JPS6037504A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
- Publication number
- JPS6037504A JPS6037504A JP14553183A JP14553183A JPS6037504A JP S6037504 A JPS6037504 A JP S6037504A JP 14553183 A JP14553183 A JP 14553183A JP 14553183 A JP14553183 A JP 14553183A JP S6037504 A JPS6037504 A JP S6037504A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- films
- thin film
- optical waveguide
- refractive index
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/132—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by deposition of thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｔａ＋ 発明の技術分野
本発明は光導波路の製造方法、４？に寸法及び屈折率が
正確に制御され、かつ屈折率が均一に或いは意図する如
くなめらかに分布する光導波路の製造方法に関する。
正確に制御され、かつ屈折率が均一に或いは意図する如
くなめらかに分布する光導波路の製造方法に関する。
ｔｂ＋ 技術の背景
光を情報伝送の媒体とするシステムにおいては多種の光
回路素子が用いられるが、システムの高度化或いはより
広範囲な普及のために、これらの光回路素子の特性の向
上、小型化、集積化或いは生産性の向上が一段と要望さ
れている。
回路素子が用いられるが、システムの高度化或いはより
広範囲な普及のために、これらの光回路素子の特性の向
上、小型化、集積化或いは生産性の向上が一段と要望さ
れている。
これらの光回路素子の多くは信号光の伝搬釦光導波路が
用いられ、光回路素子に共通する基本的技術として先導
波路技術は光通信システム等の進歩のために極めて重要
である。
用いられ、光回路素子に共通する基本的技術として先導
波路技術は光通信システム等の進歩のために極めて重要
である。
＋ｃ＋ 従来技術と問題点
光導波路は周知の如く高屈折率を有する導波部と、これ
を包囲する低屈折率部とから成り立っている。光導波路
を形成する従来方法としては、例えば拡散法、スバ、タ
リング法、エピタキシャル成長法などがある。
を包囲する低屈折率部とから成り立っている。光導波路
を形成する従来方法としては、例えば拡散法、スバ、タ
リング法、エピタキシャル成長法などがある。
拡散法はバルク結晶内に不純物を拡散させたり、結晶内
の一部の構成原子を放出させたりすることはよって、結
晶内部に高屈折率層を形成する。前者の例としては、ニ
オブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ５）にチタン（ＴＩ ）等
の金属を拡散させる金−拡散導波路があり、後者の例と
してはＬＩＮｂＯｇを加熱して酸化リチウム（ＬｉＯ２
）を放出して異常光線屈折率を増加させる例がある。
の一部の構成原子を放出させたりすることはよって、結
晶内部に高屈折率層を形成する。前者の例としては、ニ
オブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ５）にチタン（ＴＩ ）等
の金属を拡散させる金−拡散導波路があり、後者の例と
してはＬＩＮｂＯｇを加熱して酸化リチウム（ＬｉＯ２
）を放出して異常光線屈折率を増加させる例がある。
スパッタリング法としてはガラス基板上に塀折率がこれ
より大きいガラス薄膜を高周波スパッタリングで形成す
ることがしばしは行なわれている。
より大きいガラス薄膜を高周波スパッタリングで形成す
ることがしばしは行なわれている。
またエピタキシャル成長法は例えば、タンタル酸すチウ
Ａ （ＬＩＴａＯｓ ）基板上にＬＩＮｂＯｓを、或い
は砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板上に砒化アルミニウム
ーガリウム（ＡＩＧａＡａ ）をエピタキシャル成長す
ることＫよって光導波路を形成する。
Ａ （ＬＩＴａＯｓ ）基板上にＬＩＮｂＯｓを、或い
は砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板上に砒化アルミニウム
ーガリウム（ＡＩＧａＡａ ）をエピタキシャル成長す
ることＫよって光導波路を形成する。
光回路素子に用いる光導波路については、例えば伝送損
失を低減するために１或いけ単一モード伝送のためにな
