JPS6159643A - 保護膜を有する光デイスク及びその製造方法 - Google Patents
保護膜を有する光デイスク及びその製造方法Info
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光デイスク技術に関し、さらに詳しく述べる
と、改良された保護膜を有する光ディスク及びそのよう
な光ディスクを製造する方法に関する。
と、改良された保護膜を有する光ディスク及びそのよう
な光ディスクを製造する方法に関する。
光デイスク技術の進展には近年めざましいものがある。
実際、いろいろなタイプの光ディスクが多くのメーカー
で開発され、そして実用化されている。現在広く用いら
れている光ディスクの多くは、通常、例えばガラスやグ
ラスチック材料（例えばポリメチルメタクリレートのよ
うなアクリル樹脂）のような基板と、該基板上に形成さ
れた記録媒体層とからなっている。記録媒体層の材料は
、どのような記録・再生方式を採るかで異”なってくる
というものの、Ｔｅ系材料、例えばＴｅ＋ ＴｅＯｘ。
で開発され、そして実用化されている。現在広く用いら
れている光ディスクの多くは、通常、例えばガラスやグ
ラスチック材料（例えばポリメチルメタクリレートのよ
うなアクリル樹脂）のような基板と、該基板上に形成さ
れた記録媒体層とからなっている。記録媒体層の材料は
、どのような記録・再生方式を採るかで異”なってくる
というものの、Ｔｅ系材料、例えばＴｅ＋ ＴｅＯｘ。
Ｔｅ −Ｃ、Ｃ８２−Ｔｅなどが一般的である。もちろ
ん、このようなＴｅ系材料以外に、例えばｈｔｒ Ｃｒ
＋ Ｐｂ＋Ａｕ＋ Ｒｈ、 Ｓｎ＋ Ｚｎ＋ Ｃｕｔ
Ｓｂ＋ Ｉｎ＋ Ｂｉ などのような金属あるいは
半金属のＲ膜もまた記録媒体層として使用することがで
きる。
ん、このようなＴｅ系材料以外に、例えばｈｔｒ Ｃｒ
＋ Ｐｂ＋Ａｕ＋ Ｒｈ、 Ｓｎ＋ Ｚｎ＋ Ｃｕｔ
Ｓｂ＋ Ｉｎ＋ Ｂｉ などのような金属あるいは
半金属のＲ膜もまた記録媒体層として使用することがで
きる。
基板上に記録媒体層を蒸着等によって形成した後、その
上に保護膜を形成するのが當法である。
上に保護膜を形成するのが當法である。
保肱膜は、その下方の記録媒体層を湿気等の外気条件か
ら保護して記録媒体の特性低下を防ぎ、経時変化をなく
するために設けられている。保護膜は、非透湿性でなけ
ればならないばか）でなく、記録及び再生目的に用いら
れる光を考慮して透明でなければならず、また、記録、
再生、そして消去に熱的な効果を有用するので、できる
かぎシ薄ぐなければならない。従来、このような条件を
満たすものとして、例えばＳｉＯ□、 Ａｔ２０３ な
どのような金属酸化物を保護膜として記録媒体層上に蒸
着等の手法によＱ形成している。
ら保護して記録媒体の特性低下を防ぎ、経時変化をなく
するために設けられている。保護膜は、非透湿性でなけ
ればならないばか）でなく、記録及び再生目的に用いら
れる光を考慮して透明でなければならず、また、記録、
再生、そして消去に熱的な効果を有用するので、できる
かぎシ薄ぐなければならない。従来、このような条件を
満たすものとして、例えばＳｉＯ□、 Ａｔ２０３ な
どのような金属酸化物を保護膜として記録媒体層上に蒸
着等の手法によＱ形成している。
保護膜として広く用いられるＳｉＯ□、 Ａｔ２０．
などにもいくつかの問題点がある。第１に、この脛の保
護膜は、金属酸化物を蒸着等によシ直接的に記録媒体層
上に形成するので、内部応力が増大しやすく、よって保
護膜形成の最初からかもしくは使用途中でクラックが発
生することが屡々である。
などにもいくつかの問題点がある。第１に、この脛の保
護膜は、金属酸化物を蒸着等によシ直接的に記録媒体層
上に形成するので、内部応力が増大しやすく、よって保
護膜形成の最初からかもしくは使用途中でクラックが発
生することが屡々である。
第２に、このような保護膜は、その下方の記録媒体層と
の密着性が良好でなく、膜の剥離を度々発住する。この
ようにクラックや膜の剥離が発生すると、記録媒体の鵜
蝕がひきおこされ、媒体の特性も自ずと低下せしめられ
る。さらに加えて、蒸Ｎ”Ｊによ多金属酸化物を形成す
る場合、その組成をコントロールするのが難かしく、所
望の酸化物を形成し得ない時が多い。したがって、現在
、組成ノコン）ｏ−ルが容易であシかつクラックや膜の
