JP2011063866A - 複合酸化物焼結体、酸化物透明導電膜、及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】主として、亜鉛、アルミニウム、マグネシウム及び酸素から構成される複合酸化物焼結体であって、
・焼結体中の元素の原子比が、Al/(Zn+Al+Mg)=0.005〜0.1、Mg/(Zn+Al+Mg)=0.001〜0.05であり、
・焼結体が酸化亜鉛を含有し平均粒径が10μm以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子(a)と、アルミニウムを含有し平均粒径が5μm以下のスピネル構造を有する粒子(b)からなる
焼結体から成るスパッタリングターゲットを用いて成膜する。
【選択図】図1
Description
・前記複合酸化物焼結体中の元素の原子比が、
Al/(Zn+Al+Mg)=0.005〜0.1
Mg/(Zn+Al+Mg)=0.001〜0.05
であり、
・前記複合酸化物焼結体が
酸化亜鉛を含有し平均粒径が10μm以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子(a)と、
アルミニウムを含有し平均粒径が5μm以下のスピネル構造を有する粒子(b)
からなる
ことを特徴とする複合酸化物焼結体である。
・前記膜中の元素の原子比が、
Al/(Zn+Al+Mg)=0.005〜0.1
Mg/(Zn+Al+Mg)=0.001〜0.05
であり、
・前記膜の、Cuを線源とするX線回折パターン(XRD)の2Θ=30〜40°の範囲に検出される回折ピークにおいて、六方晶系ウルツ型構造に帰属される(100)面、(002)面、(101)面の回折線の積分強度をそれぞれI(100)、I(002)、I(101)としたときに、I(100)、I(002)、およびI(101)の総和に対するI(002)が0.9以上である
ことを特徴とする酸化物透明導電膜である。以下に本発明を詳細に説明する。
Al/(Zn+Al+Mg)=0.005〜0.1
Mg/(Zn+Al+Mg)=0.001〜0.05
である。
A=(a+b+c)/((a/5.68)+(b/3.99)+(c/3.65))
複合酸化物焼結体の焼結密度B(g/cm3)は、JIS−R1634−1998に準拠してアルキメデス法で測定する。そして相対密度(%)は、算術的に求めた理論密度A(g/cm3)に対する焼結密度B(g/cm3)の相対値として、下式により求める。
次に本発明の複合酸化物焼結体の製造方法について説明する。本発明の複合酸化物焼結体の製造方法は、(1)亜鉛化合物の粉末、アルミニウム化合物粉末およびマグネシウム化合物粉末を所定の原子比となるように混合する工程、(2)得られた混合粉末を成形して成形体を作製する工程、(3)当該成形体を1000〜1600℃の範囲内で焼成して焼結体を作製する工程、とを含むことを特徴とする。以下、本発明の複合酸化物焼結体の製造方法を工程毎に説明する。
亜鉛化合物粉末、アルミニウム化合物粉末およびマグネシウム化合物粉末としては特に限定されるものではなく、例えば、各金属の酸化物、金属塩、塩化物、硝酸塩、炭酸塩等を用いることが可能であるが、取り扱い性を考慮すると酸化物が好ましい。このときの粉末粒径は、微細である方が焼結性に優れるため、1次粒子径が10μm以下の粉末が好ましく用いられ、特に1μm以下の粉末が好ましく用いられる。また、アルミニウム化合物粉末およびマグネシウム化合物粉末は、亜鉛化合物粉末の1次粒子径よりも小さい1次粒子径を有することが好ましい。亜鉛化合物粉末の1次粒子径の方が大きい若しくは同等であると、均一な混合状態が得られにくいためである。
Al/(Zn+Al+Mg)=0.005〜0.1
Mg/(Zn+Al+Mg)=0.001〜0.05
となるように配合し、混合する。
成形方法は、上述の混合粉末を目的とする形状に成形できれば、特に限定されるものではなく、プレス成形法、鋳込み成形法、射出成形法等が例示できる。成形圧力は、クラック等の発生がなく取り扱いが可能な成形体が得られれば特に限定されるものではないが、成形密度は可能な限り高めた方が好ましい。そのために冷間静水圧(CIP)成形等の方法を用いることも可能である。
