JPH11322413A - 光透過膜、高抵抗透明導電膜、光透過膜形成用スパッタリングタ―ゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法 - Google Patents
光透過膜、高抵抗透明導電膜、光透過膜形成用スパッタリングタ―ゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法Info
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- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １×１０-3〜５×１０-3Ω・ｃｍという比抵
抗を有する透明導電膜の作成が可能であり、またスパッ
タリング時のパーティクルの発生を減少させ、スパッタ
リングの中断または中止の回数を減らして生産効率を上
げ、かつ透過率が大きく、低反射率の光ディスク用保護
膜を得る。 【解決手段】 ガラス形成酸化物０．０１〜２０重量％
含有し、残部Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯから選択され
た１種以上の酸化物である光透過膜、さらに必要に応じ
て、硬質材料酸化物であるＺｒＯ2、ＴｉＯ2若しくはＡ
ｌ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3又はガラス形成酸化物であるＮｂ
2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｐ2Ｏ5の成分を添加
することができる。
抗を有する透明導電膜の作成が可能であり、またスパッ
タリング時のパーティクルの発生を減少させ、スパッタ
リングの中断または中止の回数を減らして生産効率を上
げ、かつ透過率が大きく、低反射率の光ディスク用保護
膜を得る。 【解決手段】 ガラス形成酸化物０．０１〜２０重量％
含有し、残部Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯから選択され
た１種以上の酸化物である光透過膜、さらに必要に応じ
て、硬質材料酸化物であるＺｒＯ2、ＴｉＯ2若しくはＡ
ｌ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3又はガラス形成酸化物であるＮｂ
2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｐ2Ｏ5の成分を添加
することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ
2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｐ2Ｏ5のガラス形成酸化物並
びに必要に応じＺｒＯ2若しくはＴｉＯ2の硬質材料酸化
物又はＡｌ2Ｏ3若しくはＧａ2Ｏ3を含有し、残部Ｉｎ2
Ｏ3、ＳｎＯ2 、ＺｎＯから選択された１種以上の酸化
物からなり、高抵抗透明導電膜、光ディスク保護膜等に
有用である光透過膜、高抵抗透明導電膜、光透過膜形成
用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製
造方法に関する。上記高抵抗透明導電膜は主としてスパ
ッタリングにより形成され、抵抗膜式タッチパネル装置
などに必要とされる画面位置確定のための高シート抵抗
用（５００〜１０００Ω／□）透明導電膜に使用され
る。また、上記光ディスク用保護膜（「層」として表現
される材料を含む。以下同様。）は、スパッタリングに
よって膜を形成する際に発生するパーティクルを減少さ
せることができ、形成された膜の可視光域の透過率が高
く、かつ低反射率を有する光ディスク、特に相変化型光
ディスクに好適な保護膜及び該保護膜の形成に使用され
る。
2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｐ2Ｏ5のガラス形成酸化物並
びに必要に応じＺｒＯ2若しくはＴｉＯ2の硬質材料酸化
物又はＡｌ2Ｏ3若しくはＧａ2Ｏ3を含有し、残部Ｉｎ2
Ｏ3、ＳｎＯ2 、ＺｎＯから選択された１種以上の酸化
物からなり、高抵抗透明導電膜、光ディスク保護膜等に
有用である光透過膜、高抵抗透明導電膜、光透過膜形成
用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製
造方法に関する。上記高抵抗透明導電膜は主としてスパ
ッタリングにより形成され、抵抗膜式タッチパネル装置
などに必要とされる画面位置確定のための高シート抵抗
用（５００〜１０００Ω／□）透明導電膜に使用され
る。また、上記光ディスク用保護膜（「層」として表現
される材料を含む。以下同様。）は、スパッタリングに
よって膜を形成する際に発生するパーティクルを減少さ
せることができ、形成された膜の可視光域の透過率が高
く、かつ低反射率を有する光ディスク、特に相変化型光
ディスクに好適な保護膜及び該保護膜の形成に使用され
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、抵抗膜式タッチパネルの需要が伸
びてきている。この抵抗膜式タッチパネルは、２枚の透
明導電膜を利用して両方に、ある電位差を持たせてバイ
アスをかけ、スイッチが押された位置を電圧降下によっ
て特定するという構成からなっいる。位置の特定を正確
に行なう為には、電圧降下を精度よく測定できなければ
ならない。そのためには、ある程度高いシ−ト抵抗（５
００〜１０００Ω／□）を有する透明導電膜が必要とな
る。
びてきている。この抵抗膜式タッチパネルは、２枚の透
明導電膜を利用して両方に、ある電位差を持たせてバイ
アスをかけ、スイッチが押された位置を電圧降下によっ
て特定するという構成からなっいる。位置の特定を正確
に行なう為には、電圧降下を精度よく測定できなければ
ならない。そのためには、ある程度高いシ−ト抵抗（５
００〜１０００Ω／□）を有する透明導電膜が必要とな
る。
【０００３】従来の透明導電膜において、酸化インジウ
ムを主成分としＺｒＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5 を添加す
る透明導電膜が知られている（特開平２−３０９５１１
号公報）。しかし、この場合は比抵抗を２×１０-4Ω・
ｃｍよりもさらに小さく、導電率を向上させようという
目的でなされたものであり、このような従来の透明導電
膜は、これとは対照的に高抵抗でありかつ熱影響を受け
た場合でもシート抵抗の変化を一定の範囲に抑えるとい
う目的のタッチパネルには適合しない。また、酸化イン
ジウムと酸化スズからなる（ＩＴＯ）透明導電膜に、酸
化珪素０．１〜５ｗｔ％を添加し、タッチスイッチの透
明電極パターンの骨見え現象（膜が厚くなった場合に外
からそのパターンの箇所が識別されてしまうこと）を防
止する目的で導電膜を薄くした結果による導電率の低下
を防止するために、それ以前のＩＴＯ透明導電膜よりも
低抵抗化する技術がある（特開昭６４−１０５０７号公
報）。しかしこの場合も、酸化珪素を添加することが酸
化インジウムと酸化スズからなる本来のＩＴＯ透明導電
膜よりも低抵抗化するすることが目的であり、かかる技
術には、ＩＴＯなどの透明導電膜の抵抗よりもさらに高
抵抗化し、同時に長期耐熱性を向上させ、機械的変形に
耐え耐摺動性を持たせるという発想はない。
ムを主成分としＺｒＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5 を添加す
る透明導電膜が知られている（特開平２−３０９５１１
号公報）。しかし、この場合は比抵抗を２×１０-4Ω・
ｃｍよりもさらに小さく、導電率を向上させようという
目的でなされたものであり、このような従来の透明導電
膜は、これとは対照的に高抵抗でありかつ熱影響を受け
た場合でもシート抵抗の変化を一定の範囲に抑えるとい
う目的のタッチパネルには適合しない。また、酸化イン
ジウムと酸化スズからなる（ＩＴＯ）透明導電膜に、酸
化珪素０．１〜５ｗｔ％を添加し、タッチスイッチの透
明電極パターンの骨見え現象（膜が厚くなった場合に外
からそのパターンの箇所が識別されてしまうこと）を防
止する目的で導電膜を薄くした結果による導電率の低下
を防止するために、それ以前のＩＴＯ透明導電膜よりも
低抵抗化する技術がある（特開昭６４−１０５０７号公
報）。しかしこの場合も、酸化珪素を添加することが酸
化インジウムと酸化スズからなる本来のＩＴＯ透明導電
膜よりも低抵抗化するすることが目的であり、かかる技
術には、ＩＴＯなどの透明導電膜の抵抗よりもさらに高
抵抗化し、同時に長期耐熱性を向上させ、機械的変形に
耐え耐摺動性を持たせるという発想はない。
【０００４】透明導電膜として従来から多く利用されて
いるＩＴＯなどの透明導電膜の比抵抗はおよそ２．０×
１０-4Ω・ｃｍであるが、このような低い比抵抗の膜で
５００〜１０００Ω／□という高いシ−ト抵抗を実現す
るためには、膜厚が４０Ａ（オングストローム）以下と
いう極薄の膜を均一に成膜しなければならず、このよう
な膜の形成は非常に難しいという問題がある。また、Ｉ
ＴＯ系の材料は熱処理により膜特性が変化するという欠
点があった。タッチパネルはその機能上、耐屈曲性、耐
カール性、耐擦過（ペンスライド）性、などの十分な強
度も兼ね備えなくてはならず、現在使用されているＩＴ
Ｏなどの透明導電膜用材料ではタッチパネルという用途
の透明導電膜を作成するのは非常に難しいと言わざるを
得ない。さらに、タッチパネル用に機能するに十分な膜
厚を保有させ、かつ５００〜１０００Ω／□という高い
シ−ト抵抗を膜に持たせるためには、これまでの低抵抗
の透明導電膜よりも比抵抗が一桁高い１×１０-3〜５×
１０-3Ω・ｃｍという比抵抗をもつ高抵抗透明導電膜材
料が必要となる。
いるＩＴＯなどの透明導電膜の比抵抗はおよそ２．０×
１０-4Ω・ｃｍであるが、このような低い比抵抗の膜で
５００〜１０００Ω／□という高いシ−ト抵抗を実現す
るためには、膜厚が４０Ａ（オングストローム）以下と
いう極薄の膜を均一に成膜しなければならず、このよう
な膜の形成は非常に難しいという問題がある。また、Ｉ
ＴＯ系の材料は熱処理により膜特性が変化するという欠
点があった。タッチパネルはその機能上、耐屈曲性、耐
カール性、耐擦過（ペンスライド）性、などの十分な強
度も兼ね備えなくてはならず、現在使用されているＩＴ
Ｏなどの透明導電膜用材料ではタッチパネルという用途
の透明導電膜を作成するのは非常に難しいと言わざるを
得ない。さらに、タッチパネル用に機能するに十分な膜
厚を保有させ、かつ５００〜１０００Ω／□という高い
シ−ト抵抗を膜に持たせるためには、これまでの低抵抗
