JP2502818B2 - 光波長変換素子 - Google Patents
光波長変換素子Info
- Publication number
- JP2502818B2 JP2502818B2 JP3016196A JP1619691A JP2502818B2 JP 2502818 B2 JP2502818 B2 JP 2502818B2 JP 3016196 A JP3016196 A JP 3016196A JP 1619691 A JP1619691 A JP 1619691A JP 2502818 B2 JP2502818 B2 JP 2502818B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength conversion
- optical waveguide
- conversion element
- layer
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コヒーレント光を利用
する光情報処理分野、あるいは光応用計測制御分野に使
用する光波長変換素子に関するものである。
する光情報処理分野、あるいは光応用計測制御分野に使
用する光波長変換素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４に従来の光波長変換素子の構成図を
示す。以下1.06μｍの波長の基本波に対する高調波発生
（波長0.53μｍ）について図を用いて詳しく述べる。
（E.J.Lim, M.M.Fejer, R.L.Byer , "Second harmonic
generationof blue and green light in periodically-
poled planar lithium niobate waveguides", In Topic
al Meeting Nonlinear Guided Wave Phenomena,PD3,198
9年、参照）。図４に示されるようにLiNbO3基板１には
光導波路２が形成され、さらに光導波路２には周期的に
分極の反転した層３（分極反転層）が形成されている。
基本波Ｐ１と発生する高調波Ｐ２の伝搬定数の不整合を
分極反転層３の周期構造で補償することにより高効率に
高調波を出すことができる。光導波路２の入射面１０に
基本波Ｐ１を入射すると、光導波路２から高調波Ｐ２が
効率良く発生され、光波長変換素子として動作する。
示す。以下1.06μｍの波長の基本波に対する高調波発生
（波長0.53μｍ）について図を用いて詳しく述べる。
（E.J.Lim, M.M.Fejer, R.L.Byer , "Second harmonic
generationof blue and green light in periodically-
poled planar lithium niobate waveguides", In Topic
al Meeting Nonlinear Guided Wave Phenomena,PD3,198
9年、参照）。図４に示されるようにLiNbO3基板１には
光導波路２が形成され、さらに光導波路２には周期的に
分極の反転した層３（分極反転層）が形成されている。
基本波Ｐ１と発生する高調波Ｐ２の伝搬定数の不整合を
分極反転層３の周期構造で補償することにより高効率に
高調波を出すことができる。光導波路２の入射面１０に
基本波Ｐ１を入射すると、光導波路２から高調波Ｐ２が
効率良く発生され、光波長変換素子として動作する。
【０００３】このような従来の光波長変換素子は分極反
転構造を基本構成要素としていた。この素子の製造方法
について図５を用いて説明する。同図（ａ）で非線形光
学結晶であるＬｉＮｂＯ3基板１表面にSiO2６のパター
ンをスパッタ蒸着とフォトリソグラフィーにより幅数μ
ｍの周期で形成していた。次に同図（ｂ）で１１００℃
程度の温度で熱処理を行いLiNbO3基板１と分極が反対向
きに反転した分極反転層３を形成した。次に同図（ｃ）
で導波路のパターンを形成したあと、安息香酸（２００
℃）中で３０分熱処理を行った後３５０℃でアニールを
行い光導波路２を形成する。上記安息香酸処理により作
製される光波長変換素子は波長1.06μｍの基本波Ｐ１に
対して、光導波路の長さを１ｍｍ、基本波Ｐ１のパワー
を１ｍＷにしたとき高調波Ｐ２のパワー０．５ｎＷが得
られていた。基本波が４０ｍＷ入射したとすると８００
ｎＷの高調波出力が可能である。この場合１ｃｍの素子
での変換効率は0.2％である。
転構造を基本構成要素としていた。この素子の製造方法
について図５を用いて説明する。同図（ａ）で非線形光
学結晶であるＬｉＮｂＯ3基板１表面にSiO2６のパター
ンをスパッタ蒸着とフォトリソグラフィーにより幅数μ
ｍの周期で形成していた。次に同図（ｂ）で１１００℃
程度の温度で熱処理を行いLiNbO3基板１と分極が反対向
きに反転した分極反転層３を形成した。次に同図（ｃ）
で導波路のパターンを形成したあと、安息香酸（２００
℃）中で３０分熱処理を行った後３５０℃でアニールを
行い光導波路２を形成する。上記安息香酸処理により作
製される光波長変換素子は波長1.06μｍの基本波Ｐ１に
対して、光導波路の長さを１ｍｍ、基本波Ｐ１のパワー
を１ｍＷにしたとき高調波Ｐ２のパワー０．５ｎＷが得
られていた。基本波が４０ｍＷ入射したとすると８００
ｎＷの高調波出力が可能である。この場合１ｃｍの素子
での変換効率は0.2％である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような分極反転
層を基本とした光波長変換素子では、例えば分極反転層
３と非分極反転層５とをたした分極反転構造の周期が３
μｍのとき分極反転層３の深さ方向の厚みは１μｍしか
ない。その理由としては分極反転層が三角形をしている
ためである。つまり、分極反転層の深さ方向の厚みを増
そうとした場合、SiO2膜６直下の分極反転層３は、深さ
方向だけでなく幅方向にも広がる。基板表面で隣の分極
反転層どうしが接触してしまうとそれ以上分極反転層は
広がらないので自ずから深さが決まってしまう。
層を基本とした光波長変換素子では、例えば分極反転層
３と非分極反転層５とをたした分極反転構造の周期が３
μｍのとき分極反転層３の深さ方向の厚みは１μｍしか
ない。その理由としては分極反転層が三角形をしている
ためである。つまり、分極反転層の深さ方向の厚みを増
そうとした場合、SiO2膜６直下の分極反転層３は、深さ
方向だけでなく幅方向にも広がる。基板表面で隣の分極
反転層どうしが接触してしまうとそれ以上分極反転層は
広がらないので自ずから深さが決まってしまう。
【０００５】また、分極反転層の深さを大きくしようと
して分極反転構造の周期を大きくすれば基板表面で分極
反転層は横方向につながってしまい、非分極反転層がな
くなり波長変換ができなくなってしまう。
して分極反転構造の周期を大きくすれば基板表面で分極
反転層は横方向につながってしまい、非分極反転層がな
くなり波長変換ができなくなってしまう。
【０００６】光波長変換素子の変換効率は光導波路と、
分極反転層と非分極反転層で構成される分極反転構造と
の重なりが大きい程高く、分極反転層の厚みは大きいほ
ど望ましくなる。そのため光波長変換素子変換効率は分
極反転構造の深さが２μｍあるとした場合に対して１μ
ｍでは１／５になっていた。
分極反転層と非分極反転層で構成される分極反転構造と
の重なりが大きい程高く、分極反転層の厚みは大きいほ
ど望ましくなる。そのため光波長変換素子変換効率は分
極反転構造の深さが２μｍあるとした場合に対して１μ
ｍでは１／５になっていた。
【０００７】そこで、本発明は高調波を高効率で出力す
る光波長変換素子とその製造方法を提供することを目的
とする。
る光波長変換素子とその製造方法を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するため、ＬｉＮｂ x Ｔａ (1-x) Ｏ 3 （０≦ｘ≦１）
結晶と、前記結晶表面に形成した光導波路と、前記光導
波路の伝搬方向に対し周期的な分極反転層とを有し、前
記光導波路上に基本波の波長に対し所定の屈折率をもつ
装荷層が形成され、前記光導波路に入射する基本波は、
前記装荷層によって前記装荷層側に一部移行しつつ前記
光導波路を伝搬し、前記基本波を高効率で高調波に変換
する光波長変換素子とする。
解決するため、ＬｉＮｂ x Ｔａ (1-x) Ｏ 3 （０≦ｘ≦１）
結晶と、前記結晶表面に形成した光導波路と、前記光導
波路の伝搬方向に対し周期的な分極反転層とを有し、前
記光導波路上に基本波の波長に対し所定の屈折率をもつ
装荷層が形成され、前記光導波路に入射する基本波は、
前記装荷層によって前記装荷層側に一部移行しつつ前記
光導波路を伝搬し、前記基本波を高効率で高調波に変換
する光波長変換素子とする。
【０００９】
【００１０】
【作用】本発明の光波長変換素子は光導波路を伝搬する
基本波の導波モードの中心を装荷層側に寄せて分極反転
層との重なりを大きくすることにより高効率で高調波が
発生できる。また、本発明の光波長変換素子の製造方法
によれば、上記作用により高効率な光波長変換素子を簡
単に製造できる。
基本波の導波モードの中心を装荷層側に寄せて分極反転
層との重なりを大きくすることにより高効率で高調波が
発生できる。また、本発明の光波長変換素子の製造方法
によれば、上記作用により高効率な光波長変換素子を簡
単に製造できる。
【００１１】
【実施例】実施例の一つとして本発明の光波長変換素子
の構成を図面を用いて説明する。まず、本発明による光
波長変換素子の第１の実施例の構造図を図１に示す。こ
の実施例では分極反転型の光波長変換素子としてLiNbO3
基板１中にプロトン交換を用いて作製した光導波路２を
用いたものである。図１で１は＋Ｚ板（Ｚ軸と垂直に切
り出された基板の＋側）のLiNbO3基板、２は基板１表面
に形成された光導波路、３は分極反転層、１０は基本波
Ｐ１の入射部、１２は高調波Ｐ２の出射部、１５は光導
波路上に形成された装荷層である。光導波路２に入った
基本波Ｐ１は位相整合長Ｌの長さを持った分極反転層で
高調波Ｐ２に変換され、次の同じくＬの長さを持った非
分極反転層で高調波パワーは増す事になる。このように
して光導波路２内でパワーを増した高調波Ｐ２は出射部
１２より放射される。次にこの光波長変換素子の製造方
法について図面を使って説明する。図２（ａ）でまずLi
NbO3基板１に通常のフォトプロセスとドライエッチング
を用いてSiO2６をパターニングする。次に同図（ｂ）で
SiO2が形成されたLiNbO3基板１に１０８０℃、９０分間
熱処理を行いＳｉＯ2６直下に厚み１μｍの分極反転層
３を形成する。熱処理の上昇レートは１０℃／分、冷却
レートは５０℃／分である。冷却レートが遅いと不均一
反転が生じるので３０℃／分以上が望ましい。SiO2６直
下はＬｉが減少しておりキュリー温度が低下するため部
分的に分極反転ができる。分極反転層３の長さＬは１．
５μｍである。次に同図（c）でＨＦ：ＨＮＦ3の１：１
混合液にて２０分間エッチングしＳｉＯ2６を除去す
る。次にLiNbO3基板１にプロトン交換を用いて光導波路
２を形成する。光導波路２用マスクとしてＴａをストラ
イプ状にパターニングを行った後、Ｔａマスクに幅６μ
ｍ、長さ１２ｍｍのスリットが形成されたものに２３０
℃、２分間プロトン交換を行った。次にマスクを除去し
た後３５０℃で１時間アニールを行った。アニール処理
により均一化されロスが減少した上にプロトン交換層に
非線形性が戻る。プロトン交換された保護マスクのスリ
ット直下の領域は屈折率が０．０３程度上昇した高屈折
率層２となる。光は高屈折率層２を伝搬し、これが光導
波路２となる。最後に同図（ｄ）でこの光導波路上にス
パッタ蒸着によりＴａ2Ｏ5による装荷膜１５を３０００
Ａ形成する。Ｔａ2Ｏ5の屈折率は基本波の波長に対して
２．１である。
の構成を図面を用いて説明する。まず、本発明による光
波長変換素子の第１の実施例の構造図を図１に示す。こ
の実施例では分極反転型の光波長変換素子としてLiNbO3
基板１中にプロトン交換を用いて作製した光導波路２を
用いたものである。図１で１は＋Ｚ板（Ｚ軸と垂直に切
り出された基板の＋側）のLiNbO3基板、２は基板１表面
に形成された光導波路、３は分極反転層、１０は基本波
Ｐ１の入射部、１２は高調波Ｐ２の出射部、１５は光導
波路上に形成された装荷層である。光導波路２に入った
基本波Ｐ１は位相整合長Ｌの長さを持った分極反転層で
高調波Ｐ２に変換され、次の同じくＬの長さを持った非
分極反転層で高調波パワーは増す事になる。このように
して光導波路２内でパワーを増した高調波Ｐ２は出射部
１２より放射される。次にこの光波長変換素子の製造方
法について図面を使って説明する。図２（ａ）でまずLi
NbO3基板１に通常のフォトプロセスとドライエッチング
を用いてSiO2６をパターニングする。次に同図（ｂ）で
SiO2が形成されたLiNbO3基板１に１０８０℃、９０分間
熱処理を行いＳｉＯ2６直下に厚み１μｍの分極反転層
３を形成する。熱処理の上昇レートは１０℃／分、冷却
レートは５０℃／分である。冷却レートが遅いと不均一
反転が生じるので３０℃／分以上が望ましい。SiO2６直
下はＬｉが減少しておりキュリー温度が低下するため部
分的に分極反転ができる。分極反転層３の長さＬは１．
５μｍである。次に同図（c）でＨＦ：ＨＮＦ3の１：１
混合液にて２０分間エッチングしＳｉＯ2６を除去す
る。次にLiNbO3基板１にプロトン交換を用いて光導波路
２を形成する。光導波路２用マスクとしてＴａをストラ
イプ状にパターニングを行った後、Ｔａマスクに幅６μ
ｍ、長さ１２ｍｍのスリットが形成されたものに２３０
℃、２分間プロトン交換を行った。次にマスクを除去し
た後３５０℃で１時間アニールを行った。アニール処理
により均一化されロスが減少した上にプロトン交換層に
非線形性が戻る。プロトン交換された保護マスクのスリ
ット直下の領域は屈折率が０．０３程度上昇した高屈折
率層２となる。光は高屈折率層２を伝搬し、これが光導
波路２となる。最後に同図（ｄ）でこの光導波路上にス
パッタ蒸着によりＴａ2Ｏ5による装荷膜１５を３０００
Ａ形成する。Ｔａ2Ｏ5の屈折率は基本波の波長に対して
２．１である。
【００１２】上記のような工程により装荷層付き光波長
変換素子が製造された。この光導波路２の厚みｄは２μ
ｍであり分極反転層３の厚み１μｍに比べ大きく装荷層
がなければ有効に波長変換されない。図３に従来の装荷
層なしの場合と本発明との構造および導波モードと分極
反転層の重なりを示す。同図(a)は従来の装荷層なしの
場合で、分極反転層で高調波に変換されるのは導波する
光の半分程度しかないために高調波な出力は低くなって
しまう。本発明では同図(b)に示されるように導波路の
上に装荷層をつけることによって導波する光の大部分が
分極反転層を通るので入射基本波は効率よく高調波に変
換される。分極反転層３の周期は３μｍであり波長０．
８４ｎｍに対しては温度５０℃で動作する。また、この
光導波路２の非分極反転層４と分極反転層３の屈折率変
化はなく、光が導波する場合の伝搬損失は小さい。光導
波路２に垂直な面を光学研磨し入射部１０および出射部
１２を形成した。このようにして図１に示される光波長
変換素子が製造できる。また、この素子の長さは１０ｍ
ｍである。図１で基本波Ｐ１として半導体レーザ光（波
長０．８４μｍ）を入射部１０より導波させたところシ
ングルモード伝搬し、波長０．４２μｍの高調波Ｐ２が
出射部１２より基板外部に取り出された。光導波路２の
伝搬損失は０．５dB/cmと小さく高調波Ｐ２が有効に取
り出された。低損失化の原因の１つとして燐酸により均
一な光導波路が形成されたことがある。基本波４０ｍＷ
の入力で２ｍＷの高調波（波長０．４２μｍ）を得た。
この場合の変換効率は５％である。本発明で０．６５〜
１．６μｍの波長の基本波を用いて本光波長変換素子に
よる高調波発生を確認した。
変換素子が製造された。この光導波路２の厚みｄは２μ
ｍであり分極反転層３の厚み１μｍに比べ大きく装荷層
がなければ有効に波長変換されない。図３に従来の装荷
層なしの場合と本発明との構造および導波モードと分極
反転層の重なりを示す。同図(a)は従来の装荷層なしの
場合で、分極反転層で高調波に変換されるのは導波する
光の半分程度しかないために高調波な出力は低くなって
しまう。本発明では同図(b)に示されるように導波路の
上に装荷層をつけることによって導波する光の大部分が
分極反転層を通るので入射基本波は効率よく高調波に変
換される。分極反転層３の周期は３μｍであり波長０．
８４ｎｍに対しては温度５０℃で動作する。また、この
光導波路２の非分極反転層４と分極反転層３の屈折率変
化はなく、光が導波する場合の伝搬損失は小さい。光導
波路２に垂直な面を光学研磨し入射部１０および出射部
１２を形成した。このようにして図１に示される光波長
変換素子が製造できる。また、この素子の長さは１０ｍ
ｍである。図１で基本波Ｐ１として半導体レーザ光（波
長０．８４μｍ）を入射部１０より導波させたところシ
ングルモード伝搬し、波長０．４２μｍの高調波Ｐ２が
出射部１２より基板外部に取り出された。光導波路２の
伝搬損失は０．５dB/cmと小さく高調波Ｐ２が有効に取
り出された。低損失化の原因の１つとして燐酸により均
一な光導波路が形成されたことがある。基本波４０ｍＷ
の入力で２ｍＷの高調波（波長０．４２μｍ）を得た。
この場合の変換効率は５％である。本発明で０．６５〜
１．６μｍの波長の基本波を用いて本光波長変換素子に
よる高調波発生を確認した。
【００１３】次に本発明の光波長変換素子の第２の実施
例を説明する。ここで光波長変換素子の構成は実施例１
と同様である。本実施例ではLiNbO3基板に比べて光損傷
に強いＭｇＯドープのLiNbO3を用い１１００℃で熱処理
し分極反転層を形成した。LiNbO3に比べて処理温度が高
いのはキュリー温度がＭｇＯドープすることにより８０
℃程度高いためである。又、光導波路には分極反転層の
形成時の熱処理温度に比べて低温処理が可能であるプロ
トン交換光導波路を用いた。装荷層としては基本波の波
長に対する屈折率２．４のＴｉＯ2膜を２０００Ａ付加
