JPH07159637A - リッジ型光導波路の製造方法 - Google Patents
リッジ型光導波路の製造方法Info
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- JPH07159637A JPH07159637A JP5310289A JP31028993A JPH07159637A JP H07159637 A JPH07159637 A JP H07159637A JP 5310289 A JP5310289 A JP 5310289A JP 31028993 A JP31028993 A JP 31028993A JP H07159637 A JPH07159637 A JP H07159637A
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- proton exchange
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- ridge
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リッジ構造の光導波路でありながら、作製工
程が少なく、かつ、リッジ構造と光導波路との位置ずれ
が起こらないようにする。 【構成】 基板表面１に金属２を光導波路パターンと同
じ形状に形成する第１の工程と、光導波路パターン形状
に形成された金属２をマスクとして金属２が形成されて
いない基板１をプロトン交換する第２の工程と、プロト
ン交換が行われた基板の領域３をエッチングする第３の
工程と、金属２を前記基板中に拡散する第４の工程とか
ら構成する。
程が少なく、かつ、リッジ構造と光導波路との位置ずれ
が起こらないようにする。 【構成】 基板表面１に金属２を光導波路パターンと同
じ形状に形成する第１の工程と、光導波路パターン形状
に形成された金属２をマスクとして金属２が形成されて
いない基板１をプロトン交換する第２の工程と、プロト
ン交換が行われた基板の領域３をエッチングする第３の
工程と、金属２を前記基板中に拡散する第４の工程とか
ら構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信、光計測等に用
いられるリッジ型光導波路の製造方法に関する。
いられるリッジ型光導波路の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信、光計測等の分野で光導波
路デバイスが注目されている。その理由は光導波路デバ
イスを用いることにより光学系の小型、軽量化を図るこ
とができ、また、光軸の調整が不要になるという利点を
有しているからである。光導波路デバイスの基板に電気
光学効果を有する結晶を用いた場合、光の変調、スイッ
チング等を行なうことができる。電気光学効果を有する
結晶としては、ＬｉＮｂＯ3（ニオブ酸リチウム）がよ
く用いられている。
路デバイスが注目されている。その理由は光導波路デバ
イスを用いることにより光学系の小型、軽量化を図るこ
とができ、また、光軸の調整が不要になるという利点を
有しているからである。光導波路デバイスの基板に電気
光学効果を有する結晶を用いた場合、光の変調、スイッ
チング等を行なうことができる。電気光学効果を有する
結晶としては、ＬｉＮｂＯ3（ニオブ酸リチウム）がよ
く用いられている。
【０００３】光導波路の構造には、埋め込み型、リッジ
型、装荷型等があるが、中でもリッジ型光導波路は光の
閉じ込め効果が大きいため、低電圧駆動光変調器、光ス
イッチへの応用が期待できる。また、光導波路をリッジ
構造にすることによって、光変調器、光スイッチで問題
になっているＤＣドリフトを大幅に低減できるという宮
澤らの報告もある（１９９３年電子情報通信学会秋季大
会Ｃ−１７４）。ＤＣドリフトとは、一定の直流電圧印
加の下でもデバイスの出力光強度が時間の経過とともに
変化してしまうという現象である。
型、装荷型等があるが、中でもリッジ型光導波路は光の
閉じ込め効果が大きいため、低電圧駆動光変調器、光ス
イッチへの応用が期待できる。また、光導波路をリッジ
構造にすることによって、光変調器、光スイッチで問題
になっているＤＣドリフトを大幅に低減できるという宮
澤らの報告もある（１９９３年電子情報通信学会秋季大