の透明導電膜よりも比抵抗が一桁高い１×１０-3〜５×
１０-3Ω・ｃｍという比抵抗をもつ高抵抗透明導電膜材
料が必要となる。
【０００５】次に、光ディスクに使用する保護膜である
が、高密度記録光ディスクは磁気ヘッドを必要とせずに
記録・再生ができるので関心が急速に高まっている。こ
の光ディスクは再生専用型、追記型、書き換え型の３種
類に分けられるが、特に追記型又は書き換え型で使用さ
れている相変化方式が注目されている。この相変化型光
ディスクを用いた記録・再生の原理を以下に簡単に説明
する。相変化光ディスクは、基板上の記録薄膜をレーザ
ー光の照射によって加熱昇温させ、その記録薄膜の構造
に結晶学的な相変化（アモルファス⇔結晶）を起こさせ
て情報の記録・再生を行うものであり、より具体的には
その相間の光学定数の変化に起因する反射率の変化を検
出して情報の再生を行なうものである。
が、高密度記録光ディスクは磁気ヘッドを必要とせずに
記録・再生ができるので関心が急速に高まっている。こ
の光ディスクは再生専用型、追記型、書き換え型の３種
類に分けられるが、特に追記型又は書き換え型で使用さ
れている相変化方式が注目されている。この相変化型光
ディスクを用いた記録・再生の原理を以下に簡単に説明
する。相変化光ディスクは、基板上の記録薄膜をレーザ
ー光の照射によって加熱昇温させ、その記録薄膜の構造
に結晶学的な相変化（アモルファス⇔結晶）を起こさせ
て情報の記録・再生を行うものであり、より具体的には
その相間の光学定数の変化に起因する反射率の変化を検
出して情報の再生を行なうものである。
【０００６】上記の相変化は１〜数μｍ程度の径に絞っ
たレーザー光の照射によって行なわれる。この場合、例
えば１μｍのレーザービームが１０ｍ／ｓの線速度で通
過するとき、光ディスクのある点に光が照射される時間
は１００ｎｓであり、この時間内で上記相変化と反射率
の検出を行なう必要がある。また、上記結晶学的な相変
化すなわちアモルファスと結晶との相変化を実現する上
で、溶融と急冷が光ディスクの相変化記録層だけでな
く、これらの熱が周辺の保護膜やアルミニウム合金の反
射膜にも繰返し付与されることになる。
たレーザー光の照射によって行なわれる。この場合、例
えば１μｍのレーザービームが１０ｍ／ｓの線速度で通
過するとき、光ディスクのある点に光が照射される時間
は１００ｎｓであり、この時間内で上記相変化と反射率
の検出を行なう必要がある。また、上記結晶学的な相変
化すなわちアモルファスと結晶との相変化を実現する上
で、溶融と急冷が光ディスクの相変化記録層だけでな
く、これらの熱が周辺の保護膜やアルミニウム合金の反
射膜にも繰返し付与されることになる。
【０００７】このようなことから相変化光ディスクは図
１に示すように、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の記録薄膜層４
の両側をＺｎＳ・ＳｉＯ2 系の高融点誘電体の保護膜
３、５で挟み、さらにアルミニウム合金反射膜６を設け
た四層構造となっている。このなかで反射膜６と保護膜
３、５はアモルファス部と結晶部との吸収を増大させ反
射率の差が大きい光学的機能が要求されるほか、記録薄
膜層４の耐湿性や熱による変形の防止機能、さらには記
録の際の熱的条件の制御という機能が要求される（雑誌
「光学」２６巻１号頁９〜１５参照）。このように、高
融点の保護膜３、５は昇温と冷却による熱の繰返しスト
レスに対して耐性をもち、さらにこれらの熱影響が反射
膜や他の箇所に影響を及ぼさないようにし、かつそれ自
体も薄く、低反射率でかつ変質しない強靭さが必要であ
る。この意味において保護膜３、５は重要な役割を有す
る。なお、図１において符号１はレーザー入射方向、符
号２はポリカーボネート等の基板、符号７はオーバーコ
ート、符号８は接着層をそれぞれ示す。
１に示すように、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の記録薄膜層４
の両側をＺｎＳ・ＳｉＯ2 系の高融点誘電体の保護膜
３、５で挟み、さらにアルミニウム合金反射膜６を設け
た四層構造となっている。このなかで反射膜６と保護膜
３、５はアモルファス部と結晶部との吸収を増大させ反
射率の差が大きい光学的機能が要求されるほか、記録薄
膜層４の耐湿性や熱による変形の防止機能、さらには記
録の際の熱的条件の制御という機能が要求される（雑誌
「光学」２６巻１号頁９〜１５参照）。このように、高
融点の保護膜３、５は昇温と冷却による熱の繰返しスト
レスに対して耐性をもち、さらにこれらの熱影響が反射
膜や他の箇所に影響を及ぼさないようにし、かつそれ自
体も薄く、低反射率でかつ変質しない強靭さが必要であ
る。この意味において保護膜３、５は重要な役割を有す
る。なお、図１において符号１はレーザー入射方向、符
号２はポリカーボネート等の基板、符号７はオーバーコ
ート、符号８は接着層をそれぞれ示す。
【０００８】上記保護膜３、５は、通常スパッタリング
法によって形成されている。このスパッタリング法は正
の電極と負の電極とからなるターゲットとを対向させ、
不活性ガス雰囲気下でこれらの基板とターゲットの間に
高電圧を印加して電場を発生させるものであり、この時
電離した電子と不活性ガスが衝突してプラズマが形成さ
れ、このプラズマ中の陽イオンがターゲット（負の電
極）表面に衝突してターゲット構成原子を叩きだし、こ
の飛び出した原子が対向する基板表面に付着して膜が形
成されるという原理を用いたものである。上記ターゲッ
トとしては、従来ＳｉＯ2 粉末とＺｎＳ粉末との混合粉
を焼結して製造されたＺｎＳ−ＳｉＯ2 スパッタリング
ターゲットが使用されていた。
法によって形成されている。このスパッタリング法は正
の電極と負の電極とからなるターゲットとを対向させ、
不活性ガス雰囲気下でこれらの基板とターゲットの間に
高電圧を印加して電場を発生させるものであり、この時
電離した電子と不活性ガスが衝突してプラズマが形成さ
れ、このプラズマ中の陽イオンがターゲット（負の電
極）表面に衝突してターゲット構成原子を叩きだし、こ
の飛び出した原子が対向する基板表面に付着して膜が形
成されるという原理を用いたものである。上記ターゲッ
トとしては、従来ＳｉＯ2 粉末とＺｎＳ粉末との混合粉
を焼結して製造されたＺｎＳ−ＳｉＯ2 スパッタリング
ターゲットが使用されていた。
【０００９】ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲットを用いてスパ
ッタリングし薄膜を形成していく段階で、ある一定量以
上を被覆するとパーティクルと言われるクラスター状の
粗大粒が薄膜上に付着してくるようになる。このパーテ
ィクルはスパッタチャンバ内の壁や種々の機器にスパッ
タリングによる飛沫粒子が付着堆積したもので、それが
一定量を超えると剥がれ出し、かつそれがスパッタチャ
ンバ内に浮遊し、さらに基板あるいは薄膜に再付着した
ものが主な原因である。このようなパーティクルは薄膜
の特性を著しく悪化させるので、これが基板または薄膜
上に多く析出してきた段階で、一旦スパッタリングを中
止し、スパッタチャンバを解放して、該チャンバ内の壁
や種々の機器からパーティクルの原因となる膜の堆積物
を清掃する必要があった。
ッタリングし薄膜を形成していく段階で、ある一定量以
上を被覆するとパーティクルと言われるクラスター状の
粗大粒が薄膜上に付着してくるようになる。このパーテ
ィクルはスパッタチャンバ内の壁や種々の機器にスパッ
タリングによる飛沫粒子が付着堆積したもので、それが
一定量を超えると剥がれ出し、かつそれがスパッタチャ
ンバ内に浮遊し、さらに基板あるいは薄膜に再付着した
ものが主な原因である。このようなパーティクルは薄膜
の特性を著しく悪化させるので、これが基板または薄膜
上に多く析出してきた段階で、一旦スパッタリングを中
止し、スパッタチャンバを解放して、該チャンバ内の壁
や種々の機器からパーティクルの原因となる膜の堆積物
を清掃する必要があった。
【００１０】これは著しく生産性を低下させるものであ
る。この膜の堆積物がチャンバ内の壁や種々の機器に付
着する要因は必ずしも明確に把握されている訳ではない
が、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲットの製造工程、すなわち
ＳｉＯ2 粉末とＺｎＳ粉末の混合焼結の段階において
も、因果関係があることが予想されたが、従来それ以上
の解決策を見いだすに至っていなかった。また、スパッ
タリングによって形成される保護膜はなるべく低反射率
であることが要求されていたが、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ター
ゲットの製造工程の段階でその改良が可能であるか否か
も十分に検討されてはいなかった。特に上記従来のＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 ターゲットの大きな問題点は、この材料が
絶縁体であるために直流スパッタリングができないこと
である。したがって、高周波スパッタリングなどの効率
の悪い方法を採用しなけばならないのであるが、このた
め必要な膜厚を得るために長時間のスパッタリングが必
要となり、本来減少させなければならないパーティクル
が、かえって増加するという極めて望ましくない問題が
発生した。
る。この膜の堆積物がチャンバ内の壁や種々の機器に付
着する要因は必ずしも明確に把握されている訳ではない
が、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲットの製造工程、すなわち
ＳｉＯ2 粉末とＺｎＳ粉末の混合焼結の段階において
も、因果関係があることが予想されたが、従来それ以上
の解決策を見いだすに至っていなかった。また、スパッ
タリングによって形成される保護膜はなるべく低反射率
であることが要求されていたが、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ター
ゲットの製造工程の段階でその改良が可能であるか否か
も十分に検討されてはいなかった。特に上記従来のＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 ターゲットの大きな問題点は、この材料が
絶縁体であるために直流スパッタリングができないこと
である。したがって、高周波スパッタリングなどの効率
の悪い方法を採用しなけばならないのであるが、このた
め必要な膜厚を得るために長時間のスパッタリングが必
要となり、本来減少させなければならないパーティクル
が、かえって増加するという極めて望ましくない問題が
