JP2019015816A - 光導波路 - Google Patents

光導波路 Download PDF

Info

Publication number
JP2019015816A
JP2019015816A JP2017132074A JP2017132074A JP2019015816A JP 2019015816 A JP2019015816 A JP 2019015816A JP 2017132074 A JP2017132074 A JP 2017132074A JP 2017132074 A JP2017132074 A JP 2017132074A JP 2019015816 A JP2019015816 A JP 2019015816A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sio
film
metal oxide
optical waveguide
laminated core
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017132074A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6634053B2 (ja
Inventor
里美 片寄
Satomi Katayose
里美 片寄
渡邉 啓
Hiroshi Watanabe
啓 渡邉
信建 小勝負
Nobutake Koshobu
信建 小勝負
笠原 亮一
Ryoichi Kasahara
亮一 笠原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP2017132074A priority Critical patent/JP6634053B2/ja
Publication of JP2019015816A publication Critical patent/JP2019015816A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6634053B2 publication Critical patent/JP6634053B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

【課題】可視光波長帯の光の吸収を回避しつつ、熱処理によって生じたドーパントの結晶体による光の散乱を抑制して光損失を低減可能な光導波路を提供すること。【解決手段】本発明に係る光導波路は、基板と、前記基板上に形成されたSiO2アンダークラッド層と、前記SiO2アンダークラッド層上に形成された積層コアと、前記積層コア上に形成されたSiO2オーバークラッド層と、を備えた光導波路であって、前記積層コアは、可視光波長帯に吸収端を有さない材料で構成されたSiO2膜と、可視光波長帯に吸収端を有さない金属酸化物をドーパントとして用いたSiO2−金属酸化物膜とが交互に堆積されて構成されていることを特徴とする。【選択図】図1

