JPH0580281A - 光制御素子の製造方法 - Google Patents
光制御素子の製造方法Info
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- JPH0580281A JPH0580281A JP3241589A JP24158991A JPH0580281A JP H0580281 A JPH0580281 A JP H0580281A JP 3241589 A JP3241589 A JP 3241589A JP 24158991 A JP24158991 A JP 24158991A JP H0580281 A JPH0580281 A JP H0580281A
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- Japan
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- control element
- etching
- optical waveguide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板のエッチング速度を増加させ、かつ、マ
スク材料とのエッチング速度差を大きくした製造方法に
より、特性のよい光制御素子を効率的に提供することに
ある。 【構成】 ＬｉＮｂＯ3 基板３０１上に光導波路３０２
が形成されたものの上に、Ｔｉ膜３０３を全面に形成
し、フォトプロセスにより掘り込み部分が溝になったレ
ジストパターン３０４をＴｉ膜上に形成する。レジスト
パターンをマスクとしてこのＴｉ膜をエッチングし、フ
ォトレジストを溶解することによってレジストパターン
と同形のＴｉパターン３０５を得る。これを安息香酸３
０６の中に浸し、加熱してから放置することにより、露
出された部分をプロトン交換する。これをエッチング
し、Ｔｉ膜を溶解することにより突起部分３０９を有す
る光制御素子を形成する。
スク材料とのエッチング速度差を大きくした製造方法に
より、特性のよい光制御素子を効率的に提供することに
ある。 【構成】 ＬｉＮｂＯ3 基板３０１上に光導波路３０２
が形成されたものの上に、Ｔｉ膜３０３を全面に形成
し、フォトプロセスにより掘り込み部分が溝になったレ
ジストパターン３０４をＴｉ膜上に形成する。レジスト
パターンをマスクとしてこのＴｉ膜をエッチングし、フ
ォトレジストを溶解することによってレジストパターン
と同形のＴｉパターン３０５を得る。これを安息香酸３
０６の中に浸し、加熱してから放置することにより、露
出された部分をプロトン交換する。これをエッチング
し、Ｔｉ膜を溶解することにより突起部分３０９を有す
る光制御素子を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光波の変調、光路切り替
え等を行う光制御素子の製造方法に関し、特に動作速度
がきわめて速い変調素子の製造方法に関するものであ
る。
え等を行う光制御素子の製造方法に関し、特に動作速度
がきわめて速い変調素子の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の光変調素子と比較して光変調帯域
を大幅に広帯域化したマッハツェンダ形のＴｉ熱拡散Ｌ
ｉＮｂＯ3 （リチウムナイオベート）光変調器として、
図１および図２に示すリブ構造を有する速度整合形の光
変調器が本出願により提案されている（河野，野口：特
願平３−５２８５１号）。図１は平面図、図２はそのＡ
Ａ′線に沿う断面図である。この例では、電気光学効果
を有するｚカットＬｉＮｂＯ3 基板１０１にＴｉ熱拡散
によりマッハツェンダ形光導波路１０２が形成されてい
る。その基板１０１の上にはＳｉＯ2 バッファ層１０３
が形成され、さらにそのバッファ層１０３の上に中心導
体（中心電極）１０４およびアース導体（アース電極）
１０５から構成されたコプレーナウェーブガイド（ＣＰ
Ｗ）形の進行波電極が形成されている。１０６はＣＰＷ
電極１０４と１０５との間に接続された終端抵抗、１０
７は電極１０４と１０５とに接続され、変調用マイクロ
波信号をこれら電極１０４および１０５に供給する変調
用マイクロ波信号給電線（給電用同軸線）である。さら
にＣＰＷ電極を構成する中心導体１０４およびアース導
体１０５の近傍のマイクロ波電界強度の強い領域の基板
部分を、図２に示すように、エッチングなどで掘り込ん
でリブ構造に形成している。すなわち、エッチングなど
で掘り込むことによりマイクロ波電界強度の強い領域の
基板部分を突起状になし、このようにして突起部分１０
８の形成された基板１０１の表面上に、表面が平坦にな
るようにバッファ層１０３を配置する。その際、この突
起状部分１０８上に、２つの光導波路１０２のうちの一
方をバッファ層１０３を介して中心導体１０４の真下に
配置し、他方の光導波路１０２をアース導体１０５の真
下に配置する。従って、バッファ層１０３の厚さは、ア
ース導体１０５の真下およびギャップ１０９と１１０の
真下において厚く、アース導体１０５のうち光導波路１
０２に対応する部分の真下および中心導体１０４の真下
において薄い。
を大幅に広帯域化したマッハツェンダ形のＴｉ熱拡散Ｌ
ｉＮｂＯ3 （リチウムナイオベート）光変調器として、
図１および図２に示すリブ構造を有する速度整合形の光
変調器が本出願により提案されている（河野，野口：特
願平３−５２８５１号）。図１は平面図、図２はそのＡ
Ａ′線に沿う断面図である。この例では、電気光学効果
を有するｚカットＬｉＮｂＯ3 基板１０１にＴｉ熱拡散
によりマッハツェンダ形光導波路１０２が形成されてい
る。その基板１０１の上にはＳｉＯ2 バッファ層１０３
が形成され、さらにそのバッファ層１０３の上に中心導
体（中心電極）１０４およびアース導体（アース電極）
１０５から構成されたコプレーナウェーブガイド（ＣＰ
Ｗ）形の進行波電極が形成されている。１０６はＣＰＷ
電極１０４と１０５との間に接続された終端抵抗、１０
７は電極１０４と１０５とに接続され、変調用マイクロ
波信号をこれら電極１０４および１０５に供給する変調
用マイクロ波信号給電線（給電用同軸線）である。さら
にＣＰＷ電極を構成する中心導体１０４およびアース導
体１０５の近傍のマイクロ波電界強度の強い領域の基板
部分を、図２に示すように、エッチングなどで掘り込ん
でリブ構造に形成している。すなわち、エッチングなど
で掘り込むことによりマイクロ波電界強度の強い領域の
基板部分を突起状になし、このようにして突起部分１０
８の形成された基板１０１の表面上に、表面が平坦にな
るようにバッファ層１０３を配置する。その際、この突
起状部分１０８上に、２つの光導波路１０２のうちの一
方をバッファ層１０３を介して中心導体１０４の真下に
配置し、他方の光導波路１０２をアース導体１０５の真
下に配置する。従って、バッファ層１０３の厚さは、ア
ース導体１０５の真下およびギャップ１０９と１１０の
真下において厚く、アース導体１０５のうち光導波路１
０２に対応する部分の真下および中心導体１０４の真下
において薄い。
【０００３】図１，図２に示した光変調器では、進行波
電極１０４および１０５の厚みをある程度厚くして、マ
イクロ波実行屈折率ｎm の値を下げる一方、その時に付
随して低下する特性インピーダンスＺをリブ構造の掘り
込み深さを２μｍ〜３μｍと深くすることにより上昇さ
せ、これにより外部回路とのインピーダンスの整合を図
っている。特に、リブ構造を採用しているので、マイク
ロ波実行屈折率ｎm も低下しており、従ってマイクロ波
と光との完全な速度整合を実現するのに必要な進行波電
極１０４および１０５の厚みは比較的薄くてよい。従っ
て、進行波電極１０４および１０５の厚みを厚くするこ
とによって生じる特性インピーダンスＺの低下も小さく
抑えることができて、進行波電極１０４および１０５の
製作も容易となり、さらにはマイクロ波伝搬損失の増大
を抑えることができるなどの利点が得られる。
電極１０４および１０５の厚みをある程度厚くして、マ
イクロ波実行屈折率ｎm の値を下げる一方、その時に付
随して低下する特性インピーダンスＺをリブ構造の掘り
込み深さを２μｍ〜３μｍと深くすることにより上昇さ
せ、これにより外部回路とのインピーダンスの整合を図
っている。特に、リブ構造を採用しているので、マイク
ロ波実行屈折率ｎm も低下しており、従ってマイクロ波
と光との完全な速度整合を実現するのに必要な進行波電
極１０４および１０５の厚みは比較的薄くてよい。従っ
て、進行波電極１０４および１０５の厚みを厚くするこ
とによって生じる特性インピーダンスＺの低下も小さく
抑えることができて、進行波電極１０４および１０５の
製作も容易となり、さらにはマイクロ波伝搬損失の増大
を抑えることができるなどの利点が得られる。
【０００４】図１，図２に示した光制御素子は一例とし
て次のような方法で作成される。図３は光制御素子の形
成方法の従来例の工程の例を示したものである。図３の
（ａ）に示すものは、ＬｉＮｂＯ3 基板２０１上に光導
波路２０２が形成されたものである。これに、図３の
（ｂ）に示すように、厚さ５００ｎｍ程度のＴｉ膜２０
３を全面に形成し、次に図３の（ｃ）に示すように、通
常のフォトプロセスにより掘り込み部分が溝になったレ
ジストパターン２０４をＴｉ膜２０３上に形成する。そ
の後、図３の（ｄ）に示すように、レジストパターン２
０４をマスクとしてＬｉＮｂＯ3 基板２０１上のＴｉ膜
２０３をＣＦ4 等を用いたプラズマエッチング法でエッ
チングし、フォトレジスト溶解することによって、レジ
ストパターンと同形のＴｉパターン２０５を得る。この
Ｔｉパターンをマスクとして、フッ素系イオン２０６を
用いたエレクトロンサイクトロンレゾナンスーリアクテ
ィブイオン（ＥＣＲ−ＲＩＥ）法等でＬｉＮｂＯ3 基板
をエッチングする。続いて、Ｔｉ膜をフッ酸で溶解する
ことにより、図３の（ｅ）に示したような突起部分２０
７を有する光制御素子を形成していた。
て次のような方法で作成される。図３は光制御素子の形
成方法の従来例の工程の例を示したものである。図３の
（ａ）に示すものは、ＬｉＮｂＯ3 基板２０１上に光導
波路２０２が形成されたものである。これに、図３の
（ｂ）に示すように、厚さ５００ｎｍ程度のＴｉ膜２０
３を全面に形成し、次に図３の（ｃ）に示すように、通
常のフォトプロセスにより掘り込み部分が溝になったレ
ジストパターン２０４をＴｉ膜２０３上に形成する。そ
の後、図３の（ｄ）に示すように、レジストパターン２
０４をマスクとしてＬｉＮｂＯ3 基板２０１上のＴｉ膜
２０３をＣＦ4 等を用いたプラズマエッチング法でエッ
チングし、フォトレジスト溶解することによって、レジ
ストパターンと同形のＴｉパターン２０５を得る。この
Ｔｉパターンをマスクとして、フッ素系イオン２０６を
用いたエレクトロンサイクトロンレゾナンスーリアクテ
ィブイオン（ＥＣＲ−ＲＩＥ）法等でＬｉＮｂＯ3 基板
をエッチングする。続いて、Ｔｉ膜をフッ酸で溶解する
ことにより、図３の（ｅ）に示したような突起部分２０
７を有する光制御素子を形成していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の製造方法においては、ＬｉＮｂＯ3 基板
が非常にエッチングされにくいので、エッチングに時間
がかかり、かつ、マスク材料とのエッチング速度差がと
れないという欠点があった。上述の例では、スパッタ率
の小さいＴｉが用いられているが、ＬｉＮｂＯ3 のエッ
チング速度とＴｉのエッチング速度との比は３〜４程度
であった。そのため、掘り込みの深さを数μｍ程度まで
深くするためには、Ｔｉの膜厚を１μｍ以上に厚くしな
ければならないが、高融点金属であるＴｉを均一に厚く
形成することは技術的に困難になる。また、マスクと基
板のエッチング速度差が小さいため、エッチング中にお
けるマスクの目減りが大きく、エッチング断面形状が７
０°程度の斜めになって特性が劣化すると共に、幅１〜
２μｍ程度の微細加工ができないという問題があった。
たような従来の製造方法においては、ＬｉＮｂＯ3 基板
が非常にエッチングされにくいので、エッチングに時間
がかかり、かつ、マスク材料とのエッチング速度差がと
れないという欠点があった。上述の例では、スパッタ率
の小さいＴｉが用いられているが、ＬｉＮｂＯ3 のエッ
チング速度とＴｉのエッチング速度との比は３〜４程度
であった。そのため、掘り込みの深さを数μｍ程度まで
深くするためには、Ｔｉの膜厚を１μｍ以上に厚くしな
ければならないが、高融点金属であるＴｉを均一に厚く
形成することは技術的に困難になる。また、マスクと基
板のエッチング速度差が小さいため、エッチング中にお
けるマスクの目減りが大きく、エッチング断面形状が７
０°程度の斜めになって特性が劣化すると共に、幅１〜
２μｍ程度の微細加工ができないという問題があった。
【０００６】本発明は、上述した従来の問題点を解消す
るもので、その目的は基板のエッチング速度を増加さ
せ、かつ、マスク材料とのエッチング速度差を大きくし
た製造方法により、特性のよい光制御素子を効率的に提
供することにある。
るもので、その目的は基板のエッチング速度を増加さ
せ、かつ、マスク材料とのエッチング速度差を大きくし
た製造方法により、特性のよい光制御素子を効率的に提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、電気光学効果を有する基板上に少なくと
も一本の光導波路を形成する第１の工程，前記基板の前
記少なくとも一本の光導波路の周辺部分を掘り下げて前
記少なくとも一本の光導波路を前記基板表面より突出さ
せる第２の工程，前記少なくとも一本の光導波路および
前記基板の全面にバッファ層を形成する第３の工程およ
び前記バッファ層上に進行波電極を形成する第４の工程
を有する光制御素子の製造方法において、前記第２の工
程中に、前記少なくとも一本の光導波路の周辺部分を掘
り下げるに先立って、掘り下げられるべき基板部分をエ
ッチング速度を増加するように化学的に変質させる工程
を有し、しかる後にエッチングによって前記掘り下げを
行うことを特徴とする。
め、本発明は、電気光学効果を有する基板上に少なくと
も一本の光導波路を形成する第１の工程，前記基板の前
記少なくとも一本の光導波路の周辺部分を掘り下げて前
記少なくとも一本の光導波路を前記基板表面より突出さ
せる第２の工程，前記少なくとも一本の光導波路および
前記基板の全面にバッファ層を形成する第３の工程およ
び前記バッファ層上に進行波電極を形成する第４の工程
を有する光制御素子の製造方法において、前記第２の工
程中に、前記少なくとも一本の光導波路の周辺部分を掘
り下げるに先立って、掘り下げられるべき基板部分をエ
ッチング速度を増加するように化学的に変質させる工程
を有し、しかる後にエッチングによって前記掘り下げを
行うことを特徴とする。
【０００８】また、本発明はその一形態として、前記基
板がニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）であり、前記化
学的に変質させる工程の方法がプロトン交換法であるこ
とを特徴とすることができる。
板がニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）であり、前記化
学的に変質させる工程の方法がプロトン交換法であるこ
とを特徴とすることができる。
【０００９】
【作用】本発明は、少なくとも一本の光導波路を備えた
電気工学効果を有する基板の一部分の厚さを掘り下げに
より少なくして基板に少なくとも１つの光導波路を配置
した突起部分を製作するに際して、その掘り下げ前に基
板の一部を化学的に変質させる工程を設け、その後エッ
チングすることにより上記突起部分を製作するようにし
たので、基板のエッチング速度を増加させ、かつ、マス
ク材料とのエッチング速度差を大きくすることができ、
特性向上を図ることだけでなく、量産性の向上を図るこ
とが可能となる。
電気工学効果を有する基板の一部分の厚さを掘り下げに
より少なくして基板に少なくとも１つの光導波路を配置
した突起部分を製作するに際して、その掘り下げ前に基
板の一部を化学的に変質させる工程を設け、その後エッ
チングすることにより上記突起部分を製作するようにし
たので、基板のエッチング速度を増加させ、かつ、マス
ク材料とのエッチング速度差を大きくすることができ、
特性向上を図ることだけでなく、量産性の向上を図るこ
とが可能となる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明実施例による光
制御素子の製造方法を詳細に説明する。
制御素子の製造方法を詳細に説明する。
【００１１】図４は、本発明の一実施例による光制御素
子の製造方法を説明する工程図である。図４の（ａ）の
ものは、ｚカットＬｉＮｂＯ3 基板３０１上に光導波路
３０２が形成されたものである。これに、図４の（ｂ）
に示すように、厚さ５００ｎｍ程度のＴｉ膜３０３を全
面に形成し、続いて図４の（ｃ）に示すように通常のフ
ォトプロセスにより掘り込み部分が溝になったレジスト
パターン３０４をＴｉ膜上に形成する。ここまでは従来
例の方法と同じである。
子の製造方法を説明する工程図である。図４の（ａ）の
ものは、ｚカットＬｉＮｂＯ3 基板３０１上に光導波路
３０２が形成されたものである。これに、図４の（ｂ）
に示すように、厚さ５００ｎｍ程度のＴｉ膜３０３を全
面に形成し、続いて図４の（ｃ）に示すように通常のフ
ォトプロセスにより掘り込み部分が溝になったレジスト
パターン３０４をＴｉ膜上に形成する。ここまでは従来
例の方法と同じである。
【００１２】その後、図４の（ｄ）に示すように、レジ
ストパターン３０４をマスクとして基板３０１上のＴｉ
膜３０３をＣＦ4 等を用いたプラズマエッチング法でエ
ッチングし、フォトレジストを溶解することによって、
レジストパターンと同形のＴｉパターン３０５を得る。
これを、安息香酸３０６の酸の中に浸し、２００℃程度
に加熱して数分から数十分放置することにより、基板中
深さ数μｍにわたって露出された部分をプロトン交換す
る。
ストパターン３０４をマスクとして基板３０１上のＴｉ
膜３０３をＣＦ4 等を用いたプラズマエッチング法でエ
ッチングし、フォトレジストを溶解することによって、
レジストパターンと同形のＴｉパターン３０５を得る。
これを、安息香酸３０６の酸の中に浸し、２００℃程度
に加熱して数分から数十分放置することにより、基板中
深さ数μｍにわたって露出された部分をプロトン交換す
る。
【００１３】これを、図４の（ｅ）に示すように、前述
したフッ素系イオン３０７を用いたＥＣＲ−ＲＩＥ法等
でエッチングし、Ｔｉ膜をフッ酸で溶解することによ
り、図４の（ｆ）に示したような突起部分３０９を有す
る光制御素子を形成する。
したフッ素系イオン３０７を用いたＥＣＲ−ＲＩＥ法等
でエッチングし、Ｔｉ膜をフッ酸で溶解することによ
り、図４の（ｆ）に示したような突起部分３０９を有す
る光制御素子を形成する。
【００１４】図５は、ＥＣＲ−ＲＩＥ法における、プロ
トン交換ＬｉＮｂＯ3 基板、ＬｉＮｂＯ3 基板およびＴ
ｉについてのエッチング速度の加速電圧依存性を示す特
性図である。プロトン交換ＬｉＮｂＯ3 基板は、通常の
ＬｉＮｂＯ3 基板に比べて３倍ほどエッチング速度が大
きいことがわかる。従って、図４の（ｅ）工程におい
て、プロトン交換された領域３０８は交換されていない
領域に比べて３倍ほど速くエッチングされるので、従来
例に比べてエッチング時間を１／３以下にすることがで
きる。また、マスクであるＴｉ３０５に対するエッチン
グ選択性が向上するので、マスクの目減りによる影響が
少なくなり、垂直に近い断面形状が得られ、性能向上に
つながると同時に、１〜２μｍ程度の微細加工が可能に
なる。しかも、プロトン交換領域３０８は図４の
（ｄ），（ｆ）に示すように、矩形に近い形状になるた
め、きれいな断面が得やすい。
トン交換ＬｉＮｂＯ3 基板、ＬｉＮｂＯ3 基板およびＴ
ｉについてのエッチング速度の加速電圧依存性を示す特
性図である。プロトン交換ＬｉＮｂＯ3 基板は、通常の
ＬｉＮｂＯ3 基板に比べて３倍ほどエッチング速度が大
きいことがわかる。従って、図４の（ｅ）工程におい
て、プロトン交換された領域３０８は交換されていない
領域に比べて３倍ほど速くエッチングされるので、従来
例に比べてエッチング時間を１／３以下にすることがで
きる。また、マスクであるＴｉ３０５に対するエッチン
グ選択性が向上するので、マスクの目減りによる影響が
少なくなり、垂直に近い断面形状が得られ、性能向上に
つながると同時に、１〜２μｍ程度の微細加工が可能に
なる。しかも、プロトン交換領域３０８は図４の
（ｄ），（ｆ）に示すように、矩形に近い形状になるた
め、きれいな断面が得やすい。
【００１５】以上の実施例では、ｚカットＬｉＮｂＯ3
基板を用いたが、ｘカットのＬｉＮｂＯ3 基板を用いて
もよいし、電気光学効果を有するその他の基板を用いて
もよい。また、基板を化学的に変質させるために、安息
香酸を用いたが、その他の酸、例えばピロリン酸等を用
いてもよい。エッチングマスクとしては、Ｔｉの他にＴ
ａ等の金属膜やフォトレジスト膜を用いてもよい。エッ
チング方法としては、ＥＣＲ−ＲＩＥ法の他に、イオン
ミリング法を用いてもよい。
基板を用いたが、ｘカットのＬｉＮｂＯ3 基板を用いて
もよいし、電気光学効果を有するその他の基板を用いて
もよい。また、基板を化学的に変質させるために、安息
香酸を用いたが、その他の酸、例えばピロリン酸等を用
いてもよい。エッチングマスクとしては、Ｔｉの他にＴ
ａ等の金属膜やフォトレジスト膜を用いてもよい。エッ
チング方法としては、ＥＣＲ−ＲＩＥ法の他に、イオン
ミリング法を用いてもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板の一部を化学的に変質させてからエッチングするの
で、基板のエッチング速度を増加させ、かつ、マスク材
料とのエッチング速度差を大きくすることができ、特性
向上を図ることだけでなく、量産性の向上を図ることが
可能となる。
基板の一部を化学的に変質させてからエッチングするの
で、基板のエッチング速度を増加させ、かつ、マスク材
料とのエッチング速度差を大きくすることができ、特性
向上を図ることだけでなく、量産性の向上を図ることが
可能となる。
【図１】リブ構造を有する光制御素子の一例を示す平面
図である。
図である。
【図２】図１のＡＡ′線に沿う光制御素子の断面構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】従来の光制御素子の製造方法の工程図であっ
て、（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ工程順に示すものであ
る。
て、（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ工程順に示すものであ
る。
【図４】本発明の光制御素子の製造方法の一実施例の工
程図であって、（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ工程順に示す
ものである。
程図であって、（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ工程順に示す
ものである。
【図５】ＥＣＲ−ＲＩＥ法における、プロトン交換Ｌｉ
ＮｂＯ3 基板、ＬｉＮｂＯ3 基板、Ｔｉのエッチング速
度の加速電圧依存性を示す特性図である。
ＮｂＯ3 基板、ＬｉＮｂＯ3 基板、Ｔｉのエッチング速
度の加速電圧依存性を示す特性図である。
１０１、２０１、３０１ ＬｉＮｂＯ3 基板 １０２、２０２、３０２ 光導波路 １０３ バッファ層 １０４、１０５ 電極 １０６ 終端抵抗 １０７ 給電線 １０８、２０７、３０９ 突起部分 １０９、１１０ ギャップ ２０３、３０３ Ｔｉ膜 ２０４、３０４ フォトレジスト ２０５、３０５ Ｔｉパターン ２０６、３０７ フッ素系イオンビーム ３０６ 安息香酸 ３０８ プロトン交換領域
Claims (2)
- 【請求項１】 電気光学効果を有する基板上に少なくと
も一本の光導波路を形成する第１の工程，前記基板の前
記少なくとも一本の光導波路の周辺部分を掘り下げて前
記少なくとも一本の光導波路を前記基板表面より突出さ
せる第２の工程，前記少なくとも一本の光導波路および
前記基板の全面にバッファ層を形成する第３の工程およ
び前記バッファ層上に進行波電極を形成する第４の工程
を有する光制御素子の製造方法において、 前記第２の工程中に、前記少なくとも一本の光導波路の
周辺部分を掘り下げるに先立って、掘り下げられるべき
基板部分をエッチング速度を増加するように化学的に変
質させる工程を有し、しかる後にエッチングによって前
記掘り下げを行うことを特徴とする光制御素子の製造方
法。 - 【請求項２】 前記基板がニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ
Ｏ3 ）であり、前記化学的に変質させる工程の方法がプ
ロトン交換法であることを特徴とする請求項１に記載の
光制御素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3241589A JPH0580281A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 光制御素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3241589A JPH0580281A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 光制御素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0580281A true JPH0580281A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17076557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3241589A Pending JPH0580281A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 光制御素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0580281A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003012533A1 (fr) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Modulateur optique |
| JP2006195383A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光変調器およびその製造方法 |
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1991
- 1991-09-20 JP JP3241589A patent/JPH0580281A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003012533A1 (fr) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Modulateur optique |
| US7397974B2 (en) * | 2001-08-01 | 2008-07-08 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical modulator |
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