JPH0749428A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
- Publication number
- JPH0749428A JPH0749428A JP5193536A JP19353693A JPH0749428A JP H0749428 A JPH0749428 A JP H0749428A JP 5193536 A JP5193536 A JP 5193536A JP 19353693 A JP19353693 A JP 19353693A JP H0749428 A JPH0749428 A JP H0749428A
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- metal thin
- optical waveguide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は光導波路の製造方法に関し、レジスト
及びマスクを使用することなしに熱拡散用のパターンを
容易に作製することができる方法の提供を目的とする。 【構成】強誘電体基板１２上に金属薄膜１４を形成し、
金属薄膜１４を部分的に加熱して酸化領域１６を生成
し、酸化領域１６を除いて金属薄膜１４をエッチングに
より除去し、酸化領域１６を基板１２に熱拡散させる。
及びマスクを使用することなしに熱拡散用のパターンを
容易に作製することができる方法の提供を目的とする。 【構成】強誘電体基板１２上に金属薄膜１４を形成し、
金属薄膜１４を部分的に加熱して酸化領域１６を生成
し、酸化領域１６を除いて金属薄膜１４をエッチングに
より除去し、酸化領域１６を基板１２に熱拡散させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬｉＮｂＯ3 （ニオブ
酸リチウム）等の強誘電体からなる基板にＴｉ（チタ
ン）等の金属及び／又はその酸化物を熱拡散させる光導
波路の製造方法に関する。
酸リチウム）等の強誘電体からなる基板にＴｉ（チタ
ン）等の金属及び／又はその酸化物を熱拡散させる光導
波路の製造方法に関する。
【０００２】光方向性結合器等の光デバイスの一形態と
して、光導波路型のものがある。光導波路は、構造上小
型化が容易でプレーナ技術等を用いて量産することがで
きるという利点を有しており、その製造方法の最適化が
模索されている。
して、光導波路型のものがある。光導波路は、構造上小
型化が容易でプレーナ技術等を用いて量産することがで
きるという利点を有しており、その製造方法の最適化が
模索されている。
【０００３】
【従来の技術】図３により、ＬｉＮｂＯ3 からなる基板
にＴｉを熱拡散してなる光導波路の従来の製造方法の一
例を説明する。
にＴｉを熱拡散してなる光導波路の従来の製造方法の一
例を説明する。
【０００４】まず、（Ａ）に示されるように、ＬｉＮｂ
Ｏ3 からなる基板２上にＴｉからなる金属薄膜４を形成
する。次いで、金属薄膜４上にレジスト剤を塗布して、
マスクを用いた露光を行うことによって、（Ｂ）に示さ
れるように、金属薄膜４上にレジストパターン６を形成
する。
Ｏ3 からなる基板２上にＴｉからなる金属薄膜４を形成
する。次いで、金属薄膜４上にレジスト剤を塗布して、
マスクを用いた露光を行うことによって、（Ｂ）に示さ
れるように、金属薄膜４上にレジストパターン６を形成
する。
【０００５】続いて（Ｃ）に示されるように、金属薄膜
４のレジストパターン６に対応する部分（４Ａ）を除い
て金属薄膜４をエッチングにより除去する。そして、レ
ジストパターン６を除去することによって、（Ｄ）に示
すように、基板２上に所定形状の金属パターン４Ａが残
る。
４のレジストパターン６に対応する部分（４Ａ）を除い
て金属薄膜４をエッチングにより除去する。そして、レ
ジストパターン６を除去することによって、（Ｄ）に示
すように、基板２上に所定形状の金属パターン４Ａが残
る。
【０００６】最後にこの金属パターン４Ａを基板２に熱
拡散させることで、基板２に高屈折率部（光導波路のコ
ア部）８が形成される。
拡散させることで、基板２に高屈折率部（光導波路のコ
ア部）８が形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図３により説明した従
来方法において、（Ｂ）のマスクを用いたレジストの露
光方法としては、マスクを基板にほぼ接触させるコンタ
クト露光と、マスクを基板から適当な距離だけ離して露
光を行う投影露光とがある。
来方法において、（Ｂ）のマスクを用いたレジストの露
光方法としては、マスクを基板にほぼ接触させるコンタ
クト露光と、マスクを基板から適当な距離だけ離して露
光を行う投影露光とがある。
【０００８】コンタクト露光による場合、マスクが基板
に接触するため、パターン不良が発生することが多いと
いう問題がある。一方、投影露光による場合、投影露光
用の装置が極めて高価であり製造コストが上昇するとい
う問題がある。
に接触するため、パターン不良が発生することが多いと
いう問題がある。一方、投影露光による場合、投影露光
用の装置が極めて高価であり製造コストが上昇するとい
う問題がある。
【０００９】よって、本発明の目的は、レジスト及びマ
スクを使用することなしに熱拡散用のパターンを作製す
ることができる光導波路の製造方法を提供することにあ
る。
スクを使用することなしに熱拡散用のパターンを作製す
ることができる光導波路の製造方法を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によると、強誘電
体からなる基板上に金属薄膜を形成するステップと、該
金属薄膜を部分的に加熱して酸化領域を生成するステッ
プと、該酸化領域を除いて上記金属薄膜をエッチングに
より除去するステップと、上記酸化領域を上記基板に熱
拡散させるステップとからなる光導波路の製造方法が提
供される。
体からなる基板上に金属薄膜を形成するステップと、該
金属薄膜を部分的に加熱して酸化領域を生成するステッ
プと、該酸化領域を除いて上記金属薄膜をエッチングに
より除去するステップと、上記酸化領域を上記基板に熱
拡散させるステップとからなる光導波路の製造方法が提
供される。
【００１１】
【作用】本発明の光導波路の製造方法においては、強誘
電体からなる基板上に形成された金属薄膜を部分的に加
熱して酸化領域を生成し、この酸化領域を熱拡散用のパ
ターンとして使用するようにしているので、従来のよう
なレジスト及びマスクの使用が不要になる。
電体からなる基板上に形成された金属薄膜を部分的に加
熱して酸化領域を生成し、この酸化領域を熱拡散用のパ
ターンとして使用するようにしているので、従来のよう
なレジスト及びマスクの使用が不要になる。
【００１２】金属薄膜を部分的に酸化させると、適当な
エッチング液を用いることによって、金属薄膜の未酸化
部のみを除去することができる。
エッチング液を用いることによって、金属薄膜の未酸化
部のみを除去することができる。
【００１３】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。図１は本発
明の第１実施例を示す光導波路の製造プロセスの説明図
である。まず、（Ａ）に示されるように、ＬｉＮｂＯ3
からなる基板１２上に一様にＴｉからなる金属薄膜１４
を例えば蒸着により形成する。
明の第１実施例を示す光導波路の製造プロセスの説明図
である。まず、（Ａ）に示されるように、ＬｉＮｂＯ3
からなる基板１２上に一様にＴｉからなる金属薄膜１４
を例えば蒸着により形成する。
【００１４】次いで、（Ｂ）に示されるように、ＹＡＧ
レーザ装置或いはＣＯ2 レーザ装置等のレーザ装置を用
いて、金属薄膜１４の予め定められた部分にレーザビー
ムを照射して、その部分を加熱して酸化領域１６を生成
する。
レーザ装置或いはＣＯ2 レーザ装置等のレーザ装置を用
いて、金属薄膜１４の予め定められた部分にレーザビー
ムを照射して、その部分を加熱して酸化領域１６を生成
する。
【００１５】レーザビームの照射により酸化領域を生成
しているのは、レーザビームの照射部分を瞬時に高温に
して、正確な形状の酸化領域を得るためである。続い
て、金属薄膜１４及び酸化領域１６が形成された基板を
Ｔｉ用のエッチング液に浸漬する。こうすると、金属薄
膜１４の未酸化部はエッチングにより除去されるが、酸
化領域１６はエッチングレートが小さいためにほとんど
エッチングされずにそのまま残ってパターンとなる。
しているのは、レーザビームの照射部分を瞬時に高温に
して、正確な形状の酸化領域を得るためである。続い
て、金属薄膜１４及び酸化領域１６が形成された基板を
Ｔｉ用のエッチング液に浸漬する。こうすると、金属薄
膜１４の未酸化部はエッチングにより除去されるが、酸
化領域１６はエッチングレートが小さいためにほとんど
エッチングされずにそのまま残ってパターンとなる。
【００１６】エッチング液としては、例えば過酸化水素
水とアンモニアの混合溶液を用いることができる。そし
て、酸化領域１６が残った基板を例えば１０００℃以上
の温度で加熱するとにより、酸化領域１６を基板１２内
に熱拡散させ、（Ｄ）に示されるように、基板１２に高
屈折率部１８を形成する。
水とアンモニアの混合溶液を用いることができる。そし
て、酸化領域１６が残った基板を例えば１０００℃以上
の温度で加熱するとにより、酸化領域１６を基板１２内
に熱拡散させ、（Ｄ）に示されるように、基板１２に高
屈折率部１８を形成する。
【００１７】このように、本実施例によると、レジスト
及びマスクを使用することなしに、光導波路を形成する
ことができる。酸化領域１６はＴｉＯ2 或いはＴｉＯx
（０＜ｘ＜２）からなる。従来方法では、所定形状のＴ
ｉからなるパターンを基板に熱拡散させているが、実際
には熱拡散させる際の加熱によりＴｉパターンが酸化す
るので、金属酸化物からなるパターンを用いても同様に
光導波路を形成することができる。
及びマスクを使用することなしに、光導波路を形成する
ことができる。酸化領域１６はＴｉＯ2 或いはＴｉＯx
（０＜ｘ＜２）からなる。従来方法では、所定形状のＴ
ｉからなるパターンを基板に熱拡散させているが、実際
には熱拡散させる際の加熱によりＴｉパターンが酸化す
るので、金属酸化物からなるパターンを用いても同様に
光導波路を形成することができる。
【００１８】図１の第１実施例においては、酸化領域１
６は、その横断面において一様な金属酸化物からなる
が、エッチングに際して酸化領域１６が残留すればよい
ので、酸化領域１６は一様な金属酸化物であることに限
定されない。例えば、酸化領域１６の外周部のみが金属
酸化物からなりその内部は未酸化でもよいのである。こ
の実施例を次に説明する。
６は、その横断面において一様な金属酸化物からなる
が、エッチングに際して酸化領域１６が残留すればよい
ので、酸化領域１６は一様な金属酸化物であることに限
定されない。例えば、酸化領域１６の外周部のみが金属
酸化物からなりその内部は未酸化でもよいのである。こ
の実施例を次に説明する。
【００１９】図２は本発明の第２実施例を示す光導波路
の製造プロセスの説明図である。（Ａ）では第１実施例
おけるのと同じようにＬｉＮｂＯ3 からなる基板１２上
にＴｉからなる金属薄膜１４を形成する。
の製造プロセスの説明図である。（Ａ）では第１実施例
おけるのと同じようにＬｉＮｂＯ3 からなる基板１２上
にＴｉからなる金属薄膜１４を形成する。
【００２０】この実施例では、（Ｂ）で生成される酸化
領域１６は、その横断面において金属酸化物１６Ａとこ
の金属酸化物１６Ａにより囲まれる未酸化部１６Ｂとか
らなる。
領域１６は、その横断面において金属酸化物１６Ａとこ
の金属酸化物１６Ａにより囲まれる未酸化部１６Ｂとか
らなる。
【００２１】このような酸化領域１６を生成するために
は、金属酸化物１６Ａの両側部を生成するときにレーザ
ビームの強度を強くし両側部間の上面部を生成するとき
にレーザビームの強度を弱くすればよい。また、金属酸
化物１６Ａの両側部を生成するときにレーザビームのス
ポットサイズを小さくし、両側部間の上面部を生成する
ときにスポットサイズを大きくしてもよい。さらに、金
属酸化物の両側部を生成するときにレーザビームの照射
時間を長くし、両側部間の上面部を生成するときにレー
ザビームの照射時間を短くするようにしてもよい。
は、金属酸化物１６Ａの両側部を生成するときにレーザ
ビームの強度を強くし両側部間の上面部を生成するとき
にレーザビームの強度を弱くすればよい。また、金属酸
化物１６Ａの両側部を生成するときにレーザビームのス
ポットサイズを小さくし、両側部間の上面部を生成する
ときにスポットサイズを大きくしてもよい。さらに、金
属酸化物の両側部を生成するときにレーザビームの照射
時間を長くし、両側部間の上面部を生成するときにレー
ザビームの照射時間を短くするようにしてもよい。
【００２２】このような酸化領域１６及び金属薄膜１４
が形成された基板１２について第１実施例におけるのと
同じようにエッチングを施すと、（Ｃ）に示されるよう
に、酸化領域１６が基板１２上に残留するので、これを
基板１２内に熱拡散させることによって、（Ｄ）に示さ
れるように高屈折率部１８を得ることができる。
が形成された基板１２について第１実施例におけるのと
同じようにエッチングを施すと、（Ｃ）に示されるよう
に、酸化領域１６が基板１２上に残留するので、これを
基板１２内に熱拡散させることによって、（Ｄ）に示さ
れるように高屈折率部１８を得ることができる。
【００２３】本実施例によると、熱拡散に際してのパタ
ーンを歩留りよく良好に形成するとができるので、特性
ばらつきの少ない光導波路を容易に得ることができる。
また、エッチング工程においてもレジストを使わないの
で、オーバーエッチングが生じにくくなり、エッチング
終点の特定等を容易に行うことができる。
ーンを歩留りよく良好に形成するとができるので、特性
ばらつきの少ない光導波路を容易に得ることができる。
また、エッチング工程においてもレジストを使わないの
で、オーバーエッチングが生じにくくなり、エッチング
終点の特定等を容易に行うことができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
レジスト及びマスクを使用せずに熱拡散用のパターンを
容易に作製することができる光導波路の製造方法の提供
が可能になるという効果が生じる。
レジスト及びマスクを使用せずに熱拡散用のパターンを
容易に作製することができる光導波路の製造方法の提供
が可能になるという効果が生じる。
【図１】本発明の第１実施例を示す光導波路の製造プロ
セスの説明図である。
セスの説明図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す光導波路の製造プロ
セスの説明図である。
セスの説明図である。
【図３】従来技術の説明図である。
１２ 基板 １４ 金属薄膜 １６ 酸化領域 １８ 高屈折率部
Claims (5)
- 【請求項１】 強誘電体からなる基板(12)上に金属薄膜
(14)を形成するステップと、 該金属薄膜(14)を部分的に加熱して酸化領域(16)を生成
するステップと、 該酸化領域(16)を除いて上記金属薄膜(14)をエッチング
により除去するステップと、 上記酸化領域(16)を上記基板(12)に熱拡散させるステッ
プとからなる光導波路の製造方法。 - 【請求項２】 上記基板(12)はＬｉＮｂＯ3 からなり、
上記金属薄膜(14)はＴｉからなることを特徴とする請求
項１に記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項３】 上記金属薄膜(14)はレーザビームの照射
により部分的に加熱されることを特徴とする請求項１に
記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項４】 上記酸化領域(16)はその横断面において
一様な金属酸化物からなることを特徴とする請求項１に
記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項５】 上記酸化領域(16)はその横断面において
金属酸化物(16A) と該金属酸化物により囲まれる未酸化
部(16B) とからなることを特徴とする請求項１に記載の
光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5193536A JPH0749428A (ja) | 1993-08-04 | 1993-08-04 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5193536A JPH0749428A (ja) | 1993-08-04 | 1993-08-04 | 光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0749428A true JPH0749428A (ja) | 1995-02-21 |
Family
ID=16309713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5193536A Withdrawn JPH0749428A (ja) | 1993-08-04 | 1993-08-04 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0749428A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100439960B1 (ko) * | 2002-12-04 | 2004-07-12 | 전자부품연구원 | 열확산법을 이용한리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 및 그의제조방법 |
| US7452473B1 (en) | 2003-10-06 | 2008-11-18 | Pacesetter, Inc. | Laser marking of raw aluminum anode foil to induce uniform patterning etching |
| US9852849B2 (en) | 2016-05-27 | 2017-12-26 | Pacesetter, Inc. | Using etch resist patterns and formation for facilitation of laser cutting, particle and leakage current reduction |
| US9969030B2 (en) | 2016-05-12 | 2018-05-15 | Pacesetter, Inc. | Laser drilling of metal foils for assembly in an electrolytic capacitor |
| US9978529B2 (en) | 2016-01-11 | 2018-05-22 | Pacesetter, Inc. | Oxide on edges of metal anode foils |
| US10090112B2 (en) | 2016-01-15 | 2018-10-02 | Pacesetter, Inc. | Use of etch resist masked anode frame for facilitation of laser cutting, particle and leakage current reduction |
| CN109257931A (zh) * | 2017-05-15 | 2019-01-22 | 电子部品研究院 | 石墨烯制备方法 |
-
1993
- 1993-08-04 JP JP5193536A patent/JPH0749428A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100439960B1 (ko) * | 2002-12-04 | 2004-07-12 | 전자부품연구원 | 열확산법을 이용한리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 및 그의제조방법 |
| US7452473B1 (en) | 2003-10-06 | 2008-11-18 | Pacesetter, Inc. | Laser marking of raw aluminum anode foil to induce uniform patterning etching |
| US9978529B2 (en) | 2016-01-11 | 2018-05-22 | Pacesetter, Inc. | Oxide on edges of metal anode foils |
| US10923291B2 (en) | 2016-01-11 | 2021-02-16 | Pacesetter, Inc. | Oxide on edges of metal anode foils |
| US11469052B2 (en) | 2016-01-11 | 2022-10-11 | Pacesetter, Inc. | Oxide on edges of metal anode foils |
| US10090112B2 (en) | 2016-01-15 | 2018-10-02 | Pacesetter, Inc. | Use of etch resist masked anode frame for facilitation of laser cutting, particle and leakage current reduction |
| US10825613B2 (en) | 2016-01-15 | 2020-11-03 | Pacesetter, Inc. | Use of etch resist masked anode frame for facilitation of laser cutting, particle and leakage current reduction |
| US9969030B2 (en) | 2016-05-12 | 2018-05-15 | Pacesetter, Inc. | Laser drilling of metal foils for assembly in an electrolytic capacitor |
| US11185948B2 (en) | 2016-05-12 | 2021-11-30 | Pacesetter, Inc. | Laser drilling of metal foils for assembly in an electrolytic capacitor |
| US9852849B2 (en) | 2016-05-27 | 2017-12-26 | Pacesetter, Inc. | Using etch resist patterns and formation for facilitation of laser cutting, particle and leakage current reduction |
| CN109257931A (zh) * | 2017-05-15 | 2019-01-22 | 电子部品研究院 | 石墨烯制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001031 |