JPS63113507A - 光導波路およびその製造法 - Google Patents
光導波路およびその製造法Info
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- JPS63113507A JPS63113507A JP61258284A JP25828486A JPS63113507A JP S63113507 A JPS63113507 A JP S63113507A JP 61258284 A JP61258284 A JP 61258284A JP 25828486 A JP25828486 A JP 25828486A JP S63113507 A JPS63113507 A JP S63113507A
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光通信システム、或は光の反射率の差を利用
して物性値を計測する光計測システム等に用いられる光
導波路に係り、特に光導波部に使用する薄膜材料と該薄
膜の形成方法に関する。
して物性値を計測する光計測システム等に用いられる光
導波路に係り、特に光導波部に使用する薄膜材料と該薄
膜の形成方法に関する。
光通信システム等に用いられる光導波路の構成および材
料については、たとえば特開昭６０−１１４８１１号公
報箸お号公報間昭６０−３７５０４号公報等に記載され
ている。
料については、たとえば特開昭６０−１１４８１１号公
報箸お号公報間昭６０−３７５０４号公報等に記載され
ている。
クラッド部とから構成されること、および酸化ケイ素と
窒化ケイ素からなるオキシナイトライド膜をコア又はク
ラッドの少なくとも一部に用いることが記載されている
。
窒化ケイ素からなるオキシナイトライド膜をコア又はク
ラッドの少なくとも一部に用いることが記載されている
。
特開昭６０−３７５０４号公報には、コア部の材料とし
てＴ ｉ Ｏｘ薄膜を用い、クラッド部の材料としてＳ
ｉｏ２薄膜を用いることが記載されている。
てＴ ｉ Ｏｘ薄膜を用い、クラッド部の材料としてＳ
ｉｏ２薄膜を用いることが記載されている。
各膜の厚さは、いずれも数十人から数百人である。
光導波路において、薄膜の厚さは一般に次式で求められ
る。
る。
λ
ｄは膜厚、λは光の波長、ｎは膜の屈折率２ｍは定数で
ある。
ある。
上式から、屈折率の高い膜を用いるほど′膜厚を薄くで
きることが明らかである。膜厚が薄くなる（よと光の損
失を少なくでき、光信号を正確に伝えることができるよ
うになる。
きることが明らかである。膜厚が薄くなる（よと光の損
失を少なくでき、光信号を正確に伝えることができるよ
うになる。
前記特開昭６０−１１４８１１号公報には、酸化ケイ素
と窒化ケイ素からなるオキシナイトライド膜の屈折率は
、波長０．６３３μｍにおいて１．７前後であることが
記載されている。
と窒化ケイ素からなるオキシナイトライド膜の屈折率は
、波長０．６３３μｍにおいて１．７前後であることが
記載されている。
特開昭６０−３７５０４号公報には、コア材料として用
いられるＴ ｉ Ｏ２膜の屈折率は、波長０．６３３μ
ｍにおいて２．３であることが記載されている。
いられるＴ ｉ Ｏ２膜の屈折率は、波長０．６３３μ
ｍにおいて２．３であることが記載されている。
Ｔ ｉ Ｏ２膜よりも更に高屈折率の薄膜材料を見出す
ことができれば、高屈折Ｓ＄層の膜厚を薄くして光の損
失をより一層少なくすることが可能となる。
ことができれば、高屈折Ｓ＄層の膜厚を薄くして光の損
失をより一層少なくすることが可能となる。
本発明の目的は、Ｔｉｏｘ改よりも高屈折率の薄膜を有
し、従って、光の損失の少ない光導波路およびその製造
法を提供するにある。
し、従って、光の損失の少ない光導波路およびその製造
法を提供するにある。
本発明は、光を導波する部分の少なくとも一部を、アモ
ルファスＳｉｘＣｙＯｚ （但しｙ＞ｚであり、２＝
０を含む）によって構成したことにある。
ルファスＳｉｘＣｙＯｚ （但しｙ＞ｚであり、２＝
０を含む）によって構成したことにある。
本発明は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）をターゲットとし、ア
