜の製法。 - （５） 前記焼結パレットがモル比で酸化タンタル（
Ｔａ２０５） ／酸化ジルコニｒ）ム（Ｚｒ０２）≧１
となる割合で酸化メンタル（Ｔａ２０５ ）と酸化ジル
コニウム（ＺｒＯ２）を含む特許請求の範囲第３項記載
の光学薄膜の製法。 - （６） 前記被蒸着体がガラス板と断熱層からなる基
体である特許請求の範囲第３項記載の光学薄膜の製法。 （力 前記被蒸着体がガラス板、金１・（３板又はプラ
スチック板と光デイスク記録層又は光−磁気記録層を有
する特許請求の範囲第３項記載の光学薄膜の製法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58029078A JPS59154402A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 光学薄膜の製法 |
| US06/581,438 US4707820A (en) | 1983-02-23 | 1984-02-17 | Optical film and process for producing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58029078A JPS59154402A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 光学薄膜の製法 |
Publications (2)
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| JPS635723B2 JPS635723B2 (ja) | 1988-02-04 |
Family
ID=12266305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58029078A Granted JPS59154402A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 光学薄膜の製法 |
Country Status (2)
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| JP (1) | JPS59154402A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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-
1984
- 1984-02-17 US US06/581,438 patent/US4707820A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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Also Published As
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| US4707820A (en) | 1987-11-17 |
| JPS635723B2 (ja) | 1988-02-04 |
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