会Ｃ−１７４）。ＤＣドリフトとは、一定の直流電圧印
加の下でもデバイスの出力光強度が時間の経過とともに
変化してしまうという現象である。
【０００４】図４（ａ）〜（ｈ）にリッジ型光導波路の
作製方法の従来例の工程図を示す。（ａ）〜（ｈ）は工
程順を示すものであり、光導波路の断面を示した図であ
る。ＬｉＮｂＯ3基板２１上にリフトオフ法により光導
波路の形状にＴｉ膜２２が形成されたものである
（ａ）。これを電気炉中で加熱するとＴｉがＬｉＮｂＯ
3基板２１中へ拡散し、光導波路２３が形成される
（ｂ）。ＬｉＮｂＯ3基板２１表面にポジ形レジスト２
４を塗布し（ｃ）、リッジ構造加工用のフォトマスク２
５を重ね、紫外線２６を照射し露光する（ｄ）。現像す
るとフォトマスクのパターンがレジスト２４に転写され
る（ｅ）。Ａｒ＋ＣＦ6ガスを用いてケミカルアシステ
ッドＥＣＲエッチング法で、レジスト２４が装荷されて
いない部分のＬｉＮｂＯ3をエッチングする（ｆ）。最
後にレジストを取り除く（ｇ）。
作製方法の従来例の工程図を示す。（ａ）〜（ｈ）は工
程順を示すものであり、光導波路の断面を示した図であ
る。ＬｉＮｂＯ3基板２１上にリフトオフ法により光導
波路の形状にＴｉ膜２２が形成されたものである
（ａ）。これを電気炉中で加熱するとＴｉがＬｉＮｂＯ
3基板２１中へ拡散し、光導波路２３が形成される
（ｂ）。ＬｉＮｂＯ3基板２１表面にポジ形レジスト２
４を塗布し（ｃ）、リッジ構造加工用のフォトマスク２
５を重ね、紫外線２６を照射し露光する（ｄ）。現像す
るとフォトマスクのパターンがレジスト２４に転写され
る（ｅ）。Ａｒ＋ＣＦ6ガスを用いてケミカルアシステ
ッドＥＣＲエッチング法で、レジスト２４が装荷されて
いない部分のＬｉＮｂＯ3をエッチングする（ｆ）。最
後にレジストを取り除く（ｇ）。
【０００５】上記の方法によりリッジ型光導波路が作製
される。
される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来の
作製方法ではリッジ構造の作製工程で、リッジ構造加工
用のフォトマスクを別途用意し、露光時に光導波路の位
置に合わせてアライメントしなければならず、手間がか
かった。また、アライメントがずれることによりリッジ
と光導波路との位置が相対的にずれ、光導波路を伝搬す
る導波光の伝搬損失が増加したり、光導波路デバイスの
特性にばらつきがでるという問題点があった。
作製方法ではリッジ構造の作製工程で、リッジ構造加工
用のフォトマスクを別途用意し、露光時に光導波路の位
置に合わせてアライメントしなければならず、手間がか
かった。また、アライメントがずれることによりリッジ
と光導波路との位置が相対的にずれ、光導波路を伝搬す
る導波光の伝搬損失が増加したり、光導波路デバイスの
特性にばらつきがでるという問題点があった。
【０００７】本発明は上記問題点を鑑みて成されたもの
であり、リッジ構造の光導波路でありながら、作製工程
が少なく、かつ、リッジ構造と光導波路との位置ずれの
起こらないリッジ型光導波路の製造方法を提供すること
を目的とする。
であり、リッジ構造の光導波路でありながら、作製工程
が少なく、かつ、リッジ構造と光導波路との位置ずれの
起こらないリッジ型光導波路の製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意研究の
結果、ＨＦ溶液に対しては、プロトン交換された基板
（例えば、ＬｉＮｂＯ3基板等）は、通常の基板に比べ
て約１０００倍のエッチングレートを有するということ
を見出した。また、光導波路を形成する材料（例えば、
Ｔｉ等）をマスクとして、この光導波路を形成する材料
が無い部分をプロトン交換することができることを見出
した。
結果、ＨＦ溶液に対しては、プロトン交換された基板
（例えば、ＬｉＮｂＯ3基板等）は、通常の基板に比べ
て約１０００倍のエッチングレートを有するということ
を見出した。また、光導波路を形成する材料（例えば、
Ｔｉ等）をマスクとして、この光導波路を形成する材料
が無い部分をプロトン交換することができることを見出
した。
【０００９】従って、光導波路を形成する基板上に光導
波路を形成する材料をパターニングし、その後、この材
料をマスクとしてプロトン交換する。その後、この基板
全体をＨＦ溶液でエッチングすることによって、リッジ
構造と光導波路を形成する部分の位置ずれが起こらず、
作製工程を少なくして、リッジ型光導波路を製造するこ
とができることを見出し、本発明をなすに至った。
波路を形成する材料をパターニングし、その後、この材
料をマスクとしてプロトン交換する。その後、この基板
全体をＨＦ溶液でエッチングすることによって、リッジ
構造と光導波路を形成する部分の位置ずれが起こらず、
作製工程を少なくして、リッジ型光導波路を製造するこ
とができることを見出し、本発明をなすに至った。
【００１０】従って、本発明のリッジ型光導波路の製造
方法は、第１に『基板表面に金属を光導波路パターンと
同じ形状に形成する第１の工程と、前記光導波路パター
ン形状に形成された金属をマスクとして前記金属が形成
されていない基板をプロトン交換する第２の工程と、前
記プロトン交換が行われた基板の領域をエッチングする
第３の工程と、前記金属を前記基板中に拡散する第４の
工程と（請求項１）』から構成する。
方法は、第１に『基板表面に金属を光導波路パターンと
同じ形状に形成する第１の工程と、前記光導波路パター
ン形状に形成された金属をマスクとして前記金属が形成
されていない基板をプロトン交換する第２の工程と、前
記プロトン交換が行われた基板の領域をエッチングする
第３の工程と、前記金属を前記基板中に拡散する第４の
工程と（請求項１）』から構成する。
【００１１】また、好ましくは、第２に『前記金属はＴ
ｉであり、前記基板はＬｉＮｂＯ3であること（請求項
２）』から構成する。また、基板にプロトン交換を行っ
てプロトン交換領域を形成して、このプロトン交換領域
の一部をエッチングすることによってリッジ型光導波路
を形成しても作製工程を少なくして、かつ、リッジ構造
と光導波路を形成する部分の位置ずれが起きないことを
見出した。
ｉであり、前記基板はＬｉＮｂＯ3であること（請求項
２）』から構成する。また、基板にプロトン交換を行っ
てプロトン交換領域を形成して、このプロトン交換領域
の一部をエッチングすることによってリッジ型光導波路
を形成しても作製工程を少なくして、かつ、リッジ構造
と光導波路を形成する部分の位置ずれが起きないことを
見出した。
【００１２】従って、第３に『基板表面にプロトン交換
を行いプロトン交換領域を形成する第１の工程と、前記
プロトン交換領域の上に光導波路パターンと同じ形状に
プロトン交換領域保護層を形成する第２の工程と、前記
プロトン交換領域保護層で覆われていない前記プロトン
交換領域をエッチングする第３の工程と、前記プロトン
交換領域保護層をエッチングする第４の工程と（請求項
３）』から構成する。
を行いプロトン交換領域を形成する第１の工程と、前記
プロトン交換領域の上に光導波路パターンと同じ形状に
プロトン交換領域保護層を形成する第２の工程と、前記
プロトン交換領域保護層で覆われていない前記プロトン
交換領域をエッチングする第３の工程と、前記プロトン
交換領域保護層をエッチングする第４の工程と（請求項
３）』から構成する。
【００１３】また、基板にリッジ型光導波路を形成する
パターンと同じ形状に金属を形成して、この金属をマス
クとしてプロトン交換を行う。その後、この金属とプロ
トン交換を行った領域とをエッチングすることによって
リッジ構造を形成する。その後、基板全面にプロトン交
換を行うことによってリッジ構造と光導波路を形成する
部分との位置ずれの起こらないリッジ型光導波路を製造
することができることを見出した。
パターンと同じ形状に金属を形成して、この金属をマス
クとしてプロトン交換を行う。その後、この金属とプロ
トン交換を行った領域とをエッチングすることによって
リッジ構造を形成する。その後、基板全面にプロトン交
換を行うことによってリッジ構造と光導波路を形成する
部分との位置ずれの起こらないリッジ型光導波路を製造
することができることを見出した。
【００１４】従って、第４に『基板表面に金属を光導波
路パターンと同じ形状に形成する第１の工程と、前記光
導波路パターン形状に形成された金属をマスクとして前
記金属が形成されていない基板をプロトン交換する第２
の工程と、前記プロトン交換が行われた領域と前記金属
をエッチングする第３の工程と、前記第３の工程が終了
した基板を再度プロトン交換を行う第４の工程と（請求
項４）』から構成する。
路パターンと同じ形状に形成する第１の工程と、前記光
導波路パターン形状に形成された金属をマスクとして前
記金属が形成されていない基板をプロトン交換する第２
の工程と、前記プロトン交換が行われた領域と前記金属
をエッチングする第３の工程と、前記第３の工程が終了
した基板を再度プロトン交換を行う第４の工程と（請求
項４）』から構成する。
【００１５】
【作用】本発明は、熱拡散する前の、光導波路の形状に
パターニングされた光導波路材料（Ｔｉ等）膜をマスク
とし、基板（ＬｉＮｂＯ3等）に周知のプロトン交換を
行う。ＨＦ溶液に対しては、プロトン交換された基板
は、プロトン交換されていない基板に比べて約１０００
倍のエッチングレートを有するという特徴を利用し、Ｈ
Ｆ溶液でプロトン交換された領域をエッチングし、リッ
ジ構造を形成する。最後に、光導波路材料を基板中へ熱
拡散することにより、リッジ型光導波路が形成される。
パターニングされた光導波路材料（Ｔｉ等）膜をマスク
とし、基板（ＬｉＮｂＯ3等）に周知のプロトン交換を
行う。ＨＦ溶液に対しては、プロトン交換された基板
は、プロトン交換されていない基板に比べて約１０００
倍のエッチングレートを有するという特徴を利用し、Ｈ
Ｆ溶液でプロトン交換された領域をエッチングし、リッ
ジ構造を形成する。最後に、光導波路材料を基板中へ熱
拡散することにより、リッジ型光導波路が形成される。
【００１６】以下、実施例により本発明をより具体的に
説明するが、本発明はこれに限るものではない。
説明するが、本発明はこれに限るものではない。
【００１７】
【実施例】図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施
例による光導波路の作製方法の工程図である。（ａ）〜
（ｄ）は工程順に示すものであり、光導波路デバイスの
断面を示した図である。図１（ａ）は、前述した従来例
〔図４（ａ）〕と同様にＬｉＮｂＯ3基板１に光導波路
の形状にＴｉ膜２がリフトオフ法により形成されたもの
である。尚、Ｔｉ膜の形成方法はリフトオフ方ではなく
てもよい。
例による光導波路の作製方法の工程図である。（ａ）〜
（ｄ）は工程順に示すものであり、光導波路デバイスの
断面を示した図である。図１（ａ）は、前述した従来例
〔図４（ａ）〕と同様にＬｉＮｂＯ3基板１に光導波路
の形状にＴｉ膜２がリフトオフ法により形成されたもの
である。尚、Ｔｉ膜の形成方法はリフトオフ方ではなく
てもよい。
【００１８】Ｔｉ膜２をマスクとして、ＬｉＮｂＯ3基
板１に周知のプロトン交換を行う。プロトン交換は安息
香酸を用いて行い、約２３５℃の安息香酸溶液に所定の
時間ＬｉＮｂＯ3基板１を浸す。Ｔｉ膜２で覆われた部
分以外の領域３がプロトン交換され、また、Ｔｉ膜２は
酸化して、ＴｉＯ2膜４となる（ｂ）。プロトン交換
後、ＬｉＮｂＯ3基板１をＨＦ溶液に浸す。ＨＦ溶液に
対しては、プロトン交換されたＬｉＮｂＯ3は、プロト
ン交換されていないＬｉＮｂＯ3に比べて約１０００倍
のエッチングレートを有する。従って、ＬｉＮｂＯ3基
板１はプロトン交換された領域３のみがエッチングさ
れ、リッジ構造５が形成される（ｃ）。
板１に周知のプロトン交換を行う。プロトン交換は安息
香酸を用いて行い、約２３５℃の安息香酸溶液に所定の
時間ＬｉＮｂＯ3基板１を浸す。Ｔｉ膜２で覆われた部
分以外の領域３がプロトン交換され、また、Ｔｉ膜２は
酸化して、ＴｉＯ2膜４となる（ｂ）。プロトン交換
後、ＬｉＮｂＯ3基板１をＨＦ溶液に浸す。ＨＦ溶液に
対しては、プロトン交換されたＬｉＮｂＯ3は、プロト
ン交換されていないＬｉＮｂＯ3に比べて約１０００倍
のエッチングレートを有する。従って、ＬｉＮｂＯ3基
板１はプロトン交換された領域３のみがエッチングさ
れ、リッジ構造５が形成される（ｃ）。
【００１９】ＬｉＮｂＯ3基板１を電気炉中で約１００
０℃で加熱するとＴｉがＬｉＮｂＯ3基板１中へ拡散
し、リッジ型光導波路６となる（ｄ）。上記の方法によ
りリッジ型光導波路が形成される。熱拡散法で光導波路
を作製するためのＴｉ膜をＬｉＮｂＯ3基板のエッチン
グ時のマスクとして用いることにより、リッジ加工専用
のフォトマスクを新たに用意することなく、露光時にア
ライメントする必要がなくなり、量産性が向上する。ま
た、光導波路とリッジの相対的な位置ずれがまったくな
いため、光導波路を伝搬する導波光の伝搬損失が増加す
ることはなく、光導波路デバイスの特性のばらつきを少
なくすることができる。
０℃で加熱するとＴｉがＬｉＮｂＯ3基板１中へ拡散
し、リッジ型光導波路６となる（ｄ）。上記の方法によ
りリッジ型光導波路が形成される。熱拡散法で光導波路
を作製するためのＴｉ膜をＬｉＮｂＯ3基板のエッチン
グ時のマスクとして用いることにより、リッジ加工専用
のフォトマスクを新たに用意することなく、露光時にア
ライメントする必要がなくなり、量産性が向上する。ま
た、光導波路とリッジの相対的な位置ずれがまったくな
いため、光導波路を伝搬する導波光の伝搬損失が増加す
ることはなく、光導波路デバイスの特性のばらつきを少
なくすることができる。
【００２０】本発明による光導波路を用いて、光変調器
や光スイッチを作製する場合には、リッジ型光導波路上
にバッファ層を形成した後、電極を形成すればよい。
尚、第１の実施例では、基板にＬｉＮｂＯ3を用いて説
明したが、ＬｉＴａＯ3基板等を用いてもよい。また、
プロトン交換のマスクとなりかつ光導波路を形成する材
料としては、ＡｌやＣｒ等でもよい。
や光スイッチを作製する場合には、リッジ型光導波路上
にバッファ層を形成した後、電極を形成すればよい。
尚、第１の実施例では、基板にＬｉＮｂＯ3を用いて説
明したが、ＬｉＴａＯ3基板等を用いてもよい。また、
プロトン交換のマスクとなりかつ光導波路を形成する材
料としては、ＡｌやＣｒ等でもよい。
【００２１】また、プロトン交換源としては、ピロリン
酸、硝酸銀等を用いることもできる。図２は、本発明の
第２の実施例によるリッジ型光導波路の製造方法を示す
図である。（ａ）〜（ｄ）は、その製造方法の工程順を
示すものであり、リッジ型光導波路の断面図を示す。
酸、硝酸銀等を用いることもできる。図２は、本発明の
第２の実施例によるリッジ型光導波路の製造方法を示す
図である。（ａ）〜（ｄ）は、その製造方法の工程順を
示すものであり、リッジ型光導波路の断面図を示す。
【００２２】まず、ＬｉＮｂＯ3 基板１の全面にプロト
ン交換を行いプロトン交換領域８を形成する（ａ）。そ
の後、ＬｉＮｂＯ3 基板１上に、光導波路を形成するパ
ターン状にＳｉＯ2 膜７（プロトン交換領域保護層）を
形成する（ｂ）。その後、ＬｉＮｂＯ3 基板１をＨＦ溶
液に浸し、ＳｉＯ2 膜７（プロトン交換領域保護層）で
覆われていないプロトン交換領域８をエッチングする
（ｃ）。その後、ＳｉＯ 2 膜７（プロトン交換領域保護
層）をイオンエッチング等によって取り除けば、リッジ
型光導波路９が形成される（ｄ）。
ン交換を行いプロトン交換領域８を形成する（ａ）。そ
の後、ＬｉＮｂＯ3 基板１上に、光導波路を形成するパ
ターン状にＳｉＯ2 膜７（プロトン交換領域保護層）を
形成する（ｂ）。その後、ＬｉＮｂＯ3 基板１をＨＦ溶
液に浸し、ＳｉＯ2 膜７（プロトン交換領域保護層）で
覆われていないプロトン交換領域８をエッチングする
（ｃ）。その後、ＳｉＯ 2 膜７（プロトン交換領域保護
層）をイオンエッチング等によって取り除けば、リッジ
型光導波路９が形成される（ｄ）。
【００２３】第２の実施例で用いる基板材料もＬｉＴａ
Ｏ3基板等を用いてもよい。また、プロトン交換領域８
を残すためのマスクであるＳｉＯ2 膜７は、プロトン交
換領域をエッチングする際にエッチングされない膜であ
れば良い。また、プロトン交換源としては、ピロリン
酸、硝酸銀等を用いることもできる。図３は、本発明の
第３の実施例によるリッジ型光導波路の製造方法う示す
図である。（ａ）〜（ｄ）は、その製造方法の工程順を
示すものであり、リッジ型光導波路の断面図を示す。
Ｏ3基板等を用いてもよい。また、プロトン交換領域８
を残すためのマスクであるＳｉＯ2 膜７は、プロトン交
換領域をエッチングする際にエッチングされない膜であ
れば良い。また、プロトン交換源としては、ピロリン
酸、硝酸銀等を用いることもできる。図３は、本発明の
第３の実施例によるリッジ型光導波路の製造方法う示す
図である。（ａ）〜（ｄ）は、その製造方法の工程順を
示すものであり、リッジ型光導波路の断面図を示す。
【００２４】ＬｉＮｂＯ3 基板１上に、光導波路を形成
するパターン状にＡｌ膜１０を形成する（ａ）。Ａｌ膜
１０をマスクとして、プロトン交換を行いプロトン交換
領域１１を形成する（ｂ）。その後、ＬｉＮｂＯ3 基板
１をＨＦ溶液に浸し、プロトン交換領域１１とＡｌ膜１
０をエッチングしてリッジ構造１２を形成する（ｃ）。
その後、ＬｉＮｂＯ3 基板１に再度プロトン交換を行っ
て、リッジ型光導波路１３が形成される（ｄ）。
するパターン状にＡｌ膜１０を形成する（ａ）。Ａｌ膜
１０をマスクとして、プロトン交換を行いプロトン交換
領域１１を形成する（ｂ）。その後、ＬｉＮｂＯ3 基板
１をＨＦ溶液に浸し、プロトン交換領域１１とＡｌ膜１
０をエッチングしてリッジ構造１２を形成する（ｃ）。
その後、ＬｉＮｂＯ3 基板１に再度プロトン交換を行っ
て、リッジ型光導波路１３が形成される（ｄ）。
【００２５】第３の実施例で用いる基板材料もＬｉＴａ
Ｏ3基板等を用いてもよい。また、プロトン交換領域８
を残すためのマスクであるＡｌ膜１０は、プロトン交換
領域を形成する際にマスクとなるものであれば良い。ま
た、プロトン交換源としては、ピロリン酸、硝酸銀等を
用いることもできる。
Ｏ3基板等を用いてもよい。また、プロトン交換領域８
を残すためのマスクであるＡｌ膜１０は、プロトン交換
領域を形成する際にマスクとなるものであれば良い。ま
た、プロトン交換源としては、ピロリン酸、硝酸銀等を
用いることもできる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればリ
ッジ型光導波路の作製において、リッジ構造加工の量産
性の向上を図るとともに、アライメントの誤差による導
波光の伝搬損失の増加や特性のばらつきを少なくするこ
とが可能になる。
ッジ型光導波路の作製において、リッジ構造加工の量産
性の向上を図るとともに、アライメントの誤差による導
波光の伝搬損失の増加や特性のばらつきを少なくするこ
とが可能になる。
【図１】本発明の第１の実施例によるリッジ型光導波路
の作製方法の工程図であって、（ａ）〜（ｄ）は工程順
を示すものである。
の作製方法の工程図であって、（ａ）〜（ｄ）は工程順
を示すものである。
【図２】本発明の第２の実施例によるリッジ型光導波路
の作製方法の工程図であって、（ａ）〜（ｄ）は工程順
を示すものである。
の作製方法の工程図であって、（ａ）〜（ｄ）は工程順
を示すものである。
【図３】本発明の第３の実施例によるリッジ型光導波路
の作製方法の工程図であって、（ａ）〜（ｄ）は工程順
を示すものである。
の作製方法の工程図であって、（ａ）〜（ｄ）は工程順
を示すものである。
【図４】従来のリッジ型光導波路の作製方法の工程図で
あって、（ａ）〜（ｇ）は工程順を示すものである。
あって、（ａ）〜（ｇ）は工程順を示すものである。
１、２１・・・ＬｉＮｂＯ3基板 ２、２２・・・Ｔｉ膜 ５、１２・・・リッジ構造 ８、１１・・・プロトン交換領域 ７・・・ＳｉＯ2 膜 ９、１３・・・リッジ型光導波路 １０・・・Ａｌ膜 ２４・・・レジスト ２３・・・光導波路 ２５・・・リッジ構造加工用のフォトマスク
Claims (4)
- 【請求項１】 基板表面に金属を光導波路パターンと同
じ形状に形成する第１の工程と、 前記光導波路パターン形状に形成された金属をマスクと
して前記金属が形成されていない基板をプロトン交換す
る第２の工程と、 前記プロトン交換が行われた基板の領域をエッチングす
る第３の工程と、 前記金属を前記基板中に拡散する第４の工程とからなる
リッジ型光導波路の製造方法。 - 【請求項２】 前記金属はＴｉであり、 前記基板はＬｉＮｂＯ3であることを特徴とする請求項
１記載のリッジ型光導波路の製造方法。 - 【請求項３】 基板表面にプロトン交換を行いプロトン
交換領域を形成する第１の工程と、 前記プロトン交換領域の上に光導波路パターンと同じ形
状にプロトン交換領域保護層を形成する第２の工程と、 前記プロトン交換領域保護層で覆われていない前記プロ
トン交換領域をエッチングする第３の工程と、 前記プロトン交換領域保護層をエッチングする第４の工
程とからなるリッジ型光導波路の製造方法。 - 【請求項４】 基板表面に金属を光導波路パターンと同
じ形状に形成する第１の工程と、 前記光導波路パターン形状に形成された金属をマスクと
して前記金属が形成されていない基板をプロトン交換す
る第２の工程と、 前記プロトン交換が行われた領域と前記金属をエッチン
グする第３の工程と、 前記第３の工程が終了した基板を再度プロトン交換を行
う第４の工程とからなるリッジ型光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5310289A JPH07159637A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | リッジ型光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5310289A JPH07159637A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | リッジ型光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07159637A true JPH07159637A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=18003434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5310289A Pending JPH07159637A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | リッジ型光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07159637A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0851244A1 (en) * | 1996-12-27 | 1998-07-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide device and method of manufacturing same |
| EP0936481A2 (en) * | 1998-02-17 | 1999-08-18 | Ngk Insulators, Ltd. | A method of processing a substrate made of a ferroelectric single crystalline material |
-
1993
- 1993-12-10 JP JP5310289A patent/JPH07159637A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0851244A1 (en) * | 1996-12-27 | 1998-07-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide device and method of manufacturing same |
| US5991489A (en) * | 1996-12-27 | 1999-11-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical Ti-diffused LiNbO3 waveguide device and method of manufacturing same |
| EP0936481A2 (en) * | 1998-02-17 | 1999-08-18 | Ngk Insulators, Ltd. | A method of processing a substrate made of a ferroelectric single crystalline material |
| EP0936481A3 (en) * | 1998-02-17 | 2000-10-25 | Ngk Insulators, Ltd. | A method of processing a substrate made of a ferroelectric single crystalline material |
| EP1744190A3 (en) * | 1998-02-17 | 2007-03-28 | Ngk Insulators, Ltd. | A method of processing a substrate made of a ferroelectric single crystalline material |
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