JPS5897005A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
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- JPS5897005A JPS5897005A JP56194597A JP19459781A JPS5897005A JP S5897005 A JPS5897005 A JP S5897005A JP 56194597 A JP56194597 A JP 56194597A JP 19459781 A JP19459781 A JP 19459781A JP S5897005 A JPS5897005 A JP S5897005A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
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- G02B6/134—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板の表面より内部に光導波路を形成する光導
波路の製造方法に関する。
波路の製造方法に関する。
光集積回路用＃路などいわゆる平面型光回路に用いられ
る光導波路は、基本的には比較的高屈折率を有するコア
部が比較的低い屈折率を有するクラッド部によって嶺わ
れ九構造になっている。
る光導波路は、基本的には比較的高屈折率を有するコア
部が比較的低い屈折率を有するクラッド部によって嶺わ
れ九構造になっている。
従来このような光導波路の製造方法としてイオン浸透法
が知られている。この方法の従来技術には３つの方法が
ある。
が知られている。この方法の従来技術には３つの方法が
ある。
第１の方法は熱拡散法と呼ばれるもので、基板を溶融金
為塩につけ、金属イオンを基板中に熱的に拡散させて高
屈折率部を形成している。しかし、この方法によって製
造され九九導波路の屈折率分布は表面で大きく、基板内
部に入るに従い漸次ノトさくなっていくので光の分布が
表面に集中してしまうことは避けられない。したがって
、表面精度が患い場合には散乱損失が増大する。また製
造に非常に長い時間を要するという欠点もあった。
為塩につけ、金属イオンを基板中に熱的に拡散させて高
屈折率部を形成している。しかし、この方法によって製
造され九九導波路の屈折率分布は表面で大きく、基板内
部に入るに従い漸次ノトさくなっていくので光の分布が
表面に集中してしまうことは避けられない。したがって
、表面精度が患い場合には散乱損失が増大する。また製
造に非常に長い時間を要するという欠点もあった。
第２の方法は溶融塩式電界拡散法と呼ばれるもので、光
の散乱損失を減少せしめるために、電界を印加して基板
の中にある種の金属イオンを拡散させ、その後さらに他
種の金属イオンを拡散させ前記基板内に高屈折率層を形
成している。したがって、この方法によって形成され九
九導波路は前述の第１の方法によって作られるものに比
較して製造時間が少なくてすみ、また光導波損失が少な
いなどの点で優れている。しかしこの第２の方法では、
溶融基間の電気的短絡を防ぐために基板をうつわ状にす
る必要があるなどの欠点があった。
の散乱損失を減少せしめるために、電界を印加して基板
の中にある種の金属イオンを拡散させ、その後さらに他
種の金属イオンを拡散させ前記基板内に高屈折率層を形
成している。したがって、この方法によって形成され九
九導波路は前述の第１の方法によって作られるものに比
較して製造時間が少なくてすみ、また光導波損失が少な
いなどの点で優れている。しかしこの第２の方法では、
溶融基間の電気的短絡を防ぐために基板をうつわ状にす
る必要があるなどの欠点があった。
第３の方法はドライ式電界拡散法と呼ばれるもので、金
属または金属塩の薄膜を基板上に形成し。
属または金属塩の薄膜を基板上に形成し。
この基板を加熱するとともＫｍ界を印加して、前記金属
または金属塩の金属イオンを基板中に浸透させ、拡散源
たる前記金属イオンが基板表面になくなった彼も電界を
かけ続けることにより、前記基板内部に高屈折率層を形
成している。しかし、この方法によって作られる光導波
路は第２の方法によって形成された光導波路と比較する
と、光導波路の埋め込まれる深さは極めて不十分であり
、また電気的に移動すべきイオンが欠乏しているためイ
オンの動きが極めて少ないことから、埋め込み状態の屈
折率分布を得るためには極めて長い時間を必要とすると
いう欠点があった。
または金属塩の金属イオンを基板中に浸透させ、拡散源
たる前記金属イオンが基板表面になくなった彼も電界を
かけ続けることにより、前記基板内部に高屈折率層を形
成している。しかし、この方法によって作られる光導波
路は第２の方法によって形成された光導波路と比較する
と、光導波路の埋め込まれる深さは極めて不十分であり
、また電気的に移動すべきイオンが欠乏しているためイ
オンの動きが極めて少ないことから、埋め込み状態の屈
折率分布を得るためには極めて長い時間を必要とすると
いう欠点があった。
本発明の目的は上記の欠点を除去し、すべてドライの処
理工程で、しかも従来よりも短かい時間で基板の内部に
高屈折率層を形成せしめることにある。
理工程で、しかも従来よりも短かい時間で基板の内部に
高屈折率層を形成せしめることにある。
本発明の方法は、光学的に透明度の高い基板の上に、こ
の基板の中に金属イオンとして浸透したとき前記基板の
屈折率が大きくなる少なくとも一種類以上の金属を含有
する第１の薄膜を設け、この第１の薄膜を設けた前記基
板を加熱するとともに電界を印加し、前記第１の薄膜に
含有される前記金属を金属イオンとして前記基板に浸透
させて表面近傍に高屈折率層を形成し、しかる彼に、前
記基板の上に、この基板の中に金属イオンとして浸透し
たとき前記基板の屈折率が前記高屈折率層の屈折率より
も小さくなる少なくとも一種類以上の金属を含有する第
２の薄膜を設け、この第２の薄膜を設けた前記基板を加
熱するとともに電界を印加し、前記第２の薄膜に含有さ
れる前記金属を金属イオンとして前記基板に浸透させる
ことにより、前記基板の表面から所定の距離にある基板
内部に前記高屈折率層を埋め込んで光導波路を形成させ
る光導波路の製造方法である０ 以下、本発明を実施例により図面を参照して詳細に説明
する。
の基板の中に金属イオンとして浸透したとき前記基板の
屈折率が大きくなる少なくとも一種類以上の金属を含有
する第１の薄膜を設け、この第１の薄膜を設けた前記基
板を加熱するとともに電界を印加し、前記第１の薄膜に
含有される前記金属を金属イオンとして前記基板に浸透
させて表面近傍に高屈折率層を形成し、しかる彼に、前
記基板の上に、この基板の中に金属イオンとして浸透し
たとき前記基板の屈折率が前記高屈折率層の屈折率より
も小さくなる少なくとも一種類以上の金属を含有する第
２の薄膜を設け、この第２の薄膜を設けた前記基板を加
熱するとともに電界を印加し、前記第２の薄膜に含有さ
れる前記金属を金属イオンとして前記基板に浸透させる
ことにより、前記基板の表面から所定の距離にある基板
内部に前記高屈折率層を埋め込んで光導波路を形成させ
る光導波路の製造方法である０ 以下、本発明を実施例により図面を参照して詳細に説明
する。
第１図〜第７図は本発明による光導波路の製造方法の最
も好ましい一実施例を示したものである。
も好ましい一実施例を示したものである。
第１図〜第７図において、１はガラス基板、２はアルミ
ニウムからなる拡散阻止層、３は銀よりなるｊｌｌｌの
薄膜、４．４’は両極間に電界を与える電極で４が陽極
、４′が陰極である。５は金属膜部を設けたガラスを加
熱するための加熱器、６はガラス基板内に形成された高
屈折率層、７は弗化ナトリウム（ＮａＦ）からなる第２
の薄膜、８，８′は改めて形成された電極で８が陽極、
８′が陰極である。
ニウムからなる拡散阻止層、３は銀よりなるｊｌｌｌの
薄膜、４．４’は両極間に電界を与える電極で４が陽極
、４′が陰極である。５は金属膜部を設けたガラスを加
熱するための加熱器、６はガラス基板内に形成された高
屈折率層、７は弗化ナトリウム（ＮａＦ）からなる第２
の薄膜、８，８′は改めて形成された電極で８が陽極、
８′が陰極である。
本実施例による製造方法では、まず第１図に示すように
、厚さ１〜３ｍｍのＢＫ７ガラスのガラス基板１の上に
、す７トオフ法によりパターン形成を施し真空蒸着によ
シ塗布したアルミニウムの薄膜よりなる拡散阻止層２を
設ける。次に第２図に示すように、真空蒸着、スパッタ
リングあるいは化学沈着により約１〜５μｍの厚さで拡
散源の金属となる銀の薄膜３を設け、さらに上面、下面
に電極４．４′を形成する。その稜第３図に示すように
、前記各金属の層２ ＋ ３ ＋ ４ ＊ ４’が設け
られたガラス基板１を２５０℃〜５５０℃位のガラス歪
温度以下の温度で加熱器５を用いて加熱するとともに、
２〜３００ Ｖ／ｍｍの電界を印加して、銀イオンをガ
ラス基板１の中に拡散させ、所期の拡散深さを有する高
屈折率部６を形成する。ここで第４図に示すように１拡
散阻止層２．残存する銀の薄膜３．電極４．４′を除去
した彼、第５図に示すように、金属イオンの拡散源とな
る弗化ナトリウムＮａＦの薄８Ｉ！７を真空蒸着、スパ
ッタリング岬により設け、さらに電極８，８′を形成す
る。その徒弟６図に示すように、前記ＮａＦの薄膜７お
よび電極８，８′が設けられたガラス基板１を再び２５
０℃〜５５０℃位のガラス歪温度以下の温度で加熱器５
を用いて加熱するとともに、２〜３００Ｖ／ｍｍの電界
を印加して、ナトリウムイオンをガラス基板ｌの中に拡
散させ、前記高屈折率部６を所期の埋め込み深さまで埋
め込み、第７図に示すように、ガラス基板ｌの表面から
所定の距離を有する位置に高屈折率層６を形成させて、
これを光導波路とする。
、厚さ１〜３ｍｍのＢＫ７ガラスのガラス基板１の上に
、す７トオフ法によりパターン形成を施し真空蒸着によ
シ塗布したアルミニウムの薄膜よりなる拡散阻止層２を
設ける。次に第２図に示すように、真空蒸着、スパッタ
リングあるいは化学沈着により約１〜５μｍの厚さで拡
散源の金属となる銀の薄膜３を設け、さらに上面、下面
に電極４．４′を形成する。その稜第３図に示すように
、前記各金属の層２ ＋ ３ ＋ ４ ＊ ４’が設け
られたガラス基板１を２５０℃〜５５０℃位のガラス歪
温度以下の温度で加熱器５を用いて加熱するとともに、
２〜３００ Ｖ／ｍｍの電界を印加して、銀イオンをガ
ラス基板１の中に拡散させ、所期の拡散深さを有する高
屈折率部６を形成する。ここで第４図に示すように１拡
散阻止層２．残存する銀の薄膜３．電極４．４′を除去
した彼、第５図に示すように、金属イオンの拡散源とな
る弗化ナトリウムＮａＦの薄８Ｉ！７を真空蒸着、スパ
ッタリング岬により設け、さらに電極８，８′を形成す
る。その徒弟６図に示すように、前記ＮａＦの薄膜７お
よび電極８，８′が設けられたガラス基板１を再び２５
０℃〜５５０℃位のガラス歪温度以下の温度で加熱器５
を用いて加熱するとともに、２〜３００Ｖ／ｍｍの電界
を印加して、ナトリウムイオンをガラス基板ｌの中に拡
散させ、前記高屈折率部６を所期の埋め込み深さまで埋
め込み、第７図に示すように、ガラス基板ｌの表面から
所定の距離を有する位置に高屈折率層６を形成させて、
これを光導波路とする。
本実施例により作られた先導波路として、基板との屈折
率差Δｎが０．０１〜０．０７．高屈折率部の断面の大
きさが５０μｍφ以上、埋め込み深さが３０１１ｍ以上
のものが得られる。これは多モードの光導波路として極
めて適しており、また光導波損失も極めて小さい。また
光導波路パターンは、前記拡散阻止層２のパターンを従
来から良く知られているフォトエッチフグやり７トオ７
法により形成することＫより任意の形状に形成すること
ができる。
率差Δｎが０．０１〜０．０７．高屈折率部の断面の大
きさが５０μｍφ以上、埋め込み深さが３０１１ｍ以上
のものが得られる。これは多モードの光導波路として極
めて適しており、また光導波損失も極めて小さい。また
光導波路パターンは、前記拡散阻止層２のパターンを従
来から良く知られているフォトエッチフグやり７トオ７
法により形成することＫより任意の形状に形成すること
ができる。
以上に本発明の一実施例について述べた。ここで、本実
施例においては基板としてガラスを用いたが、ＬＩＮｂ
Ｏｓ等の結晶基板を用いてもよい。
施例においては基板としてガラスを用いたが、ＬＩＮｂ
Ｏｓ等の結晶基板を用いてもよい。
また、第１の薄膜に含まれる金属として銀を用いたが、
弗化リチウムＬＩＰなどに含まれるリチウムなど、金属
イオンとして浸透したとき基板の屈折率が大きくなる他
の金属を用いてもよいことは明らかである。また、多モ
ード系に適した光導波路が得られることはもちろんであ
るが、金属イオンの拡散時間や拡散阻止層のパターン幅
を、多モード系を目的とした光導波路のときよりも小さ
くすることにより、単一モード系に適し走光導波路が得
られることは言うまでもない。
弗化リチウムＬＩＰなどに含まれるリチウムなど、金属
イオンとして浸透したとき基板の屈折率が大きくなる他
の金属を用いてもよいことは明らかである。また、多モ
ード系に適した光導波路が得られることはもちろんであ
るが、金属イオンの拡散時間や拡散阻止層のパターン幅
を、多モード系を目的とした光導波路のときよりも小さ
くすることにより、単一モード系に適し走光導波路が得
られることは言うまでもない。
最後に、本発明による光導波路の製造方法の特徴を列挙
すれば、すべてドライの処理工程で製作できること、し
かも従来よりも短かい時間で埋め込み光導波路を形成で
きること、さらには形成され走光導波路は光導波損失が
小さく、熱的にも機械的にも安定であること等である。
すれば、すべてドライの処理工程で製作できること、し
かも従来よりも短かい時間で埋め込み光導波路を形成で
きること、さらには形成され走光導波路は光導波損失が
小さく、熱的にも機械的にも安定であること等である。
第１図〜第７図は本発明の実施例の光導波路の製造プロ
セスを示したものであり、第１図はガラス基板上にパタ
ーン化された拡散阻止層を付着し九基板の側面図、第２
図は第１図の基板に１番目の拡散源となる第１の薄膜お
よび電極を設けたときの基板の側面図、第３図は第２図
の基板を加熱器および電界内に置いたときの基板の側面
図、第４図は基板の表面付近に設けられた高屈折率層を
示す側面図、第５図は第４図の基板に２番目の拡散源と
なる第２の薄膜および電極を設けたときの基板の側面図
、第６図は第５図の基板を加熱器および電界内に置いた
ときの基板の側面図、第７図は基板の内部に埋め込まれ
た高屈折率層（光導波路）を示す側面図である。 なお図面に使用した符号はそれぞれ以下のものを示す。 ｌ・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・拡散阻止層
、３・・・・・・ｔｌ、ｌの薄膜、４・・・・・・電極
（陽極）、４／・・・・・・電極（陰極）、５・・・・
・・加熱器、６・・・・・・高屈折率層、７・・・・・
・第２の薄膜、８・・・・・・電極（陽極）、８／・・
・・・・電極（陰極）０ 第１図 始３図 第４図 第６図 第７図
セスを示したものであり、第１図はガラス基板上にパタ
ーン化された拡散阻止層を付着し九基板の側面図、第２
図は第１図の基板に１番目の拡散源となる第１の薄膜お
よび電極を設けたときの基板の側面図、第３図は第２図
の基板を加熱器および電界内に置いたときの基板の側面
図、第４図は基板の表面付近に設けられた高屈折率層を
示す側面図、第５図は第４図の基板に２番目の拡散源と
なる第２の薄膜および電極を設けたときの基板の側面図
、第６図は第５図の基板を加熱器および電界内に置いた
ときの基板の側面図、第７図は基板の内部に埋め込まれ
た高屈折率層（光導波路）を示す側面図である。 なお図面に使用した符号はそれぞれ以下のものを示す。 ｌ・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・拡散阻止層
、３・・・・・・ｔｌ、ｌの薄膜、４・・・・・・電極
（陽極）、４／・・・・・・電極（陰極）、５・・・・
・・加熱器、６・・・・・・高屈折率層、７・・・・・
・第２の薄膜、８・・・・・・電極（陽極）、８／・・
・・・・電極（陰極）０ 第１図 始３図 第４図 第６図 第７図
Claims (1)
- 光学的に透明度の高い基板の上に、この基板の中に金属
イオンとして浸透したとき前記基板の屈折率が大きくな
る少なくとも一種類以上の金属を含有する第１の薄膜を
設け、この第１の薄膜を設けた前記基板を加熱するとと
もに電界を印加し、前記第１の薄膜に含有される前記金
属を金属イオンとして前記基板に浸透させて表面近傍に
高屈折率層を形成し、しかる彼に１前記基板の上に、こ
の基板の中に金属イオンとして浸透したとき前記基板の
屈折率が前記高屈折率層の屈折率よりも小さくなる少な
くとも一種類以上の金属を含有する第２の薄膜を設け、
仁の第２の薄膜を設けた前記基板を加熱するととも圧電
界を印加し、前記第２の薄膜に含有される前記金属を金
Ｍ（オンとじて前記基板に浸透させることにより、前記
基板の表面から所定の距離にある基板内部に前記高屈折
率層を埋め込んで光導波路を形成することを特徴とする
光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56194597A JPS5897005A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56194597A JPS5897005A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5897005A true JPS5897005A (ja) | 1983-06-09 |
Family
ID=16327187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56194597A Pending JPS5897005A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5897005A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6037504A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-26 | Fujitsu Ltd | 光導波路の製造方法 |
| WO1995013553A1 (fr) * | 1993-11-12 | 1995-05-18 | Schneider Electric S.A. | Fabrication d'un guide d'ondes enterre a plusieurs profondeurs d'enterrement |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5013050A (ja) * | 1973-06-04 | 1975-02-10 | ||
| JPS5392149A (en) * | 1977-01-24 | 1978-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | Method of fabricating thin film light wave guide |
-
1981
- 1981-12-04 JP JP56194597A patent/JPS5897005A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5013050A (ja) * | 1973-06-04 | 1975-02-10 | ||
| JPS5392149A (en) * | 1977-01-24 | 1978-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | Method of fabricating thin film light wave guide |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6037504A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-26 | Fujitsu Ltd | 光導波路の製造方法 |
| WO1995013553A1 (fr) * | 1993-11-12 | 1995-05-18 | Schneider Electric S.A. | Fabrication d'un guide d'ondes enterre a plusieurs profondeurs d'enterrement |
| FR2712396A1 (fr) * | 1993-11-12 | 1995-05-19 | Merlin Gerin | Procédé de fabrication d'un dispositif d'optique intégrée et dispositif ainsi fabriqué. |
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