JPH07159638A - 光導波路デバイスの製造方法 - Google Patents
光導波路デバイスの製造方法Info
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- JPH07159638A JPH07159638A JP5310675A JP31067593A JPH07159638A JP H07159638 A JPH07159638 A JP H07159638A JP 5310675 A JP5310675 A JP 5310675A JP 31067593 A JP31067593 A JP 31067593A JP H07159638 A JPH07159638 A JP H07159638A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】光の伝搬効率がよく、動作のバラツキの少ない
リッジ型光導波路デバイスを安価に効率よく製造する方
法を提供する。 【構成】基板１上の光導波路となる部分に、基板１に拡
散させる材料で構成された膜２を形成し、この膜２を熱
拡散させる前に、この膜２と基板１の上にレジスト膜３
を形成する。つぎに、膜２の形状が、光導波路の形状に
形成されていることを利用して、これをフォトマスクの
代わりとして用い、基板１の裏面側から光４を照射し、
レジスト膜３を露光する。レジスト膜３を現像した後、
レジスト膜３の装荷されていない部分をエッチングして
凸型形状を形成してリッジ型導波路５を形成し、この後
で膜を基板中に拡散させる。
リッジ型光導波路デバイスを安価に効率よく製造する方
法を提供する。 【構成】基板１上の光導波路となる部分に、基板１に拡
散させる材料で構成された膜２を形成し、この膜２を熱
拡散させる前に、この膜２と基板１の上にレジスト膜３
を形成する。つぎに、膜２の形状が、光導波路の形状に
形成されていることを利用して、これをフォトマスクの
代わりとして用い、基板１の裏面側から光４を照射し、
レジスト膜３を露光する。レジスト膜３を現像した後、
レジスト膜３の装荷されていない部分をエッチングして
凸型形状を形成してリッジ型導波路５を形成し、この後
で膜を基板中に拡散させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信、光計測等に用
いられる光導波路デバイスの製造方法に係わり、特に、
リッジ型の光導波路を用いたデバイスの製造方法に関す
る。
いられる光導波路デバイスの製造方法に係わり、特に、
リッジ型の光導波路を用いたデバイスの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信、光計測等の分野で、光導
波路デバイスが注目されている。その理由は、光導波路
デバイスを用いることにより、光学系の小型、軽量化を
図ることができ、また、光軸の調整が不要になるという
利点を有しているからである。
波路デバイスが注目されている。その理由は、光導波路
デバイスを用いることにより、光学系の小型、軽量化を
図ることができ、また、光軸の調整が不要になるという
利点を有しているからである。
【０００３】これら光導波路デバイスに用いられる光導
波の形状としては、埋込型やリッジ型、ファイバ型など
があるが、電気光学効果を利用した光導波路デバイスと
しては、導波路や電極の形成しやすさから、埋込型やリ
ッジ型の光導波路が用いられている。これらは、電気光
学効果を有する結晶で形成された基板上につくり込ま
れ、さらに電極を形成して、光の変調やスイッチング等
を行なうデバイスを構成する。例えば、基板としては、
ＬｉＮｂＯ3の結晶が用いられる。
波の形状としては、埋込型やリッジ型、ファイバ型など
があるが、電気光学効果を利用した光導波路デバイスと
しては、導波路や電極の形成しやすさから、埋込型やリ
ッジ型の光導波路が用いられている。これらは、電気光
学効果を有する結晶で形成された基板上につくり込ま
れ、さらに電極を形成して、光の変調やスイッチング等
を行なうデバイスを構成する。例えば、基板としては、
ＬｉＮｂＯ3の結晶が用いられる。
【０００４】リッジ型の光導波路を用いたデバイスとし
ては、従来、図３（ｈ）に示すように、ＬｉＮｂＯ3の
結晶の基板１３にリッジ型の光導波路１５を形成し、こ
の上にさらに、バッファ層１９と電極２０とを順に形成
した光導波路デバイスが知られている。この光導波路デ
バイスは、光導波路１５の部分にＴｉを拡散させて屈折
率を高めている。
ては、従来、図３（ｈ）に示すように、ＬｉＮｂＯ3の
結晶の基板１３にリッジ型の光導波路１５を形成し、こ
の上にさらに、バッファ層１９と電極２０とを順に形成
した光導波路デバイスが知られている。この光導波路デ
バイスは、光導波路１５の部分にＴｉを拡散させて屈折
率を高めている。
【０００５】ここで、図３（ｈ）の光導波デバイスの製
造方法について、簡単に説明する。
造方法について、簡単に説明する。
【０００６】まず図３（ａ）のように、ＬｉＮｂＯ3の
基板１３の上、リフトオフ法により光導波路の形状にＴ
ｉ膜を形成する。これを電気炉中で加熱するとＴｉが基
板１３中へ拡散し、光導波路１５が形成される（図３
（ｂ））。つぎに基板１３の表面にポジ型レジスト膜１
６を塗布により形成し（図３（ｃ））、この上にリッジ
構造加工用の光導波路１５と同形状のフォトマスク１７
を重ねて、フォトマスク１７の上方から紫外線１８を照
射し、ポジ型レジスト膜１６を露光する（図３
（ｄ））。
基板１３の上、リフトオフ法により光導波路の形状にＴ
ｉ膜を形成する。これを電気炉中で加熱するとＴｉが基
板１３中へ拡散し、光導波路１５が形成される（図３
（ｂ））。つぎに基板１３の表面にポジ型レジスト膜１
６を塗布により形成し（図３（ｃ））、この上にリッジ
構造加工用の光導波路１５と同形状のフォトマスク１７
を重ねて、フォトマスク１７の上方から紫外線１８を照
射し、ポジ型レジスト膜１６を露光する（図３
（ｄ））。
【０００７】現像すると、フォトマスク１７の形状のパ
ターンがレジスト膜１６に転写され、レジスト膜１６
は、光導波路１５上にのみ残る（図３（ｅ））。つぎ
に、ＡｒとＣＦ6の混合ガスを用いて、ケミカルアシス
テッドＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマエッ
チング法で、レジスト膜１６が装荷されていない部分の
基板１３をエッチングする（図３（ｆ））。レジスト膜
１６を取り除くと、リッジ型光導波路が形成される（図
３（ｇ））。最後に、バッファ層１９と、電極２０を形
成し、光導波路デバイスが完成する（図３（ｈ））。バ
ッファ層１９は、光導波路１５より屈折率が小さく、か
つ、絶縁性の材料で形成する。
ターンがレジスト膜１６に転写され、レジスト膜１６
は、光導波路１５上にのみ残る（図３（ｅ））。つぎ
に、ＡｒとＣＦ6の混合ガスを用いて、ケミカルアシス
テッドＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマエッ
チング法で、レジスト膜１６が装荷されていない部分の
基板１３をエッチングする（図３（ｆ））。レジスト膜
１６を取り除くと、リッジ型光導波路が形成される（図
３（ｇ））。最後に、バッファ層１９と、電極２０を形
成し、光導波路デバイスが完成する（図３（ｈ））。バ
ッファ層１９は、光導波路１５より屈折率が小さく、か
つ、絶縁性の材料で形成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来のリッジ型
光導波路のデバイスの製造方法は、光導波路１５と同形
状のフォトマスク１７を別途用意する必要があるため製
造コストがかかる。
光導波路のデバイスの製造方法は、光導波路１５と同形
状のフォトマスク１７を別途用意する必要があるため製
造コストがかかる。
【０００９】また、図３（ｄ）の工程で、フォトマスク
１７を光導波路１５の位置あわせて正確にアライメント
する必要がある。この際、フォトマスク１７と光導波路
１５の位置がずれると、リッジ構造の凸型形状と、光導
波路１５のＴｉを拡散した領域とがずれることになり、
凸型形状の中に、Ｔｉの拡散している領域と拡散してい
ない領域とが存在してしまう。このような場合、リッジ
型光導波路の伝搬損失が増加したり、デバイスの動作特
性にバラツキが生じることになる。したがって、図３
（ｄ）の工程で、光導波路１５とフォトマスク１７を高
精度に位置あわせしなければならず、手間がかかり、製
造効率を低下させる要因となっている。
１７を光導波路１５の位置あわせて正確にアライメント
する必要がある。この際、フォトマスク１７と光導波路
１５の位置がずれると、リッジ構造の凸型形状と、光導
波路１５のＴｉを拡散した領域とがずれることになり、
凸型形状の中に、Ｔｉの拡散している領域と拡散してい
ない領域とが存在してしまう。このような場合、リッジ
型光導波路の伝搬損失が増加したり、デバイスの動作特
性にバラツキが生じることになる。したがって、図３
（ｄ）の工程で、光導波路１５とフォトマスク１７を高
精度に位置あわせしなければならず、手間がかかり、製
造効率を低下させる要因となっている。
【００１０】本発明は、光の伝搬効率がよく、動作のバ
ラツキの少ないリッジ型光導波路デバイスを安価に効率
よく製造する方法を提供することを目的とする。
ラツキの少ないリッジ型光導波路デバイスを安価に効率
よく製造する方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、基板上の光導波路となる部分に、基板
に拡散させる材料で構成された膜を形成し、基板と膜の
上にレジスト膜を形成する。ここで、基板の裏面からレ
ジスト膜に対して照射して、レジスト膜を露光させる。
光の波長としては、基板を透過し、かつ、レジスト膜を
感光させ、かつ、拡散材料の膜を透過しない波長の光を
用いる。そして、レジスト膜を現像して、拡散材料の膜
上にのみレジスト膜を残し、レジスト膜が装荷されてい
ない部分の基板をエッチングして、リッジ構造を形成し
た後、レジスト膜を剥離し、拡散材料で構成された膜を
基板中に拡散させてリッジ型光導波路デバイスを形成す
る。
に、本発明では、基板上の光導波路となる部分に、基板
に拡散させる材料で構成された膜を形成し、基板と膜の
上にレジスト膜を形成する。ここで、基板の裏面からレ
ジスト膜に対して照射して、レジスト膜を露光させる。
光の波長としては、基板を透過し、かつ、レジスト膜を
感光させ、かつ、拡散材料の膜を透過しない波長の光を
用いる。そして、レジスト膜を現像して、拡散材料の膜
上にのみレジスト膜を残し、レジスト膜が装荷されてい
ない部分の基板をエッチングして、リッジ構造を形成し
た後、レジスト膜を剥離し、拡散材料で構成された膜を
基板中に拡散させてリッジ型光導波路デバイスを形成す
る。
【００１２】
【作用】本発明は、光導波路の屈折率をあげるために基
板に熱拡散される膜の形状が、光導波路の形状に形成さ
れることを利用して、これをフォトマスクの代わりとし
て用いるものである。
板に熱拡散される膜の形状が、光導波路の形状に形成さ
れることを利用して、これをフォトマスクの代わりとし
て用いるものである。
【００１３】すなわち、基板上の光導波路となる部分
に、基板に拡散させる材料で構成された膜を形成し、こ
の膜を熱拡散させる前に、この膜と基板の上にレジスト
膜を形成する。そして、このレジスト膜を露光するため
に、拡散材料の膜を利用する。膜は、レジスト膜よりも
基板側に位置するので、基板の裏面側から光を照射す
る。したがって、照射する光は、基板を透過し、かつ、
レジスト膜を感光させ、かつ、拡散材料の膜を透過しな
い波長である必要がある。一般にレジスト膜の露光によ
く用いられる紫外線は、基板としてよく用いられるＬｉ
ＮｂＯ3等を透過し、拡散材料としてよく用いられる金
属を透過しない性質があるため、このような方法で露光
することは十分可能である。
に、基板に拡散させる材料で構成された膜を形成し、こ
の膜を熱拡散させる前に、この膜と基板の上にレジスト
膜を形成する。そして、このレジスト膜を露光するため
に、拡散材料の膜を利用する。膜は、レジスト膜よりも
基板側に位置するので、基板の裏面側から光を照射す
る。したがって、照射する光は、基板を透過し、かつ、
レジスト膜を感光させ、かつ、拡散材料の膜を透過しな
い波長である必要がある。一般にレジスト膜の露光によ
く用いられる紫外線は、基板としてよく用いられるＬｉ
ＮｂＯ3等を透過し、拡散材料としてよく用いられる金
属を透過しない性質があるため、このような方法で露光
することは十分可能である。
【００１４】この後、レジスト膜の装荷されていない部
分をエッチングすることにより凸型形状を形成してリッ
ジ型導波路を形成し、この後で膜を基板中に拡散させる
ことにより、リッジ型導波路の凸型部分にのみ膜が拡散
し、リッジ型光導波路デバイスを形成することができ
る。
分をエッチングすることにより凸型形状を形成してリッ
ジ型導波路を形成し、この後で膜を基板中に拡散させる
ことにより、リッジ型導波路の凸型部分にのみ膜が拡散
し、リッジ型光導波路デバイスを形成することができ
る。
【００１５】このように、拡散材料の膜をフォトマスク
の代わりとして利用することにより、フォトマスクを別
途用意する必要がなく、しかも、現像後のレジストの形
状を拡散材料の膜と完全に一致させることができるた
め、リッジ型導波路の凸型形状と、膜が拡散する領域と
がずれる恐れがなくなる。また、従来のようにフォトマ
スクと光導波路とを正確にアライメントする必要もな
い。
の代わりとして利用することにより、フォトマスクを別
途用意する必要がなく、しかも、現像後のレジストの形
状を拡散材料の膜と完全に一致させることができるた
め、リッジ型導波路の凸型形状と、膜が拡散する領域と
がずれる恐れがなくなる。また、従来のようにフォトマ
スクと光導波路とを正確にアライメントする必要もな
い。
【００１６】
【実施例】本発明の一実施例の光導波路デバイスの製造
方法を図面を用いて説明する。
方法を図面を用いて説明する。
【００１７】本実施例の光導波路デバイスは、図２に示
すように、分岐干渉型光変調器である。まず、分岐干渉
型光変調器の構成と動作について、図２、図１（ｇ）を
用いて説明する。
すように、分岐干渉型光変調器である。まず、分岐干渉
型光変調器の構成と動作について、図２、図１（ｇ）を
用いて説明する。
【００１８】図２、図１（ｇ）のように、電気光学効果
を有するＬｉＮｂＯ3の結晶で形成されている基板１に
は、光導波路５が形成されている。光導波路５は、リッ
ジ型光導波路であり、凸型部分にはＴｉが拡散されて屈
折率を高められており、光は凸型部分を伝搬する。光導
波路５の入射端１１および出射端１２は、それぞれ１つ
であるが、途中で２本の光導波路５に分岐し、再び一本
に合流している。光導波路５の上には、バッファ層６が
設けられ、分岐した２本の光導波路５の部分には、電極
膜７がそれぞれ配置されている。
を有するＬｉＮｂＯ3の結晶で形成されている基板１に
は、光導波路５が形成されている。光導波路５は、リッ
ジ型光導波路であり、凸型部分にはＴｉが拡散されて屈
折率を高められており、光は凸型部分を伝搬する。光導
波路５の入射端１１および出射端１２は、それぞれ１つ
であるが、途中で２本の光導波路５に分岐し、再び一本
に合流している。光導波路５の上には、バッファ層６が
設けられ、分岐した２本の光導波路５の部分には、電極
膜７がそれぞれ配置されている。
【００１９】分岐された２本の光導波路５の部分には、
電極膜７から電界が印加され、屈折率が変化している。
入射端１１から入射した光は、この部分を伝搬すること
により位相変調され、再び合波される際に互いに干渉す
るため、電極膜７から印加される電界の条件によって強
めあったり弱めあったりする。したがって、電極膜７か
ら印加する電界を調節することにより、出射端１２から
出射される光強度が変調される。
電極膜７から電界が印加され、屈折率が変化している。
入射端１１から入射した光は、この部分を伝搬すること
により位相変調され、再び合波される際に互いに干渉す
るため、電極膜７から印加される電界の条件によって強
めあったり弱めあったりする。したがって、電極膜７か
ら印加する電界を調節することにより、出射端１２から
出射される光強度が変調される。
【００２０】つぎに、本実施例の光導波路デバイスの製
造方法について説明する。
造方法について説明する。
【００２１】まず、図１（ａ）のように、ＬｉＮｂＯ3
の基板１の上、リフトオフ法により光導波路の形状にＴ
ｉ膜２を形成する。つぎに、基板１とＴｉ膜２の表面に
ポジ型レジスト膜３を塗布により形成し、基板１の裏面
側から紫外線４を照射し、ポジ型レジスト膜３を露光す
る（図１（ｂ））。
の基板１の上、リフトオフ法により光導波路の形状にＴ
ｉ膜２を形成する。つぎに、基板１とＴｉ膜２の表面に
ポジ型レジスト膜３を塗布により形成し、基板１の裏面
側から紫外線４を照射し、ポジ型レジスト膜３を露光す
る（図１（ｂ））。
【００２２】現像すると、Ｔｉ膜２のパターンがレジス
ト膜３に転写され、レジスト膜３は、Ｔｉ膜２上にのみ
残る（図１（ｃ））。つぎに、反応性イオンエッチング
法で、基板１をエッチングすると、レジスト膜３が装荷
されていない部分の基板１がエッチングされ、リッジ構
造（凸型構造）が形成される（図１（ｄ））。レジスト
膜３を取り除き（図１（ｅ））、Ｔｉ膜２を拡散させる
と、Ｔｉ膜は、凸型構造部に拡散して、リッジ型導波路
５が形成される（図１（ｆ））。最後に、バッファ層６
と、電極７を形成し、光導波路デバイスが完成する（図
１（ｇ））。バッファ層６は、光導波路５より屈折率が
小さく、かつ、絶縁性で、しかも、光導波路５を伝搬す
る光を吸収しない材料で形成する。これにより、本実施
例の分岐干渉型光変調器が完成する。
ト膜３に転写され、レジスト膜３は、Ｔｉ膜２上にのみ
残る（図１（ｃ））。つぎに、反応性イオンエッチング
法で、基板１をエッチングすると、レジスト膜３が装荷
されていない部分の基板１がエッチングされ、リッジ構
造（凸型構造）が形成される（図１（ｄ））。レジスト
膜３を取り除き（図１（ｅ））、Ｔｉ膜２を拡散させる
と、Ｔｉ膜は、凸型構造部に拡散して、リッジ型導波路
５が形成される（図１（ｆ））。最後に、バッファ層６
と、電極７を形成し、光導波路デバイスが完成する（図
１（ｇ））。バッファ層６は、光導波路５より屈折率が
小さく、かつ、絶縁性で、しかも、光導波路５を伝搬す
る光を吸収しない材料で形成する。これにより、本実施
例の分岐干渉型光変調器が完成する。
【００２３】本実施例では、光導波路５に拡散させるた
めのＴｉ膜２が光導波路の形状に形成されることを利用
して、図１（ｂ）の工程において、Ｔｉ膜２をフォトマ
スクの代わりとして用いる。レジスト膜３は、Ｔｉ膜２
の上に形成されるので、紫外線４は、基板１の裏面側か
ら照射している。このように、Ｔｉ膜２をフォトマスク
として用いることにより、リッジ構造を加工するための
フォトマスクを別途用意する必要がないだけでなく、従
来のようにフォトマスクと光導波との位置あわせは必要
なくなる。したがって、Ｔｉ膜５を拡散させる領域と、
フォトマスクを用いて加工されるリッジ構造との位置ず
れが全くなくなる。これにより、伝搬損失が少ないリッ
ジ型光導波路を提供することができる。また、この光導
波路を用いた分岐干渉型光変調器の動作特性のバラツキ
を小さくすることができる。
めのＴｉ膜２が光導波路の形状に形成されることを利用
して、図１（ｂ）の工程において、Ｔｉ膜２をフォトマ
スクの代わりとして用いる。レジスト膜３は、Ｔｉ膜２
の上に形成されるので、紫外線４は、基板１の裏面側か
ら照射している。このように、Ｔｉ膜２をフォトマスク
として用いることにより、リッジ構造を加工するための
フォトマスクを別途用意する必要がないだけでなく、従
来のようにフォトマスクと光導波との位置あわせは必要
なくなる。したがって、Ｔｉ膜５を拡散させる領域と、
フォトマスクを用いて加工されるリッジ構造との位置ず
れが全くなくなる。これにより、伝搬損失が少ないリッ
ジ型光導波路を提供することができる。また、この光導
波路を用いた分岐干渉型光変調器の動作特性のバラツキ
を小さくすることができる。
【００２４】また、上述のように、フォトマスクを別途
用意する必要がなく、これによってフォトマスクのアラ
イメントの工程も必要ないため、製造コストを低減する
ことができる。また、精密なアライメントをするために
必要としていた時間を削減することができるので、製造
効率を向上させることができる。
用意する必要がなく、これによってフォトマスクのアラ
イメントの工程も必要ないため、製造コストを低減する
ことができる。また、精密なアライメントをするために
必要としていた時間を削減することができるので、製造
効率を向上させることができる。
【００２５】本実施例では、基板１のエッチング方法と
して、反応性イオンエッチング法を用いたが、ＡｒとＣ
Ｆ6の混合ガスを用いたケミカルアシステッドＥＣＲ
（電子サイクロトロン共鳴）プラズマエッチング法や、
ミリング法、スパッタエッチング等を用いることももち
ろん可能である。
して、反応性イオンエッチング法を用いたが、ＡｒとＣ
Ｆ6の混合ガスを用いたケミカルアシステッドＥＣＲ
（電子サイクロトロン共鳴）プラズマエッチング法や、
ミリング法、スパッタエッチング等を用いることももち
ろん可能である。
【００２６】また、基板１としては、電気光学効果を有
する他の基板を用いることができ、例えば、ＬｉＴａＯ
3結晶基板を用いることができる。基板１として、Ｌｉ
ＮｂＯ3を用いた場合には、リッジ構造部分に拡散させ
る元素として、Ｔｉ以外に、Ｖ，Ｎｉ，Ｃｕ等の遷移金
属を用いることができる。基板１として、ＬｉＴａＯ3
を用いた場合には、Ｃｕ，Ｎｂ等の遷移金属を用いるこ
とができる。
する他の基板を用いることができ、例えば、ＬｉＴａＯ
3結晶基板を用いることができる。基板１として、Ｌｉ
ＮｂＯ3を用いた場合には、リッジ構造部分に拡散させ
る元素として、Ｔｉ以外に、Ｖ，Ｎｉ，Ｃｕ等の遷移金
属を用いることができる。基板１として、ＬｉＴａＯ3
を用いた場合には、Ｃｕ，Ｎｂ等の遷移金属を用いるこ
とができる。
【００２７】本実施例では、光導波路デバイスとして、
分岐干渉型光変調器を示したが、これに限らず、リッジ
型光導波路を用いるデバイスであれば、リッジ型光導波
路部分を本実施例の方法で製造することにより、同様の
効果が得られる。
分岐干渉型光変調器を示したが、これに限らず、リッジ
型光導波路を用いるデバイスであれば、リッジ型光導波
路部分を本実施例の方法で製造することにより、同様の
効果が得られる。
【００２８】また、本実施例では、電極膜７を光導波路
５の真上に配置したが、これに限定されるものではな
く、基板の結晶方位等に合わせて、最適な電極膜７の配
置を定めることができる。
５の真上に配置したが、これに限定されるものではな
く、基板の結晶方位等に合わせて、最適な電極膜７の配
置を定めることができる。
【００２９】また、上述の実施例とは別の製造方法とし
て、基板の上面全体にＴｉ膜を形成し、さらにレジスト
膜を形成し、光導波路形状のフォトマスクを用いて、レ
ジスト膜を光導波路形状に加工し、加工したレジスト膜
でＴｉ膜と基板とを一度にエッチングする方法用いるこ
とができる。この後、Ｔｉ膜を基板に拡散させると図１
（ｆ）の構造のリッジ型光導波路が形成される。この方
法においては、フォトマスクを用いるが、１枚のマスク
で、Ｔｉ膜と基板のリッジ構造のエッチングをおこなえ
るので、精密な位置あわせは必要なく、上述の実施例と
同様の効果が得られる。
て、基板の上面全体にＴｉ膜を形成し、さらにレジスト
膜を形成し、光導波路形状のフォトマスクを用いて、レ
ジスト膜を光導波路形状に加工し、加工したレジスト膜
でＴｉ膜と基板とを一度にエッチングする方法用いるこ
とができる。この後、Ｔｉ膜を基板に拡散させると図１
（ｆ）の構造のリッジ型光導波路が形成される。この方
法においては、フォトマスクを用いるが、１枚のマスク
で、Ｔｉ膜と基板のリッジ構造のエッチングをおこなえ
るので、精密な位置あわせは必要なく、上述の実施例と
同様の効果が得られる。
【００３０】
【発明の効果】上述のように、本発明によれば、光の伝
搬効率がよく、動作のバラツキの少ないリッジ型光導波
路デバイスを安価に効率よく製造することができる。
搬効率がよく、動作のバラツキの少ないリッジ型光導波
路デバイスを安価に効率よく製造することができる。
【図１】（ａ）〜（ｇ）本発明の一実施例の分岐干渉型
光変調器の製造工程を示す断面図。
光変調器の製造工程を示す断面図。
【図２】本発明の一実施例の分岐干渉型光変調器の構成
を示す上面図。
を示す上面図。
【図３】従来のリッジ型光導波路デバイスの製造方法を
示す断面図。
示す断面図。
１、１３…ＬｉＮｂＯ3基板、２、１４…Ｔｉ膜、３、
１６…レジスト膜、４、１８…紫外線、５、１５…光導
波路、６、１９…バッファ層、７、２０…電極膜、１１
…入射端、１２…出射端、１７…フォトマスク。
１６…レジスト膜、４、１８…紫外線、５、１５…光導
波路、６、１９…バッファ層、７、２０…電極膜、１１
…入射端、１２…出射端、１７…フォトマスク。
Claims (3)
- 【請求項１】リッジ型光導波路を有する光導波路デバイ
スの製造方法であって、 基板上の光導波路となる部分に、前記基板に拡散させる
材料で構成された膜を形成し、 前記基板と前記膜の上にレジスト膜を形成し、 前記基板を透過し、かつ、前記レジスト膜を感光させ、
かつ、前記拡散材料の膜を透過しない波長の光を、前記
基板の裏面から前記レジスト膜に対して照射して、前記
レジスト膜を露光し、 前記レジスト膜のうち、感光した部分を取り除くことに
より、前記拡散材料の膜上にのみレジスト膜を残し、 前記レジスト膜が被覆されていない部分の前記基板をエ
ッチングして、リッジ構造を形成した後、前記レジスト
膜を剥離し、前記拡散材料で構成された膜を前記基板中
に拡散させてリッジ型光導波路を形成する工程を有する
ことを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。 - 【請求項２】請求項１において、前記基板上に、さら
に、前記拡散材料で構成された膜の元素が拡散した基板
部分よりも屈折率が小さく、かつ、絶縁性の材料で形成
されたバッファ層と、電極膜とを順に形成する工程を有
することを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記基板とし
て、ＬｉＮｂＯ3基板を用い、前記拡散材料で構成され
た膜を、Ｔｉを含む材料で形成することを特徴とする光
導波路デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5310675A JPH07159638A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 光導波路デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5310675A JPH07159638A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 光導波路デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07159638A true JPH07159638A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=18008106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5310675A Withdrawn JPH07159638A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 光導波路デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07159638A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002373887A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Ulvac Japan Ltd | 高誘電体のエッチング装置 |
| JP2010139798A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Adeka Corp | 光導波路の製造方法 |
-
1993
- 1993-12-10 JP JP5310675A patent/JPH07159638A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002373887A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Ulvac Japan Ltd | 高誘電体のエッチング装置 |
| JP4666817B2 (ja) * | 2001-06-15 | 2011-04-06 | 株式会社アルバック | 高誘電体のエッチング装置 |
| JP2010139798A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Adeka Corp | 光導波路の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010306 |