ルゴン中或はアルゴンと酸素の混合ガス中でスパッタリ
ングして得られたアモルファス５ｉｘＣｙ膜又はＳｉｘ
ＣｙＯｚ （但しｙ＞ｚ）膜が。
ルゴン中或はアルゴンと酸素の混合ガス中でスパッタリ
ングして得られたアモルファス５ｉｘＣｙ膜又はＳｉｘ
ＣｙＯｚ （但しｙ＞ｚ）膜が。
波長０．６３３ μｍにおいて屈折率３．２〜３．４を
有することを見出したことに基づいている。
有することを見出したことに基づいている。
本発明の光導波路は、光通信システム、光計８１１１シ
ステム、光集積回路、光学顕微鏡などに適用することが
できる。
ステム、光集積回路、光学顕微鏡などに適用することが
できる。
光通信システムにおいては、高屈折率膜と低屈折率膜を
数十層積層し、両者の干渉効果を利用して、特定の波長
の光を分波したり、或は分波された光を合波したりする
ことが必要となる。この場合、高屈折率膜は光の導波部
として作用し、低屈折率膜は光透過性膜として作用する
。高屈折率膜の厚さが薄くなるほど′光の損失が少なく
なり、光通信の精度、信頼性が高まる６ 光計測システムにおいては、光を被計測物体に照射し反
射率の差を利用して物性等を計測することが行われる。
数十層積層し、両者の干渉効果を利用して、特定の波長
の光を分波したり、或は分波された光を合波したりする
ことが必要となる。この場合、高屈折率膜は光の導波部
として作用し、低屈折率膜は光透過性膜として作用する
。高屈折率膜の厚さが薄くなるほど′光の損失が少なく
なり、光通信の精度、信頼性が高まる６ 光計測システムにおいては、光を被計測物体に照射し反
射率の差を利用して物性等を計測することが行われる。
このときに光を被計測物体まで伝゛°送する光導波路と
して、本発明の光導波路が有効である。
して、本発明の光導波路が有効である。
光集積回路においては、シリコン等の半導体基板上に光
源および光導波路を形成することが行われる。この光導
波路として本発明を適用することができる。
源および光導波路を形成することが行われる。この光導
波路として本発明を適用することができる。
光学顕微鏡においては、所定の波長の光を伝送するため
に、高屈折率膜と低屈折率膜を多数禮層し、光の干渉を
利用して所定の波長の光のみを分波し伝送することが必
要となる。本発明は、このような多層積層構造として利
用することができる。
に、高屈折率膜と低屈折率膜を多数禮層し、光の干渉を
利用して所定の波長の光のみを分波し伝送することが必
要となる。本発明は、このような多層積層構造として利
用することができる。
本発明の光導波路は、たとえば特開昭６０−１１４８１
１号公報或は特開昭６０−３７５０４号公報に記載のよ
うに高屈折率のコア部と低屈折率のクラッド部とからな
るサンドインチ構造として使用される。
１号公報或は特開昭６０−３７５０４号公報に記載のよ
うに高屈折率のコア部と低屈折率のクラッド部とからな
るサンドインチ構造として使用される。
この具体例としては、光集積回路がある。
又、高屈折率膜と低屈折率膜を交互に士数層或は数十層
積層して用いることができる。この具体例として例えば
光通信システムがある。
積層して用いることができる。この具体例として例えば
光通信システムがある。
前述のサンドインチ構造のコア部および多層積層構造の
高屈折率膜を含めて、本発明では光導波部と総称する。
高屈折率膜を含めて、本発明では光導波部と総称する。
又、前述のクラッド部および多層９層構造の低屈折率膜
を含めて光透過性薄膜と総称する。
を含めて光透過性薄膜と総称する。
本発明において、アモルファスＳ ｘ ｘ Ｃｙ○２（
但しｙ＞ｚであり、Ｚ＝０を含む）よりなる薄膜は、光
導波部の少なくとも１つに用いることができる。光導波
部を複数有する構造とするときに。
但しｙ＞ｚであり、Ｚ＝０を含む）よりなる薄膜は、光
導波部の少なくとも１つに用いることができる。光導波
部を複数有する構造とするときに。
光導波部の全部を前述のアモルファスＳ Ｉ Ｘ Ｃア
○２で構成することが最も好ましいことは云うまでもな
い。
○２で構成することが最も好ましいことは云うまでもな
い。
アモルファスＳ １ＸＣＦＯ２は、ＳｉＣをターゲット
とし、不活性ガス中又は不活性ガスと０２の混合ガス中