埴１１むを伴なわずに長期間にわたって使用可能である
保護膜をもった光ディスク及びその製造方法を提供する
ことが望まれている。
の密着性が良好でなく、膜の剥離を度々発住する。この
ようにクラックや膜の剥離が発生すると、記録媒体の鵜
蝕がひきおこされ、媒体の特性も自ずと低下せしめられ
る。さらに加えて、蒸Ｎ”Ｊによ多金属酸化物を形成す
る場合、その組成をコントロールするのが難かしく、所
望の酸化物を形成し得ない時が多い。したがって、現在
、組成ノコン）ｏ−ルが容易であシかつクラックや膜の
埴１１むを伴なわずに長期間にわたって使用可能である
保護膜をもった光ディスク及びその製造方法を提供する
ことが望まれている。
上記した問題点は、本発明によれば、第１に、基板なら
びにその基板上にｌ＠次影形成れた記録媒体層及び保騙
膜を含む光ディスクであって、前記記録媒体層は前記保
護膜に隣れる部分において表面的に酸化せしめられてお
り、そして前記保護膜は前記記録媒体層を構成する金属
に対してよ）も酸素に対してのほりが結合力が大である
金属の酸化物よシ形成されていることを特徴とする光デ
ィスクによって；そして第２に、基板ならびＫその基板
上に順次形成された記録媒体層及び保護膜を含む光ディ
スクを製造する方法であって、前記基板上に前記記録媒
体層を形成した後にその記録媒体層を表面的に酸化し、
この酸化せしめられた記録媒体層上に該記録媒体層を構
成する金属に対してよりも酸素に対してのほうが結合力
が大である金属を被着し、次いでこの金属被着層を熱処
理して金属酸化物よりなる保護膜を形成することを特徴
とする光ディスクの製造方法によって、解決することが
できる。
びにその基板上にｌ＠次影形成れた記録媒体層及び保騙
膜を含む光ディスクであって、前記記録媒体層は前記保
護膜に隣れる部分において表面的に酸化せしめられてお
り、そして前記保護膜は前記記録媒体層を構成する金属
に対してよ）も酸素に対してのほりが結合力が大である
金属の酸化物よシ形成されていることを特徴とする光デ
ィスクによって；そして第２に、基板ならびＫその基板
上に順次形成された記録媒体層及び保護膜を含む光ディ
スクを製造する方法であって、前記基板上に前記記録媒
体層を形成した後にその記録媒体層を表面的に酸化し、
この酸化せしめられた記録媒体層上に該記録媒体層を構
成する金属に対してよりも酸素に対してのほうが結合力
が大である金属を被着し、次いでこの金属被着層を熱処
理して金属酸化物よりなる保護膜を形成することを特徴
とする光ディスクの製造方法によって、解決することが
できる。
この本発明の光ディスク、そしてその製造方法を添付の
第１ａ図〜第１ｄ図を参照しながら順を追って説明する
と、次の通シである： 最初に、第１１Ｌ図に示されるように、ガラスやグラス
チック材料からなる基板１上に前記したような適当な金
属又は半金属の記録媒体材料を蒸着等によル付着させる
。得られる記録媒体層２の膜厚は通常的３００〜１００
０Ｘである。例えば、Ｔ。
第１ａ図〜第１ｄ図を参照しながら順を追って説明する
と、次の通シである： 最初に、第１１Ｌ図に示されるように、ガラスやグラス
チック材料からなる基板１上に前記したような適当な金
属又は半金属の記録媒体材料を蒸着等によル付着させる
。得られる記録媒体層２の膜厚は通常的３００〜１００
０Ｘである。例えば、Ｔ。
蒸着膜から記録媒体層を形成したい場合、Ｔｅを蒸発源
にして、約５Ｘ１０’Ｔｏｒｒの真空中で蒸着して基板
１上にＴｅ 薄ＭＣＭ、Ｉ！；Ｕ４００ Ｘ）を形成す
ることができる。
にして、約５Ｘ１０’Ｔｏｒｒの真空中で蒸着して基板
１上にＴｅ 薄ＭＣＭ、Ｉ！；Ｕ４００ Ｘ）を形成す
ることができる。
次いで、記録媒体層２の表面部分のみを酸化して酸化物
領域３を新たに形成する（第１ｂ図参照）。
領域３を新たに形成する（第１ｂ図参照）。
この表面酸化は、例えば、７０℃及び８５％Ｒ）Ｉ（相
対湿度）の含湿雰囲気中で記録媒体を２時間にわたって
前処理することによって有利に実施することができる。
対湿度）の含湿雰囲気中で記録媒体を２時間にわたって
前処理することによって有利に実施することができる。
酸化物領域３の記録媒体層表面からの深さは約５０〜１
００Ｘである。図面では、説明の都合上、かなシの深ざ
まで酸化物領域が形成されている（本発明の場合、記録
媒体層２の特性に変化を与えないため、ことさら深くま
で酸化物領域を形成してはならない）。この前処理は、
上述のように配化物領域を形成することのほか、先の工
程において蒸着中に蓄積された膜の歪みをとるのにも効
果的である。
００Ｘである。図面では、説明の都合上、かなシの深ざ
まで酸化物領域が形成されている（本発明の場合、記録
媒体層２の特性に変化を与えないため、ことさら深くま
で酸化物領域を形成してはならない）。この前処理は、
上述のように配化物領域を形成することのほか、先の工
程において蒸着中に蓄積された膜の歪みをとるのにも効
果的である。
酸化物領域の形成後、第１Ｃ図に示されるように、引き
続く熱処理工程において保護膜としての金属酸化物を形
成可能なかつ記録媒体層を構成する金属に対してよりも
酸素に対してのほうが結合力が大である金属、例えばＴ
ｉ、 Ｓｉ、 Ｃｒ＋ Ｎｌなどの金属の薄膜４を蒸着
等の手法によシ酸化物領域３上に被着させる（膜厚約５
０〜１００Ｘ）。ここで、金属の薄膜としてどのような
ものを選らぶかは、込ろいろなファクター、例えば所望
とする保護膜、下方の記録媒体層の金属、その他に依存
するであろう。例えば、Ｔｅ記録媒体層上にＴｉ薄膜を
形成したい場合（この組み合わせは非常に好ましい）、
ＴＩを蒸発源にして、約３ Ｘ １０＝Ｔｏｒｒの真空
中で蒸着してＴｅ記録媒体層２の酸化物領域３上にＴｉ
薄膜（膜厚１００Ｘ）を形成することができる。
続く熱処理工程において保護膜としての金属酸化物を形
成可能なかつ記録媒体層を構成する金属に対してよりも
酸素に対してのほうが結合力が大である金属、例えばＴ
ｉ、 Ｓｉ、 Ｃｒ＋ Ｎｌなどの金属の薄膜４を蒸着
等の手法によシ酸化物領域３上に被着させる（膜厚約５
０〜１００Ｘ）。ここで、金属の薄膜としてどのような
ものを選らぶかは、込ろいろなファクター、例えば所望
とする保護膜、下方の記録媒体層の金属、その他に依存
するであろう。例えば、Ｔｅ記録媒体層上にＴｉ薄膜を
形成したい場合（この組み合わせは非常に好ましい）、
ＴＩを蒸発源にして、約３ Ｘ １０＝Ｔｏｒｒの真空
中で蒸着してＴｅ記録媒体層２の酸化物領域３上にＴｉ
薄膜（膜厚１００Ｘ）を形成することができる。
保霞膜形成のための金属薄膜を形成した後、第１ｄ図に
示されるように、金属被着層４を熱処理してその金属の
酸化物からなる保護膜５を形成する。この熱処理は、例
えば、７０℃の温度で約２４時間にわたって加熱するこ
とによシ有利に実施することができる。この熱処理の結
果として、金属被着層４の金属がその下方の酸化物領域
３から酸素を得て安定な金属酸化物となシ、よって、保
護膜５を形成する。この保護膜５は、従来のように金属
酸化物を直接的に形成して得たものではないので、著し
く緩和された内部応力を有し、よって、記録媒体層との
密着性が向上し、クラックも発生しなり０さらに、記録
媒体層の酸化物領域は表面部分のみに限定されているの
で、すべての記録媒体層が酸化されているのと異なって
媒体の記録特性に影響がでるようなこともない。
示されるように、金属被着層４を熱処理してその金属の
酸化物からなる保護膜５を形成する。この熱処理は、例
えば、７０℃の温度で約２４時間にわたって加熱するこ
とによシ有利に実施することができる。この熱処理の結
果として、金属被着層４の金属がその下方の酸化物領域
３から酸素を得て安定な金属酸化物となシ、よって、保
護膜５を形成する。この保護膜５は、従来のように金属
酸化物を直接的に形成して得たものではないので、著し
く緩和された内部応力を有し、よって、記録媒体層との
密着性が向上し、クラックも発生しなり０さらに、記録
媒体層の酸化物領域は表面部分のみに限定されているの
で、すべての記録媒体層が酸化されているのと異なって
媒体の記録特性に影響がでるようなこともない。
次に、下記の実施例により本発明をさらに詳しく説明す
る。
る。
例１：
直径３００ＩＩＩ及び膜厚１．５ ｘｖｉのポリメチル
メタクリレート基板上にＴｅを膜厚１０００Ｘで蒸着し
た。この蒸着のため、蒸発源としてＴｏを使用して、５
ｘｌｏ Ｔｏｒｒの真空を適用した。次いで、これを
７０℃及び８５％ＲＨの含湿芥囲気中で２時間にわたっ
て前処理したところ、先に形成したＴｅ蒸着膜の表面部
分が深さ１００Ｘにわたって酸化された。次いで、形成
されたＴｅＯｘ層上Ｋ層上全Ｔ１１００Ｘで蒸着し六〇
この蒸着のため、蒸発源としてＴｌを使用して、３ Ｘ