した。変換効率は４０ｍＷ入力で３％であった。
例を説明する。ここで光波長変換素子の構成は実施例１
と同様である。本実施例ではLiNbO3基板に比べて光損傷
に強いＭｇＯドープのLiNbO3を用い１１００℃で熱処理
し分極反転層を形成した。LiNbO3に比べて処理温度が高
いのはキュリー温度がＭｇＯドープすることにより８０
℃程度高いためである。又、光導波路には分極反転層の
形成時の熱処理温度に比べて低温処理が可能であるプロ
トン交換光導波路を用いた。装荷層としては基本波の波
長に対する屈折率２．４のＴｉＯ2膜を２０００Ａ付加
した。変換効率は４０ｍＷ入力で３％であった。
【００１４】次に本発明の光波長変換素子の第３の実施
例を説明する。光波長変換素子の構成は実施例１と同様
である。本実施例ではLiNbO3基板の代わりにLiTaO3を基
板として用いた。LiTaO3はキュリー温度が６２０℃と低
く低温で分極反転処理が可能である。光導波路２は燐酸
中でのプロトン交換により作製しその厚みは１．５μ
ｍ、幅４μｍ、長さは２ｃｍである。LiTaO3基板１ａに
プロトン交換により作製される光導波路は非線形性が大
きいためアニール処理を行う必要がない。分極反転の周
期は３．８μｍ、厚みは３．５μｍであった。装荷層は
屈折率２．１のＴａ2Ｏ5を４０００Ａスパッタ蒸着し
た。波長８４０ｎｍに対しての動作点は６５℃である。
この実施例での変換効率は４０ｍＷ入力で５％である。
光損傷はなく高調波出力は非常に安定していた。
例を説明する。光波長変換素子の構成は実施例１と同様
である。本実施例ではLiNbO3基板の代わりにLiTaO3を基
板として用いた。LiTaO3はキュリー温度が６２０℃と低
く低温で分極反転処理が可能である。光導波路２は燐酸
中でのプロトン交換により作製しその厚みは１．５μ
ｍ、幅４μｍ、長さは２ｃｍである。LiTaO3基板１ａに
プロトン交換により作製される光導波路は非線形性が大
きいためアニール処理を行う必要がない。分極反転の周
期は３．８μｍ、厚みは３．５μｍであった。装荷層は
屈折率２．１のＴａ2Ｏ5を４０００Ａスパッタ蒸着し
た。波長８４０ｎｍに対しての動作点は６５℃である。
この実施例での変換効率は４０ｍＷ入力で５％である。
光損傷はなく高調波出力は非常に安定していた。
【００１５】なお実施例では非線形光学結晶としてLiNb
O3、LiTaO3を用いたがKNbO3、ＫＴＰ等の強誘電体、Ｍ
ＮＡ等の有機材料にも適用可能である。また、実施例で
はＴａ2Ｏ5、ＴｉＯ2を用いたが装荷層の屈折率が基板
に近い２．１から２．４の間であれば装荷層へのしみだ
しが大きく特に有効である。
O3、LiTaO3を用いたがKNbO3、ＫＴＰ等の強誘電体、Ｍ
ＮＡ等の有機材料にも適用可能である。また、実施例で
はＴａ2Ｏ5、ＴｉＯ2を用いたが装荷層の屈折率が基板
に近い２．１から２．４の間であれば装荷層へのしみだ
しが大きく特に有効である。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の光波長変換
素子によれば、分極反転層を持つ光波長変換素子の光導
波路上に装荷層を設け伝搬する基本波のモードを装荷層
側に移行させることにより分極反転層との重なりを大き
くできる。これにより従来の光波長変換素子に比べて大
幅に高調波出力の向上を図ることができる。
素子によれば、分極反転層を持つ光波長変換素子の光導
波路上に装荷層を設け伝搬する基本波のモードを装荷層
側に移行させることにより分極反転層との重なりを大き
くできる。これにより従来の光波長変換素子に比べて大
幅に高調波出力の向上を図ることができる。
【００１７】また、本発明の光波長変換素子の製造方法
により簡単に高効率な光波長変換素子が作製でき、その
実用的効果は極めて大きい。
により簡単に高効率な光波長変換素子が作製でき、その
実用的効果は極めて大きい。
【図１】本発明の光波長変換素子の第１の実施例の構造
図である。
図である。
【図２】本発明の光波長変換素子の光波長変換素子の製
造工程断面図である。
造工程断面図である。
【図３】従来の光波長変換素子と本発明の光波長変換素
子の構造断面図および基本波の導波モードを示す図であ
る。
子の構造断面図および基本波の導波モードを示す図であ
る。
【図４】従来の光波長変換素子の構成図である。
【図５】従来の光波長変換素子の製造工程断面図であ
る。
る。
１ LiNbO3基板 ２ 光導波路 ３ 分極反転層 １５ 装荷層 Ｐ１ 基本波 Ｐ２ 高調波
フロントページの続き (72)発明者 谷内 哲夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−63026（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−14222（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 ＬｉＮｂ x Ｔａ (1-x) Ｏ 3 （０≦ｘ≦１）
結晶と、 前記結晶表面に形成した光導波路と、 前記光導波路の伝搬方向に対し周期的な分極反転層とを
有し、 前記光導波路上に基本波の波長に対し所定の屈折率をも
つ装荷層が形成され、 前記光導波路に入射する基本波は、前記装荷層によって
前記装荷層側に一部移行しつつ前記光導波路を伝搬し、
前記基本波を高効率で高調波に変換する ことを特徴とす
る光波長変換素子。 - 【請求項２】 前記装荷層の屈折率が、屈折率が基本波
の波長に対し２．１〜２．４の範囲にあることを特徴と
する請求項１に記載の光波長変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3016196A JP2502818B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 光波長変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3016196A JP2502818B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 光波長変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04254834A JPH04254834A (ja) | 1992-09-10 |
| JP2502818B2 true JP2502818B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=11909759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3016196A Expired - Fee Related JP2502818B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 光波長変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2502818B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5872884A (en) | 1995-12-28 | 1999-02-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide conversion device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002515A (en) * | 1997-01-14 | 1999-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing polarization inversion part, optical wavelength conversion element using the same, and optical waveguide |
| US6519077B1 (en) | 1999-03-23 | 2003-02-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide, optical wavelength conversion device, method for producing the same, short wavelength light generation apparatus using the same, optical information processing apparatus using the same, coherent light generation apparatus using the same, and optical system using the same |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6014222A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光波長変換素子 |
| JP2725302B2 (ja) * | 1988-08-30 | 1998-03-11 | 日本電気株式会社 | 導波路型波長変換素子 |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP3016196A patent/JP2502818B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5872884A (en) | 1995-12-28 | 1999-02-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide conversion device |
| US5991490A (en) | 1995-12-28 | 1999-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide and optical wavelength conversion device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04254834A (ja) | 1992-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5036220A (en) | Nonlinear optical radiation generator and method of controlling regions of ferroelectric polarization domains in solid state bodies | |
| US7170671B2 (en) | High efficiency wavelength converters | |
| JP2502818B2 (ja) | 光波長変換素子 | |
| US5205904A (en) | Method to fabricate frequency doubler devices | |
| JP2718259B2 (ja) | 短波長レーザ光源 | |
| JP2910370B2 (ja) | 光波長変換素子およびそれを用いた短波長レーザ光源 | |
| JPH04254835A (ja) | 光波長変換素子およびそれを用いたレーザ光源 | |
| JPH03191332A (ja) | 光波長変換素子およびその製造方法 | |
| JP2962024B2 (ja) | 光導波路の製造方法および光波長変換素子の製造方法 | |
| JP2921208B2 (ja) | 波長変換素子および短波長レーザ光源 | |
| JPH0566440A (ja) | レーザ光源 | |
| JP3006217B2 (ja) | 光波長変換素子およびその製造方法 | |
| JP3049986B2 (ja) | 光波長変換素子 | |
| JP2765112B2 (ja) | 光導波路デバイス、光波長変換素子および短波長レーザ光源 | |
| JP3036243B2 (ja) | 光波長変換素子 | |
| JP2973642B2 (ja) | 光波長変換素子の製造方法 | |
| JP2921209B2 (ja) | 波長変換素子の製造方法 | |
| JPH04335329A (ja) | 誘電体分極反転格子を備えたレ−ザ光の第２高調波発生素子製造方法 | |
| WO2004027512A1 (ja) | 波長変換素子 | |
| JP3052654B2 (ja) | 光波長変換素子 | |
| JP3347771B2 (ja) | プロトン交換層形成方法 | |
| JP2003215379A (ja) | 光導波路素子の製造方法 | |
| JPH10161167A (ja) | 光デバイス | |
| JPH0593930A (ja) | 光波長変換素子およびその製造方法 | |
| JPH06102554A (ja) | 光素子および光素子の製造方法および光導波路の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080313 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090313 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100313 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |