JPH04254834A - 光波長変換素子 - Google Patents
光波長変換素子Info
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- JPH04254834A JPH04254834A JP3016196A JP1619691A JPH04254834A JP H04254834 A JPH04254834 A JP H04254834A JP 3016196 A JP3016196 A JP 3016196A JP 1619691 A JP1619691 A JP 1619691A JP H04254834 A JPH04254834 A JP H04254834A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コヒ−レント光を利用
する光情報処理分野、あるいは光応用計測制御分野に使
用する光波長変換素子およびその製造方法に関するもの
である。
する光情報処理分野、あるいは光応用計測制御分野に使
用する光波長変換素子およびその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図４に従来の光波長変換素子の構成図を
示す。以下１．０６μｍの波長の基本波に対する高調波
発生（波長０．５３μｍ）について図を用いて詳しく述
べる。 （Ｅ．Ｊ．Ｌｉｍ， Ｍ．Ｍ．Ｆｅｊｅｒ， Ｒ．Ｌ．
Ｂｙｅｒ ， ”Ｓｅｃｏｎｄ ｈａｒｍｏｎｉｃ ｇ
ｅｎｅｒａｔｉｏｎｏｆ ｂｌｕｅ ａｎｄ ｇｒｅｅ
ｎ ｌｉｇｈｔ ｉｎ ｐｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙ−ｐ
ｏｌｅｄ ｐｌａｎａｒ ｌｉｔｈｉｕｍ ｎｉｏｂａ
ｔｅ ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ”， Ｉｎ Ｔｏｐｉｃａ
ｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ Ｎｏｎｌｉｎｅａｒ Ｇｕｉｄｅ
ｄ Ｗａｖｅ Ｐｈｅｎｏｍｅｎａ，ＰＤ３，１９８９
年、参照）。図４に示されるようにＬｉＮｂＯ３基板１
には光導波路２が形成され、さらに光導波路２には周期
的に分極の反転した層３（分極反転層）が形成されてい
る。 基本波Ｐ１と発生する高調波Ｐ２の伝搬定数の不整合を
分極反転層３の周期構造で補償することにより高効率に
高調波を出すことができる。光導波路２の入射面１０に
基本波Ｐ１を入射すると、光導波路２から高調波Ｐ２が
効率良く発生され、光波長変換素子として動作する。
示す。以下１．０６μｍの波長の基本波に対する高調波
発生（波長０．５３μｍ）について図を用いて詳しく述
べる。 （Ｅ．Ｊ．Ｌｉｍ， Ｍ．Ｍ．Ｆｅｊｅｒ， Ｒ．Ｌ．
Ｂｙｅｒ ， ”Ｓｅｃｏｎｄ ｈａｒｍｏｎｉｃ ｇ
ｅｎｅｒａｔｉｏｎｏｆ ｂｌｕｅ ａｎｄ ｇｒｅｅ
ｎ ｌｉｇｈｔ ｉｎ ｐｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙ−ｐ
ｏｌｅｄ ｐｌａｎａｒ ｌｉｔｈｉｕｍ ｎｉｏｂａ
ｔｅ ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ”， Ｉｎ Ｔｏｐｉｃａ
ｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ Ｎｏｎｌｉｎｅａｒ Ｇｕｉｄｅ
ｄ Ｗａｖｅ Ｐｈｅｎｏｍｅｎａ，ＰＤ３，１９８９
年、参照）。図４に示されるようにＬｉＮｂＯ３基板１
には光導波路２が形成され、さらに光導波路２には周期
的に分極の反転した層３（分極反転層）が形成されてい
る。 基本波Ｐ１と発生する高調波Ｐ２の伝搬定数の不整合を
分極反転層３の周期構造で補償することにより高効率に
高調波を出すことができる。光導波路２の入射面１０に
基本波Ｐ１を入射すると、光導波路２から高調波Ｐ２が
効率良く発生され、光波長変換素子として動作する。
【０００３】このような従来の光波長変換素子は分極反
転構造を基本構成要素としていた。この素子の製造方法
について図５を用いて説明する。同図（ａ）で非線形光
学結晶であるＬｉＮｂＯ３基板１表面にＳｉＯ２６のパ
ターンをスパッタ蒸着とフォトリソグラフィーにより幅
数μｍの周期で形成していた。次に同図（ｂ）で１１０