発生した。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題点
を解決したもので、本発明の目的は１×１０-3〜５×１
０-3Ω・ｃｍという比抵抗を有する透明導電膜の作成を
可能とする高抵抗透明導電膜を提供することにある。携
帯用端末機などに使用されるタッチパネルを例に挙げる
と、例えばＰＥＴ基板のような材料に成膜されるが、
熱、湿熱、アルカリ腐食、屈曲やカールなどの機械的変
形、ペン衝突磨耗など、種々の環境に耐える必要がある
が、本発明の高抵抗透明導電膜材料からなるターゲット
で成膜した透明導電膜はこのような問題を解決すること
ができる。さらに、本発明はスパッタリングターゲット
材を基本的に見直し、パーティクルの発生を極力減少さ
せ、スパッタリングの中断または中止の回数を減らして
生産効率を上げると同時に、透過率が大きくかつ低反射
率の光ディスク用保護膜を得る。このように、本発明は
高抵抗透明導電膜及び光ディスク用保護膜に好適な光透
過膜、光透過膜形成用スパッタリングターゲット及び高
抵抗透明導電膜の製造方法を提供する。
を解決したもので、本発明の目的は１×１０-3〜５×１
０-3Ω・ｃｍという比抵抗を有する透明導電膜の作成を
可能とする高抵抗透明導電膜を提供することにある。携
帯用端末機などに使用されるタッチパネルを例に挙げる
と、例えばＰＥＴ基板のような材料に成膜されるが、
熱、湿熱、アルカリ腐食、屈曲やカールなどの機械的変
形、ペン衝突磨耗など、種々の環境に耐える必要がある
が、本発明の高抵抗透明導電膜材料からなるターゲット
で成膜した透明導電膜はこのような問題を解決すること
ができる。さらに、本発明はスパッタリングターゲット
材を基本的に見直し、パーティクルの発生を極力減少さ
せ、スパッタリングの中断または中止の回数を減らして
生産効率を上げると同時に、透過率が大きくかつ低反射
率の光ディスク用保護膜を得る。このように、本発明は
高抵抗透明導電膜及び光ディスク用保護膜に好適な光透
過膜、光透過膜形成用スパッタリングターゲット及び高
抵抗透明導電膜の製造方法を提供する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、 １ ガラス形成酸化物０．０１〜２０重量％を含有し、
残部Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯから選択された１種以
上の酸化物であることを特徴とす る光透過膜 ２ ＺｒＯ2及び又はＴｉＯ2の硬質材料酸化物を０．０
１〜５重量％含有することを特徴とする上記１記載の光
透過膜 ３ Ａｌ2Ｏ3又はＧａ2Ｏ3を０．０１〜２０重量％含有
することを特徴とする上記１又は２記載の光透過膜 ４ ガラス形成酸化物が、Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3、
ＳｉＯ2 、Ｐ2Ｏ5から選択された１種以上であることを
特徴とする上記１〜３のそれぞれに記載の光透過膜 ５ 光透過膜が高抵抗透明導電膜又は光ディスク用保護
膜であることを特徴とする上記１〜４のそれぞれに記載
の光透過膜 ６ ガラス形成酸化物０．０１〜２０重量％を含有し、
残部Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯから選択された１種以
上の酸化物である組成を有し、ス パッタリング直後の
膜の比抵抗をｒ0 、アニール後の膜の比抵抗をｒとした
場合に、スパッタ後のポストアニールによる膜の比抵抗
の変化率Ｒ＝ｒ／ｒ0 の値Ｒが０．７〜１．３であるこ
とを特徴とする高抵抗透明導電膜 ７ アニール後の膜の比抵抗が１×１０-3〜５×１０-3
Ω・ｃｍ、膜厚が１００〜１０００オングストローム、
膜の透過率が８５％以上であることを特徴とする上記６
記載の高抵抗透明導電膜 ８ ＺｒＯ2及び又はＴｉＯ2の硬質材料酸化物を０．０
１〜５重量％含有することを特徴とする上記６又は７記
載の高抵抗透明導電膜 ９ ガラス形成酸化物が、Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3、
ＳｉＯ2 、Ｐ2Ｏ5から選択された１種以上である組成を
有することを特徴とする上記６〜８のそれぞれに記載の
高抵抗透明導電膜 １０ ガラス形成酸化物０．０１〜２０重量％を含有
し、残部Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ 2、ＺｎＯから選択された１
種以上の酸化物からなることを特徴とする光透過膜形成
用スパッタリングターゲット １１ ＺｒＯ2及び又はＴｉＯ2の硬質材料酸化物を０．
０１〜５重量％含有することを特徴とする上記１０記載
の光透過膜形成用スパッタリングターゲット １２ Ａｌ2Ｏ3又はＧａ2Ｏ3を０．０１〜２０重量％含
有することを特徴とする上記１０又は１１記載の光透過
膜形成用スパッタリングターゲット １３ ガラス形成酸化物が、Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、Ｂ
2Ｏ3、ＳｉＯ2 、Ｐ2Ｏ5から選択された１種以上である
ことを特徴とする上記１０〜１２のそれぞれに記載の光
透過膜形成用スパッタリングターゲット １４ 光透過膜が高抵抗透明導電膜又は光ディスク用保
護膜であることを特徴とする上記１０〜１３のそれぞれ
に記載の光透過膜形成用スパッタリングターゲット １５ 上記１０〜１４に記載のスパッタリングターゲッ
トを用いてスパッタリングを行なった後、アニールする
ことを特徴とする高抵抗透明導電膜の製造方法、を提供
する。
残部Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯから選択された１種以
上の酸化物であることを特徴とす る光透過膜 ２ ＺｒＯ2及び又はＴｉＯ2の硬質材料酸化物を０．０
１〜５重量％含有することを特徴とする上記１記載の光
透過膜 ３ Ａｌ2Ｏ3又はＧａ2Ｏ3を０．０１〜２０重量％含有
することを特徴とする上記１又は２記載の光透過膜 ４ ガラス形成酸化物が、Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3、
ＳｉＯ2 、Ｐ2Ｏ5から選択された１種以上であることを
特徴とする上記１〜３のそれぞれに記載の光透過膜 ５ 光透過膜が高抵抗透明導電膜又は光ディスク用保護
膜であることを特徴とする上記１〜４のそれぞれに記載
の光透過膜 ６ ガラス形成酸化物０．０１〜２０重量％を含有し、
残部Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯから選択された１種以
上の酸化物である組成を有し、ス パッタリング直後の
膜の比抵抗をｒ0 、アニール後の膜の比抵抗をｒとした
場合に、スパッタ後のポストアニールによる膜の比抵抗
の変化率Ｒ＝ｒ／ｒ0 の値Ｒが０．７〜１．３であるこ
とを特徴とする高抵抗透明導電膜 ７ アニール後の膜の比抵抗が１×１０-3〜５×１０-3
Ω・ｃｍ、膜厚が１００〜１０００オングストローム、
膜の透過率が８５％以上であることを特徴とする上記６
記載の高抵抗透明導電膜 ８ ＺｒＯ2及び又はＴｉＯ2の硬質材料酸化物を０．０
１〜５重量％含有することを特徴とする上記６又は７記
載の高抵抗透明導電膜 ９ ガラス形成酸化物が、Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3、
ＳｉＯ2 、Ｐ2Ｏ5から選択された１種以上である組成を
有することを特徴とする上記６〜８のそれぞれに記載の
高抵抗透明導電膜 １０ ガラス形成酸化物０．０１〜２０重量％を含有
し、残部Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ 2、ＺｎＯから選択された１
種以上の酸化物からなることを特徴とする光透過膜形成
用スパッタリングターゲット １１ ＺｒＯ2及び又はＴｉＯ2の硬質材料酸化物を０．
０１〜５重量％含有することを特徴とする上記１０記載
の光透過膜形成用スパッタリングターゲット １２ Ａｌ2Ｏ3又はＧａ2Ｏ3を０．０１〜２０重量％含
有することを特徴とする上記１０又は１１記載の光透過
膜形成用スパッタリングターゲット １３ ガラス形成酸化物が、Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、Ｂ
2Ｏ3、ＳｉＯ2 、Ｐ2Ｏ5から選択された１種以上である
ことを特徴とする上記１０〜１２のそれぞれに記載の光
透過膜形成用スパッタリングターゲット １４ 光透過膜が高抵抗透明導電膜又は光ディスク用保
護膜であることを特徴とする上記１０〜１３のそれぞれ
に記載の光透過膜形成用スパッタリングターゲット １５ 上記１０〜１４に記載のスパッタリングターゲッ
トを用いてスパッタリングを行なった後、アニールする
ことを特徴とする高抵抗透明導電膜の製造方法、を提供
する。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の光透過膜を高抵抗透明導
電膜として使用する場合、ＩＴＯなどの透明導電膜の安
定した高抵抗化のためにＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2 あるいはＺ
ｎＯ以外の第２又は第３成分の添加が不可欠と考えた。
このため、種々の金属酸化物成分を添加したＩＴＯなど
の透明導電膜材料からなるスパッタリングターゲットの
成膜試験を行なった。ＩＴＯのような透明導電膜の導電
機構は、一般にワイドギャップ半導体であると考えられ
ており、ＩＴＯの場合はそのキャリア濃度が１０22ｃｍ
-3、移動度が１０ｃｍ2・Ｖ-1・Ｓ-1 にあり、その結果
として比抵抗が約２．０×１０-4Ω・ｃｍとなる。低抵
抗化を図る場合には、キャリア濃度および移動度をとも
に向上させる方法が考えられるが、キャリア濃度に関し
ては膜の透明性を保つために、最大１０22ｃｍ-3が限界
である。その理由は、キャリアのプラズマ振動により１
０22ｃｍ-3を超えるようなキャリアを持つと、赤外域か
ら可視領域にかけての透過率が落ちてくるからである。
そのため、近年移動度を高めて比抵抗を小さくしようと
する研究が多く行なわれている。
電膜として使用する場合、ＩＴＯなどの透明導電膜の安
定した高抵抗化のためにＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2 あるいはＺ
ｎＯ以外の第２又は第３成分の添加が不可欠と考えた。
このため、種々の金属酸化物成分を添加したＩＴＯなど
の透明導電膜材料からなるスパッタリングターゲットの
成膜試験を行なった。ＩＴＯのような透明導電膜の導電
機構は、一般にワイドギャップ半導体であると考えられ
