JPS59154401A - 光学薄膜およびその製法 - Google Patents
光学薄膜およびその製法Info
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- JPS59154401A JPS59154401A JP58029077A JP2907783A JPS59154401A JP S59154401 A JPS59154401 A JP S59154401A JP 58029077 A JP58029077 A JP 58029077A JP 2907783 A JP2907783 A JP 2907783A JP S59154401 A JPS59154401 A JP S59154401A
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- zirconium oxide
- optical thin
- film
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
- G02B1/115—Multilayers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光学薄膜およびその製法に関するもので、詳
しくは光−磁気ディスクや元ディスクσ）反射防止膜に
適した高屈折率を有する光学薄膜およびその製法に関す
るものである。
しくは光−磁気ディスクや元ディスクσ）反射防止膜に
適した高屈折率を有する光学薄膜およびその製法に関す
るものである。
従来、光学薄膜を得る方法として、例えば米国特許第３
９３４９６１号公報に開示された酸化アルミニウム（ｈ
ｌ、 ｏｓ ）と酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）を混合
焼結して得たものを蒸着用薬品として用いるか、又は特
開昭５０−３５２１１号公報に開示された酸化ジルコニ
ウム（ｚｒ０２’）と酸化チタン（Ｔｉ、ｏ、、）を混
合焼結して得たものを蒸、着用薬品として用いるか、あ
るいは酸化チタン単独を蒸着用薬品として用いて、被蒸
着体（ガラスやプラスチック）に真空下で蒸着する方法
が知られている。
９３４９６１号公報に開示された酸化アルミニウム（ｈ
ｌ、 ｏｓ ）と酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）を混合
焼結して得たものを蒸着用薬品として用いるか、又は特
開昭５０−３５２１１号公報に開示された酸化ジルコニ
ウム（ｚｒ０２’）と酸化チタン（Ｔｉ、ｏ、、）を混
合焼結して得たものを蒸、着用薬品として用いるか、あ
るいは酸化チタン単独を蒸着用薬品として用いて、被蒸
着体（ガラスやプラスチック）に真空下で蒸着する方法
が知られている。
しかし、前述のＡ４０３− ＺｒＯ２焼結物やＺｒＯ□
−Ｔｉｅ２焼結物全結物て被久着俸を室温（約２０℃）
下の温度〜８０°Ｃの温度にして蒸着成膜された光学簿
膜は、十分に旨い屈折率を示すことがなく 、ＺｒＯ，
。
−Ｔｉｅ２焼結物全結物て被久着俸を室温（約２０℃）
下の温度〜８０°Ｃの温度にして蒸着成膜された光学簿
膜は、十分に旨い屈折率を示すことがなく 、ＺｒＯ，
。
膜とほぼ同程度の屈折率である。一方、被蒸着体を３０
０°Ｃ以上の温度に加熱し、そこに前述の如き光学薄膜
を成膜することによって菌属折率なものとすることがで
きる。しかＬ１光−磁気ディスクや光ディスクを製造す
る工程中で、記録層や基体の上に設けたメタクリル樹脂
、硬質塩ビ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ユリア樹脂、
ポリエチレン樹脂などからなる断熱層が３００℃以上の
温度に加熱されることは、好ましいことではなく、特に
これらの断熱層の上に光学薄膜を形成する際、断熱Ｍが
３００°Ｃ以上に加熱されると、その表面が酸化され、
”くもシ”儲生の原因となっている。
０°Ｃ以上の温度に加熱し、そこに前述の如き光学薄膜
を成膜することによって菌属折率なものとすることがで
きる。しかＬ１光−磁気ディスクや光ディスクを製造す
る工程中で、記録層や基体の上に設けたメタクリル樹脂
、硬質塩ビ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ユリア樹脂、
ポリエチレン樹脂などからなる断熱層が３００℃以上の
温度に加熱されることは、好ましいことではなく、特に
これらの断熱層の上に光学薄膜を形成する際、断熱Ｍが
３００°Ｃ以上に加熱されると、その表面が酸化され、
”くもシ”儲生の原因となっている。
又、記録層が加熱されると、レーザに対する感応性がな
くなることがある。
くなることがある。
又、被蒸着体を室温下の温度にした蒸着法によ構成膜し
た光学薄膜のうち、酸化ジルコニウム（ｚｒＯ２）膜は
屈折￥が約１．９と両層折率を示Ｌ１又、酸化タンタル
（Ｔａ２０． ）膜と五酸化ニオブ（Ｎｋ）２０５）膜
がそれぞれ約２．０と約２．１の高屈折部を示している
。
た光学薄膜のうち、酸化ジルコニウム（ｚｒＯ２）膜は
屈折￥が約１．９と両層折率を示Ｌ１又、酸化タンタル
（Ｔａ２０． ）膜と五酸化ニオブ（Ｎｋ）２０５）膜
がそれぞれ約２．０と約２．１の高屈折部を示している
。
しかし、これらの光学薄膜は、酸化シリコニウム、酸化
タンタルや五酸化ニオブの焼結物を蒸着用薬品として用
いて、真空下に電子銃を照射することによって被蒸着体
の上に成膜することができるが、蒸着時に蒸着＃薬品が
飛散し、それが膜の上に微細な粒状物となって付着し、
製造時の、７石い不良率の原因となっている。
タンタルや五酸化ニオブの焼結物を蒸着用薬品として用
いて、真空下に電子銃を照射することによって被蒸着体
の上に成膜することができるが、蒸着時に蒸着＃薬品が
飛散し、それが膜の上に微細な粒状物となって付着し、
製造時の、７石い不良率の原因となっている。
本発明の目的は、前述の欠点を解消した光学簿膜、特に
高屈折率の反射防止膜に適した光学薄膜を提供すること
にちる。
高屈折率の反射防止膜に適した光学薄膜を提供すること
にちる。
本発明の別の目的は高屈折率を有する光学薄膜を室温程
度の温度に設定、されている被蒸着体に蒸着法で成膜す
ることができる光学薄膜の製法を提供することにある。
度の温度に設定、されている被蒸着体に蒸着法で成膜す
ることができる光学薄膜の製法を提供することにある。
本発明の他の目的は蒸着時に生じる蒸着用薬品の飛散を
防止し１被蒸着体あるいは蒸着膜に形成される微細な粒
状物の発生を防止しブこ光学薄膜の製法を提供すること
にある。
防止し１被蒸着体あるいは蒸着膜に形成される微細な粒
状物の発生を防止しブこ光学薄膜の製法を提供すること
にある。
本発明の光学薄膜は、゛五酸化ニオブ（Ｎｂ２０５ ）
と酸化ジルコニウム（Ｚｒ０２）を有し、特に五酸化ニ
オブが酸化ジルコニウムに対して１モル以上の比率で含
有すると２０以上の高屈折率を示すことができる。又、
五酸化ニオブと酸化ジルコニウムの分子量、密度、蒸気
圧と混合モル比から、成膜された光学薄膜の屈折率を予
測することができる。例えば、五酸化ニオブと像化ジル
コニウムのモル混合比をａ：１、その分子量の比を９：
１．その密度の比をｄ：１．その蒸気圧の比をｂ ：
１．五酸化ニオブ膜の屈折率をｎｊｓさらに酸化ジルコ
ニウム膜の屈折率をｎｚとすると、ある蒸発温度−にで
成膜された光学薄膜の屈折率ｎＮＺは、次の式（１）で
表わすことができる。
と酸化ジルコニウム（Ｚｒ０２）を有し、特に五酸化ニ
オブが酸化ジルコニウムに対して１モル以上の比率で含
有すると２０以上の高屈折率を示すことができる。又、
五酸化ニオブと酸化ジルコニウムの分子量、密度、蒸気
圧と混合モル比から、成膜された光学薄膜の屈折率を予
測することができる。例えば、五酸化ニオブと像化ジル
コニウムのモル混合比をａ：１、その分子量の比を９：
１．その密度の比をｄ：１．その蒸気圧の比をｂ ：
１．五酸化ニオブ膜の屈折率をｎｊｓさらに酸化ジルコ
ニウム膜の屈折率をｎｚとすると、ある蒸発温度−にで
成膜された光学薄膜の屈折率ｎＮＺは、次の式（１）で
表わすことができる。
前記式（１）によれば、五酸化ニオブと酸化ジルコニウ
ムの間ではｂは約１０、Ｉは約２．２、ｄは約０．８と
なシ、混合比ａ ＝ １とした時には、ｎ１ｌＺは約２
．０９となシ、又、ａ ＝ ３とした時にはｎＮＺは約
２．・１となる。
ムの間ではｂは約１０、Ｉは約２．２、ｄは約０．８と
なシ、混合比ａ ＝ １とした時には、ｎ１ｌＺは約２
．０９となシ、又、ａ ＝ ３とした時にはｎＮＺは約
２．・１となる。
本発明の光学薄膜は、混合した五酸化ニオブ粉末と酸化
ジルコニウム粉末を高圧プレスによって成型した後、こ
れを約ｉ ０＝Ｔｏｒｒの真空炉中でホットプレス処理
して焼結ｄレット（焼結、物）を作成し１約１ｏ−５Ｔ
ｏｒｒの真空度および被蒸着体温度を室温（２０°Ｃ）
下の温度〜８０℃の温度に設定し１前述の焼結イレット
を蒸着用薬品として電子銃加熱靜ることによって、微細
な粒状物を付着させることなく光学薄膜を被蒸着体の上
に成膜することができる。
ジルコニウム粉末を高圧プレスによって成型した後、こ
れを約ｉ ０＝Ｔｏｒｒの真空炉中でホットプレス処理
して焼結ｄレット（焼結、物）を作成し１約１ｏ−５Ｔ
ｏｒｒの真空度および被蒸着体温度を室温（２０°Ｃ）
下の温度〜８０℃の温度に設定し１前述の焼結イレット
を蒸着用薬品として電子銃加熱靜ることによって、微細
な粒状物を付着させることなく光学薄膜を被蒸着体の上
に成膜することができる。
この光学薄膜は、好ましい具体例では光ディスクや光−
磁気ディスク技術の分野で用いられている反射防止膜と
して有効なものである。例えば、基体（ガラス板、金属
やプラスチクぞ板）の上に設けた断熱層（この断熱層は
、メタクリル樹脂、硬質塩化ビニル樹脂、ポリ□カーボ
ネート樹脂、ユリア樹脂、ポリエチレンなどの樹脂によ
り等形成されている）と光−磁気記録層の間あるいは光
−磁気記録層の上に前述の光学薄膜を反射防止膜として
配置することができる。この際、被蒸着体としての断熱
層は高温までに加熱する必要がな―ため、加熱によシ生
じる表面酸化に帰因する”〈も）″現象の発生を防止す
ることができ、又、反射防止層を光−磁甥記録層の上に
設ける際に、は被蒸着体としての光−磁気記録層を高温
に加熱することがないために光−磁気記録材としての選
択範囲を拡大でき、より好ましい記録材の選択を容易に
なすことができる。特に、平担なディスク状基体の上に
ＴｏやＢ１などの低融点金属を被膜形成した光デイスク
記録媒体や書き換え可能なＴｂＦｅ ５ＧｄＦｅ 。
磁気ディスク技術の分野で用いられている反射防止膜と
して有効なものである。例えば、基体（ガラス板、金属
やプラスチクぞ板）の上に設けた断熱層（この断熱層は
、メタクリル樹脂、硬質塩化ビニル樹脂、ポリ□カーボ
ネート樹脂、ユリア樹脂、ポリエチレンなどの樹脂によ
り等形成されている）と光−磁気記録層の間あるいは光
−磁気記録層の上に前述の光学薄膜を反射防止膜として
配置することができる。この際、被蒸着体としての断熱
層は高温までに加熱する必要がな―ため、加熱によシ生
じる表面酸化に帰因する”〈も）″現象の発生を防止す
ることができ、又、反射防止層を光−磁甥記録層の上に
設ける際に、は被蒸着体としての光−磁気記録層を高温
に加熱することがないために光−磁気記録材としての選
択範囲を拡大でき、より好ましい記録材の選択を容易に
なすことができる。特に、平担なディスク状基体の上に
ＴｏやＢ１などの低融点金属を被膜形成した光デイスク
記録媒体や書き換え可能なＴｂＦｅ ５ＧｄＦｅ 。
Ｇｄｏｏ、ＭｎＢ１やＧｄＴｂＦｅなどの金属を被膜形
成した光−磁気ディスク記録媒体の反射防止膜として有
効である。
成した光−磁気ディスク記録媒体の反射防止膜として有
効である。
本発明の光学薄膜は、その光学膜厚をλ／４あるいはλ
／２（λ：波長）とすることができ、特に約２００ＯＡ
の膜厚で形成することによって反射防止膜とすることが
子きる。又、五酸化ニオブ／酸化ジルコニウム≧１とな
るモル比で成型した焼結パレットを蒸着用薬品として用
いて成膜Ｌｆｃ−膜は、その屈折率を２． Ｏｌ上とす
ることができ、特に本発明で好ましいものである。又、
この光学薄膜は、前述の光ディスクや光−磁気ディスク
技術分野で用いる反射防止膜に限らず、他の技術分野、
例えばレンズ光学系を用いた光学機器における反射防止
膜あるいは干渉薄膜などにも用いることができる。
／２（λ：波長）とすることができ、特に約２００ＯＡ
の膜厚で形成することによって反射防止膜とすることが
子きる。又、五酸化ニオブ／酸化ジルコニウム≧１とな
るモル比で成型した焼結パレットを蒸着用薬品として用
いて成膜Ｌｆｃ−膜は、その屈折率を２． Ｏｌ上とす
ることができ、特に本発明で好ましいものである。又、
この光学薄膜は、前述の光ディスクや光−磁気ディスク
技術分野で用いる反射防止膜に限らず、他の技術分野、
例えばレンズ光学系を用いた光学機器における反射防止
膜あるいは干渉薄膜などにも用いることができる。
又、本発明の光学薄膜は、単数の層として形成す゛るこ
とかできる他に、別の薄膜、例えば酸化チタン（Ｔ１ｏ
２）膜、酸化ジルコニウム（ｚ ｒ Ｏ２）膜や五酸化
ニオブ（Ｎｂ２０．）膜などを組合せた複数の層として
も形成することができる。
とかできる他に、別の薄膜、例えば酸化チタン（Ｔ１ｏ
２）膜、酸化ジルコニウム（ｚ ｒ Ｏ２）膜や五酸化
ニオブ（Ｎｂ２０．）膜などを組合せた複数の層として
も形成することができる。
以下、本発明を実施例に従って説明する。
実施例１
モル比１：１の五酸化ニオブ１、ン”粉末と酸化ジルコ
ニウム粉末を加圧プレスにて成型した後、これを１０−
２Ｔｏｒｒの真空度および１０００℃の湿度下でホット
プレス処理して焼結生成したパレットを作成した。
ニウム粉末を加圧プレスにて成型した後、これを１０−
２Ｔｏｒｒの真空度および１０００℃の湿度下でホット
プレス処理して焼結生成したパレットを作成した。
次に、表面が光学的精度で研摩された直径２ｏｃｍおよ
び厚さ５闘のガラス基板に熱伝導￥５ Ｘ １０−’ｃ
ａｌ／ｃｍ・６θＣ・℃のポリメチルメタクリレート樹
脂をスピンナー塗布して断熱層を形成した。次いで、真
空度１０−５Ｔｏｒｒ下で室温下の温度となっている焼
結パレットを電子銃で加熱することによって断熱層の上
に五酸化ニオブ−酸化ジルコニウム膜を反射防止膜とし
てｚｏｏｏｆの膜厚で形成した。この際、この膜は屈折
率２．０８を示しＸＬかも蒸着時に見られていた五酸化
ニオブ特有の飛散現象による微細粒子の付着発生は見ら
れなかった。
び厚さ５闘のガラス基板に熱伝導￥５ Ｘ １０−’ｃ
ａｌ／ｃｍ・６θＣ・℃のポリメチルメタクリレート樹
脂をスピンナー塗布して断熱層を形成した。次いで、真
空度１０−５Ｔｏｒｒ下で室温下の温度となっている焼
結パレットを電子銃で加熱することによって断熱層の上
に五酸化ニオブ−酸化ジルコニウム膜を反射防止膜とし
てｚｏｏｏｆの膜厚で形成した。この際、この膜は屈折
率２．０８を示しＸＬかも蒸着時に見られていた五酸化
ニオブ特有の飛散現象による微細粒子の付着発生は見ら
れなかった。
しかる後に、記録層としてＧ４Ｔすθ膜を０１μｍの膜
して、記録媒体を作成した。この記録媒体を波長０．８
３μｍの半導体レーザで記録した後、再生したところ良
好なＳＺＮ比が得られた。
して、記録媒体を作成した。この記録媒体を波長０．８
３μｍの半導体レーザで記録した後、再生したところ良
好なＳＺＮ比が得られた。
また、前述の反射防止膜は透明性、密着性および耐候性
の点で優れていることが判明した。
の点で優れていることが判明した。
比較例１
前記実施例１の焼結パレットを作成した際に用いた五酸
化、ニオブと酸化ジルコニウムの混合粉末に代えて五酸
化ニオブ粉末単独とした他は、実施例１と同様の方法で
焼結パレットを作成し１以下実施例１と同様の方法でｚ
ｏｏｏｆの膜厚で反射防止膜を作成したどころ、膜上に
蒸着用薬品の飛散現象が原因となって発生した徽細な粒
状物の付着が見られた。
化、ニオブと酸化ジルコニウムの混合粉末に代えて五酸
化ニオブ粉末単独とした他は、実施例１と同様の方法で
焼結パレットを作成し１以下実施例１と同様の方法でｚ
ｏｏｏｆの膜厚で反射防止膜を作成したどころ、膜上に
蒸着用薬品の飛散現象が原因となって発生した徽細な粒
状物の付着が見られた。
又、酸化ジルコニウム粉末および酸化゛タンタル粉末に
ついても、それぞれ前述の比較例と同様の方法で焼結パ
レットを作成してから、２０ｏｏＲの膜厚を有する反射
防止膜を作成したが、前述の比較例と同様の結果が得ら
れた。
ついても、それぞれ前述の比較例と同様の方法で焼結パ
レットを作成してから、２０ｏｏＲの膜厚を有する反射
防止膜を作成したが、前述の比較例と同様の結果が得ら
れた。
実Ｍ［ｉ例２
五酸化ニオブ／酸化ジルコニウム−３／１のモル比を有
する混合粉末を加圧プレスにて成型した後、実施例１と
同様の方法でホットプレス処理することによって焼結パ
レットを作成した。
する混合粉末を加圧プレスにて成型した後、実施例１と
同様の方法でホットプレス処理することによって焼結パ
レットを作成した。
次に、表σｘｊが光学的精度で研閲された匝径２０αお
よび厚さｂ前のガラス基板に熱伝導率４．６ Ｘ １０
−’、ｃ Ｊ／α・ｓｅｃ・°Ｃのポリカーボネート樹
脂をスピンナー塗布して断熱層を形成した。次いで、真
空度１０−”Ｔｏｒｒ下で、室温下の温度になっ玉いる
焼結パレットを電子銃で加熱することによって断熱層の
上に五酸化ニオブ−酸化ジルコニラ大膜敬反射防止膜と
して２ｏｏｏ！の膜厚で形成した。こｄ）際、この膜は
屈折￥２．１（約）を示し、シかも蕪λｆ時に見られて
いた五酸化ニオブ特有の飛散現象による微細粒子の付着
発生は見られなかった。
よび厚さｂ前のガラス基板に熱伝導率４．６ Ｘ １０
−’、ｃ Ｊ／α・ｓｅｃ・°Ｃのポリカーボネート樹
脂をスピンナー塗布して断熱層を形成した。次いで、真
空度１０−”Ｔｏｒｒ下で、室温下の温度になっ玉いる
焼結パレットを電子銃で加熱することによって断熱層の
上に五酸化ニオブ−酸化ジルコニラ大膜敬反射防止膜と
して２ｏｏｏ！の膜厚で形成した。こｄ）際、この膜は
屈折￥２．１（約）を示し、シかも蕪λｆ時に見られて
いた五酸化ニオブ特有の飛散現象による微細粒子の付着
発生は見られなかった。
次いで、実施例１の記録媒体を作成した時に用いた記録
層を設け、同様のテス・トを繰シ返したところ、同様の
結果が得られた。
層を設け、同様のテス・トを繰シ返したところ、同様の
結果が得られた。
実施例３
表面が光学的精度で研摩された直径２０におよび厚さ５
１１１Ｉのガラス基板に熱伝導率５ Ｘ １０−’ａｈ
ｌ／σ・ｓｅｃ・℃のポリメチルメタ・クリレート樹脂
をスピンナー塗布して断熱層を形成した後＼反射層とし
てアルミニウム蒸着膜を形成した。
１１１Ｉのガラス基板に熱伝導率５ Ｘ １０−’ａｈ
ｌ／σ・ｓｅｃ・℃のポリメチルメタ・クリレート樹脂
をスピンナー塗布して断熱層を形成した後＼反射層とし
てアルミニウム蒸着膜を形成した。
この基体の上に実施例１で用いた記録層と同様の記録層
を形成し、次いで実施例１で用いた五酸化ニオブ−酸化
ジルコニウム焼結パレットを真空度１０−５Ｔｏｒｒお
よび室温下で７Ｌ子銃加熱し、前述の記録層の上に２’
ＯＯＯ＆’の五酸化ニオブ−酸化ジルコニウム膜を蒸着
６せた。この様にして形成した膜には五酸化ニオブ特有
の飛散現象による微細粒子の付着は全くなく、しかも記
録層に実施例］、と同様の方法でレーザ書き込みおよび
再生を行なったところ、良、好なＳ／Ｎ比が得、られた
。
を形成し、次いで実施例１で用いた五酸化ニオブ−酸化
ジルコニウム焼結パレットを真空度１０−５Ｔｏｒｒお
よび室温下で７Ｌ子銃加熱し、前述の記録層の上に２’
ＯＯＯ＆’の五酸化ニオブ−酸化ジルコニウム膜を蒸着
６せた。この様にして形成した膜には五酸化ニオブ特有
の飛散現象による微細粒子の付着は全くなく、しかも記
録層に実施例］、と同様の方法でレーザ書き込みおよび
再生を行なったところ、良、好なＳ／Ｎ比が得、られた
。
各実施例から明らかな様に、五酸化ニオブと酸化ジルコ
ニウムの混合系を用いることによシ、蒸着時に見られる
五酸化ニオブの飛ｆｆｔ現象を防止することかでき、良
好な光学薄膜を得ることができる。しかも、本発明では
蒸着時の温度条件を低温付近（室温〜８０°Ｃ）に設定
できるため′Ｘ被蒸着体の選択範囲を拡大することがで
、き、特に光ディスクや光−磁気ディスクの様な高熱を
嫌う技術分野における反射１（ガ小ｌＩ！４の作成に極