０℃程度の温度で熱処理を行いＬｉＮｂＯ３基板１と分
極が反対向きに反転した分極反転層３を形成した。次に
同図（ｃ）で導波路のパターンを形成したあと、安息香
酸（２００℃）中で３０分熱処理を行った後３５０℃で
アニールを行い光導波路２を形成する。上記安息香酸処
理により作製される光波長変換素子は波長１．０６μｍ
の基本波Ｐ１に対して、光導波路の長さを１ｍｍ、基本
波Ｐ１のパワーを１ｍＷにしたとき高調波Ｐ２のパワー
０．５ｎＷが得られていた。基本波が４０ｍＷ入射した
とすると８００ｎＷの高調波出力が可能である。この場
合１ｃｍの素子での変換効率は０．２％である。
転構造を基本構成要素としていた。この素子の製造方法
について図５を用いて説明する。同図（ａ）で非線形光
学結晶であるＬｉＮｂＯ３基板１表面にＳｉＯ２６のパ
ターンをスパッタ蒸着とフォトリソグラフィーにより幅
数μｍの周期で形成していた。次に同図（ｂ）で１１０
０℃程度の温度で熱処理を行いＬｉＮｂＯ３基板１と分
極が反対向きに反転した分極反転層３を形成した。次に
同図（ｃ）で導波路のパターンを形成したあと、安息香
酸（２００℃）中で３０分熱処理を行った後３５０℃で
アニールを行い光導波路２を形成する。上記安息香酸処
理により作製される光波長変換素子は波長１．０６μｍ
の基本波Ｐ１に対して、光導波路の長さを１ｍｍ、基本
波Ｐ１のパワーを１ｍＷにしたとき高調波Ｐ２のパワー
０．５ｎＷが得られていた。基本波が４０ｍＷ入射した
とすると８００ｎＷの高調波出力が可能である。この場
合１ｃｍの素子での変換効率は０．２％である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような分極反転
層を基本とした光波長変換素子では、例えば分極反転層
３と非分極反転層５とをたした分極反転構造の周期が３
μｍのとき分極反転層３の深さ方向の厚みは１μｍしか
ない。その理由としては分極反転層が三角形をしている
ためである。つまり、分極反転層の深さ方向の厚みを増
そうとした場合、ＳｉＯ２膜６直下の分極反転層３は、
深さ方向だけでなく幅方向にも広がる。基板表面で隣の
分極反転層どうしが接触してしまうとそれ以上分極反転
層は広がらないので自ずから深さが決まってしまう。
層を基本とした光波長変換素子では、例えば分極反転層
３と非分極反転層５とをたした分極反転構造の周期が３
μｍのとき分極反転層３の深さ方向の厚みは１μｍしか
ない。その理由としては分極反転層が三角形をしている
ためである。つまり、分極反転層の深さ方向の厚みを増
そうとした場合、ＳｉＯ２膜６直下の分極反転層３は、
深さ方向だけでなく幅方向にも広がる。基板表面で隣の
分極反転層どうしが接触してしまうとそれ以上分極反転
層は広がらないので自ずから深さが決まってしまう。
【０００５】また、分極反転層の深さを大きくしようと
して分極反転構造の周期を大きくすれば基板表面で分極
反転層は横方向につながってしまい、非分極反転層がな
くなり波長変換ができなくなってしまう。
して分極反転構造の周期を大きくすれば基板表面で分極
反転層は横方向につながってしまい、非分極反転層がな
くなり波長変換ができなくなってしまう。
【０００６】光波長変換素子の変換効率は光導波路と、
分極反転層と非分極反転層で構成される分極反転構造と
の重なりが大きい程高く、分極反転層の厚みは大きいほ
ど望ましくなる。そのため光波長変換素子変換効率は分
極反転構造の深さが２μｍあるとした場合に対して１μ
ｍでは１／５になっていた。
分極反転層と非分極反転層で構成される分極反転構造と
の重なりが大きい程高く、分極反転層の厚みは大きいほ
ど望ましくなる。そのため光波長変換素子変換効率は分
極反転構造の深さが２μｍあるとした場合に対して１μ
ｍでは１／５になっていた。
【０００７】そこで、本発明は高調波を高効率で出力す
る光波長変換素子とその製造方法を提供することを目的
とする。
る光波長変換素子とその製造方法を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するため、非線形光学結晶表面に、光導波路と、前
記光導波路の伝搬方向に対し周期的な分極反転層を有し
、前記光導波路上に屈折率が前記光導波路と近接した装
荷層が形成されている光波長変換素子である。
解決するため、非線形光学結晶表面に、光導波路と、前