１０−’Ｔｏｒｒの真空を適用した。引き続いて、形
成されたＴＩ蒸着膜を７０℃の温度でほぼ一日中熱処理
した。この熱処理の結果、Ｔ１蒸着膜のＴ１が下方のＴ
ｅＯｘ層から酸素をとシ入れて安定なＴｅＯｘとな）、
保護膜を形成した。この保護膜は外気に対して安定であ
シかつ下方の記録媒体層との密着性も良好であ勺、長期
間の使用にも記録媒体層の透過率の変化を惹起しなかっ
た。
メタクリレート基板上にＴｅを膜厚１０００Ｘで蒸着し
た。この蒸着のため、蒸発源としてＴｏを使用して、５
ｘｌｏ Ｔｏｒｒの真空を適用した。次いで、これを
７０℃及び８５％ＲＨの含湿芥囲気中で２時間にわたっ
て前処理したところ、先に形成したＴｅ蒸着膜の表面部
分が深さ１００Ｘにわたって酸化された。次いで、形成
されたＴｅＯｘ層上Ｋ層上全Ｔ１１００Ｘで蒸着し六〇
この蒸着のため、蒸発源としてＴｌを使用して、３ Ｘ
１０−’Ｔｏｒｒの真空を適用した。引き続いて、形
成されたＴＩ蒸着膜を７０℃の温度でほぼ一日中熱処理
した。この熱処理の結果、Ｔ１蒸着膜のＴ１が下方のＴ
ｅＯｘ層から酸素をとシ入れて安定なＴｅＯｘとな）、
保護膜を形成した。この保護膜は外気に対して安定であ
シかつ下方の記録媒体層との密着性も良好であ勺、長期
間の使用にも記録媒体層の透過率の変化を惹起しなかっ
た。
次いで、上記のようにして得られた光ディスクを７０℃
及び８５％ＲＨの加速試験に供して光透過率の変化、す
なわち、初期透過率からの変化（Ｔｏ −Ｔ／Ｔｏ ）
を評価した。第２図のカーブエに示されるように、光デ
ィスクの光透過率には７日間にわたって認め得る程度の
変化が不存在であった。このことは、本発明の場合、保
護膜がすぐれて安定であるので、その下方の記録媒体層
の腐食が防止されたことを示している。
及び８５％ＲＨの加速試験に供して光透過率の変化、す
なわち、初期透過率からの変化（Ｔｏ −Ｔ／Ｔｏ ）
を評価した。第２図のカーブエに示されるように、光デ
ィスクの光透過率には７日間にわたって認め得る程度の
変化が不存在であった。このことは、本発明の場合、保
護膜がすぐれて安定であるので、その下方の記録媒体層
の腐食が防止されたことを示している。
比較のため、ＴｉＯｘ層に代えて５１０２ＮＪ（膜厚３
００Ｘ）を真空蒸着によ多形成した違いを除いてＢＷ記
例１に記載の手法を繰シ返した。この場合、第２図のカ
ーブ■に示されるように放置時間が長くなればなるほど
光透過率が変化した。さらに、Ｔｉ０ｘＪＦを省略して
前記例１に記載の手法を繰）返したところ、第２図のカ
ーブ■に示されるように、１日の放置で早くも光透過率
の著しい変化が発生した。このような保護膜なしの光デ
ィスクは事実上実用不可能であった。
００Ｘ）を真空蒸着によ多形成した違いを除いてＢＷ記
例１に記載の手法を繰シ返した。この場合、第２図のカ
ーブ■に示されるように放置時間が長くなればなるほど
光透過率が変化した。さらに、Ｔｉ０ｘＪＦを省略して
前記例１に記載の手法を繰）返したところ、第２図のカ
ーブ■に示されるように、１日の放置で早くも光透過率
の著しい変化が発生した。このような保護膜なしの光デ
ィスクは事実上実用不可能であった。
本発明によれば、内部応力の少ない、情報を蓄積する記
録媒体層との密着性のよい安定な保護膜を形成すること
ができるので、光ディスクの長寿分化を期待することが
できる。さらに、本発明によれば、保護膜の組成を正確
かつ容易にコントロールすることができる。
録媒体層との密着性のよい安定な保護膜を形成すること
ができるので、光ディスクの長寿分化を期待することが
できる。さらに、本発明によれば、保護膜の組成を正確
かつ容易にコントロールすることができる。
第１ａ図〜第１ｄ図は、本発明による光ディスクの製造
方法を順を追って示した断面図、そして第２図は、光デ
ィスクの放置時間と光透過率の変化との関係を示したグ
ラフである。 図中、ｌは光デイスク基板、２は記録媒体層、３は酸化
物領域、４は保護膜形成用金属被着層、そし′ｔ７５は
保護膜である。
方法を順を追って示した断面図、そして第２図は、光デ
ィスクの放置時間と光透過率の変化との関係を示したグ
ラフである。 図中、ｌは光デイスク基板、２は記録媒体層、３は酸化
物領域、４は保護膜形成用金属被着層、そし′ｔ７５は
保護膜である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板ならびにその基板上に順次形成された記録媒体
層及び保護膜を含む光ディスクであって、前記記録媒体
層は前記保護膜に隣れる部分において表面的に酸化せし
められており、そして前記保護膜は前記記録媒体層を構
成する金属に対してよりも酸素に対してのほうが結合力
が大である金属の酸化物より形成されていることを特徴
とする光ディスク。 ２、基板ならびにその基板上に順次形成された記録媒体
層及び保護膜を含む光ディスクを製造する方法であって
、前記基板上に前記記録媒体層を形成した後にその記録
媒体層を表面的に酸化し、この酸化せしめられた記録媒
体層上に該記録媒体層を構成する金属に対してよりも酸
素に対してのほうが結合力が大である金属を被着し、次
いでこの金属被着層を熱処理して金属酸化物よりなる保
護膜を形成することを特徴とする光ディスクの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59180628A JPS6159643A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 保護膜を有する光デイスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59180628A JPS6159643A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 保護膜を有する光デイスク及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159643A true JPS6159643A (ja) | 1986-03-27 |
| JPH0580057B2 JPH0580057B2 (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=16086521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59180628A Granted JPS6159643A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 保護膜を有する光デイスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6159643A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58161161A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-24 | Hitachi Ltd | 記録用部材 |
| JPS58175153A (ja) * | 1982-04-08 | 1983-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録再生円盤 |
| JPS58203094A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記録用媒体 |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP59180628A patent/JPS6159643A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58161161A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-24 | Hitachi Ltd | 記録用部材 |
| JPS58175153A (ja) * | 1982-04-08 | 1983-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録再生円盤 |
| JPS58203094A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記録用媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0580057B2 (ja) | 1993-11-05 |
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