JPS62154341A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPS62154341A JPS62154341A JP60293109A JP29310985A JPS62154341A JP S62154341 A JPS62154341 A JP S62154341A JP 60293109 A JP60293109 A JP 60293109A JP 29310985 A JP29310985 A JP 29310985A JP S62154341 A JPS62154341 A JP S62154341A
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- JP
- Japan
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- recording layer
- recording
- substrate
- optical
- Prior art date
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザービームなどの手段を用いて光学的に
情報を記録する記録層を基板上に有する光記録媒体に関
するものである。さらに詳しくいえば、本発明は、該記
録層の膜厚が十分に薄い領域においても高い感度とＳ／
Ｎ比を有し、かつ断熱層を必要としない光記録媒体に関
するものである。
情報を記録する記録層を基板上に有する光記録媒体に関
するものである。さらに詳しくいえば、本発明は、該記
録層の膜厚が十分に薄い領域においても高い感度とＳ／
Ｎ比を有し、かつ断熱層を必要としない光記録媒体に関
するものである。
従来の技術
従来、光記録媒体には、記録層に孔を開けて情報を記録
する開孔型と、加熱によって光学特性を変化させ情報を
記録する相変態型とがある。一般に、相変態型の感材と
してはＧｅ−Ｔｅ 、 ＴｅＯｘ 及びＥ３１２ Ｓ
ｅ３などの金属化合物が知られており、これらの金属化
合物を加熱徐冷あるいは加熱急冷することによって、非
晶質から結晶質、あるいは結晶質から非晶質へと相変化
させ、その反射率の差を利用して、情報の読み書きが行
われている。
する開孔型と、加熱によって光学特性を変化させ情報を
記録する相変態型とがある。一般に、相変態型の感材と
してはＧｅ−Ｔｅ 、 ＴｅＯｘ 及びＥ３１２ Ｓ
ｅ３などの金属化合物が知られており、これらの金属化
合物を加熱徐冷あるいは加熱急冷することによって、非
晶質から結晶質、あるいは結晶質から非晶質へと相変化
させ、その反射率の差を利用して、情報の読み書きが行
われている。
このような相変態型感材を用いて、記録層単層だけで情
報を読み書きする場合、十分な光学的コントラストを得
るためには、該記録層をかなり厚くする必要がある。し
かしながら、記録層を厚くするとレーザー光で情報を記
録する場合、記録層が厚さ方向に一様に変態しなかった
り、熱が拡散して記録ビットのエツジが不鮮明になった
りするなどの原因によって、十分なＳ／Ｎ比が得られな
いという欠点音生じる。
報を読み書きする場合、十分な光学的コントラストを得
るためには、該記録層をかなり厚くする必要がある。し
かしながら、記録層を厚くするとレーザー光で情報を記
録する場合、記録層が厚さ方向に一様に変態しなかった
り、熱が拡散して記録ビットのエツジが不鮮明になった
りするなどの原因によって、十分なＳ／Ｎ比が得られな
いという欠点音生じる。
また、従来Ａｔなどの反射層を設けることも知られてい
るが、このような金属を反射層に用いる場合、光学的コ
ントラストは増大するものの、該金属は熱伝導率が高い
ので熱が逃げやすく、感度が低下するという問題があり
、そのため、記録層と反射層との間に、さらに断熱性の
層を設ける必要がちって、工程が複雑になるのを免れな
い。
るが、このような金属を反射層に用いる場合、光学的コ
ントラストは増大するものの、該金属は熱伝導率が高い
ので熱が逃げやすく、感度が低下するという問題があり
、そのため、記録層と反射層との間に、さらに断熱性の
層を設ける必要がちって、工程が複雑になるのを免れな
い。
発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は、このような従来の光記録媒体が有する
問題点を解決し、記録層の膜厚が十分に薄い領域におい
ても高い感度とＳハ比を有し、かつ断熱層を必要としな
い光記録媒体を提供することにある。
問題点を解決し、記録層の膜厚が十分に薄い領域におい