ており、ＩＴＯの場合はそのキャリア濃度が１０22ｃｍ
-3、移動度が１０ｃｍ2・Ｖ-1・Ｓ-1 にあり、その結果
として比抵抗が約２．０×１０-4Ω・ｃｍとなる。低抵
抗化を図る場合には、キャリア濃度および移動度をとも
に向上させる方法が考えられるが、キャリア濃度に関し
ては膜の透明性を保つために、最大１０22ｃｍ-3が限界
である。その理由は、キャリアのプラズマ振動により１
０22ｃｍ-3を超えるようなキャリアを持つと、赤外域か
ら可視領域にかけての透過率が落ちてくるからである。
そのため、近年移動度を高めて比抵抗を小さくしようと
する研究が多く行なわれている。
【００１４】本発明はこれとは逆の流れをいくもので、
ＩＴＯなどの透明導電膜材料に第２又は第３成分を添加
してＩＴＯなどの透明導電膜を高抵抗化するものであ
る。ＩＴＯなどの透明導電膜中のキャリアは、例えばＩ
ｎ2Ｏ3結晶中のＩｎのサイトに置換して入ったＳｎが放
出したものである。このＳｎのＩｎ2Ｏ3への固溶を抑え
るような添加成分を見つけることは容易なことではな
い。また、比抵抗を高くするためには、移動度を下げる
ことも重要である。移動度を小さくするためには、単純
に不純物散乱中心を増してやればよい。このためには微
細第２相を形成するような不純物元素を添加することに
より達成できる。
ＩＴＯなどの透明導電膜材料に第２又は第３成分を添加
してＩＴＯなどの透明導電膜を高抵抗化するものであ
る。ＩＴＯなどの透明導電膜中のキャリアは、例えばＩ
ｎ2Ｏ3結晶中のＩｎのサイトに置換して入ったＳｎが放
出したものである。このＳｎのＩｎ2Ｏ3への固溶を抑え
るような添加成分を見つけることは容易なことではな
い。また、比抵抗を高くするためには、移動度を下げる
ことも重要である。移動度を小さくするためには、単純
に不純物散乱中心を増してやればよい。このためには微
細第２相を形成するような不純物元素を添加することに
より達成できる。
【００１５】通常のＩＴＯ（１０％ＳｎＯ2−Ｉｎ
2Ｏ3）に関して言えば、Ｉｎ2Ｏ3 の中に既にＳｎが固
溶し、なおかつ固溶しきれないＳｎが存在することも一
般に知られている。したがって、ほぼ全ての元素がＩＴ
Ｏに添加された場合、微細第２相を形成する可能性があ
ると言える。移動度を抑えるには上記のような方策を立
てたが、移動度を下げる目的で添加した成分が、ＩＴＯ
中のＳｎに比較してより多くのキャリアを放出して比抵
抗を下げたりあるいは透過率を悪くしたのでは、本発明
の目的からはずれてしまうので注意する必要がある。
2Ｏ3）に関して言えば、Ｉｎ2Ｏ3 の中に既にＳｎが固
溶し、なおかつ固溶しきれないＳｎが存在することも一
般に知られている。したがって、ほぼ全ての元素がＩＴ
Ｏに添加された場合、微細第２相を形成する可能性があ
ると言える。移動度を抑えるには上記のような方策を立
てたが、移動度を下げる目的で添加した成分が、ＩＴＯ
中のＳｎに比較してより多くのキャリアを放出して比抵
抗を下げたりあるいは透過率を悪くしたのでは、本発明
の目的からはずれてしまうので注意する必要がある。
【００１６】そこで、本発明者らは移動度を抑え、なお
かつキャリアを放出しない、あるいはＩＴＯのＩｎのサ
イトに置換したＳｎのキャリア放出を抑える効果のある
第２及び第３の添加成分の検討を行なった。検討を重ね
た結果、上記特性を備えた第２又は第３添加成分として
Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2 、Ｐ2Ｏ5のガラス
形成酸化物及びＺｒＯ2、ＴｉＯ2から選択される１種以
上の硬質材料酸化物に注目するに至った。この知見の基
づいて、Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｐ2Ｏ5
から選択された１種以上を０．０１〜２０重量％、並び
に必要に応じ、さらにＺｒＯ2及び又はＴｉＯ2の硬質材
料酸化物を０．０１〜５重量％添加し、残部Ｉｎ2Ｏ3、
ＳｎＯ2（５〜１５重量％）、ＺｎＯから選択された１
種以上の酸化物である高抵抗透明導電性材料及び同材料
からなるスパッタリングターゲット並びに高抵抗透明導
電膜の製造方法及び同導電膜を提供する。
かつキャリアを放出しない、あるいはＩＴＯのＩｎのサ
イトに置換したＳｎのキャリア放出を抑える効果のある
第２及び第３の添加成分の検討を行なった。検討を重ね
た結果、上記特性を備えた第２又は第３添加成分として
Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2 、Ｐ2Ｏ5のガラス
形成酸化物及びＺｒＯ2、ＴｉＯ2から選択される１種以
上の硬質材料酸化物に注目するに至った。この知見の基
づいて、Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｐ2Ｏ5
から選択された１種以上を０．０１〜２０重量％、並び
に必要に応じ、さらにＺｒＯ2及び又はＴｉＯ2の硬質材
料酸化物を０．０１〜５重量％添加し、残部Ｉｎ2Ｏ3、
ＳｎＯ2（５〜１５重量％）、ＺｎＯから選択された１
種以上の酸化物である高抵抗透明導電性材料及び同材料
からなるスパッタリングターゲット並びに高抵抗透明導
電膜の製造方法及び同導電膜を提供する。
【００１７】このようにして得られた導電性材料又は透
明導電膜は、ＩＴＯ系材料又は透明導電膜に比べ高い抵
抗率、透過率（８５％以上、好ましくは９０％以上）さ
らに高いエッチング性を有する。また従来のＩＴＯ系材
料は本来非晶質材料として作製されるが、スパツタされ
た膜は長時間のアニ−ル（１５０°Ｃ前後）などの熱影
響を受けて結晶化する傾向があり、このため膜特性が変
化する問題を有しているが、本発明の上記第２又は第３
成分を添加することにより、上記のようなアニ−ル時の
結晶化を抑制し熱などの環境変化に対しても透明導電膜
の非晶質の特性を保ち続けることができるという特徴を
有している。また、硬質材料酸化物は透明導電膜の機械
的強度を高める。すなわち屈曲やカールなどの機械的変
形に耐え、耐摺動性（ペン耐久性）を高める効果を有す
る。
明導電膜は、ＩＴＯ系材料又は透明導電膜に比べ高い抵
抗率、透過率（８５％以上、好ましくは９０％以上）さ
らに高いエッチング性を有する。また従来のＩＴＯ系材
料は本来非晶質材料として作製されるが、スパツタされ
た膜は長時間のアニ−ル（１５０°Ｃ前後）などの熱影
響を受けて結晶化する傾向があり、このため膜特性が変
化する問題を有しているが、本発明の上記第２又は第３
成分を添加することにより、上記のようなアニ−ル時の
結晶化を抑制し熱などの環境変化に対しても透明導電膜
の非晶質の特性を保ち続けることができるという特徴を
有している。また、硬質材料酸化物は透明導電膜の機械
的強度を高める。すなわち屈曲やカールなどの機械的変
形に耐え、耐摺動性（ペン耐久性）を高める効果を有す
る。
【００１８】ターゲットの作製に際しては、例えばキル
ン焙焼した電解Ｉｎ2Ｏ3粉に上記本発明のガラス形成酸
化物であるＮｂ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2 、Ｐ2
Ｏ5から選択された１種以上および必要に応じてＺｒ
Ｏ2、ＴｉＯ2から選択された１種以上の硬質材料酸化物
を添加し、これを１μｍ以下に微粉砕し造粒する。な
お、上記ガラス形成酸化物および硬質材料酸化物の添加
は、前記電解Ｉｎ2Ｏ3 粉の造粒した後でもよい。これ
を純水で混合し所定の形にプレス成形する。次に雰囲気
焼結炉中１５００〜１７００°Ｃで３〜１０時間焼結す
る。このようにして得た焼結体を研削などの機械加工を
行なって、本発明のターゲットを作製する。
ン焙焼した電解Ｉｎ2Ｏ3粉に上記本発明のガラス形成酸
化物であるＮｂ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2 、Ｐ2
Ｏ5から選択された１種以上および必要に応じてＺｒ
Ｏ2、ＴｉＯ2から選択された１種以上の硬質材料酸化物
を添加し、これを１μｍ以下に微粉砕し造粒する。な
お、上記ガラス形成酸化物および硬質材料酸化物の添加
は、前記電解Ｉｎ2Ｏ3 粉の造粒した後でもよい。これ
を純水で混合し所定の形にプレス成形する。次に雰囲気
焼結炉中１５００〜１７００°Ｃで３〜１０時間焼結す
る。このようにして得た焼結体を研削などの機械加工を
行なって、本発明のターゲットを作製する。
【００１９】本発明の光透過膜を光ディスク保護膜とし
て使用する場合、該膜を形成するスパッタリングターゲ
トは、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯから選択された１種
以上の酸化物をＺｎＯを主成分とし、Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ
2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2 、Ｐ2Ｏ5から選択された１種以
上をガラス形成酸化物０．０１〜２０重量％を含有さ
せ、また、必要に応じてＺｒＯ2及び又はＴｉＯ2の硬質
材料酸化物を０．０１〜５重量％、又はＡｌ2Ｏ3及び又
はＧａ2Ｏ3を０．１〜２０重量％のそれぞれの粉末を含
有させて、ホットプレス又はＨＩＰ等により焼結するこ
とにより製造する。Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、ＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ
3及びＰ2Ｏ5 の成分の内から選択した少なくとも１成分
を０．１〜２０ｗｔ％添加するのは、この０．１〜２０
ｗｔ％の添加により、効果的に結晶化を抑制することが
でき、安定した光ディスク保護層を形成することができ
るからである。０．１ｗｔ％未満では添加の効果がな
く、２０％ｗｔを超えると添加した成分の結晶相が析出
するので好ましくない。以上から上記酸化物の添加の範
囲は０．１〜１０ｗｔ％とするのがよい。また、必要に
応じてＺｒＯ2及び又はＴｉＯ2の硬質材料酸化物を０．
０１〜５重量％添加して膜に強度を持たせることもでき
る。さらに、Ａｌ2Ｏ3及び又はＧａ2Ｏ3を０．１〜２０
重量％添加することもできるが、Ａｌ2Ｏ3及び又はＧａ
2Ｏ3の含有量を０．１〜２０ｗｔ％とする又は理由は、
ターゲットバルク電気抵抗を低下させ、直流（ＤＣ）ス
パッタリングを可能とし、成膜後の保護層用薄膜の可視
光線（３６０〜８３０ｎｍ）域での透過率を８０％以上
に維持できるからである。０．１ｗｔ％未満では添加の
効果がなく、２０ｗｔ％を超えると電気絶縁性の傾向が
生じ、安定した直流（ＤＣ）スパッタリングが得られに
くくなり、また保護層用薄膜の可視光線域での透過率が
低下するため好ましくないからである。