Description

本発明は、可視光波長帯の光の吸収を回避しつつ、ドーパントの結晶体による光の散乱を抑制して光損失を低減可能な光導波路に関する。
石英系PLCデバイスは、光通信・光信号処理システムを中心に用いられている。石英系PLCデバイスを構成する石英系導波路は、通信波長用に設計・作製されており、そのコア材料には、SiO2にGeO2をドープしたSiO2−GeO2が用いられている(例えば特許文献1参照)。石英系導波路のコア材料としてSiO2−GeO2を用いた場合、通信波長帯では、大きな吸収損失もなく、極めて低損失で、実績ある光導波路を作製することができる。
特開2013−171261号公報
近年、石英系PLCデバイスは、光通信・光信号処理システムだけでなく、映像・センサデバイスとしても用いられており、可視光波長用に設計された石英系PLCデバイスも開発されている。
しかしながら、石英系導波路のコア材料として用いられるSiO2−GeO2は、通信波長帯では吸収端を有さないものの、可視光波長帯では吸収端を有するため、可視光が石英系PLCデバイスに入力されて導波路を伝搬すると、電子励起に起因した光吸収により光学特性が劣化するという問題があった。
そこで、石英系導波路のコア材料のドーパントとして、GeO2の代わりに、可視光波長帯に吸収端を有さないAl23、Ta25、ZrO2、HfO2、MgO、Y23、TiO2、Nb25などを用いる方法がある。しかし、このような材料をドーパントとして用いた場合、導波路作製過程にてコア膜の膜質安定化およびクラッド層の平坦化のために火炎堆積法を用いて1000℃程度の熱処理をすると、ドーパント成分が凝集して結晶化し、当該結晶体がコア膜内全体にわたって生じて光の散乱体となるため、光損失が生じるという問題があった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、可視光波長帯の光の吸収を回避しつつ、熱処理によって生じたドーパントの結晶体による光の散乱を抑制して光損失を低減可能な光導波路を提供する。
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る光導波路は、基板と、前記基板上に形成されたSiO2アンダークラッド層と、前記SiO2アンダークラッド層上に形成された積層コアと、前記積層コア上に形成されたSiO2オーバークラッド層と、を備えた光導波路であって、前記積層コアは、可視光波長帯に吸収端を有さない材料で構成されたSiO2膜と、可視光波長帯に吸収端を有さない金属酸化物をドーパントとして用いたSiO2−金属酸化物膜とが交互に堆積されて構成されていることを特徴とする。
本発明に係る光導波路によれば、可視光波長帯の光の吸収を回避しつつ、ドーパントの結晶体による光の散乱を抑制して光損失を低減することが可能となる。
本発明に係る光導波路を例示する図である。 本発明に係る積層コア膜の詳細図である。
図1は、本発明に係る光導波路を例示する。図1には、例えばSiで構成された基板1と、基板1上に形成されたSiO2アンダークラッド層2と、SiO2アンダークラッド層2上に形成された積層コア膜3と、積層コア膜3上に形成されたSiO2オーバークラッド層4と、を備えた導波路構造が示されている。
図2は、本発明に係る積層コア膜3の詳細図である。図2に示されるように、積層コア膜3は、可視光波長帯に吸収端を有さない材料で構成されたSiO2膜3aと、可視光波長帯に吸収端を有さない金属酸化物をドーパントとして用いたSiO2−金属酸化物膜3bとが数nm〜数10nmオーダーで交互に堆積されて構成されている。
SiO2膜3aを構成する可視光波長帯に吸収端を有さない材料としては、例えば、純粋石英、又はB23及びP25のいずれか若しくはその両方を屈折率調整のために添加したSiO2などを用いることができる。SiO2−金属酸化物膜3bのドーパントとして用いる金属酸化物としては、例えば、Al23、Ta25、ZrO2、HfO2、MgO、Y23、TiO2、Nb25などを用いることができる。
本発明は、可視光波長帯に吸収端を有さない材料で構成されたSiO2膜3aと可視光波長帯に吸収端を有さない金属酸化物をドーパントとして用いたSiO2−金属酸化物膜3bとを交互に堆積した積層コア膜3を用いている。それにより、火炎堆積法を用いて1000℃程度の熱処理をして、SiO2−金属酸化物膜3bのドーパント成分が凝集して結晶化したとしても、当該結晶体がSiO2−金属酸化物膜3b内のみにしか生じないため、SiO2膜3aに入射した可視光は損失なく伝搬する一方で、SiO2−金属酸化物膜3bに入射した可視光の散乱を低減することができる。そのため、可視光用導波路における光損失を低減することが可能となる。
SiO2−金属酸化物膜3bの膜厚は、熱処理時に生成される金属酸化膜結晶(散乱体)の粒径が入力可視光の波長に比べて十分に短くなるように、100nm以下とすることが好ましい。散乱の程度を示す散乱係数はレイリーの式により与えられる。光散乱の強度は粒子半径の6乗に比例するため、光散乱を低減するためには膜中の粒子サイズを小さくすることが効果的であり、コア膜の透明性を確保する上で重要となる。また、SiO2膜3aの膜厚は、光が積層コア膜3を一様な媒質とみなすことができるように、入力光波長の1/10以下とすることが好ましい。ここで、SiO2膜3a及びSiO2−金属酸化物膜3bの各膜厚は、異なっていてもよい。
また、積層コア膜3においてSiO2膜3a及びSiO2−金属酸化物膜3bを積層した積層構造の繰り返し回数は、少なくとも10回とすることができる。当該積層構造が光のフィールドで10回未満である場合、光がこれを周期構造を有する媒質とし、積層コア膜3内で光の散乱が生じるが、光のフィールド内で少なくとも10回の積層構造の繰り返しがあれば光はこれを一様な媒質とみなすため、光を積層コア膜3内に閉じ込めることができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例について説明する。まず、1mmの厚さを有する基板1上に火炎堆積法によってSiO2アンダークラッド層2を20μm堆積した。
続いて、スパッタ成膜法を用いて、複数の材料ターゲット(所望の組成のもの)を使用することにより、SiO2膜3aとSiO2−金属酸化物膜3bとを交互に堆積した積層コア膜3をSiO2アンダークラッド層2上に4μm堆積した。SiO2膜3aとしては、純粋石英を用い、SiO2−金属酸化物膜3bとしては、SiO2にAl23をドープしたSiO2−Al23膜を用いた。ここでは、SiO2膜3a及びSiO2−金属酸化物膜3bをそれぞれ交互に40nm堆積し、この交互に堆積する工程を50回繰り返すことによって総膜厚が4μmの積層コア膜3を形成した。なお、SiO2アンダークラッド層2上に堆積するのは、SiO2膜3a及びSiO2−金属酸化物膜3bのいずれでもよい。
続いて、積層コア膜3の膜質安定化のために1000℃の熱処理を行い、次に、フォトリソグラフィーとドライエッチングにより光導波路パターンのコア加工を行った。その後、火炎堆積法によってSiO2オーバークラッド層4を20μm堆積し、引き続き900℃で熱処理を行うことによって、実施例に係る光導波路を作製した。
なお、上記実施例で用いた各数値はあくまで例示であり、これに限定されず、本発明の原理に逸脱しない程度に実施態様に応じて変更可能である。

Claims (4)

  1. 基板と、
    前記基板上に形成されたSiO2アンダークラッド層と、
    前記SiO2アンダークラッド層上に形成された積層コアと、
    前記積層コア上に形成されたSiO2オーバークラッド層と、
    を備えた光導波路であって、
    前記積層コアは、可視光波長帯に吸収端を有さない材料で構成されたSiO2膜と、可視光波長帯に吸収端を有さない金属酸化物をドーパントとして用いたSiO2−金属酸化物膜とが交互に堆積されて構成されていることを特徴とする光導波路。
  2. 前記SiO2−金属酸化物膜においてドーパントとして用いる前記金属酸化物は、Al23、Ta25、ZrO2、HfO2、MgO、Y23、TiO2、又はNb25であることを特徴とする請求項1に記載の光導波路。
  3. 前記SiO2−金属酸化物膜の膜厚は、100nm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光導波路。
  4. 前記SiO2膜は、純粋石英、又はB23及びP25のいずれか若しくはその両方を添加したSiO2であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の光導波路。
JP2017132074A 2017-07-05 2017-07-05 光導波路 Active JP6634053B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017132074A JP6634053B2 (ja) 2017-07-05 2017-07-05 光導波路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017132074A JP6634053B2 (ja) 2017-07-05 2017-07-05 光導波路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019015816A true JP2019015816A (ja) 2019-01-31
JP6634053B2 JP6634053B2 (ja) 2020-01-22

Family

ID=65357674

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017132074A Active JP6634053B2 (ja) 2017-07-05 2017-07-05 光導波路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6634053B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020204666A (ja) * 2019-06-14 2020-12-24 古河電気工業株式会社 合分波素子および光源モジュール
JP2020204642A (ja) * 2019-06-14 2020-12-24 古河電気工業株式会社 光源モジュール
JP2020204667A (ja) * 2019-06-14 2020-12-24 古河電気工業株式会社 合分波素子および光源モジュール
JP2022130562A (ja) * 2019-06-14 2022-09-06 古河電気工業株式会社 光源モジュール

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5319727A (en) * 1992-12-28 1994-06-07 Honeywell Inc. Ion-beam deposited, gain enhanced ring resonators
JP2003057465A (ja) * 2001-08-08 2003-02-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 導波型光回路
JP2005340516A (ja) * 2004-05-27 2005-12-08 Nec Corp 光増幅器用平面型光導波路

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5319727A (en) * 1992-12-28 1994-06-07 Honeywell Inc. Ion-beam deposited, gain enhanced ring resonators
JP2003057465A (ja) * 2001-08-08 2003-02-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 導波型光回路
JP2005340516A (ja) * 2004-05-27 2005-12-08 Nec Corp 光増幅器用平面型光導波路

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020204666A (ja) * 2019-06-14 2020-12-24 古河電気工業株式会社 合分波素子および光源モジュール
JP2020204642A (ja) * 2019-06-14 2020-12-24 古河電気工業株式会社 光源モジュール
JP2020204667A (ja) * 2019-06-14 2020-12-24 古河電気工業株式会社 合分波素子および光源モジュール
JP7097332B2 (ja) 2019-06-14 2022-07-07 古河電気工業株式会社 合分波素子および光源モジュール
JP7099995B2 (ja) 2019-06-14 2022-07-12 古河電気工業株式会社 光源モジュール
JP2022130562A (ja) * 2019-06-14 2022-09-06 古河電気工業株式会社 光源モジュール
JP7178328B2 (ja) 2019-06-14 2022-11-25 古河電気工業株式会社 合分波素子および光源モジュール
JP7340661B2 (ja) 2019-06-14 2023-09-07 古河電気工業株式会社 光源モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
JP6634053B2 (ja) 2020-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6634053B2 (ja) 光導波路
Méndez et al. Specialty optical fibers handbook
JP3734733B2 (ja) 偏波保持光ファイバおよび絶対単一偏波光ファイバ
JP2006309222A (ja) 量子ドット導波層を含む光導波路および製造方法
JP2013210623A (ja) 光導波路素子およびその製造方法
Zaghdoudi et al. One-dimensional photonic crystal filter using a gradient-index layer
JP2011033899A (ja) ホーリーファイバ
JP5098640B2 (ja) 光学素子及び光学素子の製造方法
JP5727401B2 (ja) 光導波路及びその作製方法
JP2000121987A (ja) 波長分散補償器
JP2003057465A (ja) 導波型光回路
Zur et al. Glass and glass-ceramic photonic systems
CN108196338B (zh) 一种级联准周期结构的全方位反射器
Guo et al. Behaviors of photosensitive mechanisms in a low-loss fiber at different energy densities
US9696487B2 (en) Reduction of thermo-optic effects in silicon photonics
Hsu et al. Flattened broadband notch filters using guided-mode resonance associated with asymmetric binary gratings
Anan’ev et al. Multicomponent glasses for electrooptical fibers
JP2005092032A (ja) 平面型光導波路の製造方法
He et al. Low-loss channel waveguides and Y-splitter formed by ion-exchange in silica-on-silicon
US12044883B2 (en) Optical waveguide and manufacturing method thereof
JP2009276375A (ja) 光ファイバ、結晶化光ファイバ及びその製造方法
JP2005017650A (ja) 光ファイバ
JP2011090331A (ja) 低曲げ損失マルチモードファイバ
JP5718215B2 (ja) 光導波路及びその作製方法
JPWO2009107355A1 (ja) 紫外線用自己クローニングフォトニック結晶

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181114

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190903

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190830

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191030

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191210

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191213

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6634053

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150