でスパッタリングすることにより形成できる。不活性ガ
ス中でスパッタリングするとアモルファス５ｉ−Ｃｙを
形成することができる。Ｘとｙの値は種々変えうる。不
活性ガスと０２の混合ガス中でスパッタリングし、この
際に０２の量を５重量％以下にするとアモルファスＳ
１ｘｃｙｏｚ（ｙ ＞ ｚであり、２＝０を含まず）が
得られる。
とし、不活性ガス中又は不活性ガスと０２の混合ガス中
でスパッタリングすることにより形成できる。不活性ガ
ス中でスパッタリングするとアモルファス５ｉ−Ｃｙを
形成することができる。Ｘとｙの値は種々変えうる。不
活性ガスと０２の混合ガス中でスパッタリングし、この
際に０２の量を５重量％以下にするとアモルファスＳ
１ｘｃｙｏｚ（ｙ ＞ ｚであり、２＝０を含まず）が
得られる。
不活性ガスとしては、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈ
ｅ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン
（Ｘｅ）から選ばれた少なくとも１種を用いることがで
きる。
ｅ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン
（Ｘｅ）から選ばれた少なくとも１種を用いることがで
きる。
このようにして得られたアモルファス
ＳｉｘＣｙＯｚ薄瞑は、波長０．６３３ μｍにおいて
屈折率３．２〜３．４を有し、Ｔｉ０ｚ膜にくらべて著
しく高い屈折率を有する。
屈折率３．２〜３．４を有し、Ｔｉ０ｚ膜にくらべて著
しく高い屈折率を有する。
光導波路における光の損失は、薄膜の屈折率を高めて膜
厚を薄くすることにより少なくすることができるが、こ
のほかに薄膜材料に固有の消衰係数が小さいことも重要
になる。消衰係数とは光の吸収の度合を表す係数であり
、これが小さいほど光の損失が少ない、アモルファスＳ
１ｘｃｙｏｚ（但しｙ＞ｚであり、２＝０を含おず）
の消衰係数は０．１ 以下であり、Ｔ ｉ Ｏｘ膜の
０．５〜１．０ にくらべて小さいことが判明した。
厚を薄くすることにより少なくすることができるが、こ
のほかに薄膜材料に固有の消衰係数が小さいことも重要
になる。消衰係数とは光の吸収の度合を表す係数であり
、これが小さいほど光の損失が少ない、アモルファスＳ
１ｘｃｙｏｚ（但しｙ＞ｚであり、２＝０を含おず）
の消衰係数は０．１ 以下であり、Ｔ ｉ Ｏｘ膜の
０．５〜１．０ にくらべて小さいことが判明した。
本発明の光導波路において、光透過性薄膜には従来のよ
うにＳｉＯ２膜或はシリコンのオキシナイトライド膜を
用いることができる。Ｓ ｌ ０２． ％の波長０．６
３３ μｍにおける屈折率は１．４ であり、消衰係数
はゼロである。
うにＳｉＯ２膜或はシリコンのオキシナイトライド膜を
用いることができる。Ｓ ｌ ０２． ％の波長０．６
３３ μｍにおける屈折率は１．４ であり、消衰係数
はゼロである。
アモルファスＳ ｉｘ Ｃｙ Ｏｚの薄膜とＳｉＯ２薄
膜をスパッタリング技術により交互に積λりする場合に
は、夫々の薄膜を形成するたびにスパッタリングターゲ
ットを変えることが必要になる。
膜をスパッタリング技術により交互に積λりする場合に
は、夫々の薄膜を形成するたびにスパッタリングターゲ
ットを変えることが必要になる。
ターゲットを交換するにはスパッタリング装置の真空を
破らねばならず、作業に時間がかかる。
破らねばならず、作業に時間がかかる。
更にターゲットを交換したときに既に形成し終えた膜表
面にごみが堆積し、光の損失を大きくするといろ心配が
ある。
面にごみが堆積し、光の損失を大きくするといろ心配が
ある。
本発明者らは、ＳｉＣ焼結体のターゲットを使用し、ス
パッタガスに不活性ガスと０２の混合ガスを用い且つ０
２量をアモルファスＳ １ｘｃｙｏｚ瞑形成時よりも多
くしてスパッタリングすることにより、ＳｉＯｘとほと
んど有意差のない低屈折率膜すなわちアモルファスＳ
１ｘｏｙｃｚ膜（但しｙ ） ｚであり、２＝０を含動
ず）を形成できることを見出した。このアモルファスＳ
１ｘｏｙｃｚ膜の屈折率は、波長０．６３３μｍにお
いて１．４〜１．５であり、消衰係数はゼロである。
