JPH0630178B2 - 光デイスクの製造方法 - Google Patents
光デイスクの製造方法Info
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- JPH0630178B2 JPH0630178B2 JP9231084A JP9231084A JPH0630178B2 JP H0630178 B2 JPH0630178 B2 JP H0630178B2 JP 9231084 A JP9231084 A JP 9231084A JP 9231084 A JP9231084 A JP 9231084A JP H0630178 B2 JPH0630178 B2 JP H0630178B2
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- optical disk
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- film
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/2432—Oxygen
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- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
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- G—PHYSICS
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
- G11B7/2542—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of organic resins
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はビデオディスク，ディジタルオーディオディス
ク，静止画，文書ファイルなどのディジタル信号記録再
生ディスクである光ディスクの製造方法に関するもので
ある。
ク，静止画，文書ファイルなどのディジタル信号記録再
生ディスクである光ディスクの製造方法に関するもので
ある。
従来例の構成とその問題点 この種の光ディスクは、その情報密度が極めて大きいこ
とや、Ｓ／Ｎが大きく、ノイズが小さいことなど情報媒
体として有望視され、ビデオディスクやディジタルオー
ディオディスクとして商品化され、ディジタル信号記録
再生ディスクとして近年研究開発が行われている。
とや、Ｓ／Ｎが大きく、ノイズが小さいことなど情報媒
体として有望視され、ビデオディスクやディジタルオー
ディオディスクとして商品化され、ディジタル信号記録
再生ディスクとして近年研究開発が行われている。
第１図に一般的なディジタル信号記録再生ディスクの概
要を示す。これは、樹脂基板に同心円状またはラセン状
に案内溝が形成され、その上に記録膜が設けられ、レー
ザを照射することにより黒化させピットを形成し記録す
る。その後ピット列状に記録されたディジタル信号をレ
ーザにより再生するものである。
要を示す。これは、樹脂基板に同心円状またはラセン状
に案内溝が形成され、その上に記録膜が設けられ、レー
ザを照射することにより黒化させピットを形成し記録す
る。その後ピット列状に記録されたディジタル信号をレ
ーザにより再生するものである。
第１図において、１はディスク全体、２は樹脂基板、３
はラセン状に形成された案内溝、４はその表面に形成さ
れた記録膜、５は記録膜４の表面にコーティングされた
樹脂の保護膜、６はディスク読取面より照射される半導
体レーザである。
はラセン状に形成された案内溝、４はその表面に形成さ
れた記録膜、５は記録膜４の表面にコーティングされた
樹脂の保護膜、６はディスク読取面より照射される半導
体レーザである。
ここで記録膜４は、レーザを照射し黒化させて反射率の
差によるディジタル信号を形成するために必要なもの
で、テルル（以下Te と称す）またはTeOｘで表現される
材料〔ただしTeはテルル，Ｏは酸素であってテルル(Ｔ
ｅ)とその酸化物を形成すべく結合されるもの、ｘはTe
とＯの総原子数の比であって０＜ｘ＜２である：以下同
じ〕にて構成される。
差によるディジタル信号を形成するために必要なもの
で、テルル（以下Te と称す）またはTeOｘで表現される
材料〔ただしTeはテルル，Ｏは酸素であってテルル(Ｔ
ｅ)とその酸化物を形成すべく結合されるもの、ｘはTe
とＯの総原子数の比であって０＜ｘ＜２である：以下同
じ〕にて構成される。
第２図に記録膜および保護膜を作成する従来の光ディス
クの製造方法を示す。
クの製造方法を示す。
７は電子ビーム蒸着装置で、あらかじめTeとＯ２との組
成比が決められた固体のTeOx８が、るつぼ９に置かれ、
電子ビームガン１０よりるつぼ９内に電子エネルギーが
当たりTeOｘ８が蒸発され、記録膜４が樹脂基板２上に
形成され、後に紫外線硬化型樹脂の保護膜５が、記録膜
４上に形成される。
成比が決められた固体のTeOx８が、るつぼ９に置かれ、
電子ビームガン１０よりるつぼ９内に電子エネルギーが
当たりTeOｘ８が蒸発され、記録膜４が樹脂基板２上に
形成され、後に紫外線硬化型樹脂の保護膜５が、記録膜
４上に形成される。
この場合TeOxの表面は非常に活性であるため、経時変化
により組成が変化しやすいことや、未硬化状態の樹脂保
護膜を塗布した際にTeOx膜がこの樹脂と化学変化を起こ
し変質するなど記録膜の特性が劣化するなど、記録膜の
信頼性が悪いなどの問題点を有していた。
により組成が変化しやすいことや、未硬化状態の樹脂保
護膜を塗布した際にTeOx膜がこの樹脂と化学変化を起こ
し変質するなど記録膜の特性が劣化するなど、記録膜の
信頼性が悪いなどの問題点を有していた。
発明の目的 本発明はこれらの問題点を解消するものであり記録膜と
してTeOxを形成したのち、同一蒸着装置内で連続的に保
護膜として化学的に安定なTeO２を上記記録膜上に設
け、記録膜の安定性向上を図り信頼性の高い光ディスク
の製造方法を提供するものである。
してTeOxを形成したのち、同一蒸着装置内で連続的に保
護膜として化学的に安定なTeO２を上記記録膜上に設
け、記録膜の安定性向上を図り信頼性の高い光ディスク
の製造方法を提供するものである。
発明の構成 本発明は、基板上に記録膜としてTeOxを反応性スパッタ
リング法にて形成した後、同一スパッター装置内で連続
的に、酸素濃度の高いガスで反応作製する反応性スパッ
タリング法にてTe 酸化物TeO2を上記記録膜上に保護膜
として設けることにより光ディスクを製造するものであ
る。
リング法にて形成した後、同一スパッター装置内で連続
的に、酸素濃度の高いガスで反応作製する反応性スパッ
タリング法にてTe 酸化物TeO2を上記記録膜上に保護膜
として設けることにより光ディスクを製造するものであ
る。
実施例の説明 第３図に本発明の光ディスク製造方法の一実施例を示
す。装置を説明するために断面を示す模式図にて示す。
す。装置を説明するために断面を示す模式図にて示す。
１１はスパッター装置であり、予備真空室１２，１３と
スパッター室１４，１５にて構成される。スパッター室
１４にはTe ターゲット１６が設けられ、Ｏ２ガス濃度
１０％のAr ガス１７が導入され反応性スパッタリング
法によりTeOxが、樹脂基板２上に記録膜１８として形成
される。次に、スパッター室１５にはTe ターゲット１
９が設けられ、Ｏ２ガス濃度２０％のAr ガス２０が導
入され反応性スパッタリング法によりTe の酸化物であ
るTeO2の保護膜２１が記録膜１８上に形成される。
スパッター室１４，１５にて構成される。スパッター室
１４にはTe ターゲット１６が設けられ、Ｏ２ガス濃度
１０％のAr ガス１７が導入され反応性スパッタリング
法によりTeOxが、樹脂基板２上に記録膜１８として形成
される。次に、スパッター室１５にはTe ターゲット１
９が設けられ、Ｏ２ガス濃度２０％のAr ガス２０が導
入され反応性スパッタリング法によりTe の酸化物であ
るTeO2の保護膜２１が記録膜１８上に形成される。
TeO2の保護膜２１は非常に安定な材料であるため、記録
膜の保護，信頼性の向上が図れる。また本実施例の場
合、同一スパッタリング装置内で、連続的に記録膜と保
護膜の形成が可能である。
膜の保護，信頼性の向上が図れる。また本実施例の場
合、同一スパッタリング装置内で、連続的に記録膜と保
護膜の形成が可能である。
第４図は本発明の他の実施例を示し、装置を説明するた
めに平面図にて示す。
めに平面図にて示す。
２２はスパッター装置であり、予備真空室２３，２４と
スパッター室２５とから構成される。スパッター室２５
にはターンテーブル２６が設けられ、樹脂基板を回転す
る構造になっている。予備真空室２３より取入れられた
樹脂基板２は、ターンテーブル位置２７で取付けられ、
ターンテーブルが回転し、スパッター位置２８で静止す
る。ここでは、Teターゲット２９が設けられ、Ｏ２ガス
濃度１０％のArガス３０が導入され反応性スパッタリン
グによりTeOxが樹脂基板上に形成される。次にターンテ
ーブルが回転し、スパッター位置３１で静止する。ここ
では、Teターゲット３２が設けられ、Ｏ2ガス濃度２０
％のArガス３３が導入され、反応性スパッタリングによ
りTe酸化物TeO2が保護膜として、TeOxの記録膜上に形成
される。次にターンテーブルが回転し、２７の取出位置
で静止し、２４の予備真空室を通してディスクが取出さ
れる。本実施例の場合も同一スパッター装置内に連続的
で記録膜と保護膜の形成ができる。
スパッター室２５とから構成される。スパッター室２５
にはターンテーブル２６が設けられ、樹脂基板を回転す
る構造になっている。予備真空室２３より取入れられた
樹脂基板２は、ターンテーブル位置２７で取付けられ、
ターンテーブルが回転し、スパッター位置２８で静止す
る。ここでは、Teターゲット２９が設けられ、Ｏ２ガス
濃度１０％のArガス３０が導入され反応性スパッタリン
グによりTeOxが樹脂基板上に形成される。次にターンテ
ーブルが回転し、スパッター位置３１で静止する。ここ
では、Teターゲット３２が設けられ、Ｏ2ガス濃度２０
％のArガス３３が導入され、反応性スパッタリングによ
りTe酸化物TeO2が保護膜として、TeOxの記録膜上に形成
される。次にターンテーブルが回転し、２７の取出位置
で静止し、２４の予備真空室を通してディスクが取出さ
れる。本実施例の場合も同一スパッター装置内に連続的
で記録膜と保護膜の形成ができる。
第５図に本発明の光ディスクの構造断面図を示す。TeOx
の記録膜１８とTe 酸化物TeO2の保護膜２１および樹脂
の保護膜５より構成される。
の記録膜１８とTe 酸化物TeO2の保護膜２１および樹脂
の保護膜５より構成される。
記録膜，保護膜の作製方法としては反応性スパッタリン
グ法の他に、反応性電子ビーム蒸着法、反応性イオンプ
レーティング法などの反応性蒸着法であればよく、また
連続蒸着が可能な装置でしかも同一蒸着装置内において
連続的に記録膜と保護膜とを作製できることを特徴とす
る。
グ法の他に、反応性電子ビーム蒸着法、反応性イオンプ
レーティング法などの反応性蒸着法であればよく、また
連続蒸着が可能な装置でしかも同一蒸着装置内において
連続的に記録膜と保護膜とを作製できることを特徴とす
る。
発明の効果 以上のように本発明は、記録膜としてTeOxを形成した
後、同一蒸着装置内で連続的に保護膜としてTe の酸化
物であるTeO2を記録膜上に設けることにより、TeO2は化
学的に安定であるため、記録膜を安定なしかも信頼性の
高い経時変化の良好な光ディスクを製造することができ
る。
後、同一蒸着装置内で連続的に保護膜としてTe の酸化
物であるTeO2を記録膜上に設けることにより、TeO2は化
学的に安定であるため、記録膜を安定なしかも信頼性の
高い経時変化の良好な光ディスクを製造することができ
る。
また、本発明によれば、これらの記録膜，保護膜が同一
蒸着装置内でしかも連続的に形成できることより量産性
を図ることができ、信頼性の高い光ディスクを安価に量
産することができるという効果がある。
蒸着装置内でしかも連続的に形成できることより量産性
を図ることができ、信頼性の高い光ディスクを安価に量
産することができるという効果がある。
第１図ａ，ｂ，ｃは一般的な光ディスクであるディジタ
ル信号記録再生ディスクの平面図，断面図、および要部
拡大図、第２図は従来の光ディスク製造装置の断面図、
第３図は本発明の一実施例を示す断面の模式図、第４図
は本発明の他の実施例を示す平面図、第５図は本発明の
光ディスク製造法より得られた光ディスクの断面図であ
る。 １……ディスク、２……樹脂基板、３……案内溝、４…
…記録膜、５……保護膜（樹脂）、６……半導体レー
ザ、１１，１２……スパッター装置、１２，１３，２
３，２４……予備スパッター室、１４，１５，２５……
スパッター室、１６，１９，２９，３２……Teターゲッ
ト、１７，３０……Ｏ２濃度１０％のArガス、２０，３
３……Ｏ２濃度２０％のArガス、２６……ターンテーブ
ル、２７……ディスク取出入位置、１８……TeOx（ｘ＜
２）記録膜、２１……TeO2保護膜。
ル信号記録再生ディスクの平面図，断面図、および要部
拡大図、第２図は従来の光ディスク製造装置の断面図、
第３図は本発明の一実施例を示す断面の模式図、第４図
は本発明の他の実施例を示す平面図、第５図は本発明の
光ディスク製造法より得られた光ディスクの断面図であ
る。 １……ディスク、２……樹脂基板、３……案内溝、４…
…記録膜、５……保護膜（樹脂）、６……半導体レー
ザ、１１，１２……スパッター装置、１２，１３，２
３，２４……予備スパッター室、１４，１５，２５……
スパッター室、１６，１９，２９，３２……Teターゲッ
ト、１７，３０……Ｏ２濃度１０％のArガス、２０，３
３……Ｏ２濃度２０％のArガス、２６……ターンテーブ
ル、２７……ディスク取出入位置、１８……TeOx（ｘ＜
２）記録膜、２１……TeO2保護膜。
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に記録膜としてTeOｘで表現される
材料〔Teはテルル，Ｏは酸素であってテルル(Te)とその
酸化物を形成すべく結合されるもの、ｘはテルル(Ｔｅ)
と酸素(Ｏ)の総原子数の比であって0＜x＜2である〕を
反応性スパッタリング法にて形成した後、同一スパッタ
ー装置内で連続的に、反応性スパッタリング法にてテル
ル(Ｔｅ)の酸化物TeO2を上記記録膜上に保護膜として形
成することを特徴とする光ディスクの製造方法。 - 【請求項２】記録膜，保護膜の作製方法として、酸素の
混合濃度を変化させ反応作製する反応性蒸着法を用い、
同一蒸着装置内にて連続的に作製することを特徴する特
許請求の範囲第１項記載の光ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9231084A JPH0630178B2 (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 光デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9231084A JPH0630178B2 (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 光デイスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60236135A JPS60236135A (ja) | 1985-11-22 |
| JPH0630178B2 true JPH0630178B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=14050825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9231084A Expired - Lifetime JPH0630178B2 (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 光デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630178B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3751348T2 (de) * | 1986-10-29 | 1996-01-04 | Dainippon Printing Co Ltd | Aufzeichnungsmedium vom draw-typ. |
-
1984
- 1984-05-09 JP JP9231084A patent/JPH0630178B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60236135A (ja) | 1985-11-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |