JP2007131891A - SnO2系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】このスパッタリングターゲットは、SnO2を主成分とし、Nb2O5およびTa2O5を合計量で1.15〜10質量%含んでなり、Nb2O5/Ta2O5の含有量質量比が0.15〜0.90である、未焼結の成形体を1550〜1650℃で焼結することを含んでなる方法により製造される。
【選択図】図1
Description
本発明は、SnO2系スパッタリングターゲットおよびその製造方法に関するものであり、具体的には、フラットパネルディスプレイ、抵抗式タッチパネル、太陽電池等の透明導電膜の形成に使用されるSnO2系スパッタターゲットおよびその製造方法に関するものである。
近年、SnO2系透明導電膜が、フラットパネルディスプレイ、抵抗式タッチパネル、太陽電池等の幅広い用途に用いられている。このSnO2系透明導電膜は、工業的には、スプレー法やCVD法により製造されるのが主流である。しかし、これらの方法は、膜厚を大面積に均一化することには適しておらず、成膜プロセスの制御も困難であり、さらには成膜時に汚染物質である塩素系ガスを生成し得ることから、これらの欠点の無い新たな製造方法が求められている。
SnO2を主成分とし、Nb2O5およびTa2O5を合計量で1.15〜10質量%含んでなり、Nb2O5/Ta2O5の含有量質量比が0.15〜0.90である、未焼結の成形体を用意し、
該成形体を1550〜1650℃で焼結すること
を含んでなる方法である。
X線源としてCuKαを用いたX線回折により、回折角2θが22〜23°および28〜29°におけるNb2O5に起因するピークが実質的に観察されないものである。
本発明の方法においては、まず、SnO2を主成分とし、Nb2O5およびTa2O5を合計量で1.15〜10質量%含んでなり、Nb2O5/Ta2O5の含有量質量比が0.15〜0.90である、未焼結の成形体を用意する。Nb2O5およびTa2O5が合計量で1.15〜10質量%であると、焼結密度を向上させながら、固溶できないTaおよびNbの増加による膜比抵抗の上昇を防止して低い膜比抵抗を実現しやすくなる。好ましいNb2O5およびTa2O5の合計量は、1.15〜8質量%であり、より好ましくは3.5〜6質量%、さらに好ましくは4〜6質量%である。また、Nb2O5/Ta2O5の含有量質量比を0.15〜0.90とすることにより、液相焼結により高密度化に寄与するNb2O5量を確保して焼結密度の低下を防止しながら、スパッタ成膜した膜比抵抗の上昇を防止することができる。好ましいNb2O5/Ta2O5の含有量質量比は、0.15〜0.60であり、より好ましくは0.17〜0.33であり、さらに好ましくは0.20〜0.33である。
上述した本発明の製造方法により製造されたSnO2系スパッタリングターゲットは、SnO2を主成分とし、Nb2O5およびTa2O5を合計量で1.15〜10質量%含んでなり、Nb2O5/Ta2O5の含有量質量比が0.15〜0.90でなり、X線源としてCuKα線(λ=1.54050Å)を用いたX線回折により、回折角2θが22〜23°および28〜29°におけるNb2O5に起因するピークが実質的に観察されないものであることができるが、本発明の製造方法により製造されたものであれば必ずしもこれに限定されるものではない。すなわち、本発明の製造方法において、未焼結の成形体は1550〜1650℃で焼結されるが、本発明者らの知見によれば、この範囲内の焼結温度で得られる焼結体にあっては、X線源としてCuを用いたX線回折により、回折角2θが22〜23°および28〜29°におけるNb2O5に起因するピークが観察されない。このような本発明のSnO2系スパッタリングターゲットは、高い相対密度を有し、異常放電やパーティクルの発生を防止しながら、高い成膜速度で、低い比抵抗および高い透過率の両方を兼ね備えたスパッタ膜を形成することができる。
まず、以下の3種類の原料粉末を用意した。
SnO2粉末:純度99.99%(4N)、平均粒径0.7〜1.1μm、比表面積2.0〜2.7m2/g
Ta2O5粉末:純度99.9%(3N)、平均粒径0.6〜0.8μm、比表面積2.0〜3.1m2/g
Nb2O5粉末:純度99.9%(3N)、平均粒径0.6〜1.0μm、比表面積2.1〜2.7m2/g
表1に示される組成比率で原料粉末を混合したこと以外は、実施例1と同様にして、SnO2系スパッタリングターゲットを作製した。
表1に示される組成比率で原料粉末を混合したこと、および焼成温度を1550℃にしたこと以外は、実施例1と同様にして、SnO2系スパッタリングターゲットを作製した。
表1に示される組成比率で原料粉末を混合したこと、および焼成温度を1500℃にしたこと以外は、実施例1と同様にして、SnO2系スパッタリングターゲットを作製した。
表1に示される組成比率で原料粉末を混合したこと、および焼成温度を1700℃にしたこと以外は、実施例1と同様にして、焼結体としてのSnO2系スパッタリングターゲットを作製を試みた。しかし、SnO2が溶融したため、形状が崩れ、所望の形状を得ることは出来なかった。
実施例1〜8ならびに比較例1〜7および9において作製されたスパッタターゲットについて、(1)〜(3)の評価を行った。
(1)相対密度の測定
各スパッタリングターゲットの相対密度をアルキメデス法によりを測定した。このとき、各原料の密度をSnO2:6.95g/cm3、Ta2O5:8.74g/cm3、Nb2O5:4.47g/cm3として加重平均密度(理論密度)を算出し、この加重平均密度を100%として相対密度を算出した。その結果は、表1に示される通りであった。
各スパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートにメタルボンディングした。この時、スパッタリングターゲットのスパッタ面の中心線平均粗さRaを測定したところ、0.6μm以下であった。また、各スパッタリングターゲットの組成をICP分析したところ、原料として用いた混合粉の組成と同一であった。そして、メタルボンディングした各スパッタリングターゲットについて、以下に示される条件で、直流電源を用いたマグネトロンスパッタリングを行い、無アルカリガラス基板にスパッタ成膜した。
到達圧力:1×10−4Pa
基板温度:室温
導入アルゴン分圧:0.5Pa
導入酸素流量(分圧):0〜3sccm (0〜2×10−2Pa)
直流印加電力:300W
膜厚:約140nm
基板:無アルカリガラス
スパッタ成膜後、大気雰囲気において、500℃で1時間アニールを行った。それぞれの膜比抵抗の最小値を測定したところ、表1に示される通りの結果が得られた。比抵抗は、シート抵抗測定器(MCP−TP06P、ダイアインスツルメント社製)を用いて四探針法でシート抵抗を測定し、得られたシート抵抗に、触針式表面形状測定器(Dektak6M、ULVAC社製)により測定した膜厚を掛けることにより算出した。
実施例2および4ならびに比較例6および7について、透過率の測定を以下の通り行った。アニール後に比抵抗値が最小となった酸素分圧条件の試料について、紫外可視分光光度計(UV−2550、島津社製)を用いて波長300〜800nmの光の透過率を測定した。このとき、リファレンスとして、ブランクガラスを使用した。実施例2および4ならびに比較例6および7の全ての試料について波長500〜600nmに透過率のピークが観察され、その透過率のピーク値は表2に示される通りであった。
実施例2および比較例6で作製されたスパッタリングターゲットを用いて得られた上記スパッタ膜についての、アニール後の比抵抗および透過率ピーク値と、酸素流量(分圧)との関係は、図1に示される通りとなった。図1から分かるように、焼成が1600℃で行われた実施例2で作製されたスパッタリングターゲットを用いて得られたスパッタ膜の方が、焼成が1500℃で行われた比較例6で作製されたスパッタリングターゲットを用いて得られたスパッタ膜と比べて、低い比抵抗が得られる導入酸素流量と高い透過率が得られる導入酸素流量との差が小さく、比抵抗が最小またはそれに近い酸素分圧下において同時に高い透過率を実現できることが分かる。すなわち、本発明のスパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜を行うことにより、低い比抵抗および高い透過率という二つの重要な性能を、広い導入酸素流量範囲、好ましくは0.8〜3.0sccm以上、より好ましくは0.9〜2.5sccm、さらに好ましくは1.0〜2.0sccm、最も好ましくは1.0〜1.5sccmの導入酸素流量範囲、にわたって、同時に実現できることが分かる。
実施例4、8、および比較例7で作製された厚さ5mmのスパッタリングターゲットのX線回折をX線回折装置(MXP3、MAC Science社製)を用いて、以下の条件で測定したところ、それぞれ図2〜4に示される通りの結果が得られた。
線源:CuKα線(λ=1.54050Å)
管電圧:40kV
管電流:30mA
回折角2θの範囲:20〜40°
サンプリング間隔:0.02°
スキャン速度:4℃/分
発散スリット:1°
散乱スリット:1°
受光スリット:0.3mm
Claims (9)
- SnO2を主成分とし、Nb2O5およびTa2O5を合計量で1.15〜10質量%含んでなり、Nb2O5/Ta2O5の含有量質量比が0.15〜0.90である、未焼結の成形体を用意し、
該成形体を1550〜1650℃で焼結すること
を含んでなる、SnO2系スパッタリングターゲットの製造方法。 - 前記焼結が、2〜20時間行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記焼結が、酸素含有雰囲気下で行われる、請求項1または2に記載の方法。
- 前記未焼結の成形体がバインダーをさらに含んでなり、前記焼成に先立ち、前記バインダーが飛散ないし消失するように、前記未焼結の成形体が乾燥され、その後加熱される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- SnO2を主成分とし、Nb2O5およびTa2O5を合計量で1.15〜10質量%含んでなり、Nb2O5/Ta2O5の含有量質量比が0.15〜0.90である、SnO2系スパッタリングターゲットであって、
X線源としてCuKα線を用いたX線回折により、回折角2θが22〜23°および28〜29°におけるNb2O5に起因するピークが実質的に観察されない、SnO2系スパッタリングターゲット。 - アルキメデス法により測定される相対密度が90%以上である、請求項5に記載のSnO2系スパッタリングターゲット。
- 膜比抵抗値が1×10−2Ω・cm以下のスパッタ膜の製造に使用される、請求項5または6に記載のSnO2系スパッタリングターゲット。
- 紫外可視分光光度計により測定される波長500〜600nmの光の透過率のピーク値が96%以上であるスパッタ膜の製造に使用される、請求項5〜7のいずれか一項に記載のSnO2系スパッタリングターゲット。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の製造方法により製造された、請求項5〜8のいずれか一項に記載のSnO2系スパッタリングターゲット。
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