パッタガスに不活性ガスと０２の混合ガスを用い且つ０
２量をアモルファスＳ １ｘｃｙｏｚ瞑形成時よりも多
くしてスパッタリングすることにより、ＳｉＯｘとほと
んど有意差のない低屈折率膜すなわちアモルファスＳ
１ｘｏｙｃｚ膜（但しｙ ） ｚであり、２＝０を含動
ず）を形成できることを見出した。このアモルファスＳ
１ｘｏｙｃｚ膜の屈折率は、波長０．６３３μｍにお
いて１．４〜１．５であり、消衰係数はゼロである。
光透過性薄膜としてアモルファス” ｌ Ｘ Ｏｙ Ｃ
ｚ膜を用いることにより、アモルファス５ｉｘｃｙｏｚ
膜との積層膜を、同一のスパッタリング装置および同一
のスパッタリングターゲットを用い、スパッタガス中の
０２濃度を変えるだけで形成することができる。ターゲ
ットを交換することなく、連続的に高屈折率膜と低屈折
率膜を形成できる。
ｚ膜を用いることにより、アモルファス５ｉｘｃｙｏｚ
膜との積層膜を、同一のスパッタリング装置および同一
のスパッタリングターゲットを用い、スパッタガス中の
０２濃度を変えるだけで形成することができる。ターゲ
ットを交換することなく、連続的に高屈折率膜と低屈折
率膜を形成できる。
（作用〕
本発明は、光導波部に高屈折率のアモルファスＳｉ翼Ｃ
ｙＯ□薄膜を用いるものである。このようにすることに
より、従来のＴｉ０ｚｆｆを用いるときにくらべて膜厚
を薄くすることができる。又このアモルファス５ｉｘｃ
ｙｏｚ膜は、Ｔｉ０ｚ膜にくらべて消衰係数が小さく光
の吸収が少ない、これらより、Ｔｉ０ｚ膜を光導波部に
用いたものにくらべて光の損失を少なくでき、光の伝送
損失を低減することができる。
ｙＯ□薄膜を用いるものである。このようにすることに
より、従来のＴｉ０ｚｆｆを用いるときにくらべて膜厚
を薄くすることができる。又このアモルファス５ｉｘｃ
ｙｏｚ膜は、Ｔｉ０ｚ膜にくらべて消衰係数が小さく光
の吸収が少ない、これらより、Ｔｉ０ｚ膜を光導波部に
用いたものにくらべて光の損失を少なくでき、光の伝送
損失を低減することができる。
なお、アモルファス５ｉｘＣｙＯ□膜（但しｙ〉２であ
り、２＝０を含む）或はアモルファスＳ １ｘｏｙｃｚ
膜（但しｙ＞ｚであり、ｚ＝０を含とができる。
り、２＝０を含む）或はアモルファスＳ １ｘｏｙｃｚ
膜（但しｙ＞ｚであり、ｚ＝０を含とができる。
アモルファス５ｉ−Ｏｙ＊ｚ膜は、不活性ガスと０２の
混合ガスよりなるスパッタガス中のＯｘｍを１０〜２０
重景％の範囲で制御することにより形成することができ
る。スパッタガス中のＯ２量を制御することにより、膜
の構成すなわちアモル７７ Ｘ Ｓ ｉ ｘｏｙｃｚ或
は７ モ’）Ｌ／ ニア ７ Ｘ Ｓｉ ＊ Ｃｙ Ｏ
ｚ中のｙ、ｚの値を調整でき、屈折率をコントロールす
ることができる。
混合ガスよりなるスパッタガス中のＯｘｍを１０〜２０
重景％の範囲で制御することにより形成することができ
る。スパッタガス中のＯ２量を制御することにより、膜
の構成すなわちアモル７７ Ｘ Ｓ ｉ ｘｏｙｃｚ或
は７ モ’）Ｌ／ ニア ７ Ｘ Ｓｉ ＊ Ｃｙ Ｏ
ｚ中のｙ、ｚの値を調整でき、屈折率をコントロールす
ることができる。
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図は１本発明の一実施例による光導波路の断面図を
示す。この構造の光導波路は光通信システムにおける光
分波器として使用可能である。基板１は、ガラス、プラ
スチック等の透光性材料を用いる。前記基板１の上に、
ＳｉＣ焼結体をター形成する。このようにして、アモル
ファス５ＩＸＣツ膜２及びアモルファス５ｉｘｔｙ膜３
を交互に数十層程度積層して作製する。各膜厚はｄ＝λ 第２図は１本発明の他の実施例を示す、この１造の光導
波路も光分波器に好適である。基板１の上に、ＳｉＣ焼
結体をターゲットとして、Ａｒ＋ルファス５ｌｘｃｙｏ
ｚ膜４を形成し１次いで、アモルファス５ｉｘｃｙｏｚ
１！Ａ４及びアモルファスＳ １ｘｏｙｃｚ膜５を交
互に数十層程度積層して作製する。なお、アモルファス
５ＩＸＣＦＯ□及びアモルファスＳｉｘＯｙＣｚは、ｙ
＞ｚとなるようにスパッタリング・ガスの０２濃度をコ
ントロールする。
示す。この構造の光導波路は光通信システムにおける光