て使用する場合、該膜を形成するスパッタリングターゲ
トは、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯから選択された１種
以上の酸化物をＺｎＯを主成分とし、Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ
2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2 、Ｐ2Ｏ5から選択された１種以
上をガラス形成酸化物０．０１〜２０重量％を含有さ
せ、また、必要に応じてＺｒＯ2及び又はＴｉＯ2の硬質
材料酸化物を０．０１〜５重量％、又はＡｌ2Ｏ3及び又
はＧａ2Ｏ3を０．１〜２０重量％のそれぞれの粉末を含
有させて、ホットプレス又はＨＩＰ等により焼結するこ
とにより製造する。Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5、ＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ
3及びＰ2Ｏ5 の成分の内から選択した少なくとも１成分
を０．１〜２０ｗｔ％添加するのは、この０．１〜２０
ｗｔ％の添加により、効果的に結晶化を抑制することが
でき、安定した光ディスク保護層を形成することができ
るからである。０．１ｗｔ％未満では添加の効果がな
く、２０％ｗｔを超えると添加した成分の結晶相が析出
するので好ましくない。以上から上記酸化物の添加の範
囲は０．１〜１０ｗｔ％とするのがよい。また、必要に
応じてＺｒＯ2及び又はＴｉＯ2の硬質材料酸化物を０．
０１〜５重量％添加して膜に強度を持たせることもでき
る。さらに、Ａｌ2Ｏ3及び又はＧａ2Ｏ3を０．１〜２０
重量％添加することもできるが、Ａｌ2Ｏ3及び又はＧａ
2Ｏ3の含有量を０．１〜２０ｗｔ％とする又は理由は、
ターゲットバルク電気抵抗を低下させ、直流（ＤＣ）ス
パッタリングを可能とし、成膜後の保護層用薄膜の可視
光線（３６０〜８３０ｎｍ）域での透過率を８０％以上
に維持できるからである。０．１ｗｔ％未満では添加の
効果がなく、２０ｗｔ％を超えると電気絶縁性の傾向が
生じ、安定した直流（ＤＣ）スパッタリングが得られに
くくなり、また保護層用薄膜の可視光線域での透過率が
低下するため好ましくないからである。
【００２０】以上のＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯから選
択された１種以上の酸化物をＺｎＯを主成分とする光デ
ィスク保護膜用スパッタリングターゲットは、成膜後の
保護膜の可視光線（３６０〜８３０ｎｍ）域での透過率
が８０％以上であり、また反射率は２０％以下とするこ
とができる。これは光ディスク保護膜として十分な値で
ある。上記Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯ系光ディスク保
護膜形成用スパッタリングターゲットは従来のＺｎＳ−
ＳｉＯ2ターゲットに比べパーティクルの発生を著しく
減少させることができた。その理由としてＺｎＯ等自体
がＺｎＳよりチェンバー内壁や機器への付着力が大きい
ためと考えられる。このようにしてパーティクルの発生
を減少せしめることにより、スパッタリングの中断また
は中止の回数が減り、煩雑なスパッタチャンバ内の清掃
の頻度が減少するので、生産効率を従来に比べて飛躍的
に上げることができるという効果を有する。また、本発
明のＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯ系光ディスク保護膜形
成用スパッタリングターゲットにより、上記に述べたよ
り低反射率の膜が得られるだけでなく、アモルファス部
と結晶部との吸収を増大させ反射率の差が大きい光学的
機能、記録薄膜の耐湿性や熱による変形の防止機能、さ
らには記録の際の熱的条件の制御という機能に対し、満
足できる良好かつ安定したＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯ
系光ディスク保護膜（層）が再現性良く得ることができ
ることが分かった。
択された１種以上の酸化物をＺｎＯを主成分とする光デ
ィスク保護膜用スパッタリングターゲットは、成膜後の
保護膜の可視光線（３６０〜８３０ｎｍ）域での透過率
が８０％以上であり、また反射率は２０％以下とするこ
とができる。これは光ディスク保護膜として十分な値で
ある。上記Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯ系光ディスク保
護膜形成用スパッタリングターゲットは従来のＺｎＳ−
ＳｉＯ2ターゲットに比べパーティクルの発生を著しく
減少させることができた。その理由としてＺｎＯ等自体
がＺｎＳよりチェンバー内壁や機器への付着力が大きい
ためと考えられる。このようにしてパーティクルの発生
を減少せしめることにより、スパッタリングの中断また
は中止の回数が減り、煩雑なスパッタチャンバ内の清掃
の頻度が減少するので、生産効率を従来に比べて飛躍的
に上げることができるという効果を有する。また、本発
明のＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯ系光ディスク保護膜形
成用スパッタリングターゲットにより、上記に述べたよ
り低反射率の膜が得られるだけでなく、アモルファス部
と結晶部との吸収を増大させ反射率の差が大きい光学的
機能、記録薄膜の耐湿性や熱による変形の防止機能、さ
らには記録の際の熱的条件の制御という機能に対し、満
足できる良好かつ安定したＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯ
系光ディスク保護膜（層）が再現性良く得ることができ
ることが分かった。
【００２１】
【実施例および比較例】以下、実施例および比較例に基
づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であ
り、この例によって何ら制限されるものではない。すな
わち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限される
ものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形
を包含するものである。以下に示す実施例は本発明の好
適かつ代表的な実施例である。
づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であ
り、この例によって何ら制限されるものではない。すな
わち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限される
ものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形
を包含するものである。以下に示す実施例は本発明の好
適かつ代表的な実施例である。
【００２２】（実施例１〜７及び比較例１）まず、高抵
抗導電膜に関する実施例及び比較例を示す。微粉砕、造
粒、プレス成形、焼結、機械加工の手順を経て表１に示
す成分組成のターゲットを作製した。この表１には実施
例１〜７および比較例のターゲットを併せて示す。
抗導電膜に関する実施例及び比較例を示す。微粉砕、造
粒、プレス成形、焼結、機械加工の手順を経て表１に示
す成分組成のターゲットを作製した。この表１には実施
例１〜７および比較例のターゲットを併せて示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】ターゲットの成形体密度は３．０〜４．５
ｇ・ｃｍ-3、焼結体密度は６．５〜７．１ｇ・ｃｍ-3で
ある。上記表１に示すターゲットを用いてスパッタ成膜
を行い、高抵抗ＩＴＯ透明導電膜のスパッタリング時、
１時間（Ｈｒ）アニール後、２４時間（Ｈｒ）アニール
後および４８時間（Ｈｒ）アニール後について、比抵
抗、比抵抗変化率および透過率（５５０ｎｍ）を測定し
た。この結果を表２に併せて示す。スパッタ装置はアネ
ルバ社製ＳＰＦ−３１３ＨまたはＳＰＦ−２１０Ｈを用
いた。スパッタ条件は次の通りである。またアニール試
験は大気中１５０°Ｃ、０〜４８時間の条件で実施し
た。スパッタリング条件は次の通りである。
ｇ・ｃｍ-3、焼結体密度は６．５〜７．１ｇ・ｃｍ-3で
ある。上記表１に示すターゲットを用いてスパッタ成膜
を行い、高抵抗ＩＴＯ透明導電膜のスパッタリング時、
１時間（Ｈｒ）アニール後、２４時間（Ｈｒ）アニール
後および４８時間（Ｈｒ）アニール後について、比抵
抗、比抵抗変化率および透過率（５５０ｎｍ）を測定し
た。この結果を表２に併せて示す。スパッタ装置はアネ
ルバ社製ＳＰＦ−３１３ＨまたはＳＰＦ−２１０Ｈを用
いた。スパッタ条件は次の通りである。またアニール試
験は大気中１５０°Ｃ、０〜４８時間の条件で実施し
た。スパッタリング条件は次の通りである。
【００２５】スパッタリング条件 スパッタガス Ａｒ−Ｏ2（０〜５％） ガス圧力 ０．５Ｐａ 基板温度 Ｒ．Ｔ．（室温） 膜厚 ３００Å
【００２６】
【表２】
【００２７】表２に示すように、本発明の透明導電膜材
料においてはアニール後において、すなわち長時間熱影
響を受けても比抵抗の変化が小さい。例えば本発明の実
施例７を挙げて具体的に説明すると、スパッタリング時
の比抵抗が２．１２×１０-3Ω・ｃｍ、１時間アニール
後は１．８６×１０-3Ω・ｃｍ、２４時間アニール後は
１．９６×１０-3Ω・ｃｍ、４８時間アニール後は２．
０３×１０-3Ω・ｃｍであり、スパッタリング時から２
４時間アニール後までの比抵抗の変化率は０．９６とな
り変化が極めて小さいことが分かる。そして、比抵抗は
タッチパネルなどに好適な比抵抗１×１０-3Ω・ｃｍ〜
５×１０-3Ω・ｃｍの範囲の間にある。また、透過率は
スパッタリング時は８６．５％、１時間アニール後は８
９．６％、２４時間アニール後は９０．５％、４８時間
アニール後は９０．２％であり、いずれも要求特性を満
たす８５％以上を満たしている。これらは、表２に示す
他の実施例１〜６についても同様に言える。
料においてはアニール後において、すなわち長時間熱影
響を受けても比抵抗の変化が小さい。例えば本発明の実
施例７を挙げて具体的に説明すると、スパッタリング時
の比抵抗が２．１２×１０-3Ω・ｃｍ、１時間アニール
後は１．８６×１０-3Ω・ｃｍ、２４時間アニール後は
１．９６×１０-3Ω・ｃｍ、４８時間アニール後は２．
０３×１０-3Ω・ｃｍであり、スパッタリング時から２
４時間アニール後までの比抵抗の変化率は０．９６とな
り変化が極めて小さいことが分かる。そして、比抵抗は
タッチパネルなどに好適な比抵抗１×１０-3Ω・ｃｍ〜
５×１０-3Ω・ｃｍの範囲の間にある。また、透過率は
スパッタリング時は８６．５％、１時間アニール後は８
９．６％、２４時間アニール後は９０．５％、４８時間
アニール後は９０．２％であり、いずれも要求特性を満
たす８５％以上を満たしている。これらは、表２に示す
他の実施例１〜６についても同様に言える。
【００２８】これに対し、表２に示す比較例のＩＴＯ膜
では、透過率はいずれも９０％を超えているが、スパッ
タリング時の比抵抗が０．４９×１０-3Ω・ｃｍ、１時
間アニール後は０．２７×１０-3Ω・ｃｍ、２４時間ア
ニール後は０．２２×１０-3Ω・ｃｍ、４８時間アニー
ル後は０．２２×１０-3Ω・ｃｍであり、アニール時間
が長くなるにつれ比抵抗が一桁近く又はそれ以上高くな
っている。また、スパッタリング時から２４時間アニー
ル後までの比抵抗の変化率は０．４５となり変化が著し
く大きい。
では、透過率はいずれも９０％を超えているが、スパッ
タリング時の比抵抗が０．４９×１０-3Ω・ｃｍ、１時
間アニール後は０．２７×１０-3Ω・ｃｍ、２４時間ア
ニール後は０．２２×１０-3Ω・ｃｍ、４８時間アニー
ル後は０．２２×１０-3Ω・ｃｍであり、アニール時間
が長くなるにつれ比抵抗が一桁近く又はそれ以上高くな
っている。また、スパッタリング時から２４時間アニー
ル後までの比抵抗の変化率は０．４５となり変化が著し
く大きい。
【００２９】従来のＩＴＯ膜等は非晶質であるが熱影響
を受けると結晶化する傾向がある。結晶化すると抵抗率
が急速に低くなる。これに対し、上記本発明の添加物質
はこの熱による結晶化を抑制する作用をするものと考え
られる。これによりタッチパネルなどに好適な比抵抗１
×１０-3〜５×１０-3Ω・ｃｍを維持することができ
る。また、透過率について考えると透過率は屈折率の関
数であり、この屈折率は該屈折率の異なる材料の混合比
率を変えることにより変化させることができる。しか
し、ＩＴＯ膜等の電気的特性すなわち抵抗率を保ったま
ま、屈折率を変化させようとしても実現は困難である。
本発明の場合は、導電性をある程度犠牲にできるので、
屈折率を変化させ高い透過率とタッチパネルに好適な比
抵抗１×１０-3〜５×１０-3Ω・ｃｍを選択できる。そ
して、屈折率が小さいもの程透過率が高い膜が得られる
ので、透過率改善には屈折率がＩｎ2Ｏ3（屈折率２）よ
りも小さい材料を選ぶ必要がある。上記本発明のガラス
形成酸化物および硬質材料酸化物はこれらの条件を満た
している。
を受けると結晶化する傾向がある。結晶化すると抵抗率
が急速に低くなる。これに対し、上記本発明の添加物質
はこの熱による結晶化を抑制する作用をするものと考え
られる。これによりタッチパネルなどに好適な比抵抗１
×１０-3〜５×１０-3Ω・ｃｍを維持することができ
る。また、透過率について考えると透過率は屈折率の関
数であり、この屈折率は該屈折率の異なる材料の混合比
率を変えることにより変化させることができる。しか
し、ＩＴＯ膜等の電気的特性すなわち抵抗率を保ったま
ま、屈折率を変化させようとしても実現は困難である。
本発明の場合は、導電性をある程度犠牲にできるので、
屈折率を変化させ高い透過率とタッチパネルに好適な比
抵抗１×１０-3〜５×１０-3Ω・ｃｍを選択できる。そ
して、屈折率が小さいもの程透過率が高い膜が得られる
ので、透過率改善には屈折率がＩｎ2Ｏ3（屈折率２）よ
りも小さい材料を選ぶ必要がある。上記本発明のガラス
形成酸化物および硬質材料酸化物はこれらの条件を満た
している。
【００３０】（実施例８）次に、光ディスク用保護膜に
関する実施例を示す。Ａｌ2Ｏ3粉２ｗｔ％及びＮｂ2Ｏ5
粉１０ｗｔ％とを秤量し、残部ＺｎＯ粉と共に混合した
後、１４００°Ｃ大気中で焼結しターゲットを作製し
た。得られたターゲットの密度は５．３ｇ／ｃｍ3 であ
った。このようにして得たＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−Ｎｂ2Ｏ5
ターゲットを使用しスパッタリングして基板上に成膜
し、パーティクルが発生しスパッタチャンバの内壁や機
器をクリーニングしなければならない時に至るまでの基
板への被覆、すなわち生産枚数を調べたところ、３００
０枚〜３５００枚であった。これは以下に述べる比較例
（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲット生産枚数）と比べ２０％
〜４０％の生産向上となった。さらに保護膜の反射率を
みると１６〜１８％であり、目標値２０％以下が十分に
達せられた。さらに可視光線領域における透過率が９５
％であり、効果的な保護膜の特性が得られた。
関する実施例を示す。Ａｌ2Ｏ3粉２ｗｔ％及びＮｂ2Ｏ5
粉１０ｗｔ％とを秤量し、残部ＺｎＯ粉と共に混合した
後、１４００°Ｃ大気中で焼結しターゲットを作製し
た。得られたターゲットの密度は５．３ｇ／ｃｍ3 であ
った。このようにして得たＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−Ｎｂ2Ｏ5
ターゲットを使用しスパッタリングして基板上に成膜
し、パーティクルが発生しスパッタチャンバの内壁や機
器をクリーニングしなければならない時に至るまでの基
板への被覆、すなわち生産枚数を調べたところ、３００
０枚〜３５００枚であった。これは以下に述べる比較例
（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲット生産枚数）と比べ２０％
〜４０％の生産向上となった。さらに保護膜の反射率を
みると１６〜１８％であり、目標値２０％以下が十分に
達せられた。さらに可視光線領域における透過率が９５
％であり、効果的な保護膜の特性が得られた。
【００３１】また、上記実施例８のＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−
Ｎｂ2Ｏ5ターゲットにより成膜した保護膜を３００°Ｃ
及び４００°Ｃに加熱（大気中）した場合の結晶化を見
るために、Ｘ線回折によるデータを調べた。比較として
加熱しない場合も同時にテストした。その結果を図２
(ａ)、(ｂ)及び(ｃ)に示す。図２(ａ)は４００°Ｃに加
熱した場合、図２(ｂ)は３００°Ｃに加熱した場合、そ
して図２(ｃ)は加熱していない場合を示す。この結果か
ら明らかなように、３００°Ｃ及び４００°Ｃに加熱
（大気中）した場合でも、非加熱の場合と同等であり結
晶化が全く見られない。すなわち、本発明のターゲット
は結晶化のない安定したＺｎＯ系光ディスク用保護層を
得ることができた。
Ｎｂ2Ｏ5ターゲットにより成膜した保護膜を３００°Ｃ
及び４００°Ｃに加熱（大気中）した場合の結晶化を見
るために、Ｘ線回折によるデータを調べた。比較として
加熱しない場合も同時にテストした。その結果を図２
(ａ)、(ｂ)及び(ｃ)に示す。図２(ａ)は４００°Ｃに加
熱した場合、図２(ｂ)は３００°Ｃに加熱した場合、そ
して図２(ｃ)は加熱していない場合を示す。この結果か
ら明らかなように、３００°Ｃ及び４００°Ｃに加熱
（大気中）した場合でも、非加熱の場合と同等であり結
晶化が全く見られない。すなわち、本発明のターゲット
は結晶化のない安定したＺｎＯ系光ディスク用保護層を
得ることができた。
【００３２】（実施例９）Ａｌ2Ｏ3粉２ｗｔ％及びＳｉ
Ｏ2 粉５ｗｔ％とを秤量し、残部ＺｎＯ粉と共に混合し
た後、１４００°Ｃ大気中で焼結しターゲットを作製し
た。得られたターゲットの密度は５．２ｇ／ｃｍ3 であ
った。このようにして得たＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2
ターゲットを使用してスパッタリングして基板上に成膜
し、パーティクルが発生してスパッタチャンバの内壁や
機器をクリーニングしなければならない時に至るまでの
基板への被覆、すなわち生産枚数を調べたところ、３０
００枚〜３５００枚であった。これは以下に述べる比較
例（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲット生産枚数）と比べ２０
％〜４０％の生産向上となった。さらに保護膜の反射率
をみると１６〜１８％であり、目標値２０％以下が十分
に達せられた。さらに可視光線領域における透過率が９
３％以上で、効果的な保護膜の特性が得られた。また、
上記実施例９のＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2 ターゲット
により成膜した保護膜を３００°Ｃに加熱（大気中）し
た場合の結晶化を見るために、Ｘ線回折によるデータを
調べた。実施例８と同様に結晶化が全く見られない。す
なわち、本発明のターゲットは結晶化のない安定したＺ
ｎＯ系光ディスク用保護層を得ることができた。
Ｏ2 粉５ｗｔ％とを秤量し、残部ＺｎＯ粉と共に混合し
た後、１４００°Ｃ大気中で焼結しターゲットを作製し
た。得られたターゲットの密度は５．２ｇ／ｃｍ3 であ
った。このようにして得たＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2
ターゲットを使用してスパッタリングして基板上に成膜
し、パーティクルが発生してスパッタチャンバの内壁や
機器をクリーニングしなければならない時に至るまでの
基板への被覆、すなわち生産枚数を調べたところ、３０
００枚〜３５００枚であった。これは以下に述べる比較
例（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲット生産枚数）と比べ２０
％〜４０％の生産向上となった。さらに保護膜の反射率
をみると１６〜１８％であり、目標値２０％以下が十分
に達せられた。さらに可視光線領域における透過率が９
３％以上で、効果的な保護膜の特性が得られた。また、
上記実施例９のＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2 ターゲット
により成膜した保護膜を３００°Ｃに加熱（大気中）し
た場合の結晶化を見るために、Ｘ線回折によるデータを
調べた。実施例８と同様に結晶化が全く見られない。す
なわち、本発明のターゲットは結晶化のない安定したＺ
ｎＯ系光ディスク用保護層を得ることができた。
【００３３】（実施例１０）Ｇａ2Ｏ3粉２ｗｔ％及びＮ
ｂ2Ｏ5粉１０ｗｔ％とを秤量し、残部ＺｎＯ粉と共に混
合した後、１４００°Ｃ大気中で焼結しターゲットを作
製した。得られたターゲットの密度は５．２ｇ／ｃｍ3
であった。このようにして得たＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3−Ｎｂ
2Ｏ5ターゲットを使用して直流（ＤＣ）スパッタリング