記光導波路の伝搬方向に対し周期的な分極反転層を有し
、前記光導波路上に屈折率が前記光導波路と近接した装
荷層が形成されている光波長変換素子である。
【０００９】また、本発明の光波長変換素子の製造方法
は高出力な光波長変換素子を得るために非線形光学結晶
表面に、光導波路と、前記光導波路の伝搬方向に対し周
期的な分極反転層と、前記光導波路上に屈折率が前記光
導波路と近接した装荷層を形成する工程を含む光波長変
換素子の製造方法である。
は高出力な光波長変換素子を得るために非線形光学結晶
表面に、光導波路と、前記光導波路の伝搬方向に対し周
期的な分極反転層と、前記光導波路上に屈折率が前記光
導波路と近接した装荷層を形成する工程を含む光波長変
換素子の製造方法である。
【００１０】
【作用】本発明の光波長変換素子は光導波路を伝搬する
基本波の導波モードの中心を装荷層側に寄せて分極反転
層との重なりを大きくすることにより高効率で高調波が
発生できる。また、本発明の光波長変換素子の製造方法
によれば、上記作用により高効率な光波長変換素子を簡
単に製造できる。
基本波の導波モードの中心を装荷層側に寄せて分極反転
層との重なりを大きくすることにより高効率で高調波が
発生できる。また、本発明の光波長変換素子の製造方法
によれば、上記作用により高効率な光波長変換素子を簡
単に製造できる。
【００１１】
【実施例】実施例の一つとして本発明の光波長変換素子
の構成を図面を用いて説明する。まず、本発明による光
波長変換素子の第１の実施例の構造図を図１に示す。こ
の実施例では分極反転型の光波長変換素子としてＬｉＮ
ｂＯ３基板１中にプロトン交換を用いて作製した光導波
路２を用いたものである。図１で１は＋Ｚ板（Ｚ軸と垂
直に切り出された基板の＋側）のＬｉＮｂＯ３基板、２
は基板１表面に形成された光導波路、３は分極反転層、
１０は基本波Ｐ１の入射部、１２は高調波Ｐ２の出射部
、１５は光導波路上に形成された装荷層である。光導波
路２に入った基本波Ｐ１は位相整合長Ｌの長さを持った
分極反転層で高調波Ｐ２に変換され、次の同じくＬの長
さを持った非分極反転層で高調波パワーは増す事になる
。このようにして光導波路２内でパワーを増した高調波
Ｐ２は出射部１２より放射される。次にこの光波長変換
素子の製造方法について図面を使って説明する。図２（
ａ）でまずＬｉＮｂＯ３基板１に通常のフォトプロセス
とドライエッチングを用いてＳｉＯ２６をパターニング
する。次に同図（ｂ）でＳｉＯ２が形成されたＬｉＮｂ
Ｏ３基板１に１０８０℃、９０分間熱処理を行いＳｉＯ
２６直下に厚み１μｍの分極反転層３を形成する。熱処
理の上昇レートは１０℃／分、冷却レートは５０℃／分
である。冷却レートが遅いと不均一反転が生じるので３
０℃／分以上が望ましい。ＳｉＯ２６直下はＬｉが減少
しておりキュリー温度が低下するため部分的に分極反転
ができる。分極反転層３の長さＬは１．５μｍである。 次に同図（ｃ）でＨＦ：ＨＮＦ３の１：１混合液にて２
０分間エッチングしＳｉＯ２６を除去する。次にＬｉＮ
ｂＯ３基板１にプロトン交換を用いて光導波路２を形成
する。光導波路２用マスクとしてＴａをストライプ状に
パターニングを行った後、Ｔａマスクに幅６μｍ、長さ
１２ｍｍのスリットが形成されたものに２３０℃、２分
間プロトン交換を行った。次にマスクを除去した後３５
０℃で１時間アニールを行った。アニール処理により均
一化されロスが減少した上にプロトン交換層に非線形性
が戻る。プロトン交換された保護マスクのスリット直下
の領域は屈折率が０．０３程度上昇した高屈折率層２と
なる。光は高屈折率層２を伝搬し、これが光導波路２と
なる。最後に同図（ｄ）でこの光導波路上にスパッタ蒸
着によりＴａ２Ｏ５による装荷膜１５を３０００Ａ形成
する。Ｔａ２Ｏ５の屈折率は基本波の波長に対して２．
１である。
の構成を図面を用いて説明する。まず、本発明による光
波長変換素子の第１の実施例の構造図を図１に示す。こ
の実施例では分極反転型の光波長変換素子としてＬｉＮ
ｂＯ３基板１中にプロトン交換を用いて作製した光導波
路２を用いたものである。図１で１は＋Ｚ板（Ｚ軸と垂
直に切り出された基板の＋側）のＬｉＮｂＯ３基板、２
は基板１表面に形成された光導波路、３は分極反転層、
１０は基本波Ｐ１の入射部、１２は高調波Ｐ２の出射部
、１５は光導波路上に形成された装荷層である。光導波
路２に入った基本波Ｐ１は位相整合長Ｌの長さを持った
分極反転層で高調波Ｐ２に変換され、次の同じくＬの長
さを持った非分極反転層で高調波パワーは増す事になる
。このようにして光導波路２内でパワーを増した高調波
Ｐ２は出射部１２より放射される。次にこの光波長変換
素子の製造方法について図面を使って説明する。図２（
ａ）でまずＬｉＮｂＯ３基板１に通常のフォトプロセス
とドライエッチングを用いてＳｉＯ２６をパターニング
する。次に同図（ｂ）でＳｉＯ２が形成されたＬｉＮｂ
Ｏ３基板１に１０８０℃、９０分間熱処理を行いＳｉＯ
２６直下に厚み１μｍの分極反転層３を形成する。熱処
理の上昇レートは１０℃／分、冷却レートは５０℃／分
である。冷却レートが遅いと不均一反転が生じるので３
０℃／分以上が望ましい。ＳｉＯ２６直下はＬｉが減少
しておりキュリー温度が低下するため部分的に分極反転
ができる。分極反転層３の長さＬは１．５μｍである。 次に同図（ｃ）でＨＦ：ＨＮＦ３の１：１混合液にて２
０分間エッチングしＳｉＯ２６を除去する。次にＬｉＮ
ｂＯ３基板１にプロトン交換を用いて光導波路２を形成
する。光導波路２用マスクとしてＴａをストライプ状に
パターニングを行った後、Ｔａマスクに幅６μｍ、長さ
１２ｍｍのスリットが形成されたものに２３０℃、２分
間プロトン交換を行った。次にマスクを除去した後３５
０℃で１時間アニールを行った。アニール処理により均
一化されロスが減少した上にプロトン交換層に非線形性
が戻る。プロトン交換された保護マスクのスリット直下
の領域は屈折率が０．０３程度上昇した高屈折率層２と
なる。光は高屈折率層２を伝搬し、これが光導波路２と
なる。最後に同図（ｄ）でこの光導波路上にスパッタ蒸
着によりＴａ２Ｏ５による装荷膜１５を３０００Ａ形成
する。Ｔａ２Ｏ５の屈折率は基本波の波長に対して２．
１である。
【００１２】上記のような工程により装荷層付き光波長
変換素子が製造された。この光導波路２の厚みｄは２μ
ｍであり分極反転層３の厚み１μｍに比べ大きく装荷層
がなければ有効に波長変換されない。図３に従来の装荷
層なしの場合と本発明との構造および導波モードと分極
反転層の重なりを示す。同図（ａ）は従来の装荷層なし
の場合で、分極反転層で高調波に変換されるのは導波す
る光の半分程度しかないために高調波な出力は低くなっ
てしまう。本発明では同図（ｂ）に示されるように導波
路の上に装荷層をつけることによって導波する光の大部
分が分極反転層を通るので入射基本波は効率よく高調波
に変換される。分極反転層３の周期は３μｍであり波長
０．８４ｎｍに対しては温度５０℃で動作する。また、
この光導波路２の非分極反転層４と分極反転層３の屈折
率変化はなく、光が導波する場合の伝搬損失は小さい。 光導波路２に垂直な面を光学研磨し入射部１０および出
射部１２を形成した。このようにして図１に示される光
波長変換素子が製造できる。また、この素子の長さは１
０ｍｍである。図１で基本波Ｐ１として半導体レーザ光
（波長０．８４μｍ）を入射部１０より導波させたとこ
ろシングルモード伝搬し、波長０．４２μｍの高調波Ｐ
２が出射部１２より基板外部に取り出された。光導波路
２の伝搬損失は０．５ｄＢ／ｃｍと小さく高調波Ｐ２が
有効に取り出された。低損失化の原因の１つとして燐酸
により均一な光導波路が形成されたことがある。基本波
４０ｍＷの入力で２ｍＷの高調波（波長０．４２μｍ）
を得た。 この場合の変換効率は５％である。本発明で０．６５〜
１．６μｍの波長の基本波を用いて本光波長変換素子に
よる高調波発生を確認した。
変換素子が製造された。この光導波路２の厚みｄは２μ
ｍであり分極反転層３の厚み１μｍに比べ大きく装荷層
がなければ有効に波長変換されない。図３に従来の装荷
層なしの場合と本発明との構造および導波モードと分極
反転層の重なりを示す。同図（ａ）は従来の装荷層なし
の場合で、分極反転層で高調波に変換されるのは導波す
る光の半分程度しかないために高調波な出力は低くなっ
てしまう。本発明では同図（ｂ）に示されるように導波
路の上に装荷層をつけることによって導波する光の大部
分が分極反転層を通るので入射基本波は効率よく高調波
に変換される。分極反転層３の周期は３μｍであり波長
０．８４ｎｍに対しては温度５０℃で動作する。また、
この光導波路２の非分極反転層４と分極反転層３の屈折
率変化はなく、光が導波する場合の伝搬損失は小さい。 光導波路２に垂直な面を光学研磨し入射部１０および出
射部１２を形成した。このようにして図１に示される光
波長変換素子が製造できる。また、この素子の長さは１
０ｍｍである。図１で基本波Ｐ１として半導体レーザ光
（波長０．８４μｍ）を入射部１０より導波させたとこ
ろシングルモード伝搬し、波長０．４２μｍの高調波Ｐ
２が出射部１２より基板外部に取り出された。光導波路
２の伝搬損失は０．５ｄＢ／ｃｍと小さく高調波Ｐ２が
有効に取り出された。低損失化の原因の１つとして燐酸
により均一な光導波路が形成されたことがある。基本波
４０ｍＷの入力で２ｍＷの高調波（波長０．４２μｍ）
を得た。 この場合の変換効率は５％である。本発明で０．６５〜
１．６μｍの波長の基本波を用いて本光波長変換素子に
よる高調波発生を確認した。
【００１３】次に本発明の光波長変換素子の第２の実施
例を説明する。ここで光波長変換素子の構成は実施例１
と同様である。本実施例ではＬｉＮｂＯ３基板に比べて
光損傷に強いＭｇＯドープのＬｉＮｂＯ３を用い１１０
０℃で熱処理し分極反転層を形成した。ＬｉＮｂＯ３に
比べて処理温度が高いのはキュリー温度がＭｇＯドープ
することにより８０℃程度高いためである。又、光導波
路には分極反転層の形成時の熱処理温度に比べて低温処
理が可能であるプロトン交換光導波路を用いた。装荷層
としては基本波の波長に対する屈折率２．４のＴｉＯ２
膜を２０００Ａ付加した。変換効率は４０ｍＷ入力で３
％であった。
例を説明する。ここで光波長変換素子の構成は実施例１
と同様である。本実施例ではＬｉＮｂＯ３基板に比べて
光損傷に強いＭｇＯドープのＬｉＮｂＯ３を用い１１０
０℃で熱処理し分極反転層を形成した。ＬｉＮｂＯ３に
比べて処理温度が高いのはキュリー温度がＭｇＯドープ
することにより８０℃程度高いためである。又、光導波
路には分極反転層の形成時の熱処理温度に比べて低温処
理が可能であるプロトン交換光導波路を用いた。装荷層
としては基本波の波長に対する屈折率２．４のＴｉＯ２
膜を２０００Ａ付加した。変換効率は４０ｍＷ入力で３
％であった。
【００１４】次に本発明の光波長変換素子の第３の実施
例を説明する。光波長変換素子の構成は実施例１と同様
である。本実施例ではＬｉＮｂＯ３基板の代わりにＬｉ
ＴａＯ３を基板として用いた。ＬｉＴａＯ３はキュリー
温度が６２０℃と低く低温で分極反転処理が可能である
。光導波路２は燐酸中でのプロトン交換により作製しそ
の厚みは１．５μｍ、幅４μｍ、長さは２ｃｍである。 ＬｉＴａＯ３基板１ａにプロトン交換により作製される
光導波路は非線形性が大きいためアニール処理を行う必
要がない。分極反転の周期は３．８μｍ、厚みは３．５
μｍであった。装荷層は屈折率２．１のＴａ２Ｏ５を４
０００Ａスパッタ蒸着した。波長８４０ｎｍに対しての
動作点は６５℃である。 この実施例での変換効率は４０ｍＷ入力で５％である。 光損傷はなく高調波出力は非常に安定していた。
例を説明する。光波長変換素子の構成は実施例１と同様
である。本実施例ではＬｉＮｂＯ３基板の代わりにＬｉ
ＴａＯ３を基板として用いた。ＬｉＴａＯ３はキュリー
温度が６２０℃と低く低温で分極反転処理が可能である
。光導波路２は燐酸中でのプロトン交換により作製しそ
の厚みは１．５μｍ、幅４μｍ、長さは２ｃｍである。 ＬｉＴａＯ３基板１ａにプロトン交換により作製される
光導波路は非線形性が大きいためアニール処理を行う必
要がない。分極反転の周期は３．８μｍ、厚みは３．５
μｍであった。装荷層は屈折率２．１のＴａ２Ｏ５を４
０００Ａスパッタ蒸着した。波長８４０ｎｍに対しての
動作点は６５℃である。 この実施例での変換効率は４０ｍＷ入力で５％である。 光損傷はなく高調波出力は非常に安定していた。
【００１５】なお実施例では非線形光学結晶としてＬｉ
ＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３を用いたがＫＮｂＯ３、ＫＴＰ
等の強誘電体、ＭＮＡ等の有機材料にも適用可能である
。また、実施例ではＴａ２Ｏ５、ＴｉＯ２を用いたが装
荷層の屈折率が基板に近い２．１から２．４の間であれ
ば装荷層へのしみだしが大きく特に有効である。
ＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３を用いたがＫＮｂＯ３、ＫＴＰ
等の強誘電体、ＭＮＡ等の有機材料にも適用可能である
。また、実施例ではＴａ２Ｏ５、ＴｉＯ２を用いたが装
荷層の屈折率が基板に近い２．１から２．４の間であれ
ば装荷層へのしみだしが大きく特に有効である。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の光波長変換
素子によれば、分極反転層を持つ光波長変換素子の光導
波路上に装荷層を設け伝搬する基本波のモードを装荷層
側に移行させることにより分極反転層との重なりを大き
くできる。これにより従来の光波長変換素子に比べて大
幅に高調波出力の向上を図ることができる。
素子によれば、分極反転層を持つ光波長変換素子の光導
波路上に装荷層を設け伝搬する基本波のモードを装荷層
側に移行させることにより分極反転層との重なりを大き
くできる。これにより従来の光波長変換素子に比べて大
幅に高調波出力の向上を図ることができる。
【００１７】また、本発明の光波長変換素子の製造方法
により簡単に高効率な光波長変換素子が作製でき、その
実用的効果は極めて大きい。
により簡単に高効率な光波長変換素子が作製でき、その
実用的効果は極めて大きい。
【図１】本発明の光波長変換素子の第１の実施例の構造
図である。
図である。
【図２】本発明の光波長変換素子の光波長変換素子の製
造工程断面図である。
造工程断面図である。
【図３】従来の光波長変換素子と本発明の光波長変換素
子の構造断面図および基本波の導波モードを示す図であ
る。
子の構造断面図および基本波の導波モードを示す図であ
る。
【図４】従来の光波長変換素子の構成図である。
【図５】従来の光波長変換素子の製造工程断面図である
。
。
１ ＬｉＮｂＯ３基板
２ 光導波路
３ 分極反転層
１５ 装荷層
Ｐ１ 基本波
Ｐ２ 高調波
Claims (3)
- 【請求項１】 非線形光学結晶表面に、光導波路と、
前記光導波路の伝搬方向に対し周期的な分極反転層を有
し、前記光導波路上に屈折率が前記光導波路と近接した
装荷層が形成されていることを特徴とする光波長変換素
子。 - 【請求項２】 非線形光学結晶表面に、分極反転層を
形成する工程と、光導波路を形成する工程と、前記光導
波路上に屈折率が光導波路と近接した装荷層を形成する
工程とを含むことを特徴とする光波長変換素子の製造方
法。 - 【請求項３】 非線形光学結晶がＬｉＮｂｘＴａ１−
ｘＯ３（０≦Ｘ≦１）基板であることを特徴とする請求
項１記載の光波長変換素子または請求項２記載の光波長
変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3016196A JP2502818B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 光波長変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3016196A JP2502818B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 光波長変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04254834A true JPH04254834A (ja) | 1992-09-10 |
| JP2502818B2 JP2502818B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=11909759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3016196A Expired - Fee Related JP2502818B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 光波長変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2502818B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002515A (en) * | 1997-01-14 | 1999-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing polarization inversion part, optical wavelength conversion element using the same, and optical waveguide |
| US6519077B1 (en) | 1999-03-23 | 2003-02-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide, optical wavelength conversion device, method for producing the same, short wavelength light generation apparatus using the same, optical information processing apparatus using the same, coherent light generation apparatus using the same, and optical system using the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0782017B1 (en) | 1995-12-28 | 2009-08-05 | Panasonic Corporation | Optical waveguide, optical wavelength conversion device, and methods for fabricating the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6014222A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光波長変換素子 |
| JPH0263026A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-02 | Nec Corp | 導波路型波長変換素子 |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP3016196A patent/JP2502818B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6014222A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光波長変換素子 |
| JPH0263026A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-02 | Nec Corp | 導波路型波長変換素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002515A (en) * | 1997-01-14 | 1999-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing polarization inversion part, optical wavelength conversion element using the same, and optical waveguide |
| US6519077B1 (en) | 1999-03-23 | 2003-02-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide, optical wavelength conversion device, method for producing the same, short wavelength light generation apparatus using the same, optical information processing apparatus using the same, coherent light generation apparatus using the same, and optical system using the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2502818B2 (ja) | 1996-05-29 |
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