分波器として使用可能である。基板１は、ガラス、プラ
スチック等の透光性材料を用いる。前記基板１の上に、
ＳｉＣ焼結体をター形成する。このようにして、アモル
ファス５ＩＸＣツ膜２及びアモルファス５ｉｘｔｙ膜３
を交互に数十層程度積層して作製する。各膜厚はｄ＝λ 第２図は１本発明の他の実施例を示す、この１造の光導
波路も光分波器に好適である。基板１の上に、ＳｉＣ焼
結体をターゲットとして、Ａｒ＋ルファス５ｌｘｃｙｏ
ｚ膜４を形成し１次いで、アモルファス５ｉｘｃｙｏｚ
１！Ａ４及びアモルファスＳ １ｘｏｙｃｚ膜５を交
互に数十層程度積層して作製する。なお、アモルファス
５ＩＸＣＦＯ□及びアモルファスＳｉｘＯｙＣｚは、ｙ
＞ｚとなるようにスパッタリング・ガスの０２濃度をコ
ントロールする。
本実施例によれば、高屈折率層をアモルファス５ｉｘＣ
ｙまたはアモルファスＳｘ＊ＣｙＯ□とし、低屈折率層
をアモルファス５ｉｘｔｙまたはアモルファスＳｉｘＯ
ｙＣｚ とすることで、消衰係数が極めて小さくなり、
さらに、従来より屈折率の高い材料で各層を形成してい
ることで、各層の厚さを薄くしても干渉効果を維持でき
る。また、高屈折率層と低屈折率層との屈折率のコント
ロールは、スパッタリング・ガスの組成比を変えること
により１．４〜３．４の範囲内で任意に行え、しかも、
前記各層の作製は、単一のスパッタリング・ターゲット
により連続的にできる。
ｙまたはアモルファスＳｘ＊ＣｙＯ□とし、低屈折率層
をアモルファス５ｉｘｔｙまたはアモルファスＳｉｘＯ
ｙＣｚ とすることで、消衰係数が極めて小さくなり、
さらに、従来より屈折率の高い材料で各層を形成してい
ることで、各層の厚さを薄くしても干渉効果を維持でき
る。また、高屈折率層と低屈折率層との屈折率のコント
ロールは、スパッタリング・ガスの組成比を変えること
により１．４〜３．４の範囲内で任意に行え、しかも、
前記各層の作製は、単一のスパッタリング・ターゲット
により連続的にできる。
第３図は、本発明の別の実施例で光集積回路に使用する
のに好適な光導波路の断面図を示す、基板３０（ガラス
、プラスチック等）の上に、前記発明と同様な方法で、
アモルファス５ｉｘＣｙ膜またはアモルファスＳ ｉ
ｘｃｙＯｚ （ｙ＞ Ｚ ）膜から成るコア部１０を
、アモルファス５ｉｘｔｙ膜またはアモルファスＳ １
ＸＯＦＧ？膜（但しｙ＞ｚ）から成るクラッド部２０で
サンドイッチした構造となるように積層する。コア部及
びクラッド部の屈折率のコントロールは、スパッタリン
グ・ガスの組成比（Ａｒと０２）を変えることにより１
．４〜３．４ と広範囲に行える。
のに好適な光導波路の断面図を示す、基板３０（ガラス
、プラスチック等）の上に、前記発明と同様な方法で、
アモルファス５ｉｘＣｙ膜またはアモルファスＳ ｉ
ｘｃｙＯｚ （ｙ＞ Ｚ ）膜から成るコア部１０を
、アモルファス５ｉｘｔｙ膜またはアモルファスＳ １
ＸＯＦＧ？膜（但しｙ＞ｚ）から成るクラッド部２０で
サンドイッチした構造となるように積層する。コア部及
びクラッド部の屈折率のコントロールは、スパッタリン
グ・ガスの組成比（Ａｒと０２）を変えることにより１
．４〜３．４ と広範囲に行える。
本発明によればコア部及びクラッド部の屈折率を１．４
〜３．４の範囲内で任意にコントロールできるため、光
導波路の屈折率分布及び使用する波長に応じた屈折率値
等を自在に選択できる。さらに、作製法は単一のスパッ
タリング・ターゲットにより、スパッタリング・ガスの
組成比を変えるだけで連続的に行えるため、コスト低減
がなされる。
〜３．４の範囲内で任意にコントロールできるため、光
導波路の屈折率分布及び使用する波長に応じた屈折率値
等を自在に選択できる。さらに、作製法は単一のスパッ
タリング・ターゲットにより、スパッタリング・ガスの
組成比を変えるだけで連続的に行えるため、コスト低減
がなされる。
以上説明したように、本発明はアモルファス５ｉｘＣｙ
○２ （但しｙ ） ｚであり、ｚ＝０を含む）が非常
に高い屈折率を有することを見出し、光通信システム或
は光計測器等の光導波路に用いたことにある。
○２ （但しｙ ） ｚであり、ｚ＝０を含む）が非常
に高い屈折率を有することを見出し、光通信システム或
は光計測器等の光導波路に用いたことにある。
