JPS58178303A - 光導波路の形成方法 - Google Patents

光導波路の形成方法

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JPS58178303A
JPS58178303A JP57061968A JP6196882A JPS58178303A JP S58178303 A JPS58178303 A JP S58178303A JP 57061968 A JP57061968 A JP 57061968A JP 6196882 A JP6196882 A JP 6196882A JP S58178303 A JPS58178303 A JP S58178303A
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JP
Japan
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thickness
refractive index
layer
optical waveguide
width
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JP57061968A
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English (en)
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JPH0522201B2 (ja
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Ippei Sawaki
一平 佐脇
Minoru Kiyono
實 清野
Hiroki Nakajima
啓幾 中島
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/134—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms
    • G02B6/1342—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms using diffusion

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  • Optics & Photonics (AREA)
  • Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）発明の技術分野 本発明は光回路素子中に設けられる光導波路の形成に関
するものである。
（ｂ）技術の背景 先導波路は基板表面内外に形成され、その基板材料とし
てはガラス、半導体、電気光学結晶等多様の材料が用い
られている。電気光学結晶としては、例えばＬｉＮｂＯ
３があり、基板表面下に不純物を選択的に拡散させるこ
とにより、周囲よりも屈折率を太き（し、先導波路を形
成し、光を導波させることが可能である０通常、不純物
としてはチタン（Ｔｉ）等が用いられ、このＴｉ等の金
属層を先導波路を形成すべき領域表面に選択的に被着し
、熱処理して形成する。
第１ＶＩＪに示すような光回路素子ｌに於ては、その入
出力部分の光導波路４は光ファイバー２との整合性の要
求上、最適の屈折率が定まるが、内部の機能回路部分３
では、入出力部とは異なる屈折率の先導波路が要求され
ることが多い、特に先導波路の湾曲部分などでは、損失
を軽減する為に高屈折率であることが望まれる。
このように、一連の先導波路に於て屈折率の興なる部分
が存在する場合、その接続部分の屈折率変化が急派であ
ると光信号の反射等の不都合が生じる為、屈折率変化は
なだらかであることが要求される。
第２図は、先導波路の断面に於けるほぼ水平方向の屈折
率分布を示すもので、同図（ａ）は入出力領域の先導波
路の屈折率分布を、（ｂ）は機能回路内の先導波路の屈
折率分布を示している。０は先導波路の中心位置である
。
（ｃ）従来技術と問題点 一連の先導波路に於て、その屈折率を連続的に変化させ
て形成するには、従来は第３図に示すように、例えばＬ
　ｉ　Ｎ　ｂ　Ｏｓである基板５の表面に厚みを連続的
に変化させた７１層６を被着し、熱処理によってＴＩを
基板内に拡散することが行われていた。
このようにすれば、厚いＴｉ層の被着していた領域は比
較的高屈折率に、薄いＴｉ層の被着していた領域は比較
的低屈折率に形成され、厚みの変化する領域では、屈折
率もそれに比例して変化する。
然し乍らこの方法では、Ｔｉ層を、その厚みを変化させ
なから被着しなければならないが、これは二通り程度の
均一な厚さのＴｉ層を被着するのに比べ、より複雑な工
程を必要とする。
（ｄ）発明の目的 本発明は、Ｔｉ層のような金属層の厚みを連続的に変化
させて被着する工程が不要で、而も屈折率の連続的変化
を実現する先導波路の形成方法を提供するものである。
（ｅ）発明の構成 上記目的を達成する為本発明に於ては、基板表面の先導
波路を形成すべき基板表面領域に、第一の厚みを有する
金属層及び第二の厚みを有する金属層を被着した後、熱
処理によって前記基板表面領域の屈折率を選択的に変化
せしめて先導波路を形成する場合、此等二種類の被着金
属層が接続する部分に於ては、前記先導波路の軸方向に
対して、より大なる厚みを有する金属層の幅は次第に減
少する形状とすることが行われる。
（ｆ）発明の実施例 第４図は本発明の一実施例を示すもので、例えばＬｉＮ
ｂＯ３である基板５の表面に７３層６が被着されている
０図より明らかな如く、より大なる厚みｄｚを有するＴ
ｉ層は、厚みは一定のまま、終端部に於て次第にその幅
を減少しており、より小なる厚みｄ、を有するＴｉ層は
先導波路の幅に相当する幅を維持して形成されている。
このように、厚さの異なる金属層の形成であっても、夫
々の厚さが均一であり、単に平面形状だけで区分されて
いる場合は、厚さが連続的に変化する場合に比べて形成
は容易である。
第４図の如＜’ｒｔ層を被着した後、例えば１０４０℃
、５Ｈの熱処理によってＴｉをＬｉＮｂＯ３基板内に拡
散せしめ、先導波路を形成する。該方法によって形成さ
れる先導波路の、その断面に於ける水平方向の屈折率分
布は第５図に示すようになっている。
即ち、Ｔｉ層の厚さがｄｌであった部分は第５図（ａ）
に示すように比較的低い屈折率を、Ｔｉ層の厚さがｄ２
であった部分は同図（ｃ）に示すように比較的高い屈折
率を持って光導波路が形成されている。
両者の中間の、比較的厚いＴｉ層が模型に存在する領域
では第５図（ｂ）に示すように、その中心近傍に高屈折
率部分が存在し、その幅が順次変化して前記二つの先導
波路を接続しているのであるが、このようにして形成さ
れた先導波路では屈折率が変化する部分で光信号が反射
することが無い。
先導波路形成の為に被着するＴｉ層の厚さは、２００乃
至１０００人であり、前記ｄｌ及びｄｚＯ値はこの範囲
で設定されることになる。
（ｇ）発明の詳細 な説明した如く、本発明の方法によれば、基板上に被着
する金属層の厚みを連続的に変化させることなく、屈折
率が連続的に変化する先導波路を形成することができ、
光回路素子の製造が容易になると共に、その設計の自由
度も向上する。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は光回路素子に於ける先導波路の特性
を説明する図、第３図は従来技術を示す図、第４図及び
第５図は本発明を説明する図であって、図に於てｌは光
回路素子、２は光ファイバ−３は機能装置領域、４は先
導波路、５はＬｉＮｂＯ３等の基板、６はＴｉ層である
。 第　１　図 第　３　図 第　４　図 第　　５　　凹

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板表面の光導波路を形成すべき基板表面領域に、第一
    の厚みを有する金属層及び第二の厚みを有する金属層を
    被着した後、熱処理によって前記基板表面領域の屈折率
    を選択的に変化せしめて実施する先導波路の形成に於て
    、此等二種類の被着金属層が接続する部分に於ては、よ
    り大なる厚みを有する前記金属層は、その幅が前記先導
    波路の軸方向に対して次第に減少する形状に被着形成さ
    れることを特徴とする光導波路の形成方法。
JP57061968A 1982-04-14 1982-04-14 光導波路の形成方法 Granted JPS58178303A (ja)

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JP57061968A JPS58178303A (ja) 1982-04-14 1982-04-14 光導波路の形成方法

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JP57061968A JPS58178303A (ja) 1982-04-14 1982-04-14 光導波路の形成方法

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JPS58178303A true JPS58178303A (ja) 1983-10-19
JPH0522201B2 JPH0522201B2 (ja) 1993-03-26

Family

ID=13186481

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JP57061968A Granted JPS58178303A (ja) 1982-04-14 1982-04-14 光導波路の形成方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009139849A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Canon Inc ３次元フォトニック結晶及びその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5533042A (en) * 1978-08-29 1980-03-08 Toshiba Mach Co Ltd Temperature-compenstated solenoid
JPS565962A (en) * 1979-06-27 1981-01-22 Sony Corp Manufacture of amorphous magnetic alloy

Patent Citations (2)

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JP2009139849A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Canon Inc ３次元フォトニック結晶及びその製造方法

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JPH0522201B2 (ja) 1993-03-26

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