JPS58203094A - 光記録用媒体 - Google Patents
光記録用媒体Info
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- JPS58203094A JPS58203094A JP57086464A JP8646482A JPS58203094A JP S58203094 A JPS58203094 A JP S58203094A JP 57086464 A JP57086464 A JP 57086464A JP 8646482 A JP8646482 A JP 8646482A JP S58203094 A JPS58203094 A JP S58203094A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザ光による情報の書き込みと読み取りに
用いる材料としてのテルル薄膜およびビスマス薄膜に浸
れた経時安定性を付与した光記録用媒体に関するもので
ある。
用いる材料としてのテルル薄膜およびビスマス薄膜に浸
れた経時安定性を付与した光記録用媒体に関するもので
ある。
光による情報の書き込みおよび読み取りは、その光源と
して用いる半導体レーザの進歩により、小型で低油格の
装置が作製可能になったため、大容量７アイ〃メモｙと
しての利用が期待されているっこのような記録に用いる
媒体としては、これまで数多くの材料が検討されてきた
。なかでも、テルル薄膜およびビスマス薄膜が感度やコ
ントラストなどの特性が号も優れている。しかし、これ
らの薄膜は、大気中に放置するとプ化劣化が生じ反射率
δよび透過率が変化するなど、術侯性に劣る。また、薄
膜とそれを支持する基板との付着力も弱り、層中に徐々
に亀裂が生じ、ついに基板からの剥離が起こるという欠
点もある。そのため、長期にわたり使用または保存する
ときには 記録；感度の低下およびＳ／Ｎ比の劣化が生
じ、間頌となっている。
して用いる半導体レーザの進歩により、小型で低油格の
装置が作製可能になったため、大容量７アイ〃メモｙと
しての利用が期待されているっこのような記録に用いる
媒体としては、これまで数多くの材料が検討されてきた
。なかでも、テルル薄膜およびビスマス薄膜が感度やコ
ントラストなどの特性が号も優れている。しかし、これ
らの薄膜は、大気中に放置するとプ化劣化が生じ反射率
δよび透過率が変化するなど、術侯性に劣る。また、薄
膜とそれを支持する基板との付着力も弱り、層中に徐々
に亀裂が生じ、ついに基板からの剥離が起こるという欠
点もある。そのため、長期にわたり使用または保存する
ときには 記録；感度の低下およびＳ／Ｎ比の劣化が生
じ、間頌となっている。
そこで、本発明の目的は、上述した酸化および膜の剥離
の進行による、テルル膜またはビスマス膜の劣化という
欠点を解決して、経時安定性の優ｎた光記録用媒体を提
供することにある。そのために、本発明では、テルルま
たはビス７スの非晶質膜の表面およびこの非晶質膜を支
持する基板との界面に讃化層を設けてかかる非晶質膜を
はさむことにより、テルルまたはビスマス非晶質膜を酸
化から保護するっさらに加えて本発明では、界面酸化層
により非晶質膜と基板と、□・の付着力を強めるＩＩ
”””ｌ。
の進行による、テルル膜またはビスマス膜の劣化という
欠点を解決して、経時安定性の優ｎた光記録用媒体を提
供することにある。そのために、本発明では、テルルま
たはビス７スの非晶質膜の表面およびこの非晶質膜を支
持する基板との界面に讃化層を設けてかかる非晶質膜を
はさむことにより、テルルまたはビスマス非晶質膜を酸
化から保護するっさらに加えて本発明では、界面酸化層
により非晶質膜と基板と、□・の付着力を強めるＩＩ
”””ｌ。
ことにより、経時安定性を向”上せしめるっ以下に図面
を参照して本発明の詳細な説明する一通常、テルルまた
はビスマスなどの薄膜を空気中に放置すると、時間が経
過するにつれて、徐々に酸化が進行して、ＴｅＯｘまた
はＢ ’Ｏｘとなり、実質的なテルルまたはビスマス膜
の厚さが著しく減少する。その結果光記湯媒体としての
性質、すなわち光学的性質が劣化する。この酸化は、薄
膜の表面から膜中に拡散する酸素、またはプラスチック
基板を用いる場合には薄膜を支持する基板内を浸透して
膜中に拡散する酸素に起因している。
を参照して本発明の詳細な説明する一通常、テルルまた
はビスマスなどの薄膜を空気中に放置すると、時間が経
過するにつれて、徐々に酸化が進行して、ＴｅＯｘまた
はＢ ’Ｏｘとなり、実質的なテルルまたはビスマス膜
の厚さが著しく減少する。その結果光記湯媒体としての
性質、すなわち光学的性質が劣化する。この酸化は、薄
膜の表面から膜中に拡散する酸素、またはプラスチック
基板を用いる場合には薄膜を支持する基板内を浸透して
膜中に拡散する酸素に起因している。
そこで、テルルまたはビスマス薄膜の表面および基板と
の界面を強制酸化すれば、これらの部分に形成された酸
化膜がその内部の薄膜に対して、保護層として作用する
ため、その後の酸化が進行せず、化学的に安定化する。
の界面を強制酸化すれば、これらの部分に形成された酸
化膜がその内部の薄膜に対して、保護層として作用する
ため、その後の酸化が進行せず、化学的に安定化する。
これは表面が簾化アルミニウムでおおわれたアルミニウ
ムが安定であることと同様の事情である。
ムが安定であることと同様の事情である。
−ｍに、テルルやビスマスなどの蒸着膜は、比ｆｆ的９
品性が良く、その結晶＠Ｄサイズは、ハθ００λから−
・０００λに達″１１する。しかし、光記録用媒体とし
ての、テルルやビスマスの膜厚はａ３００ＡトＷｔいか
ら通常の結晶性の良い憂では強制酸化が均一におこなわ
れず、保護膜としての役割を果たすことが遅しい。実際
第１図（Ａ）に示すように、膜厚ζ００Ａの薄膜／が、
薄板コ上において膜厚と同程度、あるいはそれ以上の粒
径を有する結晶粒Ｊがら構成されているなら、酸化は結
晶粒３の表面に沿って進行するため、結果的に、膜／の
内部まで酸化され、全体が簾化劣化してしまうっ そこで、本発明では、テルル非＆質膜またはビスマス非
晶質膜を用いて、その表面と基板との界面の酸化をおこ
なう、すなわち、テルルまたはビスマスの結晶粒径が十
分に小さく、非晶質とみなしつるような膜であれば、第
１ＩＭ（Ｂ）に示すようにその非晶質膜！の表面および
基板λとの界面のみを薄く有−に酸化することが可能で
あり、それによりこれら両界面に形成された酸化層ｌお
よびｌ′はその内部の非晶質膜５に対して保護層として
作用し、それ以上の酸化劣化が進行することはない。
品性が良く、その結晶＠Ｄサイズは、ハθ００λから−
・０００λに達″１１する。しかし、光記録用媒体とし
ての、テルルやビスマスの膜厚はａ３００ＡトＷｔいか
ら通常の結晶性の良い憂では強制酸化が均一におこなわ
れず、保護膜としての役割を果たすことが遅しい。実際
第１図（Ａ）に示すように、膜厚ζ００Ａの薄膜／が、
薄板コ上において膜厚と同程度、あるいはそれ以上の粒
径を有する結晶粒Ｊがら構成されているなら、酸化は結
晶粒３の表面に沿って進行するため、結果的に、膜／の
内部まで酸化され、全体が簾化劣化してしまうっ そこで、本発明では、テルル非＆質膜またはビスマス非
晶質膜を用いて、その表面と基板との界面の酸化をおこ
なう、すなわち、テルルまたはビスマスの結晶粒径が十
分に小さく、非晶質とみなしつるような膜であれば、第
１ＩＭ（Ｂ）に示すようにその非晶質膜！の表面および
基板λとの界面のみを薄く有−に酸化することが可能で
あり、それによりこれら両界面に形成された酸化層ｌお
よびｌ′はその内部の非晶質膜５に対して保護層として
作用し、それ以上の酸化劣化が進行することはない。
また、薄膜夕を支持する基板コとの界面に設けた悸化層
弘は、酸化劣化に対する保護層であると同時に基板λと
膜／との付着力を強める役割も果たしている。
弘は、酸化劣化に対する保護層であると同時に基板λと
膜／との付着力を強める役割も果たしている。
これら界面の強制酸化の方法としては、（１）酸素雰囲
気下での加熱、（２ン紫外線照射、または（３ンブラズ
７酸化がある○ なお、テルルまたはビスマスの非晶質膜を作製するには
、Ａｒ１Ｎ２、Ｈｅなどの不活性ガスを具空室４ に導入し、ガス圧１０〜１０Ｔｏｒｒ稈度の範囲で、真
空蒸着をおこなえばよい。この方法で粒径１０Ｘ以下と
、結晶粒径が十分小さい非晶質膜が得られる次に本発明
の実施例を示す。
気下での加熱、（２ン紫外線照射、または（３ンブラズ
７酸化がある○ なお、テルルまたはビスマスの非晶質膜を作製するには
、Ａｒ１Ｎ２、Ｈｅなどの不活性ガスを具空室４ に導入し、ガス圧１０〜１０Ｔｏｒｒ稈度の範囲で、真
空蒸着をおこなえばよい。この方法で粒径１０Ｘ以下と
、結晶粒径が十分小さい非晶質膜が得られる次に本発明
の実施例を示す。
（実施例／）
第２図は本発明レーザ記録用媒体を製造するための装置
の一例の模式図であり 図中６は真空容器１，７は真空
容器６へのガス導入口、了は真空容器／からの排気口、
ワは真空容器／の底部に配置した蒸着用ヒータ、／θは
ヒータワの上方に配置した高周波電極、／／は電極／θ
の上方に配置した基板、／２は膜厚モ；りである。
の一例の模式図であり 図中６は真空容器１，７は真空
容器６へのガス導入口、了は真空容器／からの排気口、
ワは真空容器／の底部に配置した蒸着用ヒータ、／θは
ヒータワの上方に配置した高周波電極、／／は電極／θ
の上方に配置した基板、／２は膜厚モ；りである。
ガス導入ロアから、窒素ガスを／×ノθＴｏｒｒｉ人し
た容器６中で、高周波電極／θに／３゜ｊＪＭＨｚ・Ｌ
高周波電圧を印加して放電をおこなうとともにテルルを
蒸着用ヒータヂから蒸発させて基板／ｌに蒸着した一基
板／／としては、アクリル（ＰＭＭＡ ）基板を用い、
窒素ガス流ｉｉ １０ ｃｃ／ｒｒｎｎｚ放１電力ＳＯ
Ｗ、テルル蒸着速度絣λ、 ５ ＡＡｅｅで３秒１・蒸
着をおこない、厚さｊθλの非晶質テルル膜を作製した
。その後、容器６中に酸素ガスをガス圧／×／θＴｎｒ
ｒで流し、ＲＦパワー１００ Ｗで約７分間放電させて
膜全体を酸化させて酸化層≠を形成した。次いで、流量
／鯵地の窒素ガスを容器乙に導入し、放電電力／！ＯＷ
。
た容器６中で、高周波電極／θに／３゜ｊＪＭＨｚ・Ｌ
高周波電圧を印加して放電をおこなうとともにテルルを
蒸着用ヒータヂから蒸発させて基板／ｌに蒸着した一基
板／／としては、アクリル（ＰＭＭＡ ）基板を用い、
窒素ガス流ｉｉ １０ ｃｃ／ｒｒｎｎｚ放１電力ＳＯ
Ｗ、テルル蒸着速度絣λ、 ５ ＡＡｅｅで３秒１・蒸
着をおこない、厚さｊθλの非晶質テルル膜を作製した
。その後、容器６中に酸素ガスをガス圧／×／θＴｎｒ
ｒで流し、ＲＦパワー１００ Ｗで約７分間放電させて
膜全体を酸化させて酸化層≠を形成した。次いで、流量
／鯵地の窒素ガスを容器乙に導入し、放電電力／！ＯＷ
。
テルル蒸着速度的Ｊ Ａ／ｓｅｅで、約プ秒開環着をお
こない、厚さ２！；ＯＡの非晶質テルル膜ｊを、厚さ５
０Ａの酸化膜弘上に作製した。この方法により、非晶質
テルル膜よとそれを支持するアクリル基板λとの間に酸
化層≠が設けられた光記録用媒体が得られた。
こない、厚さ２！；ＯＡの非晶質テルル膜ｊを、厚さ５
０Ａの酸化膜弘上に作製した。この方法により、非晶質
テルル膜よとそれを支持するアクリル基板λとの間に酸
化層≠が設けられた光記録用媒体が得られた。
この光記録用媒体は化学的、に′□委定化され、反射率
や透過率等の光記録用媒体としての特性も、その経時安
定性が向上する。その−例として、乙Ｏ℃、ｑＯ％相対
湿度のよ境で加速度劣化した結果を第３図に示す。図の
縦軸は、反射率Ｒを劣化テスト前の反射率ＲＯで割った
値で、酸化劣化による膜の反射率変化を表わしている一
１横軸は経過時間（Ｂ）である。菌中、曲線αは本実施
例による光記録用媒体の結果であり、また比較のために
通常のテルル蒸着膜に対する結果を曲線すに示す。第３
図から、本発明による光記録用媒体が、耐酸化性におい
て向上したことがわかる。また、一般に、テルルの膜は
基板との付着力に間ｊがあり、徐々に膜に亀裂が入り、
基板からの剥離が生ずることは既に述べたが、本実施例
で作製した光記録用媒体は基板との界面に酸化層を介在
させているため、基板との付着力が強まり、これらの亀
裂や剥離はほとんどみられなかった、 （実施例２） 実施例１と同様にして、厚さＳＱＡの酸化膜ダ上に、コ
ｊＯλの非晶質テルル膜ｊを作製した後、容１１１ 器ぶ内に酸素を導入し、ガス比的０． ／ Ｔｒｒ 、
ＲＦパワー１ｏｏ ｗで放電させ、膜ｊの表面をプラ
ズマ酸化した。約５分間の処理で膜５の表面から３０
Ａの厚さにわたって均一に酸化されて酸化層弘′が形成
された。この光記録用媒体について加速度劣化テストを
巧こなった結果を第３図の曲線ｃに示す。
や透過率等の光記録用媒体としての特性も、その経時安
定性が向上する。その−例として、乙Ｏ℃、ｑＯ％相対
湿度のよ境で加速度劣化した結果を第３図に示す。図の
縦軸は、反射率Ｒを劣化テスト前の反射率ＲＯで割った
値で、酸化劣化による膜の反射率変化を表わしている一
１横軸は経過時間（Ｂ）である。菌中、曲線αは本実施
例による光記録用媒体の結果であり、また比較のために
通常のテルル蒸着膜に対する結果を曲線すに示す。第３
図から、本発明による光記録用媒体が、耐酸化性におい
て向上したことがわかる。また、一般に、テルルの膜は
基板との付着力に間ｊがあり、徐々に膜に亀裂が入り、
基板からの剥離が生ずることは既に述べたが、本実施例
で作製した光記録用媒体は基板との界面に酸化層を介在
させているため、基板との付着力が強まり、これらの亀
裂や剥離はほとんどみられなかった、 （実施例２） 実施例１と同様にして、厚さＳＱＡの酸化膜ダ上に、コ
ｊＯλの非晶質テルル膜ｊを作製した後、容１１１ 器ぶ内に酸素を導入し、ガス比的０． ／ Ｔｒｒ 、
ＲＦパワー１ｏｏ ｗで放電させ、膜ｊの表面をプラ
ズマ酸化した。約５分間の処理で膜５の表面から３０
Ａの厚さにわたって均一に酸化されて酸化層弘′が形成
された。この光記録用媒体について加速度劣化テストを
巧こなった結果を第３図の曲線ｃに示す。
この場合、反射率の経時変化は極めて小さく、優れた＠
酸化性を示したーこれは、本実施例による光記録用媒体
は、膜ｊの基板λとの界面の酸化層≠ばかりでなく、膜
ｊの表面も酸化層１１呆護されているためである。また
、基板λとの付着力も実施例１と同様に強固であり、基
板２からの剥離はほとんどみられなかった。
酸化性を示したーこれは、本実施例による光記録用媒体
は、膜ｊの基板λとの界面の酸化層≠ばかりでなく、膜
ｊの表面も酸化層１１呆護されているためである。また
、基板λとの付着力も実施例１と同様に強固であり、基
板２からの剥離はほとんどみられなかった。
（実施例３）
実施例／と同様にして、第２図の蒸着用ヒータ７にテル
ルの代わりにビスマスを装填して非晶質ビスマス膜の蒸
着をおこなった。他の作製条件は、実施例／と同様であ
り、まず厚さ５０ Ａの非晶質ビスマス膜を基板λ上に
堆積した後、これをプラズマ酸化して新と層ｌを形成し
次いで、さらに非晶質ビスマス摸ｊを厚さ２３０人に
堆梼させて光記録用媒体を作製した。この光記録用媒体
も、テルル頂の場合と同じく、化学的に安定化され、経
時安定性が向上した。加速度劣化テストの結果を第２図
に示すへ図中、曲線αは本実施例による光記録用媒体の
結果で、また、比較のために通常のビスマス蒸着膜に対
する結果を曲線すに示す。本例においても、耐酸化性が
向上している。また、膜ｊの基板λからの剥離の量産に
ついても、テルルの場合と同じく、酸化層ｌの存在によ
り、基板λとの付着力が向上して剥離はほとんどみられ
なかった。
ルの代わりにビスマスを装填して非晶質ビスマス膜の蒸
着をおこなった。他の作製条件は、実施例／と同様であ
り、まず厚さ５０ Ａの非晶質ビスマス膜を基板λ上に
堆積した後、これをプラズマ酸化して新と層ｌを形成し
次いで、さらに非晶質ビスマス摸ｊを厚さ２３０人に
堆梼させて光記録用媒体を作製した。この光記録用媒体
も、テルル頂の場合と同じく、化学的に安定化され、経
時安定性が向上した。加速度劣化テストの結果を第２図
に示すへ図中、曲線αは本実施例による光記録用媒体の
結果で、また、比較のために通常のビスマス蒸着膜に対
する結果を曲線すに示す。本例においても、耐酸化性が
向上している。また、膜ｊの基板λからの剥離の量産に
ついても、テルルの場合と同じく、酸化層ｌの存在によ
り、基板λとの付着力が向上して剥離はほとんどみられ
なかった。
（実施例φ）
実施例３と同様に、厚さ５０Ａのビスマス酸化膜ｌ上に
２５ＯＡの非晶質ビスマス膜ｊを作製した後、容器６内
に酸素を導入して膜表面約６ＯＡをプラズマ酸化して酸
化層弘′を形成した。その条件は実施例３の場合と同様
である。この光記録用媒体の加速度劣化テストの結果を
第４図の曲線Ｃに示す。
２５ＯＡの非晶質ビスマス膜ｊを作製した後、容器６内
に酸素を導入して膜表面約６ＯＡをプラズマ酸化して酸
化層弘′を形成した。その条件は実施例３の場合と同様
である。この光記録用媒体の加速度劣化テストの結果を
第４図の曲線Ｃに示す。
曲ＭＣによれば反射率の経時変化は曲線αよりもさらに
小さく、優れた耐酸化性を示した。また、膜よと基板λ
との付着力も、実施例３と同様、強固であり、膜ｊの剥
離はみられなかった。
小さく、優れた耐酸化性を示した。また、膜よと基板λ
との付着力も、実施例３と同様、強固であり、膜ｊの剥
離はみられなかった。
（実施例よ）
実施例／〜≠では、酸化層グ・≠′を設けるのにプラズ
マ酸化法を用いたが、これ以外の方法でも酸化可能であ
る。たとえば、基板ｌとの界面の酸化または膜ｊの表面
の酸化にあたって、酸素または空気を容器３中に導入し
、常圧下でｉｓｏ’ｃ、、２１１７分の基板加熱、また
は、約３１η彌、５分間の紫外線照射の工程をとって光
記録用媒体を作製したところ、均一な酸化膜が形成され
、やはり、経時安定性の優れた光記録用媒体が得られた
。
マ酸化法を用いたが、これ以外の方法でも酸化可能であ
る。たとえば、基板ｌとの界面の酸化または膜ｊの表面
の酸化にあたって、酸素または空気を容器３中に導入し
、常圧下でｉｓｏ’ｃ、、２１１７分の基板加熱、また
は、約３１η彌、５分間の紫外線照射の工程をとって光
記録用媒体を作製したところ、均一な酸化膜が形成され
、やはり、経時安定性の優れた光記録用媒体が得られた
。
以上、説明したように本発明光記録用媒体は、経時安定
性に優れ、しかも半導へ体レーザによる高速記録が可能
な記録特性をあわせ持っている。
性に優れ、しかも半導へ体レーザによる高速記録が可能
な記録特性をあわせ持っている。
また、その製造工程も簡便であり、安価な記録媒体の製
造が可能である。したがって、本発明光記録用媒体は大
容量ファイルメモリに有効゛≧適用することかできる。
造が可能である。したがって、本発明光記録用媒体は大
容量ファイルメモリに有効゛≧適用することかできる。
、、、、、。
第１図（Ａ）はビスマスまたはテルルの結晶性膜を示す
新面ご、第１図（Ｂ）は本発明光記録用媒体の断面構造
の一例を示す断面図、第２図は本発明光記録用媒体を製
造するための装置の７例を示を漠式図、第３図および第
４図は、それぞれ、テルル莫δよびビスマス膜を用いた
不発明光記録用媒体の経時安定性を示す図である１、
新面ご、第１図（Ｂ）は本発明光記録用媒体の断面構造
の一例を示す断面図、第２図は本発明光記録用媒体を製
造するための装置の７例を示を漠式図、第３図および第
４図は、それぞれ、テルル莫δよびビスマス膜を用いた
不発明光記録用媒体の経時安定性を示す図である１、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）非晶質テルル薄膜と該非晶質テルル薄膜を支持する
基板と、前記非晶質テルル薄膜と前記基板との界面に設
けたテルルの酸化層とを有することを特徴とする光記録
用媒体。 ２）非晶質テルル薄膜と、該非晶質テルル薄膜を支持す
る算と、前記非晶質テルル薄膜と前記基板との界面に設
けたテルルの第１酸化層と前記非晶質テルル薄膜の表面
に設けたテルルの第２酸化層とを有することを特徴とす
る光記録用媒体っ ３）非晶質ビス７ス薄膜と、該非晶質ビスマス薄膜を支
持する基板と、前記非晶質ビスマス薄膜と前記基板との
界面に設けたビスマスの酸化層とを有することを特徴と
する光記録用媒体。 ｌ）非晶質ビスマス薄膜と、該非晶質ビスマス薄膜を支
持する基板と、前記非晶ｉビスマス綴と前記基板との界
面に設けたビスマスの第１酸化層と、前記非晶質ビスマ
ス薄膜の表面に設けたビスマスの第コ酸化層とを有する
ことを特徴とする光記録用媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57086464A JPS58203094A (ja) | 1982-05-24 | 1982-05-24 | 光記録用媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57086464A JPS58203094A (ja) | 1982-05-24 | 1982-05-24 | 光記録用媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58203094A true JPS58203094A (ja) | 1983-11-26 |
Family
ID=13887672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57086464A Pending JPS58203094A (ja) | 1982-05-24 | 1982-05-24 | 光記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58203094A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60236133A (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク及びその製造方法 |
| JPS615450A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録部材 |
| JPS6159643A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Fujitsu Ltd | 保護膜を有する光デイスク及びその製造方法 |
| JPS61141591A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-28 | Kuraray Co Ltd | カルコゲナイド系酸化物からなる光記録媒体の製造方法 |
| JPS6323235A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録担体 |
| US7952984B2 (en) | 2004-04-22 | 2011-05-31 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method of recording and reproducing of optical recording medium |
-
1982
- 1982-05-24 JP JP57086464A patent/JPS58203094A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60236133A (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク及びその製造方法 |
| JPS615450A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録部材 |
| JPH0572659B2 (ja) * | 1984-06-19 | 1993-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS6159643A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Fujitsu Ltd | 保護膜を有する光デイスク及びその製造方法 |
| JPH0580057B2 (ja) * | 1984-08-31 | 1993-11-05 | Fujitsu Ltd | |
| JPS61141591A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-28 | Kuraray Co Ltd | カルコゲナイド系酸化物からなる光記録媒体の製造方法 |
| JPH0530195B2 (ja) * | 1984-12-13 | 1993-05-07 | Kurare Kk | |
| JPS6323235A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録担体 |
| US7952984B2 (en) | 2004-04-22 | 2011-05-31 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method of recording and reproducing of optical recording medium |
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