次に得られた成形体を1000〜1600℃で焼成する。この温度範囲で焼成することにより、本発明のように微細な粒径を有する複合酸化物焼結体が得られる。焼結温度は、酸化亜鉛系複合酸化物特有の揮発消失が抑制され、かつ比較的相対密度を高められる点から、1100〜1400℃が好ましい。
Al/(Zn+Al+Mg)=0.005〜0.1
Mg/(Zn+Al+Mg)=0.001〜0.05
である。
焼結体の作製
純度99.8%、平均粒径0.6μm(1次粒径)の酸化亜鉛粉末と、純度99.99%、平均粒径0.1μm(1次粒径)の酸化アルミニウム粉末及び純度99.9%、平均粒径0.2μm(1次粒径)の酸化マグネシウム粉末を表1に記載の組成で湿式ボールミルで混合、粉砕し、乾燥した後、直径150mmの金型に充填し、300kg/cm2で一軸成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形した。得られた成形体を下記の焼成条件で焼成して、複合酸化物焼結体を得た。
(焼成条件)
・焼結温度 :1400℃
・昇温速度 :50℃/h
・降温速度 :100℃/h
・保持時間 :5時間
・焼結雰囲気:窒素雰囲気。
(複合酸化物焼結体の相対密度)
複合酸化物焼結体の相対密度は、前述のようにして求めた。
(複合酸化物焼結体の平均粒径)
複合酸化物焼結体を構成する六方晶系ウルツ型構造を有する粒子とスピネル構造を有する粒子の平均粒径は、前述のようにして求めた。但しケミカルエッチングは塩酸溶液で行い、走査型電子顕微鏡を用いて観察写真を得た。
得られた複合酸化物焼結体を4インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥粒の砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さを調整し、ターゲットを作製した。
得られたターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタリング法により下記の条件で成膜して酸化物透明導電膜を得た。
(スパッタリング成膜条件)
・装置 :DCマグネトロンスパッタ装置
・磁界強度 :1000Gauss(ターゲット直上、水平成分)
・基板温度 :200℃
・到達真空度 :5×10−5Pa
・スパッタリングガス :Ar
・スパッタリングガス圧:0.5Pa
・DCパワー :300W
・膜厚:1000nm
・使用基板:無アルカリガラス(コーニング社製#1737ガラス)。
(薄膜の組成)
ICP発光分析法により定量した。
(X線回折試験)
測定条件は以下の通りである。
・X線源 :CuKα
・パワー :40kV、40mA
・走査速度 :1°/分
(薄膜の透過率)
基板を含めた光透過率を分光光度計U−4100(日立製作所社製)で測定し、波長800nmから1400nmの透過率の平均値を赤外領域の透過率とした。
(薄膜の耐熱性)
薄膜試料を大気中、250℃で30分、加熱処理し、加熱処理前後の抵抗率をそれぞれA、Bとしたときに、1−(B/A)の値を求め、その絶対値を耐熱性の指標とした。なお、この値が0に近いほど耐熱性が高いことになる。
(薄膜の抵抗率)
薄膜の抵抗率は、HL5500PC(BIO−RAD製)を用いて測定した。
純度99.8%、平均粒径0.6μm(1次粒径)の酸化亜鉛粉末と、純度99.99%、平均粒径0.1μm(1次粒径)の酸化アルミニウム粉末を表1に記載の組成で湿式ボールミルで混合、粉砕し、乾燥した後、直径150mmの金型に充填し、300kg/cm2で一軸成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形した。得られた成形体を実施例1と同様の条件で焼成して、複合酸化物焼結体を得た。
純度99.8%、平均粒径0.6μm(1次粒径)の酸化亜鉛粉末と、純度99.99%、平均粒径0.2μm(1次粒径)の酸化マグネシウム粉末を表1に記載の組成で湿式ボールミルで混合、粉砕し、乾燥した後、直径150mmの金型に充填し、300kg/cm2で一軸成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形した。得られた成形体を実施例1と同様の条件で焼成して、複合酸化物焼結体を得た。
純度99.8%、平均粒径0.6μm(1次粒径)の酸化亜鉛粉末と、純度99.99%、平均粒径0.1μm(1次粒径)の酸化アルミニウム粉末及び純度99.9%、平均粒径0.2μm(1次粒径)の酸化マグネシウム粉末を表1に記載の組成で湿式ボールミルで混合、粉砕し、乾燥した後、直径150mmの金型に充填し、300kg/cm2で一軸成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形した。得られた成形体を実施例1と同様の条件で焼成して、複合酸化物焼結体を得た。
複合酸化物焼結体の作製
純度99.8%、平均粒径0.6μm(1次粒径)の酸化亜鉛粉末と、純度99.99%、平均粒径0.1μm(1次粒径)の酸化アルミニウム粉末及び純度99.9%、平均粒径0.1μm(1次粒径)の酸化マグネシウム粉末を表3に記載の組成で湿式ボールミルで混合、粉砕し、乾燥した後、直径150mmの金型に充填し、300kg/cm2で一軸成形し、次いで3.0ton/cm2でCIP成形した。得られた成形体を下記の焼成条件で焼成して複合酸化物焼結体を得た。
・焼結温度 :1400℃(実施例5、6、比較例7,8)
950℃(実施例7)
・昇温速度 :50℃/h
・降温速度 :100℃/h
・保持時間 :5時間(実施例5〜7、比較例8)
24時間(比較例7)
・焼結雰囲気:窒素雰囲気。
(複合酸化物焼結体の相対密度)
複合酸化物焼結体の相対密度は、実施例1と同様にして求めた。
(複合酸化物焼結体の平均粒径)
実施例1と同様にして測定した。
実施例1と同様にして作製した。
得られたターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタリング法によりスパッタリングを行い、1時間当たりに発生した異常放電回数を表3に示す。
・装置 :DCマグネトロンスパッタ装置
・磁界強度 :1000Gauss(ターゲット直上、水平成分)
・基板温度 :室温(約25℃)
・到達真空度 :5×10−5Pa
・スパッタリングガス :アルゴン
・スパッタリングガス圧:0.5Pa
・DCパワー :300W
・スパッタリング時間 :30時間。
Claims (6)
- 主として、亜鉛、アルミニウム、マグネシウム及び酸素から構成される複合酸化物焼結体であって、
・前記複合酸化物焼結体中の元素の原子比が、
Al/(Zn+Al+Mg)=0.005〜0.1
Mg/(Zn+Al+Mg)=0.001〜0.05
であり、
・前記複合酸化物焼結体が
酸化亜鉛を含有し平均粒径が10μm以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子(a)と、
アルミニウムを含有し平均粒径が5μm以下のスピネル構造を有する粒子(b)
からなる
ことを特徴とする複合酸化物焼結体。 - 相対密度が97%以上であることを特徴とする請求項1に記載の複合酸化物焼結体。
- 請求項1または2に記載の複合酸化物焼結体から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 表面の中心線平均粗さRaが2μm以下であることを特徴とする請求項3に記載のスパッタリングターゲット。
- 請求項3または4に記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることを特徴とする酸化物透明導電膜の製造方法。
- 主として、亜鉛、アルミニウム、マグネシウム及び酸素から構成される酸化物透明導電膜であって、
・前記膜中の元素の原子比が、
Al/(Zn+Al+Mg)=0.005〜0.1
Mg/(Zn+Al+Mg)=0.001〜0.05
であり、
・前記膜の、Cuを線源とするX線回折パターン(XRD)の2Θ=30〜40°の範囲に検出される回折ピークにおいて、六方晶系ウルツ型構造に帰属される(100)面、(002)面、(101)面の回折線の積分強度をそれぞれI(100)、I(002)、I(101)としたときに、I(100)、I(002)、およびI(101)の総和に対するI(002)が0.9以上である
ことを特徴とする酸化物透明導電膜。
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