ど、光導波路の形状及び寸法、ガイド屈折率及び屈折率
分布などが厳密に最適化されることがますます必要とな
りつつある。
失を低減するために１或いけ単一モード伝送のためにな
ど、光導波路の形状及び寸法、ガイド屈折率及び屈折率
分布などが厳密に最適化されることがますます必要とな
りつつある。
しかしながら例えば前記拡散法による場合にれ屈折率の
変化は連続的であって前記要求の達成は不可能であり、
また従来のスパッタリング法、或いは蒸着法等による場
合には、例えば２種の光学材料を選択され喪比率で混合
被着することによって屈折率を制御することが原理的に
は考えられるが、これを正確に実現することは極めて困
難である。エピタキシャル成長法もまた同様な実施上の
困難性があり、かつ、基板及び成長層形成材料が限定さ
れる。
変化は連続的であって前記要求の達成は不可能であり、
また従来のスパッタリング法、或いは蒸着法等による場
合には、例えば２種の光学材料を選択され喪比率で混合
被着することによって屈折率を制御することが原理的に
は考えられるが、これを正確に実現することは極めて困
難である。エピタキシャル成長法もまた同様な実施上の
困難性があり、かつ、基板及び成長層形成材料が限定さ
れる。
以上説明した如く、従来方法によっては前記の如き要求
に対処することは不可能であって、広い選択範囲につい
て、良好な制御性を有する光導波路の製造方法が要求さ
れている。
に対処することは不可能であって、広い選択範囲につい
て、良好な制御性を有する光導波路の製造方法が要求さ
れている。
ｌｄｌ 発明の目的
本発明は、導波路屈折率を広範囲かつ精密に選択するこ
とができ、更に最適の屈折率分布を容易に実現すること
が可能な光導波路の製造方法を援供することを目的とす
る。
とができ、更に最適の屈折率分布を容易に実現すること
が可能な光導波路の製造方法を援供することを目的とす
る。
ｔｅｌ 発明の構成
本発明の前記目的は、基板上に簿膜を組成が相互に異な
る材料を用いて積層して形成し、前記薄膜間の相互拡散
を行なう光導波路の製造方法によって達成される。
る材料を用いて積層して形成し、前記薄膜間の相互拡散
を行なう光導波路の製造方法によって達成される。
本発明の実施態様の第１は、屈折率が相互に異なる光学
材料の組合せ並びに各薄膜の厚さが意図する屈折率及び
その分布に即して選択された簿膜を多くは反復して積層
する前記製造方法である。
材料の組合せ並びに各薄膜の厚さが意図する屈折率及び
その分布に即して選択された簿膜を多くは反復して積層
する前記製造方法である。
また第２の実施態様は、光学薄膜と金属薄膜とを多くは
反復して積層し、金に薄膜として導入された金属原子を
拡散する前記製造方法である。この製造方法においても
、意図する屈折率及びその分布に即して光学薄膜材料及
び金属ｆｌＦ膜材料の組合せ及び各簿膜、特に光学薄膜
の厚さが選択される。
反復して積層し、金に薄膜として導入された金属原子を
拡散する前記製造方法である。この製造方法においても
、意図する屈折率及びその分布に即して光学薄膜材料及
び金属ｆｌＦ膜材料の組合せ及び各簿膜、特に光学薄膜
の厚さが選択される。
（ｆｌ 発明の実施例
以下本発明を実施例により図面を参照して具体的に説明
する。
する。
第１図＋ａ＋乃至ｔｅｌは本発明の第１の実施例である
ステップ構造先導波路にかかり、（ａ）は薄膜積層構造
の模式断面図、ｌ’ｂｌは相互拡散処理後の同一部分、
すなわち形成された光導波路の模式断面図、（Ｃ）は該
光導波路及びその近傍の屈折率分布を示す図で＝５− ある。
ステップ構造先導波路にかかり、（ａ）は薄膜積層構造
の模式断面図、ｌ’ｂｌは相互拡散処理後の同一部分、
すなわち形成された光導波路の模式断面図、（Ｃ）は該
光導波路及びその近傍の屈折率分布を示す図で＝５− ある。
本実施例においては薄膜１は二酸化シリコン（Ｓｉｆｔ
）、薄膜２は酸化チタン（Ｔ量Ｏ３）を材料として、石
英基板３上に交互に積層して形成されている。各薄膜の
厚さは１００（Ａ）程度以下とし、簿膜１と薄膜２との
厚さの比は光導波路の屈折率の目的値によって決定され
る。また積層された薄膜の合計厚さは光導波路の厚さで
、シングルモードの場合２乃至１０〔μｍ〕程度とする
。本実施例においてはこれらの薄膜はマグネトロンスパ
ッタリング法によって形成しており、二種類の薄膜の厚
さの比率はターゲット電圧などＫよりて制御することが
できる。
）、薄膜２は酸化チタン（Ｔ量Ｏ３）を材料として、石
英基板３上に交互に積層して形成されている。各薄膜の
厚さは１００（Ａ）程度以下とし、簿膜１と薄膜２との
厚さの比は光導波路の屈折率の目的値によって決定され
る。また積層された薄膜の合計厚さは光導波路の厚さで
、シングルモードの場合２乃至１０〔μｍ〕程度とする
。本実施例においてはこれらの薄膜はマグネトロンスパ
ッタリング法によって形成しており、二種類の薄膜の厚
さの比率はターゲット電圧などＫよりて制御することが
できる。
この様にして形成した薄膜積層構造に温度４００乃至１
５００（’Ｃ）程度において、数時間乃至士数時間珈度
の加熱処理を行ない５ｉＯＪ膜１とＴｉ１ｔ ＊膜２と
の間に相互拡散を行なわせて均一な組成の光導波路４を
得る。先に述べた如く各薄膜の厚さＩｘｏｏ（Ｘ）程度
以下とすることＫよって、組成の均一化は容易に実現さ
れる。
５００（’Ｃ）程度において、数時間乃至士数時間珈度
の加熱処理を行ない５ｉＯＪ膜１とＴｉ１ｔ ＊膜２と
の間に相互拡散を行なわせて均一な組成の光導波路４を
得る。先に述べた如く各薄膜の厚さＩｘｏｏ（Ｘ）程度
以下とすることＫよって、組成の均一化は容易に実現さ
れる。
６一
前記実施例においては、Ｓｔｏｗ薄膜ｌの厚さを約２０
（Ａ）、ＴｉＯ＊薄膜２の等測的な膜厚を約ｏ６（Ｘ
）として合計厚さ約４〔μｍ〕に積層して、波長λ＝０
．６３３ （μｍ〕の光に対する屈折率は、５Ｉ０２薄
膜のｎｌ ＝ １．４７７ ＋ ＴｉＯ２薄膜のｎ＝
＝ ２．３ 、に対して光導波路はｎ、＝１．４９６を
得ている。
（Ａ）、ＴｉＯ＊薄膜２の等測的な膜厚を約ｏ６（Ｘ
）として合計厚さ約４〔μｍ〕に積層して、波長λ＝０
．６３３ （μｍ〕の光に対する屈折率は、５Ｉ０２薄
膜のｎｌ ＝ １．４７７ ＋ ＴｉＯ２薄膜のｎ＝
＝ ２．３ 、に対して光導波路はｎ、＝１．４９６を
得ている。
ここで「等測的な膜厚」とは、通常使われる膜厚の概念
ではなくスパッタにより生膜される物質の分子が積重な
る前の状ＩＦＪｔ示すものとする。つまり、スパッタ時
間が非常に短い場合、分子は基板面内に散在し面内はス
バ、り分子で覆われていない、この場合、まだ膜を構成
していないため、このようなものに対して膜厚という表
現は適当でないが、ここではスパッタされ面内に付いて
いる分子の量の便利的な表現方法として「等測的な膜厚
」という表現を用いる。具体的には、例えば厚い さ６０（Ｘ）のＳｉＯ＊ＩＩＩを榊成しそ２分子の数（
単位面積×厚さの中の分子の数）のｆｉ ／ １００の
分子が面内に散在している場合、等測的な膜厚はｏ６λ
となる。以下、この表現を同様の意味で使用する。
ではなくスパッタにより生膜される物質の分子が積重な
る前の状ＩＦＪｔ示すものとする。つまり、スパッタ時
間が非常に短い場合、分子は基板面内に散在し面内はス
バ、り分子で覆われていない、この場合、まだ膜を構成
していないため、このようなものに対して膜厚という表
現は適当でないが、ここではスパッタされ面内に付いて
いる分子の量の便利的な表現方法として「等測的な膜厚
」という表現を用いる。具体的には、例えば厚い さ６０（Ｘ）のＳｉＯ＊ＩＩＩを榊成しそ２分子の数（
単位面積×厚さの中の分子の数）のｆｉ ／ １００の
分子が面内に散在している場合、等測的な膜厚はｏ６λ
となる。以下、この表現を同様の意味で使用する。
７−
次に第２図（ａｌ及びｔｂ＋は屈折率分布型光導波路に
かかる第２の実施例の薄膜積層構造の模式断面図及び光
導波路の屈折率分布を示す図である。本実施例において
は中心部で８１０．薄膜１の等測的な膜厚約２〔Ｘ〕に
対してＴＩＯ，薄膜２の厚さ約２０〔λ〕。
かかる第２の実施例の薄膜積層構造の模式断面図及び光
導波路の屈折率分布を示す図である。本実施例において
は中心部で８１０．薄膜１の等測的な膜厚約２〔Ｘ〕に
対してＴＩＯ，薄膜２の厚さ約２０〔λ〕。
基板３及び雰囲気側でｓｉｏ、薄膜１の厚さ約２０〔λ
〕に対してＴｊＯ，薄膜２の等測的な膜厚を約０６〔Ｘ
〕としてこの間を連続的に徐々に変化させる。
〕に対してＴｊＯ，薄膜２の等測的な膜厚を約０６〔Ｘ
〕としてこの間を連続的に徐々に変化させる。
この様にして得られた先導波路は図に示す如＜ｎ。
＝１．４７７乃至２２０の屈折率分布を有する。
また第３図はステップ構造光導波路Ｋかかる第３の実施
例の薄膜積層構造の模式断面図である。
例の薄膜積層構造の模式断面図である。
本実施例においては、薄膜１１はＳ１０！薄膜であって
前記実施例と同様であるが、薄膜１２はチタン（１ＴＩ
）薄膜である。この様に金属薄膜を用いる場合にはその
等測的な厚さを例えばＳ１０．薄膜の厚さの３７１００
種度以下、すなわち３〔Ａ）程度以下これに前記実施例
と同様な加熱処理を行なうと８− とによってＴＩ：ｃＳｆｆＯｚよりなる光導波路が形成
される。この光導波路が光学的に見て均一でありかつ光
吸収率の増大などに到らないＩ Ｓｌｏｗ、酸化アルミニウム（Ａ４０ｇ ） 、 ＬＩ
ＮｂＯｓ等の酸化物光学材料に対するＴ１．タンタル（
Ｔａ）。
前記実施例と同様であるが、薄膜１２はチタン（１ＴＩ
）薄膜である。この様に金属薄膜を用いる場合にはその
等測的な厚さを例えばＳ１０．薄膜の厚さの３７１００
種度以下、すなわち３〔Ａ）程度以下これに前記実施例
と同様な加熱処理を行なうと８− とによってＴＩ：ｃＳｆｆＯｚよりなる光導波路が形成
される。この光導波路が光学的に見て均一でありかつ光
吸収率の増大などに到らないＩ Ｓｌｏｗ、酸化アルミニウム（Ａ４０ｇ ） 、 ＬＩ
ＮｂＯｓ等の酸化物光学材料に対するＴ１．タンタル（
Ｔａ）。
アルミニウム（Ａｔ）などの金属の拡散可能量から金属
薄膜厚さの前記上限が設定される。
薄膜厚さの前記上限が設定される。
本実施例においては、５１０２薄膜１１の厚さを約２０
（Ａ） ＴＩ薄膜１２の等測的な膜厚を約ｏ、ａ （
Ａ）として光導波路の屈折率ｎ＝１．４９を得ている。
（Ａ） ＴＩ薄膜１２の等測的な膜厚を約ｏ、ａ （
Ａ）として光導波路の屈折率ｎ＝１．４９を得ている。
なお前記第２の実施例と同様にＴＩ薄膜１２の厚さを順
次変化させて積層厚さの中央部において最大とするとと
Ｋより、或いは５ｉ０１薄膜１１の厚さを中央部におい
て最小とすること、又は両者を併用することによって屈
折率分布型光導波路を形成することができる。
次変化させて積層厚さの中央部において最大とするとと
Ｋより、或いは５ｉ０１薄膜１１の厚さを中央部におい
て最小とすること、又は両者を併用することによって屈
折率分布型光導波路を形成することができる。
以上説明した各実施例においては何れも２種の材料を用
いて薄膜を交互に形成しているが、例えば屈折率分布型
光導波路を形成する場合等において、＠４図ｆａｔに模
式断面図を示す第４の実施例の一〇− 如く、３種以上の薄膜を用いて屈折率の選択的分布を容
易ＫＬ、或いは選択範囲を拡大してもよい。
いて薄膜を交互に形成しているが、例えば屈折率分布型
光導波路を形成する場合等において、＠４図ｆａｔに模
式断面図を示す第４の実施例の一〇− 如く、３種以上の薄膜を用いて屈折率の選択的分布を容
易ＫＬ、或いは選択範囲を拡大してもよい。
すなわち、本実施例においては、２１は８１０．薄膜。
２２けＴｌ０ｐ薄膜、２３はシリ＝＋ｙ（Ｓｔ）薄膜で
あって、図に示す如く屈折率を大きくする光導波路の中
央近傍においてのみ薄膜２３を挿入することによって、
第４図ｆｈｌに示す屈折率分布を得ている。
あって、図に示す如く屈折率を大きくする光導波路の中
央近傍においてのみ薄膜２３を挿入することによって、
第４図ｆｈｌに示す屈折率分布を得ている。
以上説明した各実施例は石英基板を用い、薄膜を５ｌｏ
ｔ 、Ｔｉ１ｔ及びＴＩなどによって形成しているが、
基板と薄膜の材料の広範囲な組合せに対して本発明を実
施することが可能であって、多種の光回路素子の光導波
路の形成に適用することがで自る。
ｔ 、Ｔｉ１ｔ及びＴＩなどによって形成しているが、
基板と薄膜の材料の広範囲な組合せに対して本発明を実
施することが可能であって、多種の光回路素子の光導波
路の形成に適用することがで自る。
ｆｇｌ 発明の詳細
な説明した如く本発明によれば、多種の光回路素子等に
ついて、寸法及び屈折率が精確に制御され、かつ、屈折
率が均一に或いは意図する如くなめらかに分布する光導
波路を再現性良く製造することかで断、光を情報伝送の
媒体とするシステムの進展に大きく寄与する。
ついて、寸法及び屈折率が精確に制御され、かつ、屈折
率が均一に或いは意図する如くなめらかに分布する光導
波路を再現性良く製造することかで断、光を情報伝送の
媒体とするシステムの進展に大きく寄与する。
１０−
第１図＋ａ＋乃至（ｃ）は本発明の第１の実施例にかか
？、ｆａ＋は薄膜積層構造の模式断面図、（ｂｌけ形成
された光導波路の模式断面図、（Ｃ）は屈折率の分布を
示す、第２図ｆａｔ及び（ｂ）は第２の実施例にかかり
、ｌａ＋は薄膜積層構造の模式断面図、（ｂ）は光導波
路の屈折率分布を示す。第３図は第３の実施例の薄膜積
層構造の模式断面図、第４図ｆａ＋及びｆｂｌは第４の
実施例にかかり、（ａ）は薄膜積層構造の模式断面図、
ｆｂｌは光導波路の屈折率分布を示す。 図において、１．１１及び２１はＳｔＯ，薄膜、２及び
２２はＴｉ１ｔ薄膜、１２はＴｉ薄膜、２３はＳｌ薄膜
、３は石英基板、４は光導波路を示す。 １１− を１回 ￥−２町
？、ｆａ＋は薄膜積層構造の模式断面図、（ｂｌけ形成
された光導波路の模式断面図、（Ｃ）は屈折率の分布を
示す、第２図ｆａｔ及び（ｂ）は第２の実施例にかかり
、ｌａ＋は薄膜積層構造の模式断面図、（ｂ）は光導波
路の屈折率分布を示す。第３図は第３の実施例の薄膜積
層構造の模式断面図、第４図ｆａ＋及びｆｂｌは第４の
実施例にかかり、（ａ）は薄膜積層構造の模式断面図、
ｆｂｌは光導波路の屈折率分布を示す。 図において、１．１１及び２１はＳｔＯ，薄膜、２及び
２２はＴｉ１ｔ薄膜、１２はＴｉ薄膜、２３はＳｌ薄膜
、３は石英基板、４は光導波路を示す。 １１− を１回 ￥−２町
Claims (3)
- （１）基板上に薄膜を組成が相互に異なる材料を用いて
積層して形成し、前記薄膜間の相互拡散を行なう工程を
含むことを特徴とする光導波路の製造方法。 - （２）前記薄膜が屈折率が相互に異なる光学材料によっ
て形成されることｔ？特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光導波路の製造方法。 - （３）前記薄膜に金属薄膜が含まれることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58145531A JPH0723927B2 (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58145531A JPH0723927B2 (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 光導波路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037504A true JPS6037504A (ja) | 1985-02-26 |
| JPH0723927B2 JPH0723927B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=15387358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58145531A Expired - Lifetime JPH0723927B2 (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0723927B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63113507A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-18 | Hitachi Ltd | 光導波路およびその製造法 |
| JPH01230005A (ja) * | 1988-03-10 | 1989-09-13 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 多層膜光導波路 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10133019C1 (de) * | 2001-07-06 | 2003-01-30 | Hermann Heye I Ins Fa | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der Masse eines frei fallenden, schmelzflüssigen Glastropfens |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5339563U (ja) * | 1976-09-10 | 1978-04-06 | ||
| JPS5515001A (en) * | 1978-07-18 | 1980-02-01 | Ricoh Co Ltd | Screwing-in quantity set mechanism |
| JPS5533042A (en) * | 1978-08-29 | 1980-03-08 | Toshiba Mach Co Ltd | Temperature-compenstated solenoid |
| JPS56126810A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Preparation for light waveguide line |
| JPS5810721A (ja) * | 1981-07-14 | 1983-01-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPS5863902A (ja) * | 1981-10-12 | 1983-04-16 | Fujitsu Ltd | 光導波路の調整方法 |
| JPS5897005A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-09 | Nec Corp | 光導波路の製造方法 |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP58145531A patent/JPH0723927B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5339563U (ja) * | 1976-09-10 | 1978-04-06 | ||
| JPS5515001A (en) * | 1978-07-18 | 1980-02-01 | Ricoh Co Ltd | Screwing-in quantity set mechanism |
| JPS5533042A (en) * | 1978-08-29 | 1980-03-08 | Toshiba Mach Co Ltd | Temperature-compenstated solenoid |
| JPS56126810A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Preparation for light waveguide line |
| JPS5810721A (ja) * | 1981-07-14 | 1983-01-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPS5863902A (ja) * | 1981-10-12 | 1983-04-16 | Fujitsu Ltd | 光導波路の調整方法 |
| JPS5897005A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-09 | Nec Corp | 光導波路の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63113507A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-18 | Hitachi Ltd | 光導波路およびその製造法 |
| JPH01230005A (ja) * | 1988-03-10 | 1989-09-13 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 多層膜光導波路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0723927B2 (ja) | 1995-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3785717A (en) | Stepped integrated waveguide structure with directional coupling and a method of manufacturing such structures | |
| US4284663A (en) | Fabrication of optical waveguides by indiffusion of metals | |
| JPS60114811A (ja) | 光導波路およびその製造方法 | |
| US4695122A (en) | Optical thin film waveguide | |
| US4141621A (en) | Three layer waveguide for thin film lens fabrication | |
| JPS63113507A (ja) | 光導波路およびその製造法 | |
| JPS6037504A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| US4849080A (en) | Method of manufacturing an optical stripline waveguide for non-reciprocal optical components | |
| JPS6112241B2 (ja) | ||
| CN210776087U (zh) | 光波导元件 | |
| JP2000513461A (ja) | 単一基板上の多数の集積光学方向性結合器の製作及び独立調整のプロセス | |
| JP2556206B2 (ja) | 誘電体薄膜の製造方法 | |
| JPS5917510A (ja) | 光導波路 | |
| Fontenla et al. | Low-loss reactive sputter deposited titanium oxide waveguides | |
| JPH0310206A (ja) | ＬｉＮｂＯ↓３光導波路およびその製造方法 | |
| JPH02236506A (ja) | 光導波路装置 | |
| Sochacki | Proposal for an alternate technology for waveguide Luneburg lenses | |
| KR100439960B1 (ko) | 열확산법을 이용한리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 및 그의제조방법 | |
| JPS59178415A (ja) | 薄膜光アイソレ−タとその製造方法 | |
| Aguirre-Fontenla et al. | Low-loss reactive sputter deposited titanium oxide waveguides | |
| JP3207876B2 (ja) | 光導波路素子の作製方法 | |
| JPS616606A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPS58178303A (ja) | 光導波路の形成方法 | |
| JPS62100705A (ja) | 屈折率勾配型平面光導波路の製造方法 | |
| JPH06331839A (ja) | 光導波路装置 |