して基板に成膜し、パーティクルが発生してスパッタチ
ャンバの内壁や機器をクリーニングしなければならない
時に至るまでの基板への被覆、すなわち生産枚数を調べ
たところ、３０００枚〜３５００枚であった。これは以
下に述べる比較例（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲット生産枚
数）と比べ２０％〜４０％以上の生産向上となった。さ
らに保護膜の反射率をみると１６〜１８％であり、目標
値２０％以下が十分に達せられた。さらに可視光線領域
における透過率が９１％以上で、効果的な保護膜の特性
が得られた。また、上記実施例１０のＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3
−Ｎｂ2Ｏ5ターゲットにより成膜した保護膜を３００°
Ｃに加熱（大気中）した場合の結晶化を見るために、Ｘ
線回折によるデータを調べた。実施例８、９と同様に結
晶化が全く見られない。すなわち、本発明のターゲット
は結晶化のない安定したＺｎＯ系光ディスク用保護層を
得ることができた。
ｂ2Ｏ5粉１０ｗｔ％とを秤量し、残部ＺｎＯ粉と共に混
合した後、１４００°Ｃ大気中で焼結しターゲットを作
製した。得られたターゲットの密度は５．２ｇ／ｃｍ3
であった。このようにして得たＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3−Ｎｂ
2Ｏ5ターゲットを使用して直流（ＤＣ）スパッタリング
して基板に成膜し、パーティクルが発生してスパッタチ
ャンバの内壁や機器をクリーニングしなければならない
時に至るまでの基板への被覆、すなわち生産枚数を調べ
たところ、３０００枚〜３５００枚であった。これは以
下に述べる比較例（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲット生産枚
数）と比べ２０％〜４０％以上の生産向上となった。さ
らに保護膜の反射率をみると１６〜１８％であり、目標
値２０％以下が十分に達せられた。さらに可視光線領域
における透過率が９１％以上で、効果的な保護膜の特性
が得られた。また、上記実施例１０のＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3
−Ｎｂ2Ｏ5ターゲットにより成膜した保護膜を３００°
Ｃに加熱（大気中）した場合の結晶化を見るために、Ｘ
線回折によるデータを調べた。実施例８、９と同様に結
晶化が全く見られない。すなわち、本発明のターゲット
は結晶化のない安定したＺｎＯ系光ディスク用保護層を
得ることができた。
【００３４】（実施例１１）ＳｉＯ2 粉５ｗｔ％とを秤
量し、残部ＺｎＯ粉と共に混合した後、１４００°Ｃ大
気中で焼結しターゲットを作製した。得られたターゲッ
トの密度は５．２ｇ／ｃｍ3 であった。このようにして
得たＺｎＯ−ＳｉＯ2 ターゲットを使用してスパッタリ
ングして基板上に成膜し、パーティクルが発生してスパ
ッタチャンバの内壁や機器をクリーニングしなければな
らない時に至るまでの基板への被覆、すなわち生産枚数
を調べたところ、３０００枚〜３５００枚であった。こ
れは以下に述べる比較例（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲット
生産枚数）と比べ２０％〜４０％の生産向上となった。
さらに保護膜の反射率をみると１６〜１８％であり、目
標値２０％以下が十分に達せられた。さらに可視光線領
域における透過率が９３％以上で、効果的な保護膜の特
性が得られた。また、上記実施例１１のＺｎＯ−ＳｉＯ
2 ターゲットにより成膜した保護膜を３００°Ｃに加熱
（大気中）した場合の結晶化を見るために、Ｘ線回折に
よるデータを調べた。実施例８と同様に結晶化が全く見
られない。すなわち、本発明のターゲットは結晶化のな
い安定したＺｎＯ系光ディスク用保護層を得ることがで
きた。
量し、残部ＺｎＯ粉と共に混合した後、１４００°Ｃ大
気中で焼結しターゲットを作製した。得られたターゲッ
トの密度は５．２ｇ／ｃｍ3 であった。このようにして
得たＺｎＯ−ＳｉＯ2 ターゲットを使用してスパッタリ
ングして基板上に成膜し、パーティクルが発生してスパ
ッタチャンバの内壁や機器をクリーニングしなければな
らない時に至るまでの基板への被覆、すなわち生産枚数
を調べたところ、３０００枚〜３５００枚であった。こ
れは以下に述べる比較例（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲット
生産枚数）と比べ２０％〜４０％の生産向上となった。
さらに保護膜の反射率をみると１６〜１８％であり、目
標値２０％以下が十分に達せられた。さらに可視光線領
域における透過率が９３％以上で、効果的な保護膜の特
性が得られた。また、上記実施例１１のＺｎＯ−ＳｉＯ
2 ターゲットにより成膜した保護膜を３００°Ｃに加熱
（大気中）した場合の結晶化を見るために、Ｘ線回折に
よるデータを調べた。実施例８と同様に結晶化が全く見
られない。すなわち、本発明のターゲットは結晶化のな
い安定したＺｎＯ系光ディスク用保護層を得ることがで
きた。
【００３５】上記実施例においては、ＺｎＯにＡｌ2Ｏ3
とＮｂ2Ｏ5を添加した例、ＺｎＯにＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2
を添加した例及びＺｎＯにＧａ2Ｏ3とＮｂ2Ｏ5を添加し
た例、さらにＺｎＯにＳｉＯ2 を添加した例の４例を示
たが、その他の酸化物、すなわちＶ2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3及びＰ
2Ｏ5を添加した場合、さらにはこれらを複合添加した場
合も同等の結果が得られた。また、ＺｎＯに２成分、す
なわちＡｌ2Ｏ3及びＧａ2Ｏ3の内の１又は２を添加した
場合、さらにはＺｒＯ2 及びＴｉＯ2 の内の１又は２を
添加した場合にも上記実施例と同様の結果が得られた。
上記の実施例は代表的な実施例を示したものである。
とＮｂ2Ｏ5を添加した例、ＺｎＯにＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2
を添加した例及びＺｎＯにＧａ2Ｏ3とＮｂ2Ｏ5を添加し
た例、さらにＺｎＯにＳｉＯ2 を添加した例の４例を示
たが、その他の酸化物、すなわちＶ2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3及びＰ
2Ｏ5を添加した場合、さらにはこれらを複合添加した場
合も同等の結果が得られた。また、ＺｎＯに２成分、す
なわちＡｌ2Ｏ3及びＧａ2Ｏ3の内の１又は２を添加した
場合、さらにはＺｒＯ2 及びＴｉＯ2 の内の１又は２を
添加した場合にも上記実施例と同様の結果が得られた。
上記の実施例は代表的な実施例を示したものである。
【００３６】（比較例２）次に、ＳｉＯ2 粉末とＺｎＳ
粉末とを等量の秤量して、Ａｒ雰囲気の下で、１０００
°Ｃ、１５０Ｋｇｆ／ｃｍ2 でホットプレスを行なっ
た。得られたターゲットの密度は３．４ｇ／ｃｍ3 であ
った。このようにして得たＺｎＳ−ＳｉＯ2 焼結体ター
ゲットを使用して高周波（ＲＦ）スパッタリングし、パ
ーティクルが発生してスパッタチャンバの内壁や機器を
クリーニングしなければならない時に至るまでの基板へ
の被覆すなわち生産枚数を調べたところ、２５００枚で
あった。これは実施例に比べると３０％程度の生産率の
減少となった。さらにスパッタリングにより形成された
保護膜の反射率が高く、また透過率も予期していたより
も低いという結果となった。なお、上記実施例、比較例
におけるスパッタリングターゲットの組成と成膜組成と
のずれは、いずれの添加成分もターゲット組成の±１０
％以内であった。
粉末とを等量の秤量して、Ａｒ雰囲気の下で、１０００
°Ｃ、１５０Ｋｇｆ／ｃｍ2 でホットプレスを行なっ
た。得られたターゲットの密度は３．４ｇ／ｃｍ3 であ
った。このようにして得たＺｎＳ−ＳｉＯ2 焼結体ター
ゲットを使用して高周波（ＲＦ）スパッタリングし、パ
ーティクルが発生してスパッタチャンバの内壁や機器を
クリーニングしなければならない時に至るまでの基板へ
の被覆すなわち生産枚数を調べたところ、２５００枚で
あった。これは実施例に比べると３０％程度の生産率の
減少となった。さらにスパッタリングにより形成された
保護膜の反射率が高く、また透過率も予期していたより
も低いという結果となった。なお、上記実施例、比較例
におけるスパッタリングターゲットの組成と成膜組成と
のずれは、いずれの添加成分もターゲット組成の±１０
％以内であった。
【００３７】
【発明の効果】本発明の光透過膜を高抵抗透明導電膜と
して使用する場合、特に抵抗膜式タッチパネル装置など
で必要とされる画面位置確定のために使用する高シート
抵抗（５００〜１０００Ω／□）透明導電膜に有用であ
る。本発明のターゲットを使用して成膜されたスパッタ
リング膜は、長時間のアニ−ル（１５０°Ｃ前後）によ
っても、その比抵抗の変化が少なく（変化率Ｒが０．
０．７≦Ｒ≦１．３の範囲に収まる）、また屈曲やカー
ルなどの機械的変形に耐え、耐摺動性（ペン耐久性）や
耐湿熱性も備えている特徴を有しており、タッチパネル
などに好適な比抵抗１×１０-3〜５×１０-3Ω・ｃｍを
有する高抵抗透明導電膜を得ることができるという優れ
た特徴を有する。また、本発明の光透過膜を光ディスク
保護膜として使用する場合、従来のＺｎＳ−ＳｉＯ2 ス
パッタリングターゲットに替え、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、
ＺｎＯ系光ディスク保護膜用スパッタリングターゲット
とすることにより、パーティクルの発生を著しく減少さ
せるとともに皮膜の均一性を向上させ、さらに低反射
率、可視光域での高透過性をもつ保護膜を安定した製造
条件で、再現性よく得ることができるという優れた特徴
を有している。そして上記の通り、本発明のターゲット
を用いて成膜された光ディスク、特に相変化光ディスク
の保護膜は、レーザービームによる相変化記録層の加熱
昇温・冷却時に繰返し熱影響を受けるが、このような熱
影響を受けても保護膜の特性が損なわれることなく安定
した皮膜を形成することができるという優れた効果を有
する。さらに、本発明のＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯ系
ターゲットは上記に述べた通り、より低反射率の膜が得
られるだけでなく、アモルファス部と結晶部との吸収を
増大させ反射率の差が大きい光学的機能、記録薄膜の耐
湿性や熱による変形の防止機能、さらには記録の際の熱
的条件の制御という機能に満足できる良好かつ安定した
膜が再現性良く得ることができる著しい特徴を有してい
る。
して使用する場合、特に抵抗膜式タッチパネル装置など
で必要とされる画面位置確定のために使用する高シート
抵抗（５００〜１０００Ω／□）透明導電膜に有用であ
る。本発明のターゲットを使用して成膜されたスパッタ
リング膜は、長時間のアニ−ル（１５０°Ｃ前後）によ
っても、その比抵抗の変化が少なく（変化率Ｒが０．
０．７≦Ｒ≦１．３の範囲に収まる）、また屈曲やカー
ルなどの機械的変形に耐え、耐摺動性（ペン耐久性）や
耐湿熱性も備えている特徴を有しており、タッチパネル
などに好適な比抵抗１×１０-3〜５×１０-3Ω・ｃｍを
有する高抵抗透明導電膜を得ることができるという優れ
た特徴を有する。また、本発明の光透過膜を光ディスク
保護膜として使用する場合、従来のＺｎＳ−ＳｉＯ2 ス
パッタリングターゲットに替え、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、
ＺｎＯ系光ディスク保護膜用スパッタリングターゲット
とすることにより、パーティクルの発生を著しく減少さ
せるとともに皮膜の均一性を向上させ、さらに低反射
率、可視光域での高透過性をもつ保護膜を安定した製造
条件で、再現性よく得ることができるという優れた特徴
を有している。そして上記の通り、本発明のターゲット
を用いて成膜された光ディスク、特に相変化光ディスク
の保護膜は、レーザービームによる相変化記録層の加熱
昇温・冷却時に繰返し熱影響を受けるが、このような熱
影響を受けても保護膜の特性が損なわれることなく安定
した皮膜を形成することができるという優れた効果を有
する。さらに、本発明のＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯ系
ターゲットは上記に述べた通り、より低反射率の膜が得
られるだけでなく、アモルファス部と結晶部との吸収を
増大させ反射率の差が大きい光学的機能、記録薄膜の耐
湿性や熱による変形の防止機能、さらには記録の際の熱
的条件の制御という機能に満足できる良好かつ安定した
膜が再現性良く得ることができる著しい特徴を有してい
る。
【図１】記録薄膜層構造の断面説明図である。
【図２】実施例のＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−Ｎｂ2Ｏ5ターゲッ
トにより成膜した保護膜を３００°Ｃ及び４００°Ｃに
加熱した場合のＸ線回折結果である。
トにより成膜した保護膜を３００°Ｃ及び４００°Ｃに
加熱した場合のＸ線回折結果である。
１ レーザー入射方向 ２ ポリカーボネート等の基板 ３ ＺｎＳ・ＳｉＯ2 等の誘電体保護膜 ４ Ｓｅ・Ｓｂ・Ｔｅ等の相変化記録薄膜層 ５ ＺｎＳ・ＳｉＯ2 等の誘電体保護膜 ６ Ａｌ合金反射膜 ７ オーバーコート ８ 接着層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５ Ｈ０１Ｂ 1/08 Ｈ０１Ｂ 1/08 5/14 Ａ 5/14 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ｚ
Claims (15)
- 【請求項１】 ガラス形成酸化物０．０１〜２０重量％
を含有し、残部Ｉｎ 2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯから選択さ
れた１種以上の酸化物であることを特徴とする光透過
膜。 - 【請求項２】 ＺｒＯ2及び又はＴｉＯ2の硬質材料酸化
物を０．０１〜５重量％含有することを特徴とする請求
項１記載の光透過膜。 - 【請求項３】 Ａｌ2Ｏ3又はＧａ2Ｏ3を０．０１〜２０
重量％含有することを特徴とする請求項１又は２記載の
光透過膜。 - 【請求項４】 ガラス形成酸化物が、Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ
2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｐ2Ｏ5から選択された１種以
上であることを特徴とする請求項１〜３のそれぞれに記
載の光透過膜。 - 【請求項５】 光透過膜が高抵抗透明導電膜又は光ディ
スク用保護膜であることを特徴とする請求項１〜４のそ
れぞれに記載の光透過膜。 - 【請求項６】 ガラス形成酸化物０．０１〜２０重量％
を含有し、残部Ｉｎ 2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯから選択さ
れた１種以上の酸化物である組成を有し、スパッタリン
グ直後の膜の比抵抗をｒ0 、アニール後の膜の比抵抗を
ｒとした場合に、スパッタ後のポストアニールによる膜
の比抵抗の変化率Ｒ＝ｒ／ｒ0 の値Ｒが０．７〜１．３
であることを特徴とする高抵抗透明導電膜。 - 【請求項７】 アニール後の膜の比抵抗が１×１０-3〜
５×１０-3Ω・ｃｍ、膜厚が１００〜１０００オングス
トローム、膜の透過率が８５％以上であることを特徴と
する請求項６記載の高抵抗透明導電膜。 - 【請求項８】 ＺｒＯ2及び又はＴｉＯ2の硬質材料酸化
物を０．０１〜５重量％含有することを特徴とする請求
項６又は７記載の高抵抗透明導電膜。 - 【請求項９】 ガラス形成酸化物が、Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ
2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｐ2Ｏ5から選択された１種以
上である組成を有することを特徴とする請求項６〜８の
それぞれに記載の高抵抗透明導電膜。 - 【請求項１０】 ガラス形成酸化物０．０１〜２０重量
％を含有し、残部Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯから選択
された１種以上の酸化物からなることを特徴とする光透
過膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項１１】 ＺｒＯ2及び又はＴｉＯ2の硬質材料酸
化物を０．０１〜５重量％含有することを特徴とする請
求項１０記載の光透過膜形成用スパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項１２】 Ａｌ2Ｏ3又はＧａ2Ｏ3を０．０１〜２
０重量％含有することを特徴とする請求項１０又は１１
記載の光透過膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項１３】 ガラス形成酸化物が、Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ2
Ｏ5、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ 2 、Ｐ2Ｏ5から選択された１種以
上であることを特徴とする請求項１０〜１２のそれぞれ
に記載の光透過膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項１４】 光透過膜が高抵抗透明導電膜又は光デ
ィスク用保護膜であることを特徴とする請求項１０〜１
３のそれぞれに記載の光透過膜形成用スパッタリングタ
ーゲット。 - 【請求項１５】 請求項１０〜１４に記載のスパッタリ
ングターゲットを用いてスパッタリングを行なった後、
アニールすることを特徴とする高抵抗透明導電膜の製造
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00541399A JP3636914B2 (ja) | 1998-02-16 | 1999-01-12 | 高抵抗透明導電膜及び高抵抗透明導電膜の製造方法並びに高抵抗透明導電膜形成用スパッタリングターゲット |
| TW88113770A TW476798B (en) | 1999-01-12 | 1999-08-11 | Light-transmitting film and sputtering target for forming the light-transmitting film |
| US09/719,018 US6528442B1 (en) | 1999-01-12 | 1999-08-12 | Optical transparent film and sputtering target for forming optical transparent film |
| PCT/JP1999/004365 WO2001013371A1 (fr) | 1999-01-12 | 1999-08-12 | Film photoemetteur et cible de pulverisation pour former ce film photoemetteur |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-48541 | 1998-02-16 | ||
| JP4854198 | 1998-02-16 | ||
| JP00541399A JP3636914B2 (ja) | 1998-02-16 | 1999-01-12 | 高抵抗透明導電膜及び高抵抗透明導電膜の製造方法並びに高抵抗透明導電膜形成用スパッタリングターゲット |
| PCT/JP1999/004365 WO2001013371A1 (fr) | 1999-01-12 | 1999-08-12 | Film photoemetteur et cible de pulverisation pour former ce film photoemetteur |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28760699A Division JP3841388B2 (ja) | 1998-02-16 | 1999-10-08 | 光ディスク用保護膜及び光ディスクの保護膜形成用スパッタリングターゲット |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11322413A true JPH11322413A (ja) | 1999-11-24 |
| JP3636914B2 JP3636914B2 (ja) | 2005-04-06 |
Family
ID=26339355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6528442B1 (ja) |
| JP (1) | JP3636914B2 (ja) |
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