ても高い感度とＳハ比を有し、かつ断熱層を必要としな
い光記録媒体を提供することにある。
問題点を解決するための手段
本発明者らは、種々研究を重ねた結果、レーザー光を基
板側から照射する場合は記録層の上に、膜面側から照射
する場合は記録層と基板との間に、消衰係数ｋが大きく
、かつ熱伝導率の小さなｓｂ、Ｔｅ若しくはＢｉを主成
分とする金属薄膜反射層を設けることにより、あるいは
さらにこの最下層や最上層に金属化合物から成る保護層
を設けることにより、該記録層や反射層の酸化及び腐食
が防止されて、より安定した特性のものが得られること
を見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至っ
た。
板側から照射する場合は記録層の上に、膜面側から照射
する場合は記録層と基板との間に、消衰係数ｋが大きく
、かつ熱伝導率の小さなｓｂ、Ｔｅ若しくはＢｉを主成
分とする金属薄膜反射層を設けることにより、あるいは
さらにこの最下層や最上層に金属化合物から成る保護層
を設けることにより、該記録層や反射層の酸化及び腐食
が防止されて、より安定した特性のものが得られること
を見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至っ
た。
すなわち、本発明は、基板上に加熱によって光学特性が
変化する記録層を有する光記録媒体において、記録層の
上又は下ＫＳｂ、Ｔｅ若しくはＢｉを主成分とする金属
薄膜反射層を設けたことを特徴とする光記録媒体及びこ
のものの少なくとも最下層若しくは最上層に金属化合物
から成る層を設けたことを特徴とする光記録媒体を提供
するものである。
変化する記録層を有する光記録媒体において、記録層の
上又は下ＫＳｂ、Ｔｅ若しくはＢｉを主成分とする金属
薄膜反射層を設けたことを特徴とする光記録媒体及びこ
のものの少なくとも最下層若しくは最上層に金属化合物
から成る層を設けたことを特徴とする光記録媒体を提供
するものである。
本発明の光記録媒体における基板としては、通常光ディ
スクなどの光記録媒体に慣用されているもの、例えばア
クリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂。
スクなどの光記録媒体に慣用されているもの、例えばア
クリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂。
ポリカーボネート樹脂、ガラスなどの透明基板やアルミ
ニウム合金基板などが用いられる。
ニウム合金基板などが用いられる。
また、記録層には、感光材としてＴθ低酸化物、金属化
合物薄膜などの相変態型感光材、例えばＴｅ−０、Ｇｅ
−Ｔｅ 、 Ｇｅ−Ｔｅ−８ｂ ％Ｇｅ−Ｔｅ−８ｎ
、 Ｔｅ−３ｎＰｂ 、 ５ｂ２Ｓｅａ−Ｂｉ２ Ｔ
ｅ３ などの系が用いられる。これらの感光材から成
る記録層は真空蒸着法やスパッタ法などによって設ける
ことができる。
合物薄膜などの相変態型感光材、例えばＴｅ−０、Ｇｅ
−Ｔｅ 、 Ｇｅ−Ｔｅ−８ｂ ％Ｇｅ−Ｔｅ−８ｎ
、 Ｔｅ−３ｎＰｂ 、 ５ｂ２Ｓｅａ−Ｂｉ２ Ｔ
ｅ３ などの系が用いられる。これらの感光材から成
る記録層は真空蒸着法やスパッタ法などによって設ける
ことができる。
この記録層はレーザービームなどで加熱徐冷あるいは加
熱急冷することＫよって、非晶質から結晶質へと、ある
いは結晶質から非晶質へと変態し、その反射率の差を利
用して情報の読み書きができる。
熱急冷することＫよって、非晶質から結晶質へと、ある
いは結晶質から非晶質へと変態し、その反射率の差を利
用して情報の読み書きができる。
本発明の光記録媒体においては、金属薄膜反射層を前記
記録層の上層又は下層に設けることが必要である。これ
によって、該記録層の膜厚が十分薄い領域において、大
きな光学的コントラストラ得ることが可能となシ、その
結果、高感度でかつシ乍此の高い光記録媒体が得られる
。これは、記録層と金属薄膜反射層との間に光の干渉が
生じ、記録層が薄くても高コントラストとなるからであ
る。
記録層の上層又は下層に設けることが必要である。これ
によって、該記録層の膜厚が十分薄い領域において、大
きな光学的コントラストラ得ることが可能となシ、その
結果、高感度でかつシ乍此の高い光記録媒体が得られる
。これは、記録層と金属薄膜反射層との間に光の干渉が
生じ、記録層が薄くても高コントラストとなるからであ
る。
このような効果が期待できる金属薄膜反射層の条件とし
ては、比較的消衰係数にの大きな金属が好ましく、さら
には、レーザー光などで情報全記録する場合、反射層に
熱が拡散し、感度が低下するのを防ぐために、熱伝導率
の低い金、属が好ましい。このような金属としては、Ｓ
ｂ、Ｔｅ−１しくはＢｉを主成分とする金属が最適であ
る。
ては、比較的消衰係数にの大きな金属が好ましく、さら
には、レーザー光などで情報全記録する場合、反射層に
熱が拡散し、感度が低下するのを防ぐために、熱伝導率
の低い金、属が好ましい。このような金属としては、Ｓ
ｂ、Ｔｅ−１しくはＢｉを主成分とする金属が最適であ
る。
この金属薄膜反射層は真空蒸着法又はスパッタ法によっ
て形成される。その膜厚としては、１００〜１００ＯＸ
の範囲であれば十分な光学的コントラストが得られる。
て形成される。その膜厚としては、１００〜１００ＯＸ
の範囲であれば十分な光学的コントラストが得られる。
この膜厚は厚すぎると感度が低下し、−万博すぎるとコ
ントラストが小さくなり、これらの点を考慮すると２０
０〜５００大の範囲の膜厚が最も好ましい。該金属薄膜
反射層は、レーザービームを基板側から照射する場合は
記録層の上層に、膜面側から照射する場合は基板と記録
層との間に設けられる。
ントラストが小さくなり、これらの点を考慮すると２０
０〜５００大の範囲の膜厚が最も好ましい。該金属薄膜
反射層は、レーザービームを基板側から照射する場合は
記録層の上層に、膜面側から照射する場合は基板と記録
層との間に設けられる。
さらに、本発明の光記録媒体においては、所望に応じ、
金属薄膜反射層や記録層の酸化及び腐食を防止するため
に、その少なくとも最下層若しくは最上層に金属化合物
から成る保護層が設けられる。この金属化合物としては
、Ｓｌの酸化物が水分の侵入を防ぐ効果に優れているの
で好ましい。
金属薄膜反射層や記録層の酸化及び腐食を防止するため
に、その少なくとも最下層若しくは最上層に金属化合物
から成る保護層が設けられる。この金属化合物としては
、Ｓｌの酸化物が水分の侵入を防ぐ効果に優れているの
で好ましい。
発明の効果
本発明の光記録媒体は、記録層の上又は下に金属薄膜反
射層を設けたことにより、該記録層の膜厚が十分に薄い
領域においても高い感度とＳ／Ｎ比を有し、かつ断熱層
を必要としない特徴を有している。また、さらに、最下
層や最上層に金属化合物から成る保護層を設けたことＫ
よシ、記録層や金属薄膜反射層の酸化及び腐食が防止さ
れ、前記特徴に加え、経時安定性も良好である。
射層を設けたことにより、該記録層の膜厚が十分に薄い
領域においても高い感度とＳ／Ｎ比を有し、かつ断熱層
を必要としない特徴を有している。また、さらに、最下
層や最上層に金属化合物から成る保護層を設けたことＫ
よシ、記録層や金属薄膜反射層の酸化及び腐食が防止さ
れ、前記特徴に加え、経時安定性も良好である。
実施例
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
比較例１
厚さ１．２ｊ１ｍのスライドガラス上に、抵抗加熱法に
より、 ＧｅとＴｅを別々に入れた２つの蒸着ポートか
ら、２元共蒸着法により、Ｇｅ：Ｔｅ＝１：１の組成の
膜を、膜厚がそれぞれ２００ス、４ｏｏＸ。
より、 ＧｅとＴｅを別々に入れた２つの蒸着ポートか
ら、２元共蒸着法により、Ｇｅ：Ｔｅ＝１：１の組成の
膜を、膜厚がそれぞれ２００ス、４ｏｏＸ。
５ｏｏｕ 、 ｘｏｏｏｌ 、 ｘ４ｏｏ’Ａ 、 及
ヒｘｓｏｏ Ｘｏｓツのサンプルを作成した。このとき
の蒸着中の真空度は、 ３ Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒ以
下であった。これらのサンプルの波長８３０ｎｍにおけ
る反射率を、未処理のときと、２００℃のオープン中で
１０分間熱処理したのちの２回測定した。その結果を第
１図に示す。○印が未処理サンプルの反射率、・印が熱
処理を施したのちのサンプルの反射率である。
ヒｘｓｏｏ Ｘｏｓツのサンプルを作成した。このとき
の蒸着中の真空度は、 ３ Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒ以
下であった。これらのサンプルの波長８３０ｎｍにおけ
る反射率を、未処理のときと、２００℃のオープン中で
１０分間熱処理したのちの２回測定した。その結果を第
１図に示す。○印が未処理サンプルの反射率、・印が熱
処理を施したのちのサンプルの反射率である。
さらに、理論計算も行い、実験データと比較した。実線
は変態前の反射率、点線が変態後の反射率である。計算
に用いたＧｏ −Ｔｅ薄膜の光学定数は、変態前が４．
０ ＋ ０．９ｉ 、変態後は５．４ ＋ ３．６１で
ある。
は変態前の反射率、点線が変態後の反射率である。計算
に用いたＧｏ −Ｔｅ薄膜の光学定数は、変態前が４．
０ ＋ ０．９ｉ 、変態後は５．４ ＋ ３．６１で
ある。
この図から明らかなようＫ、実験データーと理論計算と
はほとんど一致していることが分かる。
はほとんど一致していることが分かる。
また、変態前後の反射率の差は約１０００ Ｘで最大と
なることが分かる。この反射率の差、すなわち光学的コ
ントラスＨ−利用して情報の読み書きを行っているので
、その差が大きいほど好ましい。
なることが分かる。この反射率の差、すなわち光学的コ
ントラスＨ−利用して情報の読み書きを行っているので
、その差が大きいほど好ましい。
次に、実際のアクリル樹脂（ポリメチルメタクリレート
）基板にＧｅ−Ｔｅ薄膜を真空蒸着した。まず真空蒸着
機槽内に、射出成形法によって得られた直径３０５１１
１、厚さ１ 、５ ｍｍの円板状のアクリル基板をセッ
トした。アクリル基板は、装置の中央に置いて回転でき
るようになっている。装置内には、回転の中心軸を中心
として％ ３つの加熱蒸着ポーにと、５つのるつぼをも
つ電子ビーム装置が備えられている。２つの加熱ポート
にそれぞれＴｅ、（）ｅを入れたのち、蒸着装置内を３
Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下に排気し、アクリル基板を
回転速度１２０ ｒｐｍで回転させながら、二元蒸着法
によって、Ｇｅ ： Ｔｅ＝１１組成の薄膜を形成した
。この膜厚は、最大の光学的コントラストが得られる１
ｏｏｏ Ｘとした。
）基板にＧｅ−Ｔｅ薄膜を真空蒸着した。まず真空蒸着
機槽内に、射出成形法によって得られた直径３０５１１
１、厚さ１ 、５ ｍｍの円板状のアクリル基板をセッ
トした。アクリル基板は、装置の中央に置いて回転でき
るようになっている。装置内には、回転の中心軸を中心
として％ ３つの加熱蒸着ポーにと、５つのるつぼをも
つ電子ビーム装置が備えられている。２つの加熱ポート
にそれぞれＴｅ、（）ｅを入れたのち、蒸着装置内を３
Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下に排気し、アクリル基板を
回転速度１２０ ｒｐｍで回転させながら、二元蒸着法
によって、Ｇｅ ： Ｔｅ＝１１組成の薄膜を形成した
。この膜厚は、最大の光学的コントラストが得られる１
ｏｏｏ Ｘとした。
このようにして作成したディスクｔｂ ９００ ｒｐ
ｍで回転させ、アクリル基板側から波長８３０ ｎｍの
集光した半導体レーザーのビームを照射した。書き込ん
だ信号の周波数は１．５ＭＨｚであった。信号の再生に
は、同一波長の半導体レーザー光を用いた。
ｍで回転させ、アクリル基板側から波長８３０ ｎｍの
集光した半導体レーザーのビームを照射した。書き込ん
だ信号の周波数は１．５ＭＨｚであった。信号の再生に
は、同一波長の半導体レーザー光を用いた。
この場合の、読み出した信号のＣ／Ｎ比は、バンド幅３
０ＫＨｚにおいて５０ｄＢであった。
０ＫＨｚにおいて５０ｄＢであった。
実施例１
比較例１と同様のスライドガラスＩＩＣ，Ｇｅ ： Ｔ
ｅＷｌ：１の組成の膜を、２００Ｘ 、 ４００久、６
００Ｘ。
ｅＷｌ：１の組成の膜を、２００Ｘ 、 ４００久、６
００Ｘ。
ｓｏｏ Ｘ及び１００ＯＸの膜厚に形成したのち、さら
にｓｂを反射層として、全サンプルに５００Ｘ蒸着した
。この場合の変態前後のスライドガラス面からの反射率
の変化を第２図に示す。用いた波長は８３０ ｎｍであ
る。Ｏ印が変態前の反射率、・印が変態後の反射率であ
る。この場合も同様に理論計算も行った。ｓｂの光学定
数は、 ４．３３ ＋ ４．８ ｉを用いた。実線が
変態前の反射率１点線が変態後の反射率の記録層の膜厚
依存性を示している。
にｓｂを反射層として、全サンプルに５００Ｘ蒸着した
。この場合の変態前後のスライドガラス面からの反射率
の変化を第２図に示す。用いた波長は８３０ ｎｍであ
る。Ｏ印が変態前の反射率、・印が変態後の反射率であ
る。この場合も同様に理論計算も行った。ｓｂの光学定
数は、 ４．３３ ＋ ４．８ ｉを用いた。実線が
変態前の反射率１点線が変態後の反射率の記録層の膜厚
依存性を示している。
第１図との比較から明らかなように、記録層単層だけで
は、十分なコントラストが得られなかった、膜厚の薄い
領域においても、ｓｂ薄薄膜反射層膜設ると、大きなコ
ントラストが得られることが分かる。比較例１の場合、
最大の光学的コントラストは、記録層の膜厚が１００Ｏ
Ａ近傍で得られたのに対し、本実施例ではそれよりもか
なり薄い４００Ｘ近傍で最大のコントラストが得られる
。このようにｓｂの反射層を設けることによって、記録
層の膜厚を半分以下に薄くすることができる。
は、十分なコントラストが得られなかった、膜厚の薄い
領域においても、ｓｂ薄薄膜反射層膜設ると、大きなコ
ントラストが得られることが分かる。比較例１の場合、
最大の光学的コントラストは、記録層の膜厚が１００Ｏ
Ａ近傍で得られたのに対し、本実施例ではそれよりもか
なり薄い４００Ｘ近傍で最大のコントラストが得られる
。このようにｓｂの反射層を設けることによって、記録
層の膜厚を半分以下に薄くすることができる。
次に、アクリル板に、Ｇｅ−Ｔｅ薄膜、ｓｂ薄膜を順に
蒸着した。蒸着した膜厚は、それぞれ４ｏｏｉ。
蒸着した。蒸着した膜厚は、それぞれ４ｏｏｉ。
５００スである。記録した信号は、比較例１に同様に１
．５ＭＨｚであり、読み出した信号のＣ／Ｎ比は、バン
ド幅３０ＫＨｚにおいて５８ ｄＢであった。これによ
りＣ／Ｎ比は、記録層を薄くすると、良くなることが実
証された。
．５ＭＨｚであり、読み出した信号のＣ／Ｎ比は、バン
ド幅３０ＫＨｚにおいて５８ ｄＢであった。これによ
りＣ／Ｎ比は、記録層を薄くすると、良くなることが実
証された。
比較例２
比較例１と同様のスライドガラスを用いて、抵抗加熱法
によシ、ＴｅとＴｅ０２ を別々に入れた２つの蒸着
ポートから、２元共蒸着法によシ、膜厚がそれぞれ４０
０Ｘ 、 ５ｏｏＸ 、 １２００ Ｘ及び１６００
ＸのＴｅＯｘの薄膜を４つ作成した。これらのサンプル
の波長８３０ ｎｍにおける変態前後の反射率を第３図
に示す。Ｏ印が変態前、ｓ印が変態後である。
によシ、ＴｅとＴｅ０２ を別々に入れた２つの蒸着
ポートから、２元共蒸着法によシ、膜厚がそれぞれ４０
０Ｘ 、 ５ｏｏＸ 、 １２００ Ｘ及び１６００
ＸのＴｅＯｘの薄膜を４つ作成した。これらのサンプル
の波長８３０ ｎｍにおける変態前後の反射率を第３図
に示す。Ｏ印が変態前、ｓ印が変態後である。
理論計算から求めた反射率も同時に示した。実線が変態
前、点線が変態後の反射率である。計算に用いたＴｅＯ
ｘ薄膜の光学定数は、変態前が３．５４＋０．８２１、
変態後は３．７８ ＋ １．１４１である。
前、点線が変態後の反射率である。計算に用いたＴｅＯ
ｘ薄膜の光学定数は、変態前が３．５４＋０．８２１、
変態後は３．７８ ＋ １．１４１である。
Ｔｅ Ｏｘの膜厚が１２００Ｘで最大の光学的コントラ
ストが得られた。
ストが得られた。
次に、実際のアクリル基板に膜厚１２００ ＸのＴｅＯ
ｘ薄膜を蒸着して周波数１．５Ｍ）１ｚの信号全記録し
た。得られたＣ７Ｎ比は、４８ｄＢであった。
ｘ薄膜を蒸着して周波数１．５Ｍ）１ｚの信号全記録し
た。得られたＣ７Ｎ比は、４８ｄＢであった。
実施例２
比較例１と同様に、スライドガラスに膜厚がそれぞれ２
００ Ｋ 、 ５００Ｘ 、 ｓｏｏ ＸのＴｅＯｘ薄
膜を蒸着し、その後、５ｂｌｓｏｏＸ蒸着した。これら
のサンプルの変態前後の反射率を第４図に示す。○印が
変態前の反射率、・印が変態後の反射率である。同様に
、実線が変態前の反射率の理論計算曲線、点線が変態後
の反射率の理論計算曲線である。
００ Ｋ 、 ５００Ｘ 、 ｓｏｏ ＸのＴｅＯｘ薄
膜を蒸着し、その後、５ｂｌｓｏｏＸ蒸着した。これら
のサンプルの変態前後の反射率を第４図に示す。○印が
変態前の反射率、・印が変態後の反射率である。同様に
、実線が変態前の反射率の理論計算曲線、点線が変態後
の反射率の理論計算曲線である。
最大の光学的コントラストが得られたのは、ＴｅＯｘの
膜厚が５００ Ｘのサンプルであった。この場合も。
膜厚が５００ Ｘのサンプルであった。この場合も。
Ｇｅ −Ｔｅ薄膜の場合と同様に、ｓｂ金属薄膜反射層
を設けることによって、記録層の膜厚が半分以下の領域
で、大きなコントラストが得られる。
を設けることによって、記録層の膜厚が半分以下の領域
で、大きなコントラストが得られる。
次に、アクリル基板に、 ＴｅＯｘ薄膜を５ｏｏｉ。
ｓｂ薄膜を５００ｘ順に蒸着した。このデスクに１．５
ＭＨｚの信号を実際に記録して、Ｃ／Ｎ比を測定した。
ＭＨｚの信号を実際に記録して、Ｃ／Ｎ比を測定した。
得られたＣ／Ｎ比は、５７ｄＢであった。
第１図は比較例ＩＫおけるＧｏ−Ｔｅ薄膜の変態前後の
反射率の膜厚依存性を示すグラフ、第２図は実施例１の
変態前後の反射率変化を示すグラフ、第３図は比較例２
の変態前後の反射率変化を示すグラフ、第４図は、実施
例２の変態前後の反射率変化を示すグラフである。
