JPH116932A - リッジ構造光導波路の製造方法 - Google Patents
リッジ構造光導波路の製造方法Info
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- JPH116932A JPH116932A JP9158259A JP15825997A JPH116932A JP H116932 A JPH116932 A JP H116932A JP 9158259 A JP9158259 A JP 9158259A JP 15825997 A JP15825997 A JP 15825997A JP H116932 A JPH116932 A JP H116932A
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- thin film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リッジ構造光導波路の伝搬損失増大を抑制す
ると同時に、ＤＣドリフトを抑制した素子を効率良く作
製でき、素子の安定性及び量産性の向上を図ることを目
的とする。 【解決手段】 少なくとも一本の光導波路３０２を備え
た酸化物基板３０１と、前記基板３０１の一部分の厚さ
を掘り下げにより少なくして前記基板３０１に形成した
突起部分３０８に前記少なくとも一本の光導波路３０２
を配置したリッジ構造光導波路の製造方法のうち、前記
酸化物基板３０１上に形成した薄膜パターン３０５，３
１０をマスクとし、前記掘り下げ部分を製作する工程
中、前記薄膜パターンを作成する工程において、前記酸
化物基板３０１上に第一の薄膜として酸化物材料薄膜３
０９を形成した後、前記酸化物材料薄膜３０９上に第二
の薄膜３０３を形成し、その後フォトリソグラフィによ
って薄膜パターン３０５，３１０を形成することを特徴
とする。
ると同時に、ＤＣドリフトを抑制した素子を効率良く作
製でき、素子の安定性及び量産性の向上を図ることを目
的とする。 【解決手段】 少なくとも一本の光導波路３０２を備え
た酸化物基板３０１と、前記基板３０１の一部分の厚さ
を掘り下げにより少なくして前記基板３０１に形成した
突起部分３０８に前記少なくとも一本の光導波路３０２
を配置したリッジ構造光導波路の製造方法のうち、前記
酸化物基板３０１上に形成した薄膜パターン３０５，３
１０をマスクとし、前記掘り下げ部分を製作する工程
中、前記薄膜パターンを作成する工程において、前記酸
化物基板３０１上に第一の薄膜として酸化物材料薄膜３
０９を形成した後、前記酸化物材料薄膜３０９上に第二
の薄膜３０３を形成し、その後フォトリソグラフィによ
って薄膜パターン３０５，３１０を形成することを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リッジ構造光導波
路の製造方法に関する。詳しくは、光波の変調、光路切
り替え等を行う光制御素子等に用いられる光導波路の製
造方法に関するものである。
路の製造方法に関する。詳しくは、光波の変調、光路切
り替え等を行う光制御素子等に用いられる光導波路の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】リッジ構造光導波路を用いた、広帯域光
変調が可能なマッハツェンダ形のＴi熱拡散ＬiＮbＯ3光
変調器として、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示す速度整
合形の光変調器がある(K. Noguchi,他, "A Broadband T
i:LiNb03 optical modulatorwith a ridge structure,"
IEEE Journal of Lightwave Technology, Vol. LT-13,
pp.1164-1168,1995)。図２（ａ）は平面図、図２
（ｂ）はそのＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
変調が可能なマッハツェンダ形のＴi熱拡散ＬiＮbＯ3光
変調器として、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示す速度整
合形の光変調器がある(K. Noguchi,他, "A Broadband T
i:LiNb03 optical modulatorwith a ridge structure,"
IEEE Journal of Lightwave Technology, Vol. LT-13,
pp.1164-1168,1995)。図２（ａ）は平面図、図２
（ｂ）はそのＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【０００３】この例では、電気光学効果を有するｚカッ
トＬiＮbＯ3基板１０１にＬi熱拡散によりマッハツェン
ダ形光導波路１０２が形成されている。その基板１０１
の上にはＳiＯ2バッファ層１０３が形成され、さらにそ
のバッファ層１０３の上に中心導体（中心電極）１０４
及びアース導体（アース電極）１０５から構成されたコ
プレーナウェーブガイド（ＣＰＷ）形の進行波電極が形
成されている。
トＬiＮbＯ3基板１０１にＬi熱拡散によりマッハツェン
ダ形光導波路１０２が形成されている。その基板１０１
の上にはＳiＯ2バッファ層１０３が形成され、さらにそ
のバッファ層１０３の上に中心導体（中心電極）１０４
及びアース導体（アース電極）１０５から構成されたコ
プレーナウェーブガイド（ＣＰＷ）形の進行波電極が形
成されている。
【０００４】１０６は進行波電極１０４，１０５との間
に接続された終端抵抗、１０７は進行波電極１０４，１
０５とに接続され、変調用マイクロ波信号をこれら電極
１０４及び１０５に供給する変調用マイクロ波信号給電
線（給電用同軸線）である。さらに、ＣＰＷ電極を構成
する中心導体１０４及びアース導体１０５の近傍のマイ
クロ波電界強度の強い領域の基板部分を、図２（ｂ）に
示すように、エッチングなどで掘り下げてリッジ構造に
形成している。
に接続された終端抵抗、１０７は進行波電極１０４，１
０５とに接続され、変調用マイクロ波信号をこれら電極
１０４及び１０５に供給する変調用マイクロ波信号給電
線（給電用同軸線）である。さらに、ＣＰＷ電極を構成
する中心導体１０４及びアース導体１０５の近傍のマイ
クロ波電界強度の強い領域の基板部分を、図２（ｂ）に
示すように、エッチングなどで掘り下げてリッジ構造に
形成している。
【０００５】即ち、エッチングなどで掘り下げることに
よりマイクロ波電界強度の強い領域の基板部分を突起状
になし、このようにして突起部分１０８の形成された基
板１０１の表面上に、バッファ層１０３を配置する。そ
の際、この突起部分１０８上に、２つの光導波路１０２
のうちの一方をバッファ層１０３を介して中心導体１０
４の真下に配置し、他方の光導波路１０２をアース導体
１０５の真下に配置する。
よりマイクロ波電界強度の強い領域の基板部分を突起状
になし、このようにして突起部分１０８の形成された基
板１０１の表面上に、バッファ層１０３を配置する。そ
の際、この突起部分１０８上に、２つの光導波路１０２
のうちの一方をバッファ層１０３を介して中心導体１０
４の真下に配置し、他方の光導波路１０２をアース導体
１０５の真下に配置する。
【０００６】図２に示した光変調器では、進行波電極１
０４及び１０５の厚みをある程度厚くして、マイクロ波
実効屈折率ｎmの値を下げる一方、その時に付随して低
下する特性インピーダンスＺをリッジ構造の掘り下げ深
さを３μｍ〜４μｍと深くすることにより上昇させ、こ
れにより外部回路とのインピーダンスの整合を図ってい
る。
０４及び１０５の厚みをある程度厚くして、マイクロ波
実効屈折率ｎmの値を下げる一方、その時に付随して低
下する特性インピーダンスＺをリッジ構造の掘り下げ深
さを３μｍ〜４μｍと深くすることにより上昇させ、こ
れにより外部回路とのインピーダンスの整合を図ってい
る。
【０００７】特に、リッジ構造を採用しているので、マ
イクロ波実効屈折率ｎmも低下しており、従ってマイク
ロ波と光との完全な速度整合を実現するのに必要な進行
波電極１０４及び１０５の厚みは、掘り下げのない場合
に比べて薄くてよい。従って、進行波電極１０４及び１
０５の厚みを厚くすることによって生じる特性インピー
ダンスＺの低下も小さく抑えることが出来るとともに、
進行波電極１０４及び１０５の製作も容易となり、更に
はマイクロ波伝搬損失の増大を抑えることが出来るなど
の利点が得られる。
イクロ波実効屈折率ｎmも低下しており、従ってマイク
ロ波と光との完全な速度整合を実現するのに必要な進行
波電極１０４及び１０５の厚みは、掘り下げのない場合
に比べて薄くてよい。従って、進行波電極１０４及び１
０５の厚みを厚くすることによって生じる特性インピー
ダンスＺの低下も小さく抑えることが出来るとともに、
進行波電極１０４及び１０５の製作も容易となり、更に
はマイクロ波伝搬損失の増大を抑えることが出来るなど
の利点が得られる。
【０００８】図２に示した光制御素子は一例として、図
３に示す工程により作製される。図３はリッジ構造光導
波路の製造方法の従来例の工程の例を、基板の断面図を
用いて示したものである。図３（ａ）に示すように、Ｌ
iＮbＯ3基板２０１上には光導波路２０２が形成されて
いる。
３に示す工程により作製される。図３はリッジ構造光導
波路の製造方法の従来例の工程の例を、基板の断面図を
用いて示したものである。図３（ａ）に示すように、Ｌ
iＮbＯ3基板２０１上には光導波路２０２が形成されて
いる。
【０００９】先ず、図３（ｂ）に示すように、厚さ５０
０ｎｍ程度のＴi膜２０３を全面に形成し、図３（ｃ）
に示すように、通常のフォトプロセスにより掘り下げら
れるべき部分が溝になったレジストパターン２０４をＴ
i膜２０３上に形成する。引き続き、図３（ｄ）に示す
ように、レジストパターン２０４をマスクとしてＬiＮb
Ｏ3基板２０１上のＴi膜２０３をＣＦ4ガスプラズマ２
０６等を用いたプラズマエッチング法でエッチングし、
フォトレジストを溶解することによって、レジストパタ
ーンと同形のＴiパターン２０５を得る。
０ｎｍ程度のＴi膜２０３を全面に形成し、図３（ｃ）
に示すように、通常のフォトプロセスにより掘り下げら
れるべき部分が溝になったレジストパターン２０４をＴ
i膜２０３上に形成する。引き続き、図３（ｄ）に示す
ように、レジストパターン２０４をマスクとしてＬiＮb
Ｏ3基板２０１上のＴi膜２０３をＣＦ4ガスプラズマ２
０６等を用いたプラズマエッチング法でエッチングし、
フォトレジストを溶解することによって、レジストパタ
ーンと同形のＴiパターン２０５を得る。
【００１０】その後、図３（ｅ）に示すように、このＴ
iパターン２０５をマスクとして、アルゴンガス及びフ
ッ素系ガスのイオンビーム２０７を用いたイオンビーム
エッチング法等でＬiＮbＯ3基板をエッチングし、Ｔi膜
２０３をフッ酸等で溶解することにより、図３（ｆ）に
示すような突起部分２０８を有するリッジ構造光導波路
を形成する。
iパターン２０５をマスクとして、アルゴンガス及びフ
ッ素系ガスのイオンビーム２０７を用いたイオンビーム
エッチング法等でＬiＮbＯ3基板をエッチングし、Ｔi膜
２０３をフッ酸等で溶解することにより、図３（ｆ）に
示すような突起部分２０８を有するリッジ構造光導波路
を形成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
製造方法においては、酸化物結晶であるＬiＮbＯ3基板
を効率良くエッチングするために、エッチング方法とし
てアルゴンやフッ素系ガスによるイオンビームエッチン
グ法を用いるとともに、エッチングマスクとしてＴiパ
ターンを用いている。アルゴンやフッ素系ガスを用いた
イオンビームエッチング法は、酸化物基板に対するエッ
チング速度が大きい。
製造方法においては、酸化物結晶であるＬiＮbＯ3基板
を効率良くエッチングするために、エッチング方法とし
てアルゴンやフッ素系ガスによるイオンビームエッチン
グ法を用いるとともに、エッチングマスクとしてＴiパ
ターンを用いている。アルゴンやフッ素系ガスを用いた
イオンビームエッチング法は、酸化物基板に対するエッ
チング速度が大きい。
【００１２】ＴiはＬiＮbＯ3基板との密着性が高く、か
つアルゴンイオンに対するスパッタ率が全元素中カーボ
ンについで２番目に低いのでＬiＮbＯ3基板とのエッチ
ング速度差を大きくすることができる。しかしながら、
従来の製造方法で作製したリッジ構造光導波路では、光
導波路の伝搬損失が増大してしまうという問題があっ
た。
つアルゴンイオンに対するスパッタ率が全元素中カーボ
ンについで２番目に低いのでＬiＮbＯ3基板とのエッチ
ング速度差を大きくすることができる。しかしながら、
従来の製造方法で作製したリッジ構造光導波路では、光
導波路の伝搬損失が増大してしまうという問題があっ
た。
【００１３】また、従来の製造方法で作製したリッジ構
造光導波路を用いた光制御素子では、ＤＣバイアス点の
変動、いわゆるＤＣドリフトが大きくて動作が不安定に
なってしまうという、実用上、大きな問題があった。本
発明者らは、上記問題点を解決するために鋭意研究した
結果、エッチングマスクであるＴiが、ＬiＮbＯ3基板と
の界面において基板にダメージを与えているという知見
を得た。
造光導波路を用いた光制御素子では、ＤＣバイアス点の
変動、いわゆるＤＣドリフトが大きくて動作が不安定に
なってしまうという、実用上、大きな問題があった。本
発明者らは、上記問題点を解決するために鋭意研究した
結果、エッチングマスクであるＴiが、ＬiＮbＯ3基板と
の界面において基板にダメージを与えているという知見
を得た。
【００１４】即ち、Ｔiは酸素吸着性が非常に高い元素
であり、ＬiＮbＯ3基板上に堆積する際、表面付近の酸
素原子と強く結びつき、Ｔi−Ｏの結合を形成する。エ
ッチングプロセス終了後にＴiをフッ酸で除去する際、
Ｔi原子に結合した酸素原子も除去されてしまう。その
結果、基板表面近傍の酸素原子の割合が少なくなってＬ
iＮbＯ3基板に酸素欠損が発生し、光導波路の伝搬損失
を増大させていることを見出した。更に、上記ＬiＮbＯ
3基板の酸素欠損によって表面抵抗が下がり、光制御素
子のＤＣドリフトの原因となっていることを見出した。
であり、ＬiＮbＯ3基板上に堆積する際、表面付近の酸
素原子と強く結びつき、Ｔi−Ｏの結合を形成する。エ
ッチングプロセス終了後にＴiをフッ酸で除去する際、
Ｔi原子に結合した酸素原子も除去されてしまう。その
結果、基板表面近傍の酸素原子の割合が少なくなってＬ
iＮbＯ3基板に酸素欠損が発生し、光導波路の伝搬損失
を増大させていることを見出した。更に、上記ＬiＮbＯ
3基板の酸素欠損によって表面抵抗が下がり、光制御素
子のＤＣドリフトの原因となっていることを見出した。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上述した知見に基づき、
本願発明者等は、予めＬiＮbＯ3基板の上に酸化物の薄
膜、例えば二酸化シリコン（ＳiＯ2）膜を形成し、その
上にエッチングマスクであるＴi膜を形成することによ
り、ＴiによるＬiＮbＯ3基板表面近傍の酸素欠損を無く
せることを見出した。これにより、リッジ構造光導波路
の伝搬損失の増大を抑制することができると同時に、上
述したリッジ構造光導波路を用いた光制御素子のＤＣド
リフトを抑制できる。
本願発明者等は、予めＬiＮbＯ3基板の上に酸化物の薄
膜、例えば二酸化シリコン（ＳiＯ2）膜を形成し、その
上にエッチングマスクであるＴi膜を形成することによ
り、ＴiによるＬiＮbＯ3基板表面近傍の酸素欠損を無く
せることを見出した。これにより、リッジ構造光導波路
の伝搬損失の増大を抑制することができると同時に、上
述したリッジ構造光導波路を用いた光制御素子のＤＣド
リフトを抑制できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明によ
るリッジ構造光導波路の製造方法を詳細に説明する。図
１は、本発明による光制御素子の製造方法を説明する図
である。図１（ａ）に示すように、ＬiＮbＯ3基板３０
１上に光導波路３０２が形成されている。
るリッジ構造光導波路の製造方法を詳細に説明する。図
１は、本発明による光制御素子の製造方法を説明する図
である。図１（ａ）に示すように、ＬiＮbＯ3基板３０
１上に光導波路３０２が形成されている。
【００１７】先ず、図１（ｂ）に示すように、厚さ１０
０ｎｍ程度のＳiＯ2膜３０９及び厚さ５００ｎｍ程度の
Ｔi膜３０３を全面に形成し、次に、図１（ｃ）に示す
ように、通常のフォトプロセスにより掘り下げられるべ
き部分が溝になったレジストパターン３０４をＴi膜上
に形成する。引き続き、図１（ｄ）に示すように、基板
３０１上のＳiＯ2膜３０９及びＴi膜３０３をＣＦ4ガス
プラズマ３０６を用いたプラズマエッチング法等でエッ
チングし、フォトレジストを溶解することによって、レ
ジストパターンと同形のＴiパターン３０５及びＳiＯ2
パターン３１０を得る。
０ｎｍ程度のＳiＯ2膜３０９及び厚さ５００ｎｍ程度の
Ｔi膜３０３を全面に形成し、次に、図１（ｃ）に示す
ように、通常のフォトプロセスにより掘り下げられるべ
き部分が溝になったレジストパターン３０４をＴi膜上
に形成する。引き続き、図１（ｄ）に示すように、基板
３０１上のＳiＯ2膜３０９及びＴi膜３０３をＣＦ4ガス
プラズマ３０６を用いたプラズマエッチング法等でエッ
チングし、フォトレジストを溶解することによって、レ
ジストパターンと同形のＴiパターン３０５及びＳiＯ2
パターン３１０を得る。
【００１８】その後、図１（ｅ）に示すように、上述し
たフッ素系イオン３０７を用いたイオンビームエッチン
グ法等でエッチングし、Ｔi膜及びＳiＯ2膜をフッ酸で
溶解することにより、図１（ｆ）に示すような突起部分
３０８を有するリッジ構造光導波路を製造する。ここ
で、ＳiＯ2膜３０９はＴi膜３０３と同じ方法、例えば
電子ビーム蒸着法等で、Ｔi膜形成直前に同一バッチで
作製することができる。
たフッ素系イオン３０７を用いたイオンビームエッチン
グ法等でエッチングし、Ｔi膜及びＳiＯ2膜をフッ酸で
溶解することにより、図１（ｆ）に示すような突起部分
３０８を有するリッジ構造光導波路を製造する。ここ
で、ＳiＯ2膜３０９はＴi膜３０３と同じ方法、例えば
電子ビーム蒸着法等で、Ｔi膜形成直前に同一バッチで
作製することができる。
【００１９】また、ＳiＯ2膜３０９のエッチングも、Ｔ
i膜３０３のエッチングと同時にＣＦ4ガスプラズマ３０
６を用いて行うことができ、さらに除去もフッ酸で同時
に可能である。即ち、本発明の光制御素子の製造方法で
は、ＳiＯ2膜３０９の形成プロセスが新たに加わる外
は、従来と全く同じ装置、及びプロセスでリッジ構造光
導波路を製造することができる。
i膜３０３のエッチングと同時にＣＦ4ガスプラズマ３０
６を用いて行うことができ、さらに除去もフッ酸で同時
に可能である。即ち、本発明の光制御素子の製造方法で
は、ＳiＯ2膜３０９の形成プロセスが新たに加わる外
は、従来と全く同じ装置、及びプロセスでリッジ構造光
導波路を製造することができる。
【００２０】以上の実施例では、ｚカットＬiＮbＯ3基
板を用いたが、ｘカットのＬiＮbＯ3基板を用いても良
いし、その他の酸化物基板、例えばタンタル酸リチウム
（ＬiＴaＯ3）等を用いても良い。また、第一の薄膜の
酸化物材料としては酸化アルミニウム（Ａl2Ｏ3）や酸
化チタン（ＴiＯ2）薄膜を用いても良いし、更に第二の
薄膜の材料としては、Ｔiの他にＴa等、他の金属膜を用
いても良いし、窒化シリコン（Ｓi3Ｎ4）膜等の無機材
料薄膜、あるいはポリイミド膜やフォトレジスト膜等の
有機材料薄膜を用いても良い。
板を用いたが、ｘカットのＬiＮbＯ3基板を用いても良
いし、その他の酸化物基板、例えばタンタル酸リチウム
（ＬiＴaＯ3）等を用いても良い。また、第一の薄膜の
酸化物材料としては酸化アルミニウム（Ａl2Ｏ3）や酸
化チタン（ＴiＯ2）薄膜を用いても良いし、更に第二の
薄膜の材料としては、Ｔiの他にＴa等、他の金属膜を用
いても良いし、窒化シリコン（Ｓi3Ｎ4）膜等の無機材
料薄膜、あるいはポリイミド膜やフォトレジスト膜等の
有機材料薄膜を用いても良い。
【００２１】
【発明の効果】以上、実施例に基づいて具体的に説明し
たように、本発明では、少なくとも一本の光導波路を備
えた酸化物基板（例えば、ＬiＮbＯ3）と、前記基板の
一部分の厚さを掘り下げにより少なくして前記基板に形
成した突起部分に前記少なくとも一本の光導波路を配置
したリッジ構造光導波路の製造方法のうち、前記酸化物
基板上に形成した薄膜パターンをマスクとし、前記掘り
下げ部分を製作する工程中の、前記薄膜パターンを作製
する工程において、前記酸化物基板上に第一の薄膜であ
る酸化物材料薄膜（例えば、ＳiＯ2）を形成した後、前
記第一の薄膜上に第二の薄膜（例えば、Ｔi）を形成
し、その後フォトプロセスによって前記薄膜パターンを
形成したため、リッジ構造光導波路の伝搬損失増大を抑
制すると同時に、リッジ構造光導波路を用いた光制御素
子において、ＤＣドリフトを抑制した素子を効率良く作
製できるので、特性向上を図ることだけでなく、素子の
安定性及び量産性の向上を図ることが可能となる。
たように、本発明では、少なくとも一本の光導波路を備
えた酸化物基板（例えば、ＬiＮbＯ3）と、前記基板の
一部分の厚さを掘り下げにより少なくして前記基板に形
成した突起部分に前記少なくとも一本の光導波路を配置
したリッジ構造光導波路の製造方法のうち、前記酸化物
基板上に形成した薄膜パターンをマスクとし、前記掘り
下げ部分を製作する工程中の、前記薄膜パターンを作製
する工程において、前記酸化物基板上に第一の薄膜であ
る酸化物材料薄膜（例えば、ＳiＯ2）を形成した後、前
記第一の薄膜上に第二の薄膜（例えば、Ｔi）を形成
し、その後フォトプロセスによって前記薄膜パターンを
形成したため、リッジ構造光導波路の伝搬損失増大を抑
制すると同時に、リッジ構造光導波路を用いた光制御素
子において、ＤＣドリフトを抑制した素子を効率良く作
製できるので、特性向上を図ることだけでなく、素子の
安定性及び量産性の向上を図ることが可能となる。
【図１】図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の光制御素子の
製造方法の一実施例の工程図である。
製造方法の一実施例の工程図である。
【図２】図２（ａ）、（ｂ）は、リッジ構造を有する光
制御素子の一例の上面図、断面図である。
制御素子の一例の上面図、断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｅ）は、従来の光制御素子の製
造方法の工程図である。
造方法の工程図である。
１０１，２０１，３０１ ＬiＮbＯ3基板 １０２，２０２，３０２ Ｔi熱拡散光導波路 １０３ バッファ層 １０４，１０５ 進行波電極 １０６ 終端抵抗 １０７ 給電線 １０８，２０８，３０８ 突起部分 ２０３，３０３ Ｔi膜 ２０４，３０４ フォトレジスト ２０５，３０５ Ｔiパターン ２０６，３０６ ＣＦ4ガスプラズマ ２０７，３０７ アルゴン及びフッ素系イオンビーム ３０９ ＳiＯ2膜 ３１０ ＳiＯ2パターン
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも一本の光導波路を備えた酸化
物基板と、前記基板の一部分の厚さを掘り下げにより少
なくして前記酸化物基板に形成した突起部分に前記少な
くとも一本の光導波路を配置したリッジ構造光導波路の
製造方法のうち、前記酸化物基板上に形成した薄膜パタ
ーンをマスクとし、前記掘り下げ部分を製作する工程中
の、前記薄膜パターンを作成する工程において、前記酸
化物基板上に第一の薄膜として酸化物材料薄膜を形成し
た後、前記酸化物材料薄膜上に第二の薄膜を形成し、そ
の後フォトリソグラフィによって薄膜パターンを形成す
ることを特徴とするリッジ構造光導波路の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のリッジ構造光導波路の製
造方法において、前記酸化物基板がニオブ酸リチウムで
あることを特徴とするリッジ構造光導波路の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のリッジ構造光導波路の製
造方法において、前記酸化物材料が二酸化シリコンであ
ることを特徴とするリッジ構造光導波路の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載のリッジ構造光導波路の製
造方法において、前記第二の薄膜材料がチタンであるこ
とを特徴とするリッジ構造光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15825997A JP3222092B2 (ja) | 1997-06-16 | 1997-06-16 | リッジ構造光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15825997A JP3222092B2 (ja) | 1997-06-16 | 1997-06-16 | リッジ構造光導波路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH116932A true JPH116932A (ja) | 1999-01-12 |
| JP3222092B2 JP3222092B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=15667721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15825997A Expired - Lifetime JP3222092B2 (ja) | 1997-06-16 | 1997-06-16 | リッジ構造光導波路の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003012533A1 (fr) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Modulateur optique |
| CN104238150A (zh) * | 2013-06-07 | 2014-12-24 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 电光调制器 |
-
1997
- 1997-06-16 JP JP15825997A patent/JP3222092B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003012533A1 (fr) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Modulateur optique |
| US7397974B2 (en) * | 2001-08-01 | 2008-07-08 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical modulator |
| CN104238150A (zh) * | 2013-06-07 | 2014-12-24 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 电光调制器 |
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| JP3222092B2 (ja) | 2001-10-22 |
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