JPS60236133A - 光デイスク及びその製造方法 - Google Patents
光デイスク及びその製造方法Info
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- JPS60236133A JPS60236133A JP59092309A JP9230984A JPS60236133A JP S60236133 A JPS60236133 A JP S60236133A JP 59092309 A JP59092309 A JP 59092309A JP 9230984 A JP9230984 A JP 9230984A JP S60236133 A JPS60236133 A JP S60236133A
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- Japan
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/2432—Oxygen
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はビデオディスク、ディジクルオーディオディス
ク、静止画，文書ファイルなどのディジタル信号記録再
生消去可能ディスクである光ディスクとその製造方法に
関するものである。
ク、静止画，文書ファイルなどのディジタル信号記録再
生消去可能ディスクである光ディスクとその製造方法に
関するものである。
従来例の構成とその問題点
この種の光ディスクは、その情報精密度が極めて大きい
ことや、Ｓ／Ｎが大きく、ノイズが少ないことなど情報
媒体として有望視され、ビデオディスクやディジクルオ
ーディオディスクとして商品化され、ディジタル信号記
録再生消去可能ディスフとしても近年研究開発が行われ
ている。
ことや、Ｓ／Ｎが大きく、ノイズが少ないことなど情報
媒体として有望視され、ビデオディスクやディジクルオ
ーディオディスクとして商品化され、ディジタル信号記
録再生消去可能ディスフとしても近年研究開発が行われ
ている。
第１図に一般的なディジタル信号記録再生ディスクの概
要を示す。これは、樹脂基板に同心円状捷たはラセン状
の案内溝が形成され、ぞの１−に記録膜が設けられ、レ
ーザを照射することにより黒化させピッｌ−形成し記録
する。その後ビットにより形成されたディジタル信号を
レーザにより再生するものである。
要を示す。これは、樹脂基板に同心円状捷たはラセン状
の案内溝が形成され、ぞの１−に記録膜が設けられ、レ
ーザを照射することにより黒化させピッｌ−形成し記録
する。その後ビットにより形成されたディジタル信号を
レーザにより再生するものである。
第１図において、１はディスク全体、２は樹脂基板、３
はラセン状に形成された案内溝、４はその表面に形成さ
れた記録膜、５は記録膜４の表面にコーティングされた
樹脂の保護膜、６はディスク読取面より照射されるレー
ザである。
はラセン状に形成された案内溝、４はその表面に形成さ
れた記録膜、５は記録膜４の表面にコーティングされた
樹脂の保護膜、６はディスク読取面より照射されるレー
ザである。
ここで記録膜４は、レーザを照射し黒化させて反射率の
差によりディジタル信号を形成するために必要なもので
、テルル けＴｅＯｘで表現される材料〔ただしＴｅはテルル。
差によりディジタル信号を形成するために必要なもので
、テルル けＴｅＯｘで表現される材料〔ただしＴｅはテルル。
０は酸素であってテルル
成すべく結合されるもの，ＸはＴｅとＯの総原子数の比
であってＯ＜ｘ＜２である；以下同じ〕にて構成される
。
であってＯ＜ｘ＜２である；以下同じ〕にて構成される
。
第２図に従来の元ディスクの製造方法を示す。
７は電子ビー１、蒸１ｙ］′装置で， Ｔｏと０２との
組成比の決められた固定のＴｅＯｘ８が、るつぼ９内に
置かれ，電子ビーム銃１０より電子エネルギーによりＴ
ｅ Ｏｘ ８が蒸〃イされ記録膜４として樹脂フ，（
板２」二に形成され、次に紫外線硬化型樹脂の保護膜６
が記録膜ｊｌ−に形成さハ５る。
組成比の決められた固定のＴｅＯｘ８が、るつぼ９内に
置かれ，電子ビーム銃１０より電子エネルギーによりＴ
ｅ Ｏｘ ８が蒸〃イされ記録膜４として樹脂フ，（
板２」二に形成され、次に紫外線硬化型樹脂の保護膜６
が記録膜ｊｌ−に形成さハ５る。
この場合、記録膜のＴｅＯｘの表面は非常に活Ｍであり
経時変化により組成が変化し易いことや。
経時変化により組成が変化し易いことや。
未硬化状態の樹脂保護膜を塗布する際にＴ ａ Ｏｘ膜
がこの樹脂と化学反応を起こし変質する々ど記録膜の特
性を劣化させる。才だ，このｆｉｌの構造の光ディスク
では、記録膜に記録された信号を消去する場合に消去用
のレーザノ々ワーが大きいため樹脂基板を加熱し記録膜
に悪影響を１７えるなど消去用光ディスクとして奸才し
くないなどの問題点をイＪしていた。
がこの樹脂と化学反応を起こし変質する々ど記録膜の特
性を劣化させる。才だ，このｆｉｌの構造の光ディスク
では、記録膜に記録された信号を消去する場合に消去用
のレーザノ々ワーが大きいため樹脂基板を加熱し記録膜
に悪影響を１７えるなど消去用光ディスクとして奸才し
くないなどの問題点をイＪしていた。
発明の目的
本発明はこれらの問題【、ｉ、を解消するものであり記
録膜の安定性向上を図り、記録，消去が信頼性よくでき
経時変化の少ない良質の光ディスクを量産性よく作製で
きる光ディスク及びその製造方法を提供するものである
。
録膜の安定性向上を図り、記録，消去が信頼性よくでき
経時変化の少ない良質の光ディスクを量産性よく作製で
きる光ディスク及びその製造方法を提供するものである
。
発明の構成
本発明は、基板上に下地保護膜としてＴｏ酸化物Ｔ６０
２を形成し、その上に記録膜としてＴ ｅ Ｏ ｘを形
成し、さらにその−りに保護膜としてＴｅ酸化物Ｔ８０
２を形成する三層膜構造で、反応性スパッタリング等の
方法で，これらの三層膜を同一蒸着装置内にて連続的に
形成することにより光ディスクを製造するものである。
２を形成し、その上に記録膜としてＴ ｅ Ｏ ｘを形
成し、さらにその−りに保護膜としてＴｅ酸化物Ｔ８０
２を形成する三層膜構造で、反応性スパッタリング等の
方法で，これらの三層膜を同一蒸着装置内にて連続的に
形成することにより光ディスクを製造するものである。
実施例の説明
第３図に本発明の光デイスク製造方法の一実施例を示す
。装置を説明するために断面を示す模式的にて示す。
。装置を説明するために断面を示す模式的にて示す。
１１はスパッター装置であり、予備真空室１２。
１３とスパッター室１４，１５．１６にて構成される。
スパッター室１４にはＴｏヌク−ット１７が設けられ、
０２ ガス濃度比２０％のＡｒガス１８が導入され、反
応性スパックリング法によりＴ６酸化物Ｔｅｏ２が樹脂
基板２−Ｌに下地保護膜１９として形成される。次にス
パッター室１５にはＴｅターゲット２０が設けられ、０
２ガス濃度比１０％のＡｒガス２１が導入され，反応Ｍ
スパッタリング法により’１’ ｅ Ｏ ｘの記録膜２
２が下地保護膜１９−ヒに形成される。次にスパック−
室１６にはＴ。
０２ ガス濃度比２０％のＡｒガス１８が導入され、反
応性スパックリング法によりＴ６酸化物Ｔｅｏ２が樹脂
基板２−Ｌに下地保護膜１９として形成される。次にス
パッター室１５にはＴｅターゲット２０が設けられ、０
２ガス濃度比１０％のＡｒガス２１が導入され，反応Ｍ
スパッタリング法により’１’ ｅ Ｏ ｘの記録膜２
２が下地保護膜１９−ヒに形成される。次にスパック−
室１６にはＴ。
ターゲット２３が設けられ、０２ガス濃度比２０％のＡ
ｒ ガス２４が導入され．反応Ｍースバ，タリング法に
よりＴｅ酸化物Ｔａｇ，、の保護膜２５が記録膜２２上
に成形される。これらはＴｅ系酸化物の三層膜構造であ
り、ＴｅＯ２は化学的に安定な材料であるため、記録膜
ＴｅＯｘの保護や信頼性の向−１−が図れる。
ｒ ガス２４が導入され．反応Ｍースバ，タリング法に
よりＴｅ酸化物Ｔａｇ，、の保護膜２５が記録膜２２上
に成形される。これらはＴｅ系酸化物の三層膜構造であ
り、ＴｅＯ２は化学的に安定な材料であるため、記録膜
ＴｅＯｘの保護や信頼性の向−１−が図れる。
捷だ、本実施例の場合、同一スパッター装置内で連続的
に上記三層膜を形成することができる。
に上記三層膜を形成することができる。
第４図は本発明の他の実施例を示す。装置を説明するだ
めの平面図にて示す。
めの平面図にて示す。
２６はスパック−装置であり、予備真空室２７。
２８とスパッター室２９とから構成される装置ツター室
２９内にターンテーブル３０が設けられ。
２９内にターンテーブル３０が設けられ。
樹脂ノ、（板を回転する構造に々っている。予備真空室
２了より取入れられた樹脂基板２はターンテーフ諏レイ
装置３１で取付けられ、ターンテーブルが同転しスパッ
ター位置３２で静止する。ここではＴｅターゲット３３
が設けられ、０２ガス濃度比２０％のＡｒガス３４が導
入され反応性スパッタリング法により、Ｔｏ 酸化物Ｔ
ｅＯ２が下地保護膜として形成さり、る。次にターンテ
ーブルが回転しスパッター位置３５で静止し、Ｔｅター
ゲット３６が設けられ、０２ガス濃度比１ｏ％のＡｒガ
ス３７が導入され反応Ｖ１：、スパッタリング法により
ＴｅＯｘが記録膜として形成される。次にターンテーブ
ルが回転しスパック−位置３８で静止し、Ｔｅターゲッ
ト３９が設けられ、０２ガヌ濃度比２０％のＡｒガス４
０が導入され反応性スパッタリング法によりＴｅ酸化物
ＴｅＯ２が保護膜とし形成される。
２了より取入れられた樹脂基板２はターンテーフ諏レイ
装置３１で取付けられ、ターンテーブルが同転しスパッ
ター位置３２で静止する。ここではＴｅターゲット３３
が設けられ、０２ガス濃度比２０％のＡｒガス３４が導
入され反応性スパッタリング法により、Ｔｏ 酸化物Ｔ
ｅＯ２が下地保護膜として形成さり、る。次にターンテ
ーブルが回転しスパッター位置３５で静止し、Ｔｅター
ゲット３６が設けられ、０２ガス濃度比１ｏ％のＡｒガ
ス３７が導入され反応Ｖ１：、スパッタリング法により
ＴｅＯｘが記録膜として形成される。次にターンテーブ
ルが回転しスパック−位置３８で静止し、Ｔｅターゲッ
ト３９が設けられ、０２ガヌ濃度比２０％のＡｒガス４
０が導入され反応性スパッタリング法によりＴｅ酸化物
ＴｅＯ２が保護膜とし形成される。
第５図に本発明の光デイスク製造方法による光ディスク
の構造断面図を示す。ＴｅＯｘの記録膜２２とＴｅＯ２
の下地保護膜１９と保護膜２５とのＴｅ糸耐酸化物三層
膜構造有する。
の構造断面図を示す。ＴｅＯｘの記録膜２２とＴｅＯ２
の下地保護膜１９と保護膜２５とのＴｅ糸耐酸化物三層
膜構造有する。
下地保護膜、記録膜、保護膜の了モ層膜は反応Ｖ（゛ス
パッタリング法の他に反応１７］電子ビ一ム蒸着法。
パッタリング法の他に反応１７］電子ビ一ム蒸着法。
反応にイオンブレーティング法などの反応性蒸着法も有
効であり、しかも同一蒸着装置内にて連続的に作製する
ことができる構めであることが特徴である。
効であり、しかも同一蒸着装置内にて連続的に作製する
ことができる構めであることが特徴である。
発明の効果
以１−のように本発明は、記録膜としてのＴｅＯｘを、
下地保護膜および保護膜としてのＴｅ酸化物ＴｅＯ２の
間に形成し、三層膜構造としており、ＴｅＯ２は化学的
に安定であるため記録膜を安定にしかも信頼性の高い経
時変化の良θｆな光ディスクを製１告することができる
。
下地保護膜および保護膜としてのＴｅ酸化物ＴｅＯ２の
間に形成し、三層膜構造としており、ＴｅＯ２は化学的
に安定であるため記録膜を安定にしかも信頼性の高い経
時変化の良θｆな光ディスクを製１告することができる
。
丑だ、記録膜に記録された信号を消去する際に消去用人
パワーのレーザが照射されても樹脂基板には熱的悪影響
を及ぼさないという効果があり、消去用光ディスクを製
造することができる。
パワーのレーザが照射されても樹脂基板には熱的悪影響
を及ぼさないという効果があり、消去用光ディスクを製
造することができる。
また本発明によれば、これらの三層膜が同一４着装置内
でしかも連続的に形成できることにより量産性を図るこ
とができ、信頼Ｖ１の高い光ディスクを安価に量産する
ことができるという効果がある。
でしかも連続的に形成できることにより量産性を図るこ
とができ、信頼Ｖ１の高い光ディスクを安価に量産する
ことができるという効果がある。
第１図（ａ）、 （ｂｌ）、 （ｃ）は一般的な光ディ
スクであるディジタル信号記録再生ディスクの平面図、
断面図、および要部拡大図、第２図は従来の光デイスク
製造装置の断面図、第３図は本発明の一実施例を示す断
面の模式図、第４図は本発明の他の実施例を示す平面図
、第５図は本発明の光デイスク製造方法より得られた光
ディスクの断面図である。 １− ・ディスク、２・・・樹脂基板、３・−案内溝、
４ ・記録膜、５ ・・樹脂の保護膜、６・・・・レー
ザ、１１．２６ ・−ヌバッター装置、１２゜１３ 、
２７ 、２８・・予備真空室、１４，１５゜１６ 、２
９−＝スパッター室、１７，２０，２３゜３３．３６．
３９−・・Ｔ６ターゲソト、１８゜２４ 、３３ 、４
０−０２ガス濃度比２０％のＡｒガス、２１．３７・・
・ ０２ガス濃度比１０％のＡｒガス、３１．３２，３
５．３８・・・・・ターンテープ０ ル囲転位置、３ｏ ・ターンテーブル、１９ＴｅＯ２ノ
下地保護膜、２２Ｔｅｏｘ（ｘ＜２）の記録膜、２５・
・ＴｅＯ２の保護膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名サ
９ 区 ζｑ 派 区 −ｄ
スクであるディジタル信号記録再生ディスクの平面図、
断面図、および要部拡大図、第２図は従来の光デイスク
製造装置の断面図、第３図は本発明の一実施例を示す断
面の模式図、第４図は本発明の他の実施例を示す平面図
、第５図は本発明の光デイスク製造方法より得られた光
ディスクの断面図である。 １− ・ディスク、２・・・樹脂基板、３・−案内溝、
４ ・記録膜、５ ・・樹脂の保護膜、６・・・・レー
ザ、１１．２６ ・−ヌバッター装置、１２゜１３ 、
２７ 、２８・・予備真空室、１４，１５゜１６ 、２
９−＝スパッター室、１７，２０，２３゜３３．３６．
３９−・・Ｔ６ターゲソト、１８゜２４ 、３３ 、４
０−０２ガス濃度比２０％のＡｒガス、２１．３７・・
・ ０２ガス濃度比１０％のＡｒガス、３１．３２，３
５．３８・・・・・ターンテープ０ ル囲転位置、３ｏ ・ターンテーブル、１９ＴｅＯ２ノ
下地保護膜、２２Ｔｅｏｘ（ｘ＜２）の記録膜、２５・
・ＴｅＯ２の保護膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名サ
９ 区 ζｑ 派 区 −ｄ
Claims (1)
- （１）基板上に、下地保護膜としてテルル（Ｔｅ）の酸
化物ＴｅＯ２を形成し、上記下地保護上に記録膜として
ＴｅＯｘで表現される材料〔Ｔｅはテルル、０は酸素で
あってチル／ｌ／（Ｔθ〕とその酸化物を形成すべく結
合されるもの、Ｘはチル）ｖ（Ｔｅ）と酸素（０）の総
原子数の比であってＯ（ｘ＜２である〕を形成し、さら
に上記記録膜上に保護膜としてテルル（Ｔｅ）の酸化物
ＴｅＯ２を形成したテルル三層膜構造を有することを特
徴とする光ディスク。 （２１ 基板上に、下地保護膜としてテルル酸化物Ｔｅ
ｏ２を形成し、上記下地保護膜上に記録膜としてＴｅＯ
ｘで表現される材料（Ｔｅはテルル。 ０は酸素であってテルル（Ｔｅ）とその酸化物を形成す
べく結合されるもの，Ｘはチル）ｖ （Ｔｅ）と酸素（
０）の総原子数の比であってＯ＜Ｘ＜２である〕を形成
し、さらに上記記録膜上に保護膜としてテルル（Ｔｏ）
の酸化物Ｔｅ０２を形成したテルル系酸化物三層膜構造
を設ける際に、上記下地保護膜。 記録膜，保護膜の作製方法として、酸素の混合濃度比を
変化させ反応作製する反応性スパックリング法，反応性
電子ビーム蒸着法，反応性イオンブレーティング法など
の反応性蒸着法を用い，同一蒸着装置内にて連続的に上
記三層膜を形成することを特徴とする光ディスクの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59092309A JPS60236133A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 光デイスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59092309A JPS60236133A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 光デイスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60236133A true JPS60236133A (ja) | 1985-11-22 |
Family
ID=14050798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59092309A Pending JPS60236133A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 光デイスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60236133A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61287058A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-17 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 書き換え可能な光学データ記憶デバイス |
| JPS6323235A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録担体 |
| EP0514675A1 (en) | 1991-04-22 | 1992-11-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Silver halide photographic materials and method for processing the same |
| US5586110A (en) * | 1989-02-27 | 1996-12-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical/magneto-optical recording medium having a hygroscopic swelling layer |
| US8133655B2 (en) * | 2006-10-02 | 2012-03-13 | Panasonic Corporation | Optical information recording medium, method and apparatus for recording and reproducing for the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58203094A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記録用媒体 |
-
1984
- 1984-05-09 JP JP59092309A patent/JPS60236133A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58203094A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記録用媒体 |
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| EP0514675A1 (en) | 1991-04-22 | 1992-11-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Silver halide photographic materials and method for processing the same |
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