反射率の膜厚依存性を示すグラフ、第２図は実施例１の
変態前後の反射率変化を示すグラフ、第３図は比較例２
の変態前後の反射率変化を示すグラフ、第４図は、実施
例２の変態前後の反射率変化を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に、加熱によつて光学特性が変化する材料か
ら成る記録層を有する光記録媒体において、該記録層の
上又は下にＳｂ、Ｔｅ若しくはＢｉを主成分とする金属
薄膜反射層を設けたことを特徴とする光記録媒体。 ２ 基板上に、加熱によつて光学特性が変化する材料か
ら成る記録層を有する光記録媒体において、該記録層の
上又は下にＳＢ、Ｔｅ若しくはＢｉを主成分とする金属
薄膜反射層を設け、さらに少なくとも最下層若しくは最
上層に金属化合物から成る保護層を設けたことを特徴と
する光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60293109A JPH06103546B2 (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60293109A JPH06103546B2 (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62154341A true JPS62154341A (ja) | 1987-07-09 |
| JPH06103546B2 JPH06103546B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=17790542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60293109A Expired - Fee Related JPH06103546B2 (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103546B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02266978A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-10-31 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6095740A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-29 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 情報記録媒体 |
| JPS60150629U (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-07 | 三菱電機株式会社 | 光学式情報記録担体 |
| JPS62119746A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-06-01 | Fujitsu Ltd | 光記録媒体 |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP60293109A patent/JPH06103546B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6095740A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-29 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 情報記録媒体 |
| JPS60150629U (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-07 | 三菱電機株式会社 | 光学式情報記録担体 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02266978A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-10-31 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06103546B2 (ja) | 1994-12-14 |
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