JPH0630177B2 - 光デイスクの製造方法 - Google Patents
光デイスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH0630177B2 JPH0630177B2 JP3080184A JP3080184A JPH0630177B2 JP H0630177 B2 JPH0630177 B2 JP H0630177B2 JP 3080184 A JP3080184 A JP 3080184A JP 3080184 A JP3080184 A JP 3080184A JP H0630177 B2 JPH0630177 B2 JP H0630177B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- reactive
- recording film
- optical disc
- mixed gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はビデオディスク，ディジタルオーディオディス
ク，静止画，文書ファイルなどのディジタル信号記録再
生ディスクである光ディスクの製造方法に関するもので
ある。
ク，静止画，文書ファイルなどのディジタル信号記録再
生ディスクである光ディスクの製造方法に関するもので
ある。
従来例の構成とその問題点 この種の光ディスクは、その情報密度が極めて大きいこ
とや、Ｓ／Ｎが大きく、ノイズが小さいことなど情報媒
体として有望視され、ビデオディスクやディジタルオー
ディオディスクとして商品化され、ディジタル信号記録
再生ディスクとして近年研究開発が行われている。
とや、Ｓ／Ｎが大きく、ノイズが小さいことなど情報媒
体として有望視され、ビデオディスクやディジタルオー
ディオディスクとして商品化され、ディジタル信号記録
再生ディスクとして近年研究開発が行われている。
第１図に一般的なディジタル信号記録再生ディスクの概
要を示す。これは、樹脂基板に、同心円状またはラセン
状に案内溝が形成され、その上に記録膜が設けられ、レ
ーザを照射することにより記録膜の一部を黒化させピッ
トを形成し記録する。その後ピット列状に記録されたデ
ィジタル信号をレーザにより再生するものである。
要を示す。これは、樹脂基板に、同心円状またはラセン
状に案内溝が形成され、その上に記録膜が設けられ、レ
ーザを照射することにより記録膜の一部を黒化させピッ
トを形成し記録する。その後ピット列状に記録されたデ
ィジタル信号をレーザにより再生するものである。
第１図において１はディスク全体、２は樹脂基板、３は
ラセン状に形成された案内溝、４はその表面に形成され
た記録膜、５は記録膜４の表面にコーティングされた保
護膜、６はディスク読取面より照射される半導体レーザ
である。
ラセン状に形成された案内溝、４はその表面に形成され
た記録膜、５は記録膜４の表面にコーティングされた保
護膜、６はディスク読取面より照射される半導体レーザ
である。
ここで記録膜４は、レーザを照射し黒化させ、反射率の
差によるディジタル信号を形成するため必要なもので、
テルル(Te) またはTe の低級酸化物TeOx （ｘ＜２）に
て構成される。
差によるディジタル信号を形成するため必要なもので、
テルル(Te) またはTe の低級酸化物TeOx （ｘ＜２）に
て構成される。
第２図に記録膜を作成する従来の光ディスクの製造方法
を示す。
を示す。
７は電子ビーム蒸着装置を示す。あらかじめ、TeとO2と
の組成比が決まった固体のTe 低級酸化物TeOx （ｘ＜
２）８がるつぼ９に置かれている。電子ビームガン１０
よりるつぼ９内に電子エネルギーが当たり、TeOx ８が
蒸発し、樹脂基板２上に記録膜が形成される。しかし、
この方法によればTeOx のTeとO2との組成比は蒸発中に
容易に変化することや、その組成比を任意にコントロー
ルできないこと、１回の蒸発で１枚のディスクしか作成
できないことなど、膜の組成の信頼性が悪く、るつぼの
数に限りあるため量産性に欠けるなどの問題点を有して
いた。
の組成比が決まった固体のTe 低級酸化物TeOx （ｘ＜
２）８がるつぼ９に置かれている。電子ビームガン１０
よりるつぼ９内に電子エネルギーが当たり、TeOx ８が
蒸発し、樹脂基板２上に記録膜が形成される。しかし、
この方法によればTeOx のTeとO2との組成比は蒸発中に
容易に変化することや、その組成比を任意にコントロー
ルできないこと、１回の蒸発で１枚のディスクしか作成
できないことなど、膜の組成の信頼性が悪く、るつぼの
数に限りあるため量産性に欠けるなどの問題点を有して
いた。
発明の目的 本発明はこれらの問題点を解消するものであり、組成比
の正確な、また組成比を任意にコントロールできる膜質
の安定した、信頼性の高い、量産可能な記録膜を形成す
ることのできる光ディスクの製造方法を提供するもので
ある。
の正確な、また組成比を任意にコントロールできる膜質
の安定した、信頼性の高い、量産可能な記録膜を形成す
ることのできる光ディスクの製造方法を提供するもので
ある。
発明の構成 本発明は、基板上に記録膜として、O2濃度比を変化させ
た混合ガスを導入させ、反応性蒸着法によりTe とO２と
の組成比を任意に制御することにより、Te 低級酸化物
であるTeOx （ｘ＜２）を形成することにより、光ディ
スクを製造するものである。
た混合ガスを導入させ、反応性蒸着法によりTe とO２と
の組成比を任意に制御することにより、Te 低級酸化物
であるTeOx （ｘ＜２）を形成することにより、光ディ
スクを製造するものである。
実施例の説明 第３図に本発明の光ディスク製造方法の一実施例を示
す。装置を説明するために、断面を示す模式図にて示
す。
す。装置を説明するために、断面を示す模式図にて示
す。
１１はスパッター装置であり、予備真空室１２と１３と
スパッター室１４より構成される。スパッター室１４に
は、Teのターゲット１５があり、さらに、(1)Ar＋O２濃
度５％の混合ガス１６、(2)Ar＋O２濃度１０％の混合ガ
ス１７、(3)Ar＋O2濃度２０％の混合ガス１８がガス導
入口１９，２０，２１よりスパッター室に導入される。
スパッター室１４より構成される。スパッター室１４に
は、Teのターゲット１５があり、さらに、(1)Ar＋O２濃
度５％の混合ガス１６、(2)Ar＋O２濃度１０％の混合ガ
ス１７、(3)Ar＋O2濃度２０％の混合ガス１８がガス導
入口１９，２０，２１よりスパッター室に導入される。
樹脂基板２は１２の予備真空室を通過したのち、スパッ
ター室１４に入り、ここで導入口１９より混合ガス１６
が導入され反応性スパッタされる。順次２０，２１の順
で導入口が開き、混合ガス１７，１８が導入され、蒸発
中にTe が混合ガス中のO2と反応してTeOx の記録膜が形
成される。
ター室１４に入り、ここで導入口１９より混合ガス１６
が導入され反応性スパッタされる。順次２０，２１の順
で導入口が開き、混合ガス１７，１８が導入され、蒸発
中にTe が混合ガス中のO2と反応してTeOx の記録膜が形
成される。
ここで、順次O2濃度の変化した混合ガスを導入する理由
は、Te ターゲット表面には多くのO２が化合物として存
在するため、膜質を一定にするためには、TeOx の初期
形成時にはO2濃度の低い混合ガスにて反応性スパッタリ
ングし、順次O2濃度を増加させ、TeとO２との組成Stoic
hiometryを一定に保つためである。
は、Te ターゲット表面には多くのO２が化合物として存
在するため、膜質を一定にするためには、TeOx の初期
形成時にはO2濃度の低い混合ガスにて反応性スパッタリ
ングし、順次O2濃度を増加させ、TeとO２との組成Stoic
hiometryを一定に保つためである。
第４図は本発明の他の実施例を示し、装置を説明するた
め、断面を示す模式図にて示す。
め、断面を示す模式図にて示す。
２２は電子ビーム蒸着装置であり、予備真空室２３，２
４と蒸着室２５とから構成される。蒸着室２５にはるつ
ぼ２６があり、この中に蒸着源であるTe ２７が置かれ
ている。さらにガス導入口２８が設けられ、この中に
(1)Ar＋O２濃度５％の混合ガス２９、(2)Ar＋O２濃度１
０％の混合ガス３０、(3)Ar＋O２濃度２０％の混合ガス
３１が設けられ、各々の導入口の前には、ガス流量制御
装置３２，３３，３４が設けられている。
４と蒸着室２５とから構成される。蒸着室２５にはるつ
ぼ２６があり、この中に蒸着源であるTe ２７が置かれ
ている。さらにガス導入口２８が設けられ、この中に
(1)Ar＋O２濃度５％の混合ガス２９、(2)Ar＋O２濃度１
０％の混合ガス３０、(3)Ar＋O２濃度２０％の混合ガス
３１が設けられ、各々の導入口の前には、ガス流量制御
装置３２，３３，３４が設けられている。
樹脂基板２は予備真空室２３を通過したのち、蒸着室２
５に入り、ガス導入口２８より各々流量が制御された混
合ガスが順次導入され、Te 蒸発時にO２と反応し、TeOx
が樹脂基板２上に形成され、記録膜が形成される。こ
れらの反応性蒸着法を用いれば、Te とO２とのStoichio
metryを一定に制御することが可能である。また、TeOx
のｘの値を記録膜の厚さ方向に任意に制御することも可
能である。
５に入り、ガス導入口２８より各々流量が制御された混
合ガスが順次導入され、Te 蒸発時にO２と反応し、TeOx
が樹脂基板２上に形成され、記録膜が形成される。こ
れらの反応性蒸着法を用いれば、Te とO２とのStoichio
metryを一定に制御することが可能である。また、TeOx
のｘの値を記録膜の厚さ方向に任意に制御することも可
能である。
第５図に本発明の反応性蒸着法により形成されたTeOx
記録膜の断面図を示す。記録膜の初期のStoichiometry
はTeO1.0の記録膜３５で、後期のStoichiometryはTeO
1.5の記録膜３６が得られた。
記録膜の断面図を示す。記録膜の初期のStoichiometry
はTeO1.0の記録膜３５で、後期のStoichiometryはTeO
1.5の記録膜３６が得られた。
発明の効果 以上のように本発明は、基板上に記録膜としてO２濃度
比を変化させたO２を含む混合ガスを導入させ、TeとO2
との組成比を変化させる反応性蒸着法により、TeOx を
安定して形成することが可能であり、しかも、記録膜の
厚さ方向にその組成比を任意にコントロールすることが
でき、信頼性の高い優れた記録膜を形成することができ
る。
比を変化させたO２を含む混合ガスを導入させ、TeとO2
との組成比を変化させる反応性蒸着法により、TeOx を
安定して形成することが可能であり、しかも、記録膜の
厚さ方向にその組成比を任意にコントロールすることが
でき、信頼性の高い優れた記録膜を形成することができ
る。
また、本発明によれば、装置の自動化や連続生産が可能
なことより、量産性を図ることができるため、信頼性の
高い良質の記録膜を有する光ディスクを安価に量産する
ことができるという効果がある。
なことより、量産性を図ることができるため、信頼性の
高い良質の記録膜を有する光ディスクを安価に量産する
ことができるという効果がある。
第１図ａ，ｂ，ｃは一般的な光ディスクであるディジタ
ル信号記録再生ディスクの平面図，断面図、および要部
拡大図、第２図は従来の光ディスクの記録膜作成装置の
断面図、第３図は本発明の一実施例を示す断面を示す模
式図、第４図は本発明の他の実施例の断面を示す模式
図、第５図は本発明の光ディスク製造方法により得られ
た光ディスクの断面図である。 １……ディスク、２……樹脂基板、３……案内溝、４…
…記録膜、５……保護膜、６……半導体レーザ、１１…
…スパッター装置、１２，１３，２３，２４……予備真
空室、１４……スパッター室、１５……Te ターゲッ
ト、２６……るつぼ、２７……Te 、２５……蒸着室、
１６，２９……Ar＋O２濃度５％の混合ガス、１７，３
０……Ar＋O２濃度１０％の混合ガス、１８，３１……A
r＋O２濃度２０％の混合ガス、１９，２０，２１，２８
……ガス導入口、３２，３３，３４……ガス流量制御装
置、３５……TeO1.0の記録膜、３６……TeO1.5の記録
膜。
ル信号記録再生ディスクの平面図，断面図、および要部
拡大図、第２図は従来の光ディスクの記録膜作成装置の
断面図、第３図は本発明の一実施例を示す断面を示す模
式図、第４図は本発明の他の実施例の断面を示す模式
図、第５図は本発明の光ディスク製造方法により得られ
た光ディスクの断面図である。 １……ディスク、２……樹脂基板、３……案内溝、４…
…記録膜、５……保護膜、６……半導体レーザ、１１…
…スパッター装置、１２，１３，２３，２４……予備真
空室、１４……スパッター室、１５……Te ターゲッ
ト、２６……るつぼ、２７……Te 、２５……蒸着室、
１６，２９……Ar＋O２濃度５％の混合ガス、１７，３
０……Ar＋O２濃度１０％の混合ガス、１８，３１……A
r＋O２濃度２０％の混合ガス、１９，２０，２１，２８
……ガス導入口、３２，３３，３４……ガス流量制御装
置、３５……TeO1.0の記録膜、３６……TeO1.5の記録
膜。
Claims (4)
- 【請求項１】基板上に記録膜として、酸素濃度比を連続
的に変化させた酸素を含む混合ガスを導入させることに
より、テルル(Te) と酸素との組成比を変化させる反応
性蒸着法によりテルル酸化物を形成することを特徴とす
る光ディスクの製造方法。 - 【請求項２】蒸着室内に、あらかじめ酸素濃度比の異な
る数種の混合ガスと同数のガス導入口を設け、上記蒸着
室内で反応性蒸着法によりテルル酸化物を形成すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ディスクの
製造方法。 - 【請求項３】蒸着室内にガス導入口を設け、上記ガス導
入口の前にO2の濃度比を制御するためのガス流量制御装
置を設け、上記蒸着室内で反応性蒸着法によりテルル酸
化物を形成することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光ディスクの製造方法。 - 【請求項４】反応性蒸着法としては、反応性スパッタリ
ング，反応性電子ビーム蒸着，反応性イオンプレーティ
ング法であり、連続的に反応性蒸着により記録膜が作成
できる連続蒸着装置を用いて上記記録膜が形成できるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ディスク
