JPS61210360A - レジストパタ−ン処理装置 - Google Patents
レジストパタ−ン処理装置Info
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- JPS61210360A JPS61210360A JP60051706A JP5170685A JPS61210360A JP S61210360 A JPS61210360 A JP S61210360A JP 60051706 A JP60051706 A JP 60051706A JP 5170685 A JP5170685 A JP 5170685A JP S61210360 A JPS61210360 A JP S61210360A
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- Japan
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- light
- resist pattern
- scattering plate
- light scattering
- substrate
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野〕
本発明は、レジストパターン処理装置に係わり、特に光
照射によりレジストパターンの特性改善をはるレジスト
パターン処理装置に関する。
照射によりレジストパターンの特性改善をはるレジスト
パターン処理装置に関する。
近年、微細加工技術の進展に伴い、レジストパターンに
要求される特性もより厳しくなり、より改善された材料
の開発が精力的に行われている。
要求される特性もより厳しくなり、より改善された材料
の開発が精力的に行われている。
また、レジスト処理方法を改善することにより、レジス
トパターンの特性を向上させる手法も広く採用されてい
る。一般的には、ボストベークが簡便な方法であり、レ
ジストパターンの密着性の向上や耐エツチング特性の改
善が行われている。
トパターンの特性を向上させる手法も広く採用されてい
る。一般的には、ボストベークが簡便な方法であり、レ
ジストパターンの密着性の向上や耐エツチング特性の改
善が行われている。
一方、高精度な微細加工技術として注目されているドラ
イエツチング技術においては、より優れた耐性を有する
レジストパターンが必要となり、特に高速エツチング処
理を施す際には、エツチング反応の高速化に伴いレジス
トパターンの劣化が生じることが指摘されている。また
、レジストそのものには、高感度・高解像性に対する要
求も強く、これらの特性とエツチング耐性等の特性とを
両立し満足することは極めて困難であった。
イエツチング技術においては、より優れた耐性を有する
レジストパターンが必要となり、特に高速エツチング処
理を施す際には、エツチング反応の高速化に伴いレジス
トパターンの劣化が生じることが指摘されている。また
、レジストそのものには、高感度・高解像性に対する要
求も強く、これらの特性とエツチング耐性等の特性とを
両立し満足することは極めて困難であった。
そこで最近、遠紫外光を含む光の光照射により、（ノジ
ストパターンの特性を改良する方法が提案されている。
ストパターンの特性を改良する方法が提案されている。
この方法では、露光・現像して形成されたレジストパタ
ーンに遠紫外光を含む光を上方から照射し、レジストパ
ターンの表面を改質させ、レジストパターンの耐エツチ
ング特性等を向上させる。
ーンに遠紫外光を含む光を上方から照射し、レジストパ
ターンの表面を改質させ、レジストパターンの耐エツチ
ング特性等を向上させる。
しかしながら、この種の方法を用いるレジストパターン
処理装置にあっては次のような問題があった。即ち、本
発明者等がこの種の装置の実用性を評価したところ、遠
紫外光の吸収がレジストパターンの表層の数１００［入
］で顕著であり、高々２０００〜３０００ ［大コの深
さにした到達しないため、レジストパターンの上面にお
いて処理反応が効果的に生じ、レジストパターンの側壁
においては十分に処理が進んでいないことが確認された
。高精度な微細加工においては、加工精度維持のために
レジストパターンの側壁においても十分な特性の改善が
達成されることが要求される。
処理装置にあっては次のような問題があった。即ち、本
発明者等がこの種の装置の実用性を評価したところ、遠
紫外光の吸収がレジストパターンの表層の数１００［入
］で顕著であり、高々２０００〜３０００ ［大コの深
さにした到達しないため、レジストパターンの上面にお
いて処理反応が効果的に生じ、レジストパターンの側壁
においては十分に処理が進んでいないことが確認された
。高精度な微細加工においては、加工精度維持のために
レジストパターンの側壁においても十分な特性の改善が
達成されることが要求される。
しかし、従来報告されている装置においては、実用性に
欠ける稈長時間処理したり、光源のセツティングや光源
の周囲に設けられる反射板の配置を改良しなければなら
ない。このため、装置サイズが大きくなり、実用性に欠
けると云う問題を生じる。また、レジストパターン上面
に対する過剰な光照射は、しばしばレジストの分解反応
まで生じる結果となり、好ましくない。
欠ける稈長時間処理したり、光源のセツティングや光源
の周囲に設けられる反射板の配置を改良しなければなら
ない。このため、装置サイズが大きくなり、実用性に欠
けると云う問題を生じる。また、レジストパターン上面
に対する過剰な光照射は、しばしばレジストの分解反応
まで生じる結果となり、好ましくない。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、光照射によるレジストパターンの耐エ
ツチング特性等の改善をはかることができ、且つ処理時
間の短縮化及び装置構成の小型化をはかり得る実用性の
高いレジストパターン処理装置を提供することにある。
とするところは、光照射によるレジストパターンの耐エ
ツチング特性等の改善をはかることができ、且つ処理時
間の短縮化及び装置構成の小型化をはかり得る実用性の
高いレジストパターン処理装置を提供することにある。
本発明の骨子は、レジストパターンの側壁にも光を十分
に照射する手段として、光散乱板を用いることにある。
に照射する手段として、光散乱板を用いることにある。
即ち本発明は、被処理基板上に形成されたレジストパタ
ーンに光を照射して該パターンの耐エツチング特性等の
改善をはかるレジストパターン処理装置において、前記
基板と該基板に光を照射する光源との間に、且つ前記基
板に近接して光散乱板を配置し、この光散乱板を透過し
て散乱した光を前記レジストパターンに照射するように
したものである。
ーンに光を照射して該パターンの耐エツチング特性等の
改善をはかるレジストパターン処理装置において、前記
基板と該基板に光を照射する光源との間に、且つ前記基
板に近接して光散乱板を配置し、この光散乱板を透過し
て散乱した光を前記レジストパターンに照射するように
したものである。
なお、光散乱板としては、光源からの光が透過する際に
散乱を受けるものであれば良く、例えば表面に凹凸形状
を有するもの、或いは内部に屈折率の異なる微小領域を
有するもの等を用いることができる。
散乱を受けるものであれば良く、例えば表面に凹凸形状
を有するもの、或いは内部に屈折率の異なる微小領域を
有するもの等を用いることができる。
本発明によれば、レジストパターンの側壁にも光が有効
に照射されるので、処理時間を短くしてもレジストパタ
ーンの耐エツチング特性等を十分に向上させることがで
きる。このため、従来レジスト耐性の不足により選択で
きなかった条件下で微細加工を行うことが可能となり、
その有用性は大きい。しかも、光源の配置や反射板の配
置により被処理基板に対する入射角を変えるものと異な
り、基板の処理面と同程度の大きさの光散乱板を基板に
近接配置するのみでよいので、装置構成の小型化をはか
り得る。また、処理時間が短くて済むことから、該処理
によりレジストが分解反応を起こす等の不都合を避ける
ことができる。このように、処理時間の短縮化及び装置
構成の小型化をはかることができ、その実用性は極めて
高いものである。
に照射されるので、処理時間を短くしてもレジストパタ
ーンの耐エツチング特性等を十分に向上させることがで
きる。このため、従来レジスト耐性の不足により選択で
きなかった条件下で微細加工を行うことが可能となり、
その有用性は大きい。しかも、光源の配置や反射板の配
置により被処理基板に対する入射角を変えるものと異な
り、基板の処理面と同程度の大きさの光散乱板を基板に
近接配置するのみでよいので、装置構成の小型化をはか
り得る。また、処理時間が短くて済むことから、該処理
によりレジストが分解反応を起こす等の不都合を避ける
ことができる。このように、処理時間の短縮化及び装置
構成の小型化をはかることができ、その実用性は極めて
高いものである。
（発明の実施例）
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の第１の実施例に係わるレジストパター
ン処理装置の概略構成を示す断面図である。本実施例に
係わるレジストパターン処理装置は、紫外光を放射する
光源１１．光源１１からの光を反射する反射板１２．光
源１１及び反射板１２の前面に配置された光散乱板１３
から形成されている。そして、光散乱板１３が試料（被
処理基体）１４の表面と近接して対向配置されるものと
なっている。なお、図中１５は試料１４を載置する試料
台、１６は試料１４を加熱するヒータをそれぞれ示して
いる。
ン処理装置の概略構成を示す断面図である。本実施例に
係わるレジストパターン処理装置は、紫外光を放射する
光源１１．光源１１からの光を反射する反射板１２．光
源１１及び反射板１２の前面に配置された光散乱板１３
から形成されている。そして、光散乱板１３が試料（被
処理基体）１４の表面と近接して対向配置されるものと
なっている。なお、図中１５は試料１４を載置する試料
台、１６は試料１４を加熱するヒータをそれぞれ示して
いる。
光源１１は例えば水銀ランプからなるものであり、反射
板１２は放物面鏡等からなるものである。
板１２は放物面鏡等からなるものである。
光散乱板１３は紫外光に対し透明な材料、例えば石英基
板からなるもので、第２図にその拡大断面を示す如く下
面１３ａに凹凸が形成されている。
板からなるもので、第２図にその拡大断面を示す如く下
面１３ａに凹凸が形成されている。
そして、この凹凸により光源１１及び反射板１２からの
光は、光散乱板１３の下面１３ａを通過する際に散乱を
受け、広く拡がるものとなっている。
光は、光散乱板１３の下面１３ａを通過する際に散乱を
受け、広く拡がるものとなっている。
なお、本発明者等の実験によれば、上記光散乱板１３を
用いることにより、光散乱板１３から１［α］離れた部
分においては、第３図に示す如き入射角（試料面と直交
する方向からの角度）と光強度との関係が得られた。即
ち、試料面に直交する方向だけでなく、それより傾いた
面に対しても十分に光が照射されることが判る。これに
対し従来装置では、試料面に直交する方向の光強度だけ
が大きかったのである。
用いることにより、光散乱板１３から１［α］離れた部
分においては、第３図に示す如き入射角（試料面と直交
する方向からの角度）と光強度との関係が得られた。即
ち、試料面に直交する方向だけでなく、それより傾いた
面に対しても十分に光が照射されることが判る。これに
対し従来装置では、試料面に直交する方向の光強度だけ
が大きかったのである。
次に、上記装置を用いたレジストパターン処理方法につ
いて説明する。
いて説明する。
まず、試料１４としては、第４図に示す如く５インチの
シリコン基板４１上に厚さ０．３［μｍ］の酸化膜４２
を介して厚ざ１［μＴｒＬ］のＡβ−３ｉ合金膜４３を
形成し、この上に通常のホトリソグラフィプロセスによ
りレジストパターン４４を形成したものを用いた。この
試料１４を、前記第１図に示す如く試料台１５上に載置
し、前記ヒータ１６により１００ ［”Ｃ］程度に加熱
保持した。
シリコン基板４１上に厚さ０．３［μｍ］の酸化膜４２
を介して厚ざ１［μＴｒＬ］のＡβ−３ｉ合金膜４３を
形成し、この上に通常のホトリソグラフィプロセスによ
りレジストパターン４４を形成したものを用いた。この
試料１４を、前記第１図に示す如く試料台１５上に載置
し、前記ヒータ１６により１００ ［”Ｃ］程度に加熱
保持した。
この状態で、前記光源１１として２ ［ＫＷ］の水銀ラ
ンプを用い、６０秒間の光照射を行った。
ンプを用い、６０秒間の光照射を行った。
このとき、前記第３図に示した入射光強度の入射角依存
特性の関係から、第５図（ａ）に示す如くレジストパタ
ーン４４の上面のみならず側壁にも光が十分に照射され
ることになり、光照射によるレジストの変質層４５はレ
ジストパターン４４の上面のみならず側壁にも十分形成
される。これに対し従来装置では、レジストパターン４
４の上面のみに殆どの光が照射されることになり、レジ
ストの変質層４５はレジストパターン４４の上面のみで
、側壁には殆ど形成されなかったのである。
特性の関係から、第５図（ａ）に示す如くレジストパタ
ーン４４の上面のみならず側壁にも光が十分に照射され
ることになり、光照射によるレジストの変質層４５はレ
ジストパターン４４の上面のみならず側壁にも十分形成
される。これに対し従来装置では、レジストパターン４
４の上面のみに殆どの光が照射されることになり、レジ
ストの変質層４５はレジストパターン４４の上面のみで
、側壁には殆ど形成されなかったのである。
なお、レジストパターン４４の耐性向上に有効な光波長
は３２０ ［ｎｒｌ以下で、特に２９０［μｍ］以下の
波長域が有効である。また、１９０［ｎｍ］以下の単波
長の光は、石英ガラス、特に溶融石英ガラスを用いても
透過性が悪く、またレジストパターン４４の極表層のみ
で吸収されてしまい、さらに光源１１から供給されるこ
の波長域の光も弱かった。
は３２０ ［ｎｒｌ以下で、特に２９０［μｍ］以下の
波長域が有効である。また、１９０［ｎｍ］以下の単波
長の光は、石英ガラス、特に溶融石英ガラスを用いても
透過性が悪く、またレジストパターン４４の極表層のみ
で吸収されてしまい、さらに光源１１から供給されるこ
の波長域の光も弱かった。
上記の処理を施した試料に対し、次いで１８０［’Ｃ］
、５分のホットプレートベーキングを行った。このとき
、レジストパターン４４に変形は認められなかった。比
較のために行った通常のボストベーキング処理では、１
３０［’Ｃ］で５分の条件が限度でそれ以上の高温或い
は長時間処理においては、レジストパターンに著しい変
形が生じていた。
、５分のホットプレートベーキングを行った。このとき
、レジストパターン４４に変形は認められなかった。比
較のために行った通常のボストベーキング処理では、１
３０［’Ｃ］で５分の条件が限度でそれ以上の高温或い
は長時間処理においては、レジストパターンに著しい変
形が生じていた。
次いで、レジストパターン４４をマスクとしたＡｆｆｉ
−３ｉ合金膜４３の選択エツチングを行った。
−３ｉ合金膜４３の選択エツチングを行った。
このエツチングには、平行平板形電極構造を有するドラ
イエツチング装置を用い、ＣＣλ４ガスにより行った。
イエツチング装置を用い、ＣＣλ４ガスにより行った。
かかる処理により、レジストパターン４４の変形は減少
し、またエツチング時におけるレジスト躾減り量が２割
以上低減されていた。加えて、従来レジストパターンの
変形や躾減り量の増大のために困難であった高速エツチ
ング条件の適用が可能となり、エツチング入力電力を５
０［％］以上アップしてエツチング時間を約７０［％］
高速化したエツチング条件を用いても、従来と同様或い
はそれ以上の加工精度の向上が達成された。加工精度の
向上はレジストパターン側壁部において、十分に有効な
処理効果が得られた結果、寸法精度に優れた加工がなさ
れたからである。
し、またエツチング時におけるレジスト躾減り量が２割
以上低減されていた。加えて、従来レジストパターンの
変形や躾減り量の増大のために困難であった高速エツチ
ング条件の適用が可能となり、エツチング入力電力を５
０［％］以上アップしてエツチング時間を約７０［％］
高速化したエツチング条件を用いても、従来と同様或い
はそれ以上の加工精度の向上が達成された。加工精度の
向上はレジストパターン側壁部において、十分に有効な
処理効果が得られた結果、寸法精度に優れた加工がなさ
れたからである。
このように本実施例によれば、光散乱板１３を用いるこ
とにより、レジストパターン４４の上面だけでなく側壁
にも光を十分に照射することができる。このため、レジ
ストパターン４４の耐エツチング特性等の向上のための
光照射処理を有効に実施することができる。従って、高
速ドライエツチング等に使用するレジストパターンの処
理として極めて有効である。また、従来装置に比して光
照射処理時間が単時間で済むので、実用性に優れる。さ
らに、光散乱板１３を設けるだけの簡易な構造で実現す
ることができ、装置構成の小型化をはかり得る等の利点
もある。
とにより、レジストパターン４４の上面だけでなく側壁
にも光を十分に照射することができる。このため、レジ
ストパターン４４の耐エツチング特性等の向上のための
光照射処理を有効に実施することができる。従って、高
速ドライエツチング等に使用するレジストパターンの処
理として極めて有効である。また、従来装置に比して光
照射処理時間が単時間で済むので、実用性に優れる。さ
らに、光散乱板１３を設けるだけの簡易な構造で実現す
ることができ、装置構成の小型化をはかり得る等の利点
もある。
第６図は本発明の第２の実施例に係わる光散乱板の概略
構造を示す断面図である。この実施例は、光散乱板とし
て第６図に示す如く内部に屈折率の異なる微小ｆ［６）
を設けた透明板６０を用いることにある。即ち、溶融石
英に多数の泡状の屈折率の異なる領域６）を設けたのち
、板厚５［Ｍ］に調整した。この光散乱板６０を用いて
も、先の実施例と同様の効果が得られた。
構造を示す断面図である。この実施例は、光散乱板とし
て第６図に示す如く内部に屈折率の異なる微小ｆ［６）
を設けた透明板６０を用いることにある。即ち、溶融石
英に多数の泡状の屈折率の異なる領域６）を設けたのち
、板厚５［Ｍ］に調整した。この光散乱板６０を用いて
も、先の実施例と同様の効果が得られた。
第７図は本発明の第３の実施例に係わる光散乱板を説明
するためのもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の
矢視Ａ−Ａ断面図である。この光散乱板７０は、石英材
料から形成された透明基板７１を異方性エツチング等に
よりエツチングして、テーバ状の開口部７２を形成した
もので、開口部７２の側壁に試料面と傾斜した反射面７
３を有するものである。この場合、レジストパターンの
側壁にも光を十分に照射するには、上記光散乱板７０を
少なくとも２枚以上角度を変えて且つ開口部７２の位置
をずらして設置する必要があったが、反射する面の角度
を任意に選択することにより、レジストパターンに入射
する光の角度を有効な入射角に選択することができる。
するためのもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の
矢視Ａ−Ａ断面図である。この光散乱板７０は、石英材
料から形成された透明基板７１を異方性エツチング等に
よりエツチングして、テーバ状の開口部７２を形成した
もので、開口部７２の側壁に試料面と傾斜した反射面７
３を有するものである。この場合、レジストパターンの
側壁にも光を十分に照射するには、上記光散乱板７０を
少なくとも２枚以上角度を変えて且つ開口部７２の位置
をずらして設置する必要があったが、反射する面の角度
を任意に選択することにより、レジストパターンに入射
する光の角度を有効な入射角に選択することができる。
このような光散乱板７０を用いても、先の第１の実施例
と同様な効果が得られるのは、勿論のことである。
と同様な効果が得られるのは、勿論のことである。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。前記光散乱板は、光源からの光が透過する際に光
散乱を受け、被処理基板に垂直に入射する照射光をレジ
ストパターン側壁に有効に入射するべく、入射角を変え
る効果を生じるものであればよく、その形状は適宜変更
可能である。
ない。前記光散乱板は、光源からの光が透過する際に光
散乱を受け、被処理基板に垂直に入射する照射光をレジ
ストパターン側壁に有効に入射するべく、入射角を変え
る効果を生じるものであればよく、その形状は適宜変更
可能である。
例えば第３の実施例の変形例として、透明板に開口を半
成する代りに、透明板に所望の傾斜面を有する多数の小
片を取着するようにしてもよい。また、光散乱板は必ず
しも固定する必要はなく、移動自在に設けるようにして
もよい。そして、処理時間内に光散乱板を被処理基板表
面と平行に移動することにより、被処理基板表面の全面
に均等な処理を施すことが可能となる。また、反射板は
光源からの光を有効に利用する点からは不可欠のもので
あるが、光源の発光強度が大きく、光源から光散乱板に
直接入射し該散乱板を通しての光照射量が十分な場合は
、除去してもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で、種々変形して実施することができる。
成する代りに、透明板に所望の傾斜面を有する多数の小
片を取着するようにしてもよい。また、光散乱板は必ず
しも固定する必要はなく、移動自在に設けるようにして
もよい。そして、処理時間内に光散乱板を被処理基板表
面と平行に移動することにより、被処理基板表面の全面
に均等な処理を施すことが可能となる。また、反射板は
光源からの光を有効に利用する点からは不可欠のもので
あるが、光源の発光強度が大きく、光源から光散乱板に
直接入射し該散乱板を通しての光照射量が十分な場合は
、除去してもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で、種々変形して実施することができる。
第１図は本発明の第１の実施例に係わるレジストパター
ン処理装置の概略構成を示す断面図、第２図は上記装置
に用いた光散乱板の一部を拡大して示す断面図、第３図
は上記光散乱板を用いたときの入射光強度の入射角依存
性を示す特性図、第４図は被処理基板の概略構造を示す
断面図、第５図（ａ）（ｂ）は上記実施例の作用を説明
するための模式図、第６図は第２の実施例に係わる光散
乱板の概略構造を示す断面図、第７図（ａ）（ｂ）は第
３の実施例に係わる光散乱板の概略構造を示す平面図及
び断面図である。 １１・・・光源、１２・・・反射板、１３．６０．７０
・・・光散乱板、１４・・・試料（被処理基板）、１５
・・・試料台、１６・・・ヒータ、４１・・・Ｓｉ基板
、４２・・・酸化膜、４３・・・Ａ℃−８１合金躾、４
４・・・レジストパターン、４５・・・変質層、６）・
・・微小領域、７１・・・透明基板、７２・・・開口部
、７３・・・反射面。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第４ 凶 閃 ｔＤ Ｏ □ 循檎〈
ン処理装置の概略構成を示す断面図、第２図は上記装置
に用いた光散乱板の一部を拡大して示す断面図、第３図
は上記光散乱板を用いたときの入射光強度の入射角依存
性を示す特性図、第４図は被処理基板の概略構造を示す
断面図、第５図（ａ）（ｂ）は上記実施例の作用を説明
するための模式図、第６図は第２の実施例に係わる光散
乱板の概略構造を示す断面図、第７図（ａ）（ｂ）は第
３の実施例に係わる光散乱板の概略構造を示す平面図及
び断面図である。 １１・・・光源、１２・・・反射板、１３．６０．７０
・・・光散乱板、１４・・・試料（被処理基板）、１５
・・・試料台、１６・・・ヒータ、４１・・・Ｓｉ基板
、４２・・・酸化膜、４３・・・Ａ℃−８１合金躾、４
４・・・レジストパターン、４５・・・変質層、６）・
・・微小領域、７１・・・透明基板、７２・・・開口部
、７３・・・反射面。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第４ 凶 閃 ｔＤ Ｏ □ 循檎〈
Claims (6)
- （１）被処理基板上に形成されたレジストパターンに光
を照射する光源と、この光源と上記基板との間に設けら
れ、且つ上記基板に近接配置される光散乱板とを具備し
、前記光散乱板を介しての光照射によりレジストパター
ンの特性を向上せしめることを特徴とするレジストパタ
ーン処理装置。 - （２）前記光散乱板は、所望波長域において透明な材料
からなり、且つ少なくともその片面が透過光を散乱させ
る凹凸を有する面からなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のレジストパターン処理装置。 - （３）前記光散乱板は、内部に屈折率の異なる微小領域
を多数含む透明板からなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のレジストパターン処理装置。 - （４）前記微小領域は、前記透明板の内部に形成された
泡状領域であることを特徴とする特許請求の範囲第３項
記載のレジストパターン処理装置。 - （５）前記光散乱板は、入射光に対して傾斜した角度を
有する反射面を複数有し、前記被処理基板の表面に対す
る光の入射角を任意に選択できるものであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のレジストパターン処
理装置。 - （６）前記光源は、遠紫外光を放射するものであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレジストパタ
ーン処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60051706A JPS61210360A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | レジストパタ−ン処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60051706A JPS61210360A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | レジストパタ−ン処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61210360A true JPS61210360A (ja) | 1986-09-18 |
Family
ID=12894337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60051706A Pending JPS61210360A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | レジストパタ−ン処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61210360A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63260028A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-10-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジストの熱安定化装置 |
| JPH02285355A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-11-22 | E I Du Pont De Nemours & Co | カラープルーフのための調節可能なドツトゲインシミユレーシヨン |
| JP2009192658A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Kurihara Kogyo:Kk | 露光器 |
-
1985
- 1985-03-15 JP JP60051706A patent/JPS61210360A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63260028A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-10-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジストの熱安定化装置 |
| JPH0542133B2 (ja) * | 1986-11-19 | 1993-06-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | |
| JPH02285355A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-11-22 | E I Du Pont De Nemours & Co | カラープルーフのための調節可能なドツトゲインシミユレーシヨン |
| JP2009192658A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Kurihara Kogyo:Kk | 露光器 |
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