本発明によれば光導波部の膜厚を従来のＴｉ０ｚ膜を用
いるものにくらべて薄くすることができ、光の伝送損失
を低減することができる。
いるものにくらべて薄くすることができ、光の伝送損失
を低減することができる。
第１図は１本発明の一実施例の光導波路の断面図、第２
図は本発明の他の実施例の光導波路の断面図、第３図は
本発明の他の実施例の光導波路の断面図である。 １・・・基板、２・・・アモルファス５ｉｘＣｙ膜、３
・・・アモルファス５ｉｘｔｙ膜、４・・・アモルファ
ス５ｉｘｃｙｏｚ膜、５・・・アモルファス５ｉｘｏｙ
Ｃｚ板。
図は本発明の他の実施例の光導波路の断面図、第３図は
本発明の他の実施例の光導波路の断面図である。 １・・・基板、２・・・アモルファス５ｉｘＣｙ膜、３
・・・アモルファス５ｉｘｔｙ膜、４・・・アモルファ
ス５ｉｘｃｙｏｚ膜、５・・・アモルファス５ｉｘｏｙ
Ｃｚ板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光導波部となる高屈折率の薄膜と該薄膜よりも低屈
折率の光透過性薄膜とを交互に積層した構造を有する光
導波路において、前記光導波部となる薄膜の少なくとも
１つがアモルファスＳｉ＿ｘＣ＿ｙＯ＿ｚ（但しｙ＞ｚ
であり、ｚ＝０を含む）よりなることを特徴とする光導
波路。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記光導波部とな
る薄膜の全部が前記アモルファス Ｓｉ＿ｘＣ＿ｙＯ＿ｚよりなることを特徴とする光導波
路。 ３、特許請求の範囲第１項において、前記光透過性薄膜
がアモルファスＳｉ＿ｘＯ＿ｙＣ＿ｚ（但しｙ＞ｚであ
り、ｚ＝０を含む）よりなることを特徴とする光導波路
。 ４、特許請求の範囲第１項において、前記光導波部とな
る薄膜および前記光透過性薄膜の支持基板を有すること
を特徴とする光導波路。 ５、特許請求の範囲第１項において、前記 Ｓｉ＿ｘＣ＿ｙＯ＿ｚよりなる薄膜と前記Ｓｉ＿ｘＯ＿
ｙＣ＿ｚよりなる薄膜とを交互に積層したことを特徴と
する光導波路。 ６、光導波部となる高屈折率の薄膜と該薄膜よりも低屈
折率の光透過性薄膜とをスパッタリング法により基板上
に交互に積層してなる光導波路の製造法において、前記
光導波部となる薄膜の形成工程を、ＳｉＣ焼結体をター
ゲットとし、不活性ガスとＯ＿２との混合ガスよりなる
スパッタガス中のＯ＿２量を制御して行い、アモルファ
スＳｉ＿ｘＣ＿ｙＯ＿ｚ（但しｙ＞ｚであり、ｚ＝０を
含む）よりなる薄層を形成することを特徴とする光導波
路の製造法。 ７、特許請求の範囲第６項において、前記スパッタガス
中のＯ＿２量を０〜５重量％の範囲内で制御することを
特徴とする光導波路の製造法。 ８、特許請求の範囲第６項において、前記光導波路とな
る薄膜および前記光透過性薄膜の形成工程をいずれもＳ
ｉＣ焼結体をターゲットとし、不活性ガスとＯ＿２との
混合ガスよりなるスパッタガス中のＯ＿２量を制御して
行い、前記アモルファスＳｉ＿ｘＣ＿ｙＯ＿ｚよりなる
薄膜とアモルファスＳｉ＿ｘＯ＿ｙＣ＿ｚ（但しｙ＞ｚ
であり、ｚ＝０を含む）よりなる薄膜を交互に形成する
ことを特徴とする光導波路の製造法。 ９、特許請求の範囲第８項において、前記アモルファス
Ｓｉ＿ｘＯ＿ｙＣ＿ｚの形成時のスパッタガス中のＯ＿
２量を１０〜２０重量％の範囲内で制御することを特徴
とする光導波路の製造法。 １０、特許請求の範囲第８項において、前記アモルファ
スＳｉ＿ｘＣ＿ｙＯ＿ｚよりなる薄膜とアモルファスＳ
ｉ＿ｘＯ＿ｙＣ＿ｚよりなる薄膜の形成を共通のＳｉＣ
焼結体ターゲットを用いて行い、不活性ガスとＯ＿２の
混合ガス中のＯ＿２量を前記アモルファスＳｉ＿ｘＣ＿
ｙＯ＿ｚのときには０〜５重量％の範囲内で制御し、前
記アモルファスＳｉ＿ｘＯ＿ｙＣ＿ｚのときには１０〜
２０重量％の範囲内で制御することを特徴とする光導波
路の製造法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61258284A JPS63113507A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 光導波路およびその製造法 |
