KR100439960B1 - 열확산법을 이용한리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 및 그의제조방법 - Google Patents

열확산법을 이용한리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 및 그의제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 단결정 기판 상에 스퍼터(Sputter) 또는 기상증착(Evaporator)법을 이용하여 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 구리(Cu), 크롬(Cr)의 메탈이온을 증착한 후 포토레지스트를 이용하여 도파로의 패턴을 형성하고, 열 확산(thermal diffusion)법에 의한 광도파로 제작에 관한 것이다.
본 발명의 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 제작은 PMN-PT 단결정에 메탈 막을 확산 시켜 제작된 광도파로로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 및 그의 제조방법은 단순화된 공정으로 특성이 우수한 광도파로의 제작이 가능한 효과가 있다.

Description

열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 및 그의 제조방법{PMN-PT optical waveguides by thermal diffusion and fabrication methods thereof}
본 발명은 열확산을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 (Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3: 이하 PMN-PT)광도파로 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 PMN-PT 단결정 기판 상에 스퍼터(Sputter) 또는 기상증착(Evaporator)법을 이용하여 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 구리(Cu), 크롬(Cr)의 메탈이온을 증착한 후 포토레지스트를 이용하여 도파로의 패턴을 형성하고, 열 확산 (thermal diffusion)법에 의한 광도파로의 제작에 관한 것이다.
종래, 광도파로 소자, 예를 들면, 광변조기, 광스위치, 광편파면제어소자, 광전파 모드 제어소자 등은 리튬나이오베이트(LiNbO3) 또는 리튬탄탈레이트(LiTaO3)등의 전기광학 효과를 가진 유전체단결정에, 단일 모드 전파의 광도파로를 형성하고, 그 형상을 연구함과 동시에, 전극을 적당한 모양으로 형성, 전기 광학효과에 의해 광도파로 통과 광을 제어해서 행하고 있다. 예를 들면, R. Alferness에 의한, Waveguide Electrooptic Modulators IEEE Transactions on microwave and Tech niques, Vol. MTT-30, N0. 8, 1121-1137(1982)에는 이와 같은 각종 광도파로 소자의 구성에 대해서 기술하고 있다. 또 광도파로의 제조방법은, 예를 들면, I Kaminow에 의한, Optical Waveguide Modulators IEEE Transactions on Microwave and Techniques, Vol. MTT-23, No. 1, 57-70(1975)에 각종 기술되어 있다. 예를 들면, 리튬나이오베이트이나 리튬탄탈레이트을 고온에서 열처리해서 Li를 out-diffuse하여 굴절률을 변화시키거나, 티탄 등의 금속을 증착하고 고온에서 열확산하므로서, 확산부분의 굴절률을 다른 부분보다 약간 높게 하여 광을 감금하도록 하고 있다. 예를 들면, 일본국 특허공개 공보 소63(1988)-261219호에 티탄확산을 사용한 마하젠더형 광변조기의 내용이 기재되어 있다.
이외에, 소정부분에 금속 마스크를 하고, 200℃에 인산 속에서 프로톤 이온 교환을 행하고, 굴절률을 일부 바꾸고, 광도파로를 형성하는 방법 등도 알려져 있다. 그러나 out-diffusion이나 열확산, 표면으로부터의 이온교환 등에 의한 제조방법은 어느 것이나 표면으로부터의 확산처리에 의해 광도파로를 형성하고 있기 때문에, 광도파로의 단면형상이 확산에 따른 형상으로 되기 때문에, 여러 가지 문제점이 있다.
그 중의 하나로 광도파로와 광파이버와의 결합손실이 있다. 광파이버의 단면형상은 원형인데 대하여, 종래의 광도파로의 형상은 표면으로부터의 확산에 의하기 때문에 역삼각형에 닮은 형상이고, 또한 도파광의 강도의 가장 강한 부분이 표면 가까이 있기 때문에 광파이버와의 광결합이 그다지 잘 되지 않고, 그래서 큰 손실을 발생하고 있다. 광도파로 소자에서는 광의 결합손실의 저감은 매우 중요한 과제로 되어 있다.
또 확산처리를 행함으로써 확산전보다 광전파손실이 증대한다고 하는 과제도 있었다. 티탄확산광도파로의 경우, 통상적으로 1dB/㎝정도의 전파손실이 발생한다. 전파손실의 저감도 광도파로 소자의 큰 과제가 되고 있다.
또 마찬가지로 확산처리에 의해 광손상이 크게 된다고 하는 과제도 있었다. 이것은, 강도가 강한 광내지는 단파장의 광을 확산형 광도파로에 넣으면, 전파손실이 시간과 함께 증대한다고 하는 것이다. 이것은 이온의 광도파로속에의 확산에 의해 광도파로 속에 전자의 트랩이 증대함으로서 일어나는 것이다.
확산 등의 처리에 의하지 않고 광도파로를 형성하는 방법으로서, 예를 들면 상술한 Kaminow의 문헌에는, 탄탈산리튬의 위에 니오브산리튬을 결정 성장시키거나, 니오브산리튬이나 탄탈산리튬 위에 스퍼터링에 의해 니오브산리튬의 박막을 형성해서 그 부분에 광도파로를 형성하는 방법 등이 기술되어 있다. 또 일본국 특허 공개 공보 소52(1997)-23355에는 역시 탄탈산리튬 등의 기판 위에 니오브산리튬 등을 액상, 기상, 용융 등의 각종 방법에 의해 에피택셜 성장시켜서 광도파로를 형성하는 방법이 기술되어 있다. 그러나 이것의 각종 박막결정성장 기술을 사용한 광도파로 형성 방법에도 몇 개의 문제점이 있다. 우선, 에피택셜 성장 막은 성장속도나 성장 시에 발생하는 결정내의 변형 문제에서 5㎛ 이상의 막두께를 실용적으로 얻는 일이 곤란하고 생산성이 매우 나쁘다. 또 5㎛ 이하의 박막에서는 광이 감금되어 있는 부분인 코어직경이 약 10㎛인 광파이버와의 결합특성이 나빠진다.
또 결정성장이 되기 위해서는 결정격자의 간격이 거의 동일하지 않으면 양호한 단결정박막을 얻을 수 없다고 하는 엄한 조건이 있다. 그 때문에 탄탈산리튬기판 위에 양호한 니오브산리튬 결정 막을 형성하는 것은 매우 곤란하고, 그 때문에 대부분은 니오브-탄탈 혼정막의 성정으로 행하여지고 있다. 니오브산리튬의 경우, 혼정막보다도 순수한 니오브산리튬쪽이 광도파로 특성 전반에 뛰어난다.
또 동종재료의 에피택셜 성장은 가능하나, 결정방위가 동일해지기 때문에 기판과 성장시킨 박막사이에 유효한 굴절률을 얻는 것이 곤란하고, 똑같은 기판이 되고, 광도파로를 형성할 수 없는 등의 과제가 있었다.
이와 같은 박막형성 기술을 사용한 경우, 그 막질이 양호하지 않으면 가령 두껍게 쌓아도 광전파손실이 크게 되거나 광손상이 꺼지기 때문에 바람직하지 않다.
완화형(Relaxer) 강유전체 PMN-PT는 높은 유전상수와 큰 전기-광학 계수를가지고 있어 광 응용을 위한 주요 재료로써 매우 유망하다.
일반적으로, PMN-PT는 전기-기계적 특성을 이용한 응용소자를 위해 분말소결에 따른 세라믹형태로 제조되며 광응용을 위해서는 졸-겔 방법으로 실리콘, 사파이어, LaAlO3기판에 PMN-PT 결정화 박막을 제조하여 광도파로로써 이용하는 연구가 Yalin Lu등에 의해 Appl.Phys.Lett.72. 2927 (1998)에 보고 된 봐 있다.
PMN-PT 박막의 졸-겔 제조방법은, Mg acetate tetrahydrate, Pb acetate trihydrate, Ti isopropoxide를 2-methoxyethanol solvent에 각각 녹인 후 증발시켜 Nb-Mg, Pb-Ti 복합제를 얻는다. 이렇게 얻어진 Nb-Mg, Pb-Ti 및 Pb acetate trihydrate를 혼합하여 PMN-PT 졸을 형성시킨다. 이 원료를 이용하여 성장된 PMN-PT(70:30) 박막결정 특성은 4.0Å의 격자상수를 갖는 롬보해드럴(rhombohedral)구조이며 상전의 온도는 약 140℃이다.
그러나 PMN-PT 단결정 웨이퍼를 이용하여 메탈이온을 기판 표면에 증착한 후 열 확산법을 통해 광도파로를 제작한 예는 아직 보고되지 않고 있다.
PMN-PT 세라믹은 파이로클로(Pyrochlore) 상이 없는 강유전 페로브스카이트 상의 재료를 제조하는 것이 어렵다. PMN에서 저유전율상인 파이로클로는 원료의 합성과 소결과정에서 생성되며 PMN-PT의 유전율을 저하시키는 원인이 된다. 또한 세라믹의 불투명성과 상계면의 존재는 광응용을 위해 적합하지 않다.
졸-겔을 이용하여 딥-코팅(dip-coating) 기술을 이용한 에피택셜(epitaxial)성장에 의해 제조된 PMN-PT 박막은 유전율을 감소시키는 파이로클로 상이 존재하지 않는다는 장점은 있으나 조성의 제어가 어려우며 격자상수가 다른 기판에 헤테로에피택셜 성장됨으로 높은 두께의 고품질 막을 얻기가 힘들어 광응용이 어렵다. 또한 광 집적소자로의 응용을 위해서는 다양한 형태의 도파로 제작의 용이성과 도파로 내의 조성 균일성 제어가 중요하나 졸-겔 방법에 의한 PMN-PT는 아직 이러한 문제점들을 해결하지 못한 실정이다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, PMN-PT 단결정 기판 상에 스퍼터(Sputter) 또는 기상증착 (Evaporator)법을 이용하여 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 구리(Cu), 크롬(Cr)의 메탈이온을 증착한 후 포토레지스트를 이용하여 도파로의 패턴을 형성하고, 열 확산(thermal diffusion)법으로 도파로를 제작함에 본 발명의 목적이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 PMN-PT 웨이퍼에 메탈에칭에 의한 광도파로 형성방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
도 2는 본 발명에 따른 PMN-PT 웨이퍼에 Lift-off법에 의한 광도파로 형성방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
도 3은 본 발명에 따른 PMN-PT 단결정 웨이퍼에 형성된 광도파로의 SIMS 분석결과이다.
본 발명의 상기 목적은 PMN-PT 단결정에 메탈 막을 확산시켜 제작된 광도파로로 이루어진 열확산을 이용한 PMN-PT 광도파로 및 그의 제조방법에 의해 달성된다.
일반적으로, 단결정계 완화형 강유전체는 첨가제를 넣음으로서 순수한 단결정계에 비해 안정한 페로브스카이트 구조를 형성하기가 용이하며 또한 전체적인 조성이 단결정과 첨가하는 강유전체 사이의 상경계영역(MPB)쪽으로 근접하기 때문에 상전이 온도를 실온근방으로 이동시킬 수 있어서 실온에서의 유전상수의 증가 및높은 전기-광학 효과 등을 기대할 수 있다.
첨가물 중, 순수한 PT(PbTiO3)의 경우, 심한 이방성으로 인해 소결체로서 안정성은 없으나 단결정에 PT를 10 mol% 이상 첨가할 때 페로브스카이트 상이 거의 100% 얻어지며 유전특성도 매우 향상된다. 또한 큐리온도가 490℃인 PT를 상전이 온도가 -5℃부근인 단결정에 10 mol% 가량 첨가할 경우 상전이 온도가 실온근방에 위치하게 되어 순수한 단결정에 비하여 실온에서 좋은 특성을 얻을 수 있다.
본 발명은 PMN-PT 단결정 기판 상에 스퍼터(Sputter) 또는 기상증착(Evaporator)법을 이용하여 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 구리(Cu), 크롬(Cr)의 메탈이온을 증착한 후 포토레지스트를 이용하여 도파로의 패턴을 형성, 열 확산(thermal diffusion)법으로 도파로를 제작한다.
상기 도파로의 제작에 사용된 기판은 브리지만법으로 성장된 고품질 PMN-PT 단결정을 웨이퍼의 형태로 가공한 후 사용하였다.
본 발명에 사용된 기판의 조성비는 PMN-PT의 비가 90:10, 80:20, 70:30, 65:35 mol% 이다.
본 발명은 광 집적 디바이스의 응용을 위해 높은 전기-광학 특성을 갖는 PMN-PT 결정에 광도파로 제작에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 PMN-PT 웨이퍼에 메탈에칭에 의한 광도파로 형성방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
먼저 기판(21)은 조성이 PT = 10, 20, 30, 35 mol%인 PMN-PT 기판을 세척한다. 상기 기판(21)상에 스퍼터 또는 기상증착 등의 장비를 이용하여 티타늄, 니켈, 구리, 크롬 등의 메탈(22)막을 400 ~ 1000Å의 두께로 증착한다.(a)
상기 메탈(22) 막상에 감광제 막(23)을 1 ~ 1.5㎛의 두께로 도포한 후 오븐에서 80℃ ~ 100℃의 온도 영역에서 30분간 굳혀준다.(b)
상기 감광제 막(23)을 노광 및 현상하여 상기 메탈(22) 막의 일부표면이 노출되는 감광제 패턴(23a)을 형성한다.(c)
상기 감광제 패턴(23a)을 식각마스크로 메탈 막을 식각하여 도파로 패턴(22a)을 형성한다.(d)
상기 식각마스크로 이용된 감광제 패턴(23a)을 아세톤 또는 감광제 스트립퍼를 이용하여 제거한다.(e)
제작된 PMN-PT 기판 상의 도파로 메탈 패턴(22a)을 열처리 노에 넣은 후 300℃ ~ 900℃의 온도에서 확산시켜 광도파로(10)를 제작한다.(f)
상기 공정들과 같은 메탈에칭법을 이용하여 광도파로를 제작할 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 PMN-PT 웨이퍼에 lift-off법에 의한 광도파로 형성방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
기판(31)은 조성이 PT = 10, 20, 30, 35 mol%인 PMN-PT 기판을 세척한다. 이어서, 기판(31)상에 플라즈마 에셔(Plasma acher)를 이용하여 기판상의 잔여 이물질을 완전히 제거한다.(a)
상기 PMN-PT 기판(31)상에 감광제 막(33)을 1 ~ 1.5㎛의 두께로 도포한 후 오븐에서 굳혀준다.(b)
상기 감광제 막을 도파로 마스크를 이용하여 노광 및 현상하여 감광제 막(33)에 도파로 패턴(34)을 형성한다.(c)
감광제 막에 형성된 상기 도파로 패턴 안에 스퍼터 또는 기상증착법을 이용하여 티타늄, 니켈, 구리, 크롬 등의 메탈막(32b)을 400 ~ 1000Å의 두께로 증착한다.(d)
기판 상에 남아 있는 감광제 막을 아세톤 또는 감광제 스트립퍼를 이용하여 완전히 제거한다.(e)
제작된 PMN-PT 기판 상의 도파로 메탈 패턴(32b)을 열처리 노에 넣은 후 300 ~ 900의 온도에서 확산시켜 광도파로(10)를 제작한다.(f)
상기 공정들과 같은 lift-off법을 이용하여 광도파로를 제작할 수 있다.
도 3은 상기 방법으로 제작된 광도파로의 SIMS 결과로써 니켈 막을 PMN-PT에 확산시켜 도파로를 형성한 것이다. 점선으로 표면 계면을 타나내었으며 점선 왼쪽은 확산된 니켈 이온의 분포를 보여주고 있다. 결과와 같이 메탈이온이 기판 내로 가우시안 분포로 확산되어 있는 모습을 볼 수 있다.
본 발명에서, 상기의 방법에 의해 PMN-PT 단결정 기판에 메탈 막 확산에 이용되는 열처리 노는 박스 타입 또는 튜브 타입의 노(Furnace)의 사용이 모두 가능하다. 특히, 튜브 타입의 경우 N2, Ar, O2, Wet O2등의 분위기 가스를 이용함으로써 보다 정밀한 확산 도파로의 제어가 가능하다.
기존의 PMN-PT의 연구 방향은 벌크세라믹 재료를 이용한 전기-기계적 특성을 이용한 소자에 국한되어 왔고, 최근 졸-겔 법을 이용하여 높은 전기-광학 특성을 갖으며, 유전율 저하에 기인하는 파이로클로 상을 형성시키지 않는 PMN-PT를 이용하여 광 집적 디바이스 응용을 위한 광도파로 제작을 위한 연구가 진행되었으나 아직 많은 문제점을 가지고 있다. 따라서, 본 발명의 열확산법을 이용한 납마그네슘니오베이트-납티타네이트 광도파로 및 그의 제조방법은 PMN-PT 단결정에 메탈 막을 확산 시켜 광도파로를 제작함으로써 단순화된 공정으로 특성이 우수한 도파로 제작이 가능하다.

Claims (12)

  1. PMN-PT 기판을 세척후, 상기 기판(21)상에 메탈 막(22)을 증착하는 단계;
    상기 메탈 막(22)상에 감광제 막(23)을 도포한 후 오븐에서 굳혀주는 단계;
    상기 감광제 막(23)을 노광 및 현상하여 상기 메탈 막의 일부표면이 노출되는 감광제 패턴(23a)을 형성하는 단계;
    상기 감광제 패턴(23a)을 식각마스크로 하여 메탈 막을 식각하여 도파로 패턴(22a)을 형성하는 단계;
    상기 식각마스크로 이용된 감광제 패턴(23a)을 아세톤 또는 감광제 스트립퍼를 이용하여 제거하는 단계; 및
    제작된 PMN-PT 기판 상의 도파로 메탈 패턴(22a)을 열처리 노에 넣은 후 확산시켜 광도파로(10)를 제작하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 제조방법.
  2. PMN-PT 기판을 세척후, 상기 기판(21)상에 플라즈마 에셔(Plasma acher)를 이용하여 기판상의 잔여 이물질을 완전히 제거하는 단계;
    상기 PMN-PT 기판(31)상에 감광제 막(33)을 도포한 후 오븐에서 굳혀주는 단계;
    상기 감광제 막을 도파로 마스크를 이용하여 노광 및 현상하여 감광제 막(33)에 도파로 패턴(34)을 형성하는 단계;
    상기 감광제 막에 형성된 상기 도파로 패턴 안에 메탈 막(32b)을 증착하는 단계;
    상기 기판 상에 남아 있는 감광제 막을 아세톤 또는 감광제 스트립퍼를 이용하여 완전히 제거하는 단계; 및
    제작된 PMN-PT 기판 상의 도파로 메탈 패턴(32b)을 열처리 노에 넣은 후 확산시켜 광도파로(10)를 제작하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 제조방법.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 기판의 조성은 PT = 10, 20, 30, 35 mol%인 것을 특징으로 하는 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 제조방법.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 메탈 막의 두께는 400 ~ 1000Å인 것을 특징으로 하는 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 제조방법.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 감광제 막은 1 ~ 1.5㎛의 두께로 도포 되는 것을 특징으로 하는 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 제조방법.
  6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 오븐에서 굳혀줄 때 그 온도와 시간은 80℃ ~ 100℃의 온도 영역에서 30분간 굳혀주는 것을 특징으로 하는 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 제조방법.
  7. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 열처리 노에서의 온도가 300℃ ~ 900℃인 것을 특징으로 하는 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 제조방법.
  8. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 열처리 노는 박스 타입 또는 튜브 타입의 노를 사용하는 것을 특징으로 하는 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 제조방법.
  9. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 메탈 막은 스퍼터 또는 기상증착으로 증착하는 것을 특징으로 하는 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 제조방법.
  10. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 메탈 막은 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 구리(Cu) 또는 크롬(Cr)임을 특징으로 하는 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 제조방법.
  11. 제 1항의 방법으로 제조된 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로.
  12. 제 2항의 방법으로 제조된 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로.
KR10-2002-0076460A 2002-12-04 2002-12-04 열확산법을 이용한리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 및 그의제조방법 KR100439960B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030058647A (ko) * 2001-12-31 2003-07-07 주식회사 케이티 평면도파로를 갖는 소자 제조 방법
CN113388892A (zh) * 2021-05-18 2021-09-14 西安交通大学 一种钛扩散制备铌镁酸铅钛酸铅光波导的方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60173503A (ja) * 1984-02-20 1985-09-06 Nec Corp 導波型空間フイルタ及びその製造方法
JPS60216335A (ja) * 1984-04-12 1985-10-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光波長変換素子作製方法
JPS62212605A (ja) * 1986-03-14 1987-09-18 Agency Of Ind Science & Technol 光導波路の作製方法
JPH01234802A (ja) * 1988-03-16 1989-09-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 光導波路素子の製造方法
JPH0749428A (ja) * 1993-08-04 1995-02-21 Fujitsu Ltd 光導波路の製造方法
JPH0943442A (ja) * 1995-07-28 1997-02-14 Nec Corp 光回路とその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60173503A (ja) * 1984-02-20 1985-09-06 Nec Corp 導波型空間フイルタ及びその製造方法
JPS60216335A (ja) * 1984-04-12 1985-10-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光波長変換素子作製方法
JPS62212605A (ja) * 1986-03-14 1987-09-18 Agency Of Ind Science & Technol 光導波路の作製方法
JPH01234802A (ja) * 1988-03-16 1989-09-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 光導波路素子の製造方法
JPH0749428A (ja) * 1993-08-04 1995-02-21 Fujitsu Ltd 光導波路の製造方法
JPH0943442A (ja) * 1995-07-28 1997-02-14 Nec Corp 光回路とその製造方法

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