JPH0310206A - ＬｉＮｂＯ↓３光導波路およびその製造方法 - Google Patents
ＬｉＮｂＯ↓３光導波路およびその製造方法Info
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- JPH0310206A JPH0310206A JP1145576A JP14557689A JPH0310206A JP H0310206 A JPH0310206 A JP H0310206A JP 1145576 A JP1145576 A JP 1145576A JP 14557689 A JP14557689 A JP 14557689A JP H0310206 A JPH0310206 A JP H0310206A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、光スイッチ、光変調器、モード・コンバー
タなどの光導波路に用いて好適なＬ ｉ Ｎ １１０３
光導波路およびその製造方法に関する。
タなどの光導波路に用いて好適なＬ ｉ Ｎ １１０３
光導波路およびその製造方法に関する。
「従来の技術」
Ｔｉ拡散法によって作成されたＬ ｉ Ｎ １１０ ！
ｌ光導波路は、その屈折率分布がガウス分布をしており
、ソングルモートの光導波路として適している。また、
光導波路に電界を加えることによってその屈折率が変化
することを利用して光スィッチ、光変調器及びモード・
コンバータなどとして用いられる。
ｌ光導波路は、その屈折率分布がガウス分布をしており
、ソングルモートの光導波路として適している。また、
光導波路に電界を加えることによってその屈折率が変化
することを利用して光スィッチ、光変調器及びモード・
コンバータなどとして用いられる。
第２図は上述した従来のしｌＮｂ０１光導波路の製造方
法を示す工程図である。この図において、まず、Ｌ ＋
Ｎ ｂｏ ３基板１の」二にＴｉ等の金属２をデボジ
ッション・パターニングによってストライプ状に形成す
る（第２図（λ）、（ｂ）参照）。次に、この金属２を
熱拡散することによってＬ＋ Ｎ １１０３基板１より
高屈折率の光導波路３を形成していた（第２図（ｃ）参
照）。
法を示す工程図である。この図において、まず、Ｌ ＋
Ｎ ｂｏ ３基板１の」二にＴｉ等の金属２をデボジ
ッション・パターニングによってストライプ状に形成す
る（第２図（λ）、（ｂ）参照）。次に、この金属２を
熱拡散することによってＬ＋ Ｎ １１０３基板１より
高屈折率の光導波路３を形成していた（第２図（ｃ）参
照）。
上述した製造方法によって形成されたＬ ｉ Ｎ ｂ０
３光導波路ては、光導波路３の断面か図示のように縦・
横比の大きな楕円状になる。このようなＬｉＮｂＯ３光
導波路において、光ファイバのような縦・横比が１：１
１ずなわち光導波路の断面形状が円形のものと楕円形状
の光導波路３とが接続された場合には、両者の断面形状
の違いに起因する接続損失を生ずるという欠点がある。
３光導波路ては、光導波路３の断面か図示のように縦・
横比の大きな楕円状になる。このようなＬｉＮｂＯ３光
導波路において、光ファイバのような縦・横比が１：１
１ずなわち光導波路の断面形状が円形のものと楕円形状
の光導波路３とが接続された場合には、両者の断面形状
の違いに起因する接続損失を生ずるという欠点がある。
上述した欠点を改善する方法としては、第３図に示すＭ
ｇ０（酸化マグネシウム）追拡散法がある。
ｇ０（酸化マグネシウム）追拡散法がある。
このＭｇＯ追拡散法では、まず、第２図と同様にＬｉＮ
ｂＯ３基板１の上にストライプ状に金属２をパターニン
グする（第３図（ａ）、（ｂ）参照）。
ｂＯ３基板１の上にストライプ状に金属２をパターニン
グする（第３図（ａ）、（ｂ）参照）。
次に、この金属２をＬｉＮｂＯ３基板１に熱拡散して高
屈折率の光導波路３を形成した後、ＭｇＯ（酸化マグネ
ノウム）を堆積する（第３図（ｃ） 、（ｄ）参照）。
屈折率の光導波路３を形成した後、ＭｇＯ（酸化マグネ
ノウム）を堆積する（第３図（ｃ） 、（ｄ）参照）。
そして、ＭｇＯをＬｉＮｂ０．基板１に熱拡散する（第
３図（ｅ）参照）。
３図（ｅ）参照）。
上述のＭｇＯ追拡散法によって形成されたＬ １ＮｂＯ
３光導波路では、ＬｉＮｂＯ３基板１の」二部が一様に
低屈折率になり、光導波路３の実質的な断面形状が縦・
横比１１の円形に近くなる１゜「発明か解決しようとす
る課題」 ところで、上述した従来のＭｇＯ追拡散法による製造方
法では、拡散プロセスが２回必要であるため、作業性が
悪く、里産性に劣る。また、−Ｊ＝述した製造方法によ
って形成されたＬ ＋Ｎ ｂｏ ｓ光導波路の先導波特
性はＴｉ、ＭｇＯの膜厚に対して非常に敏感であるため
、両者の膜厚を１０人程度で厳密に制御しなければなら
ないという問題を生しる。
３光導波路では、ＬｉＮｂＯ３基板１の」二部が一様に
低屈折率になり、光導波路３の実質的な断面形状が縦・
横比１１の円形に近くなる１゜「発明か解決しようとす
る課題」 ところで、上述した従来のＭｇＯ追拡散法による製造方
法では、拡散プロセスが２回必要であるため、作業性が
悪く、里産性に劣る。また、−Ｊ＝述した製造方法によ
って形成されたＬ ＋Ｎ ｂｏ ｓ光導波路の先導波特
性はＴｉ、ＭｇＯの膜厚に対して非常に敏感であるため
、両者の膜厚を１０人程度で厳密に制御しなければなら
ないという問題を生しる。
この発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、作
業性を落とさずに光導波路の断面を縦・横比の小さな形
状にすることができ、がっ、ＬＩＮ ｂ ０３基板」二
に堆積させる金属の膜厚とその拡散条件を制御すること
により簡単に屈折率構造を制御できるＩ−ｉ Ｎ ｂｏ
３光導波路およびその製造方法を提供することを目的
としている。
業性を落とさずに光導波路の断面を縦・横比の小さな形
状にすることができ、がっ、ＬＩＮ ｂ ０３基板」二
に堆積させる金属の膜厚とその拡散条件を制御すること
により簡単に屈折率構造を制御できるＩ−ｉ Ｎ ｂｏ
３光導波路およびその製造方法を提供することを目的
としている。
「課題を解決するための手段」
このような問題点を解決するために、請求項Ｉ記載の発
明ではＬ ｉＮ ｂｏ ３基板と、コノＬ ＋ Ｎ ｌ
） Ｏ。
明ではＬ ｉＮ ｂｏ ３基板と、コノＬ ＋ Ｎ ｌ
） Ｏ。
基板に近い屈折率を有し、Ｌ ｉ Ｎ ｂｏ ！１基板
上に形成される透明誘電体層と、前記Ｌ ｉＮ ｂ Ｏ
３基板と前記透明誘電体層との間に形成される高屈折率
の光導波路とを備えることを特徴とする 請求項２記載の発明ではＩ、１Ｎｂ０３基板上に、この
Ｌ ｉ Ｎ ｂｏ ３基板の屈折率を高める金属を所定
の形状に堆積し、この」二に前記Ｌ ｉＮ ｂｏ ３基
板の屈折率に近い屈折率を有する透明誘電体を堆積した
後に、前記金属を熱拡散することによって高屈折率の光
導波路を形成することを特徴とする。
上に形成される透明誘電体層と、前記Ｌ ｉＮ ｂ Ｏ
３基板と前記透明誘電体層との間に形成される高屈折率
の光導波路とを備えることを特徴とする 請求項２記載の発明ではＩ、１Ｎｂ０３基板上に、この
Ｌ ｉ Ｎ ｂｏ ３基板の屈折率を高める金属を所定
の形状に堆積し、この」二に前記Ｌ ｉＮ ｂｏ ３基
板の屈折率に近い屈折率を有する透明誘電体を堆積した
後に、前記金属を熱拡散することによって高屈折率の光
導波路を形成することを特徴とする。
「作用」
Ｌ ｉＮ ｂｏ ３基板上に、このＬ ｉＮ ｂｏ ３
基板の屈折率を高める金属を堆積し、この上に前記Ｌ
ｉＮ ｂｏ ３基板の屈折率に近い屈折率を有する透明
誘電体を堆積する。次？こ、上記金属を熱拡散すること
によって断面の縦・横比が小さい高屈折率光導波路層を
形成する。
基板の屈折率を高める金属を堆積し、この上に前記Ｌ
ｉＮ ｂｏ ３基板の屈折率に近い屈折率を有する透明
誘電体を堆積する。次？こ、上記金属を熱拡散すること
によって断面の縦・横比が小さい高屈折率光導波路層を
形成する。
「実施例」
次に図面を参照してこの発明の実施例について説明する
。
。
第１図は、この発明の一実施例によるＬｉＮｂＯ３光導
波路の製造方法を示す工程図である。この図において、
まず、ＬｉＮｂＯ３基板ｌの上基板口のＬｉＮｂ０．基
板Ｉの屈折率を高める金属２としてＴｉ（ヂタン）をＲ
Ｆスパッタを用いて６００人の厚さに堆積させた後、リ
フトオフ法によってストライプ状に形成した（第１図（
ａ）、（ｂ）参照）。次に、この上にＬｉＮｂＯ３基板
１に近い屈折率を有する透明誘電体６としてＬｉＮｂＯ
３をＲＦスパッタを用いて１μｍの厚さに堆積させ（第
１図（ｃ）参照）、これを１０５０℃の不活性ガス中で
６時間熱拡散し、高屈折率の光導波路３を形成した（第
１図（ｄ）参照）。
波路の製造方法を示す工程図である。この図において、
まず、ＬｉＮｂＯ３基板ｌの上基板口のＬｉＮｂ０．基
板Ｉの屈折率を高める金属２としてＴｉ（ヂタン）をＲ
Ｆスパッタを用いて６００人の厚さに堆積させた後、リ
フトオフ法によってストライプ状に形成した（第１図（
ａ）、（ｂ）参照）。次に、この上にＬｉＮｂＯ３基板
１に近い屈折率を有する透明誘電体６としてＬｉＮｂＯ
３をＲＦスパッタを用いて１μｍの厚さに堆積させ（第
１図（ｃ）参照）、これを１０５０℃の不活性ガス中で
６時間熱拡散し、高屈折率の光導波路３を形成した（第
１図（ｄ）参照）。
このような製造方法によって得られた光導波路３の実質
的な断面形状は、縦が３．５μｍ１横が４．５μｍの楕
円状であり、縦・横比は１・１３６であった。また、光
導波路３と光ファイバ七の接続損失は約１ｄＢであり、
従来の製造方法による縦・横比１：１．６１（縦が２
、８ ｐ ｍ 、横が４゜５μｍ）の光導波路上光ファ
イバとの接続損失２ｃｌＢに比へ損失面で改善が見られ
た。
的な断面形状は、縦が３．５μｍ１横が４．５μｍの楕
円状であり、縦・横比は１・１３６であった。また、光
導波路３と光ファイバ七の接続損失は約１ｄＢであり、
従来の製造方法による縦・横比１：１．６１（縦が２
、８ ｐ ｍ 、横が４゜５μｍ）の光導波路上光ファ
イバとの接続損失２ｃｌＢに比へ損失面で改善が見られ
た。
なお、」−述の高屈折率の光導波路３を形成する金属２
としては、ＴＩ以外に、例えば、Ｎｉ、Ｃｕなどを用い
てもよい。また、透明誘電体６の材料としテハ、ＬｉＮ
ｂＯ３以外に、例えば、ＬｉＮｂＯ３Δｌ、０３． Ｓ
ｉＯ、−Ｔ ｉＯ、などを用いてもよい。
としては、ＴＩ以外に、例えば、Ｎｉ、Ｃｕなどを用い
てもよい。また、透明誘電体６の材料としテハ、ＬｉＮ
ｂＯ３以外に、例えば、ＬｉＮｂＯ３Δｌ、０３． Ｓ
ｉＯ、−Ｔ ｉＯ、などを用いてもよい。
「発明の効果」
以」二説明したように、この発明によれば、熱拡散プロ
セスにおいて、基板ｌｔ ＩｔがＬ ｉＮ ｂｏ ３基
板および透明誘電体中にほぼ均等に拡散するため、光導
波路の断面の縦・横比が小さくなり、光ファイバとの接
続損失を低減することができる。また、熱拡散プロセス
において、Ｌｉ Ｎ ｂｏ ！１基板の屈折率は透明誘
電体によって変化しないため、その膜厚を厳密に制御す
る必要がない。したがって、ＬｉＮｂＯ３基板上に堆積
させる金属の膜厚とその拡散条件だ（」を制御すること
により簡単に屈折率構造を制御できる利点が得られる。
セスにおいて、基板ｌｔ ＩｔがＬ ｉＮ ｂｏ ３基
板および透明誘電体中にほぼ均等に拡散するため、光導
波路の断面の縦・横比が小さくなり、光ファイバとの接
続損失を低減することができる。また、熱拡散プロセス
において、Ｌｉ Ｎ ｂｏ ！１基板の屈折率は透明誘
電体によって変化しないため、その膜厚を厳密に制御す
る必要がない。したがって、ＬｉＮｂＯ３基板上に堆積
させる金属の膜厚とその拡散条件だ（」を制御すること
により簡単に屈折率構造を制御できる利点が得られる。
第１図（Ｊ、この発明の一実施例による ＬｉＮｂＯ３
光導波路の製造方法を示す工程図、第２図および第３図
は従来のＬｉＮｂＯ３光導波路の製造方法を示す工程図
である。 １ ・ Ｌ ｉ Ｎ ｂｏ ３基板、２導波路、６・・
・透明誘電体。 金属、３ 光
光導波路の製造方法を示す工程図、第２図および第３図
は従来のＬｉＮｂＯ３光導波路の製造方法を示す工程図
である。 １ ・ Ｌ ｉ Ｎ ｂｏ ３基板、２導波路、６・・
・透明誘電体。 金属、３ 光
Claims (2)
- （１）ＬｉＮｂＯ＿３基板と、このＬｉＮｂＯ＿３基板
に近い屈折率を有し、ＬｉＮｂＯ＿３基板上に形成され
る透明誘電体層と、前記ＬｉＮｂＯ＿３基板と前記透明
誘電体層との間に形成される高屈折率の光導波路とを備
えることを特徴とするＬｉＮｂＯ＿３光導波路。 - （２）ＬｉＮｂＯ＿３基板上に、このＬｉＮｂＯ＿３基
板の屈折率を高める金属を所定の形状に堆積し、この上
に前記ＬｉＮｂＯ＿３基板に近い屈折率を有する透明誘
電体を堆積した後に、前記金属を熱拡散することによっ
て高屈折率の光導波路を形成することを特徴とするＬｉ
ＮｂＯ＿３光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1145576A JPH0310206A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | ＬｉＮｂＯ↓３光導波路およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1145576A JPH0310206A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | ＬｉＮｂＯ↓３光導波路およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0310206A true JPH0310206A (ja) | 1991-01-17 |
Family
ID=15388300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1145576A Pending JPH0310206A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | ＬｉＮｂＯ↓３光導波路およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0310206A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006250877A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Canon Inc | 光学式エンコーダ |
| JP2006284449A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Canon Inc | 位置検出装置、該位置検出装置を有する光学装置 |
| JP2008545978A (ja) * | 2005-06-11 | 2008-12-18 | ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | スケール用の保持具 |
-
1989
- 1989-06-08 JP JP1145576A patent/JPH0310206A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006250877A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Canon Inc | 光学式エンコーダ |
| JP2006284449A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Canon Inc | 位置検出装置、該位置検出装置を有する光学装置 |
| JP2008545978A (ja) * | 2005-06-11 | 2008-12-18 | ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | スケール用の保持具 |
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