めてが（合したものであ７る。
ニウムの混合系を用いることによシ、蒸着時に見られる
五酸化ニオブの飛ｆｆｔ現象を防止することかでき、良
好な光学薄膜を得ることができる。しかも、本発明では
蒸着時の温度条件を低温付近（室温〜８０°Ｃ）に設定
できるため′Ｘ被蒸着体の選択範囲を拡大することがで
、き、特に光ディスクや光−磁気ディスクの様な高熱を
嫌う技術分野における反射１（ガ小ｌＩ！４の作成に極
めてが（合したものであ７る。
Claims (7)
- （１）単数又は複数の層よシな°る光学薄膜において、
前記単数の層又は前記複数の層の少なくとも１つの層が
五酸化ニオブ（ｎｂ２ｏｓ ）と酸化ジルコニウム（Ｚ
ｒｏ２）を含むことを特徴とする光学薄膜。 - （２）前記五酸化ニオブ（Ｎｂ２ｏ、 ） ４酸化ジル
コニウム（ＺｒＯｚ）がモル比で五酸化ニオブ（Ｎｂ２
ｏ、）／酸化ジルコニウム（ｚｒｏｚ）≧１である特許
請求の＠Ｂ第１項記載の光学薄膜。 - （３）五酸化ニオブ（Ｎｂ２ｏ、 ）と酸化ジルコニウ
ム（ｚｒｏ２）を含ＩＪ焼結物、を蒸着用桑品として使
用し、被蒸着体温良を室温下の温度〜８０°Ｃとした被
蒸着体に五酸化ニオブ（Ｎｂ２０．）と酸化ジルコニウ
ム（ＺｒＯｚ）を含む蒸着膜を形成することを特徴とす
る光学薄膜の製法。 - （４）前記被蒸着体温度を室温下の温度とした特許請求
の範囲第３゛項記載の光学薄膜の製法。 - （５）前記焼結パレットがモル比で五酸化ニオブ゛（ｂ
ｂ２ｏ、 ）／酸化ジルコニウム（ＺｒＯｚ）≧１とな
る割合で五酸化ニオブ（Ｎｂ、！０５ ）と酸化ジルコ
ニウム（ＺｒＯ２）を含む特許請求の範囲第３項記載の
光学薄膜の製法。 - （６）前記被蒸着体がガラス板と断熱層力１らなる基体
である特許請求の範囲第３項記載σ）光学薄膜の製法。 - （７）前記被蒸着体がガラス板、金属板又はプラスチッ
ク板と光デイスク記録層又は光−磁気記録ｆ・ｎを有す
る特許請求の範囲第３項記載Ｑつ光学薄膜の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58029077A JPS59154401A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 光学薄膜およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58029077A JPS59154401A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 光学薄膜およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59154401A true JPS59154401A (ja) | 1984-09-03 |
Family
ID=12266278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58029077A Pending JPS59154401A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 光学薄膜およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59154401A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1205774A2 (en) * | 2000-11-13 | 2002-05-15 | Hoya Corporation | Composition for vapor deposition, method for forming antireflection film using it, and optical element |
-
1983
- 1983-02-23 JP JP58029077A patent/JPS59154401A/ja active Pending
Cited By (4)
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