| US07/112,944 US4846541A (en) | 1986-10-31 | 1987-10-27 | Interference film filter and an optical waveguide and a method for producing the same |
| EP87309609A EP0266214A3 (en) | 1986-10-31 | 1987-10-30 | Interference film filters, optical waveguides and methods for producing them |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61258284A JPS63113507A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 光導波路およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63113507A true JPS63113507A (ja) | 1988-05-18 |
Family
ID=17318113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61258284A Pending JPS63113507A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 光導波路およびその製造法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4846541A (ja) |
| EP (1) | EP0266214A3 (ja) |
| JP (1) | JPS63113507A (ja) |
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| US6800182B2 (en) | 1999-10-13 | 2004-10-05 | Asahi Glass Company, Limited | Sputtering target, process for its production and film forming method |
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| JP2015105403A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | デクセリアルズ株式会社 | 多層膜構造体の製造方法、及び多層膜構造体 |
| JP2017004006A (ja) * | 2016-09-05 | 2017-01-05 | 株式会社東芝 | 光デバイスおよびその製造方法 |
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1986
- 1986-10-31 JP JP61258284A patent/JPS63113507A/ja active Pending
-
1987
- 1987-10-27 US US07/112,944 patent/US4846541A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-10-30 EP EP87309609A patent/EP0266214A3/en not_active Withdrawn
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Also Published As
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|---|---|
| US4846541A (en) | 1989-07-11 |
| EP0266214A3 (en) | 1990-01-31 |
| EP0266214A2 (en) | 1988-05-04 |
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