JPS63303308A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
- Publication number
- JPS63303308A JPS63303308A JP13921587A JP13921587A JPS63303308A JP S63303308 A JPS63303308 A JP S63303308A JP 13921587 A JP13921587 A JP 13921587A JP 13921587 A JP13921587 A JP 13921587A JP S63303308 A JPS63303308 A JP S63303308A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resist
- refractive index
- optical waveguide
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 15
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 abstract description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 101700004678 SLIT3 Proteins 0.000 description 1
- 102100027339 Slit homolog 3 protein Human genes 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/132—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by deposition of thin films
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光通信および光応用計測分野で用いられる光導
波路の製造方法に関するものである。
波路の製造方法に関するものである。
従来の技術
従来、強誘電体基板であるＬｉＮｂ０ｌ板に、フ２ ′
＼−／ オド°プロセスやエツチング技術を用いて、ＬｉＮｂＯ
３基板の表面層に光導波路を形成し、光スィッチや光変
調器に用いられてきた。これはたとえば（Ｔ、Ｌ、 Ｉ
ａｃｋｅｌ、 Ｃ，Ｅ 、 Ｒｉｃｅ、 ａｎｄ Ｊ、
Ｊ、Ｖｅｓｅｌｋａ。
＼−／ オド°プロセスやエツチング技術を用いて、ＬｉＮｂＯ
３基板の表面層に光導波路を形成し、光スィッチや光変
調器に用いられてきた。これはたとえば（Ｔ、Ｌ、 Ｉ
ａｃｋｅｌ、 Ｃ，Ｅ 、 Ｒｉｃｅ、 ａｎｄ Ｊ、
Ｊ、Ｖｅｓｅｌｋａ。
” Ｐｒｏｔｏｎ ｅｘｃｈａｎｇｅ ｆｏｒ ｈｉｇ
ｈ−ｉｎｄｅｘｗａｖｅｇｕｉｄｅｓｉｎＬｉＮｂＯ３
，″アプライ フィジックス レター （Ａｐｐｌ、Ｐ
ｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ ）、 ｖｏｌ ４１ 、 爲７
ＰＰ。
ｈ−ｉｎｄｅｘｗａｖｅｇｕｉｄｅｓｉｎＬｉＮｂＯ３
，″アプライ フィジックス レター （Ａｐｐｌ、Ｐ
ｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ ）、 ｖｏｌ ４１ 、 爲７
ＰＰ。
６０７〜６０８（１９Ｂ２）：］に示されている。
以下光素子として光導波路を例にとり、その製造方法に
ついて説明する。第２図に従来のプロトン交換方法を用
いた光導波路の製造方法の具体的構成図を示す。１は強
誘電体基板であるＬｉＮｂＯ３基板、２はＡｔ金属によ
る保護マスク、３はフォト・プロセスおよびエツチング
により保護マスク２に形成されたスリット、４は安息香
酸６中で２３０℃で形成されたプロトン交換層である。
ついて説明する。第２図に従来のプロトン交換方法を用
いた光導波路の製造方法の具体的構成図を示す。１は強
誘電体基板であるＬｉＮｂＯ３基板、２はＡｔ金属によ
る保護マスク、３はフォト・プロセスおよびエツチング
により保護マスク２に形成されたスリット、４は安息香
酸６中で２３０℃で形成されたプロトン交換層である。
７はヒーター、８は石英製ビーカーである。
寸た、従来のど口燐酸を用いた光導波路は、スラブ型の
導波路として用いられている。
導波路として用いられている。
発明が解決しようとする問題点
３へ−７
上記に示した安息香酸でプロ１−ン交換を行なった光導
波路層は、屈折率差が＋０．１２と小さく。
波路層は、屈折率差が＋０．１２と小さく。
ピロ燐酸を用いても＋０゜１４５でしかなく、屈折率差
が０．１５以上にする／こめには、プロトン交換法では
困難であった。このだめ、光の閉じ込めか弱く、従来の
方法で曲り導波路およびＳＨＧ素子を作製すると、光の
伝搬損失が犬きく実用的でなかった。そして、液中での
プロトン交換を用いるだめ、時間、温度等の条件制御卸
が容易でなく、形成される光導波路層のバラツキは避け
られなかった。
が０．１５以上にする／こめには、プロトン交換法では
困難であった。このだめ、光の閉じ込めか弱く、従来の
方法で曲り導波路およびＳＨＧ素子を作製すると、光の
伝搬損失が犬きく実用的でなかった。そして、液中での
プロトン交換を用いるだめ、時間、温度等の条件制御卸
が容易でなく、形成される光導波路層のバラツキは避け
られなかった。
問題点を解決するだめの手段
本発明の光導波路の製造方法は、上記問題点を解決する
ために、Ｌ Ｉ Ｎ ｂ ｘＴ ａ （１゜） ０３（
Ｏ＜ｘ＜１ ）基板にフォトプロセスによりスリットを
有するパターンを形成し、スリット部にエツチングを施
して、基板に選択的に溝を形成し、高屈折率でなおかつ
光の透過領域が可視光部を含む薄膜をスパッタ法により
上記溝に形成させるという方法を用いるものである。
ために、Ｌ Ｉ Ｎ ｂ ｘＴ ａ （１゜） ０３（
Ｏ＜ｘ＜１ ）基板にフォトプロセスによりスリットを
有するパターンを形成し、スリット部にエツチングを施
して、基板に選択的に溝を形成し、高屈折率でなおかつ
光の透過領域が可視光部を含む薄膜をスパッタ法により
上記溝に形成させるという方法を用いるものである。
作 用
本発明は高屈折率の薄膜を、ＬｉＮｂｘＴａ（１，、、
ｘ）Ｏ３（ｏくｘく１）基板に形成することで屈折率差
を任意に設定でき、なおかつ埋込み型であるため、装荷
型よりも側面部による伝搬損失が少なく、光の閉じ込め
も屈折率差が大きくできるので強くなる。そして、再現
性良く高精度に光流波路層を形成できる。
ｘ）Ｏ３（ｏくｘく１）基板に形成することで屈折率差
を任意に設定でき、なおかつ埋込み型であるため、装荷
型よりも側面部による伝搬損失が少なく、光の閉じ込め
も屈折率差が大きくできるので強くなる。そして、再現
性良く高精度に光流波路層を形成できる。
実施例
実施例として本発明の光導波路の作製方法の工程断面図
を第１図に示す。（、）の工程は、＋Ｚ板のＬｉＮｂ○
３基板１０の表面に１．２μｍ厚のレジスト２０（マイ
クロポジット５１４００−２７）を形成し、これにフォ
ト・プロセスを行ない１μｍのスリット３０を形成する
工程である。（１））の工程は、レジスト２０をマスク
としてスリ’７’ ｌ・３０の部分の基板を分子ビーム
により深さ０．５μｍまでエツチングする工程であり、
溝４ｏが形成される。
を第１図に示す。（、）の工程は、＋Ｚ板のＬｉＮｂ○
３基板１０の表面に１．２μｍ厚のレジスト２０（マイ
クロポジット５１４００−２７）を形成し、これにフォ
ト・プロセスを行ない１μｍのスリット３０を形成する
工程である。（１））の工程は、レジスト２０をマスク
としてスリ’７’ ｌ・３０の部分の基板を分子ビーム
により深さ０．５μｍまでエツチングする工程であり、
溝４ｏが形成される。
（Ｃ）の工程は、ＬｉＮｂ○３基板１をスパッタ装置の
内に入れ、ターゲットをＴ １０２５を用い、Ａｒガ５
′ −／ ス２０ ｓｃｃｍ 、０２ガス２ｓｃｃｍ で全圧５
×１０″３Ｔｏｒｒにし、入力電力４０ｏＷのＲＦ放電
を行なう。レジスト２０のエツチング深−１−ｕ１０ｏ
ｙｖ−ｎ＝ ＋Ｔｉ○２５のスパッタレートは１００
人／ｍｉｎ でアリこれを５０雛行なうと、溝４０部
分に深さ０．５μｍ。
内に入れ、ターゲットをＴ １０２５を用い、Ａｒガ５
′ −／ ス２０ ｓｃｃｍ 、０２ガス２ｓｃｃｍ で全圧５
×１０″３Ｔｏｒｒにし、入力電力４０ｏＷのＲＦ放電
を行なう。レジスト２０のエツチング深−１−ｕ１０ｏ
ｙｖ−ｎ＝ ＋Ｔｉ○２５のスパッタレートは１００
人／ｍｉｎ でアリこれを５０雛行なうと、溝４０部
分に深さ０．５μｍ。
導幅１．０μｍのＴ ＩＯ２よりなる光導波路５ｏが形
される工程である。（ｄ）の工程は（Ｃ）の工程でエツ
チングされなかったレジスｌ−２をアセトン溶液に浸し
て超音波洗浄を５賭行なうことによりレジスト２除去す
る工程である。
される工程である。（ｄ）の工程は（Ｃ）の工程でエツ
チングされなかったレジスｌ−２をアセトン溶液に浸し
て超音波洗浄を５賭行なうことによりレジスト２除去す
る工程である。
なお、レジスト２は、マイクロポジット３１４００−２
７（シュプレイ社）の厚み１．２Ｊｉｍのレジスｌ−で
、溝４０内のＴ、１Ｏ２５０は７パノタにより形成され
る線幅１μｍ、深さ０．５μｍ。
７（シュプレイ社）の厚み１．２Ｊｉｍのレジスｌ−で
、溝４０内のＴ、１Ｏ２５０は７パノタにより形成され
る線幅１μｍ、深さ０．５μｍ。
屈折率２．４０のＴ １０２膜からなる光導波路である
。
。
この方法において、（Ｃ）の工程は、スパッタにより生
成されるラジカルな０２分子がＬ Ｉ Ｎ ｂ Ｏｓ基
板１上に存在するために、レジスト２０がエツチングさ
れ、０２）゛分子が長寿命であるがために、レジスト３
Ｊ：Ｒ１１にＴ １０２が形成されずにエノチン６ ／
・−／ グされ溝４ｏのみに選択的にＴ ｔ Ｏ２が形成される
。
成されるラジカルな０２分子がＬ Ｉ Ｎ ｂ Ｏｓ基
板１上に存在するために、レジスト２０がエツチングさ
れ、０２）゛分子が長寿命であるがために、レジスト３
Ｊ：Ｒ１１にＴ １０２が形成されずにエノチン６ ／
・−／ グされ溝４ｏのみに選択的にＴ ｔ Ｏ２が形成される
。
従来のプロトン交換法による光導波路の形成は拡散によ
り行なわれるため、マスクの線幅に等しいプロ１−ン交
換層を形成するのは困難である。しかし、本発明では常
にマスク幅に等しい導波路層が生成できる。
り行なわれるため、マスクの線幅に等しいプロ１−ン交
換層を形成するのは困難である。しかし、本発明では常
にマスク幅に等しい導波路層が生成できる。
なお、実施例では厚み１．２１１ｍのレジスト２を使用
して１μｍ幅のスリット３を形成し１分子ビームによる
０、６μｍ深さのエツチングを行な−、スパッタ装置に
よりＴｌＯ２を形成させたが、レジスト幅とエツチング
深さは、スパッタ時におけるレジストのエツチングレー
トと薄膜のスパノタレ−１・の比によって決められるも
ので、特に３１４０ｏ−２７のレジストやエツチング深
さを０．５μｍに限定する必要はない。丑だ、実施例で
は、ＴｌＯ２を用いたが、酸化膜で屈折率が基板より高
く光の透過領域が可視光が含１れる薄膜であれば、特許
請求の範囲である。また、０））の工程で、分子ビーム
によるエツチングを行なったが、基板温度を」二げずに
エツチングが可能な方法であれば他の方法でもよい。丑
だ、基板１ｏもＬ Ｉ Ｎ ｂ Ｏ３に限らずＬ １Ｎ
ｂｘＴａ （１−ｘ）Ｏ３（○＜” ’：、 ’ ）の
ものであれば使用可能である。
して１μｍ幅のスリット３を形成し１分子ビームによる
０、６μｍ深さのエツチングを行な−、スパッタ装置に
よりＴｌＯ２を形成させたが、レジスト幅とエツチング
深さは、スパッタ時におけるレジストのエツチングレー
トと薄膜のスパノタレ−１・の比によって決められるも
ので、特に３１４０ｏ−２７のレジストやエツチング深
さを０．５μｍに限定する必要はない。丑だ、実施例で
は、ＴｌＯ２を用いたが、酸化膜で屈折率が基板より高
く光の透過領域が可視光が含１れる薄膜であれば、特許
請求の範囲である。また、０））の工程で、分子ビーム
によるエツチングを行なったが、基板温度を」二げずに
エツチングが可能な方法であれば他の方法でもよい。丑
だ、基板１ｏもＬ Ｉ Ｎ ｂ Ｏ３に限らずＬ １Ｎ
ｂｘＴａ （１−ｘ）Ｏ３（○＜” ’：、 ’ ）の
ものであれば使用可能である。
発明の効果
以上のように本発明は、Ｌ ｉＮｂ ｘＴ ａ （１−
ｘ）Ｏ３（○＜：Ｘり１ ）の表面をエツチングにより
溝を形成し、基板より高屈折率で光の透過領域が可視光
を含む酸化膜を上記溝にスパッタ形成させることにより
、プロトン交換法による埋込み型の屈折率差より大きい
ものができ、上記酸化膜を形成するときのスパッタ時に
０２ガスを流すことにより、上記エツチング溝以外に上
記酸化膜を形成されず、光導波路幅はエツチング時のス
リットの幅にすることができる。したがって、本発明に
よれば、高性能な光導波路を均一性良く容易に形成する
ことが可能となり、光導波路の工業的製造に大きく寄与
するものである。
ｘ）Ｏ３（○＜：Ｘり１ ）の表面をエツチングにより
溝を形成し、基板より高屈折率で光の透過領域が可視光
を含む酸化膜を上記溝にスパッタ形成させることにより
、プロトン交換法による埋込み型の屈折率差より大きい
ものができ、上記酸化膜を形成するときのスパッタ時に
０２ガスを流すことにより、上記エツチング溝以外に上
記酸化膜を形成されず、光導波路幅はエツチング時のス
リットの幅にすることができる。したがって、本発明に
よれば、高性能な光導波路を均一性良く容易に形成する
ことが可能となり、光導波路の工業的製造に大きく寄与
するものである。
第１図は本発明の実施例における光導波路の製造工程１
析而図、第２図は従来のプロトン交換法を用いた光導波
路の製造方法の具体的構成図である。 １０・・・・・・ＬｉＮｂＯ３基板、２０・・・・レジ
スト、３Ｑ ・・・スリット、４ｏ・・ 溝、５０・・
・・光導波路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 赦 男 ほか１名２０
−几ジヌト 、Ｊ−スリット 第１図 史−ＨｒＯ２（尤厚波ご第２図 ？
析而図、第２図は従来のプロトン交換法を用いた光導波
路の製造方法の具体的構成図である。 １０・・・・・・ＬｉＮｂＯ３基板、２０・・・・レジ
スト、３Ｑ ・・・スリット、４ｏ・・ 溝、５０・・
・・光導波路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 赦 男 ほか１名２０
−几ジヌト 、Ｊ−スリット 第１図 史−ＨｒＯ２（尤厚波ご第２図 ？
Claims (3)
- （１）ＬｉＮｂ＿ｘＴａ＿（＿１＿−＿ｘ＿）Ｏ＿３（
０≦ｘ≦１）基板上に溝を形成する工程と、スパッタ法
により前記基板の溝に高屈折率層の光導波路膜を形成す
る工程を有することを特徴とする光導波路の製造方法。 - （２）ＬｉＮｂ＿ｘＴａ＿（＿１＿−＿ｘ＿）Ｏ＿３（
０≦ｘ≦１）基板が＋Ｚ板である特許請求の範囲第１項
記載の光導波路の製造方法。 - （３）高屈折率層の膜が、酸化膜でなる高屈折率層で光
の透過領域が可視光を含む膜である特許請求の範囲第１
項記載の光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13921587A JPS63303308A (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13921587A JPS63303308A (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | 光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63303308A true JPS63303308A (ja) | 1988-12-09 |
Family
ID=15240199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13921587A Pending JPS63303308A (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63303308A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7471865B2 (en) | 2004-06-04 | 2008-12-30 | Poa Sana Liquidating Trust | Apparatus and method for a molded waveguide for use with touch screen displays |
| US7474816B2 (en) | 2004-06-04 | 2009-01-06 | Poa Sana Liquidating Trust | Waveguide with a three dimensional lens |
| US7509011B2 (en) | 2004-01-15 | 2009-03-24 | Poa Sana Liquidating Trust | Hybrid waveguide |
| US7676131B2 (en) | 2004-06-04 | 2010-03-09 | Poa Sana Liquidating Trust | Waveguide with a three-dimensional lens |
| US7786983B2 (en) | 2003-04-08 | 2010-08-31 | Poa Sana Liquidating Trust | Apparatus and method for a data input device using a light lamina screen |
-
1987
- 1987-06-03 JP JP13921587A patent/JPS63303308A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7786983B2 (en) | 2003-04-08 | 2010-08-31 | Poa Sana Liquidating Trust | Apparatus and method for a data input device using a light lamina screen |
| US7509011B2 (en) | 2004-01-15 | 2009-03-24 | Poa Sana Liquidating Trust | Hybrid waveguide |
| US7471865B2 (en) | 2004-06-04 | 2008-12-30 | Poa Sana Liquidating Trust | Apparatus and method for a molded waveguide for use with touch screen displays |
| US7474816B2 (en) | 2004-06-04 | 2009-01-06 | Poa Sana Liquidating Trust | Waveguide with a three dimensional lens |
| US7520050B2 (en) | 2004-06-04 | 2009-04-21 | Poasana Liquidating Trust | Apparatus and method for a molded waveguide for use with touch screen displays |
| US7676131B2 (en) | 2004-06-04 | 2010-03-09 | Poa Sana Liquidating Trust | Waveguide with a three-dimensional lens |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2902642B2 (ja) | 集積光学光強度変調器及びその製造方法 | |
| JPH04234005A (ja) | イオン交換法による光導波管の製造方法 | |
| US5155620A (en) | Nonlinear optical devices and methods | |
| JPS63303308A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPS6032844B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| KR20170047543A (ko) | 광변조기용 리튬나오베이트(LiNbO3)기판의 제조 방법 | |
| JPS63309904A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JP3417427B2 (ja) | 光導波路装置、及び光導波路装置又は光導波路の製造方法 | |
| JPH06222403A (ja) | 方向性結合形光導波路 | |
| JPH05313032A (ja) | 光導波路の作製方法 | |
| JP3459040B2 (ja) | 高分子熱光学光導波路素子 | |
| JP2962378B2 (ja) | 光スイッチ | |
| JPH06174908A (ja) | 導波路型回折格子の製造方法 | |
| US6518078B2 (en) | Articles useful as optical waveguides and method for manufacturing same | |
| JP2590807B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPH0310206A (ja) | ＬｉＮｂＯ↓３光導波路およびその製造方法 | |
| JP2643927B2 (ja) | 光分岐・光結合回路の製造方法 | |
| JPH0643412A (ja) | 光制御デバイスの製造方法 | |
| JPS6269247A (ja) | 光スイツチ | |
| JPS60156012A (ja) | 埋込形光導波路装置 | |
| Chen | A new technique for waveguide formation in LiNbO3 | |
| JPS61188502A (ja) | 光素子の製造方法 | |
| JPH0410602B2 (ja) | ||
| JPH0232305A (ja) | Ｔｉ拡散導波路光方向性結合器の製作方法 | |
| JPS63158506A (ja) | 光素子の製造方法 |