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3080184A JPH0630177B2 (ja) | 1984-02-21 | 1984-02-21 | 光デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3080184A JPH0630177B2 (ja) | 1984-02-21 | 1984-02-21 | 光デイスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60175227A JPS60175227A (ja) | 1985-09-09 |
| JPH0630177B2 true JPH0630177B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=12313779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3080184A Expired - Lifetime JPH0630177B2 (ja) | 1984-02-21 | 1984-02-21 | 光デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630177B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1691362B1 (en) * | 2003-12-01 | 2010-04-21 | Sony Corporation | Process for producing original disc for optical disc and original disc for optical disc |
-
1984
- 1984-02-21 JP JP3080184A patent/JPH0630177B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60175227A (ja) | 1985-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6242157B1 (en) | Optical recording medium and method for making | |
| US4929485A (en) | Information storage medium and method of manufacturing the same | |
| JPH0630177B2 (ja) | 光デイスクの製造方法 | |
| JP2788245B2 (ja) | 光ディスク、光ディスク用基板及びその製造方法 | |
| JPS60236133A (ja) | 光デイスク及びその製造方法 | |
| JPS60131650A (ja) | 光メモリデイスクおよびその製造方法 | |
| JPS60236135A (ja) | 光デイスクの製造方法 | |
| JPS63142542A (ja) | 情報記録薄膜形成用スパツタリングタ−ゲツト | |
| JP2559432B2 (ja) | 光磁気デイスク | |
| JP2794578B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6134743A (ja) | 光学記録媒体の製造方法 | |
| JPS60263355A (ja) | 光学記録媒体の製造方法 | |
| JP2000006524A (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS63175243A (ja) | 光学情報記録再生部材の製造方法 | |
| JPS6216193A (ja) | 光学情報記録部材 | |
| JPH01249489A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2619361B2 (ja) | 光磁気記録担体及びその製造方法 | |
| JPH09161340A (ja) | 光磁気記録媒体とその製造方法 | |
| JP2825059B2 (ja) | 光ディスク及びその製造方法 | |
| JP2508055B2 (ja) | 光記録媒体製造方法 | |
| JPH0752527B2 (ja) | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 | |
| JP2696754B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPS63195847A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPH1153763A (ja) | 光ディスク | |
| JPH02169295A (ja) | 情報記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |