JP2632671B2 - 光デイスクの製造方法 - Google Patents
光デイスクの製造方法Info
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- JP2632671B2 JP2632671B2 JP14795886A JP14795886A JP2632671B2 JP 2632671 B2 JP2632671 B2 JP 2632671B2 JP 14795886 A JP14795886 A JP 14795886A JP 14795886 A JP14795886 A JP 14795886A JP 2632671 B2 JP2632671 B2 JP 2632671B2
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、耐候性の低い記録媒体を持つ光ディス
ク、例えば、光磁気ディスクや追記型光ディスク等に主
として適用される光ディスクの製造方法に関する。
ク、例えば、光磁気ディスクや追記型光ディスク等に主
として適用される光ディスクの製造方法に関する。
［従来の技術］ 上記の光ディスクにおいては、記録感度の向上、耐候
性の向上を目指し、保護膜（単なる保護膜、または、干
渉膜を兼ねる保護膜）を記録層上に、または、記録層の
上下に形成することが見られる。これにより、多くの場
合記録感度、耐候性が共に向上し、良好な結果が得られ
る。
性の向上を目指し、保護膜（単なる保護膜、または、干
渉膜を兼ねる保護膜）を記録層上に、または、記録層の
上下に形成することが見られる。これにより、多くの場
合記録感度、耐候性が共に向上し、良好な結果が得られ
る。
この種の一般的な光ディスクを第６図に示す。この光
ディスク１は、ディスク基板２上に下地保護層３、記録
層４、保護層５を順に形成したものである。なお、光磁
気ディスクの場合、記録層４の上側の保護層５は、多重
反射を起こして、見掛け上のカー回転角を大きくし、記
録感度を向上させる。
ディスク１は、ディスク基板２上に下地保護層３、記録
層４、保護層５を順に形成したものである。なお、光磁
気ディスクの場合、記録層４の上側の保護層５は、多重
反射を起こして、見掛け上のカー回転角を大きくし、記
録感度を向上させる。
上記の各層3,4,5は、主としてスパッタリング法、蒸
着法等により形成されるが、従来の方法は、第４図、第
５図に示すように、ディスク基板２の内周近傍を覆うリ
ング状の内周側マスク６と、ディスク基板２の外周近傍
を覆う同じくリング状の外周側マスク７とによりディス
ク基板２を覆い、これを真空層内でつり下げて支持し、
例えばスパッタリング法の場合は、ターゲット８から飛
び出させた原子または分子を露出部分にたい積させるも
のであった。なお、第６図に示した３層薄膜構造の場合
は、ターゲットを順次変えて各層を形成する。また、通
常ディスク基板２を自転ならびに公転させて、均一な成
膜が行なわれるようにする。
着法等により形成されるが、従来の方法は、第４図、第
５図に示すように、ディスク基板２の内周近傍を覆うリ
ング状の内周側マスク６と、ディスク基板２の外周近傍
を覆う同じくリング状の外周側マスク７とによりディス
ク基板２を覆い、これを真空層内でつり下げて支持し、
例えばスパッタリング法の場合は、ターゲット８から飛
び出させた原子または分子を露出部分にたい積させるも
のであった。なお、第６図に示した３層薄膜構造の場合
は、ターゲットを順次変えて各層を形成する。また、通
常ディスク基板２を自転ならびに公転させて、均一な成
膜が行なわれるようにする。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記のごとく、内径および外径が定まった単なるリン
グ状のマスク6,7による従来の成膜方法では、第６図に
示したごとく、記録層４、および、保護層3,5がいずれ
も同じ面積でたい積され、成膜後は、記録層４の内周
端、および、外周端がが露出し、大気にさらされる。し
たがって、そのさらされた部分から記録層４の腐食や劣
化が始まるという問題があった。
グ状のマスク6,7による従来の成膜方法では、第６図に
示したごとく、記録層４、および、保護層3,5がいずれ
も同じ面積でたい積され、成膜後は、記録層４の内周
端、および、外周端がが露出し、大気にさらされる。し
たがって、そのさらされた部分から記録層４の腐食や劣
化が始まるという問題があった。
なお、保護層3,5の面積を記録層４より広くし、記録
層４の内外周端をも保護層3,5により完全に覆って耐候
性を向上させることが考えられるが、そうするために
は、上記従来の単なるリング状のマスク6,7では、一た
ん真空を解除して、マスクを取り替えなければならない
上、ディスク基板の中心は変えてはならないので、マス
ク取り替えの操作が極めて繁雑である。また、成膜工程
中に真空を解除すると、記録媒体材料が酸化されるの
で、この点でも問題もある。
層４の内外周端をも保護層3,5により完全に覆って耐候
性を向上させることが考えられるが、そうするために
は、上記従来の単なるリング状のマスク6,7では、一た
ん真空を解除して、マスクを取り替えなければならない
上、ディスク基板の中心は変えてはならないので、マス
ク取り替えの操作が極めて繁雑である。また、成膜工程
中に真空を解除すると、記録媒体材料が酸化されるの
で、この点でも問題もある。
この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、記録層
の浸食や劣化の生じない耐候性の良好な光ディスクを容
易に製造できる光ディスクの製造方法を提供することを
目的とする。
の浸食や劣化の生じない耐候性の良好な光ディスクを容
易に製造できる光ディスクの製造方法を提供することを
目的とする。
［問題点を解決するための手段］ この発明では上記問題点を解決するために、内周部お
よび外周部の径が変化し得る可変径マスクによりディス
ク基板を覆うとともに、記録層形成時には前記可変径マ
スクの内周部および外周部を縮小し、保護層形成時には
前記可変径マスクの内周部および外周部を拡大して、記
録層より広い保護層を形成することとした。
よび外周部の径が変化し得る可変径マスクによりディス
ク基板を覆うとともに、記録層形成時には前記可変径マ
スクの内周部および外周部を縮小し、保護層形成時には
前記可変径マスクの内周部および外周部を拡大して、記
録層より広い保護層を形成することとした。
［作用］ 上記方法によれば、保護層が記録層の内周端および外
周端をも覆って記録層の露出部がなくなるので、記録層
の耐候性が向上する。
周端をも覆って記録層の露出部がなくなるので、記録層
の耐候性が向上する。
また、上記の方法は、真空槽内の真空を保ったまま連
続して各層の成膜を行うことができるので、真空槽の真
空を一たん解除してマスクを取り替える等の作業は不要
であり、製造が容易である。また、成膜工程中に記録媒
体が酸化される不都合もない。
続して各層の成膜を行うことができるので、真空槽の真
空を一たん解除してマスクを取り替える等の作業は不要
であり、製造が容易である。また、成膜工程中に記録媒
体が酸化される不都合もない。
［実施例］ 以下、本発明の一実施例を第１図〜第３図を参照して
説明する。
説明する。
本発明においては、第１図、第２図に示すごとく、デ
ィスク基板２の内周部および外周部を、径が例えば1mm
程度変化し得る内周側可変径マスク10、および、外周側
可変径マスク11により覆う。これらの可変径マスク10,1
1の可変部分は、例えば、多数の羽根10a,11aを円周状に
並べて配し、カメラのシャッターのごとく、これらを同
時に出入れさせて、径を拡大し、あるいは、縮小させる
構造等が考えられる。そして、これらの羽根10a,11aの
拡縮は、真空槽の外から遠隔操作できるようにする。
ィスク基板２の内周部および外周部を、径が例えば1mm
程度変化し得る内周側可変径マスク10、および、外周側
可変径マスク11により覆う。これらの可変径マスク10,1
1の可変部分は、例えば、多数の羽根10a,11aを円周状に
並べて配し、カメラのシャッターのごとく、これらを同
時に出入れさせて、径を拡大し、あるいは、縮小させる
構造等が考えられる。そして、これらの羽根10a,11aの
拡縮は、真空槽の外から遠隔操作できるようにする。
上記の可変径マスク10,11を用いた具体的製造例を、
例えば、光磁気ディスクをスパッタリング法により製造
する場合について説明する。
例えば、光磁気ディスクをスパッタリング法により製造
する場合について説明する。
真空層内でディスク基板２を前記第１図、第２図に示
した状態でセットした後、内周側可変径マスク10の径は
縮小し、外周側可変径マスク11の径は拡大した状態とし
ておき、ディスク基板２上に下地保護層12として、スパ
ッタリングにより、Al2O3、AlN、SiO2、Si3N4、TiO2、Y
2O3等の誘電体層を形成する。
した状態でセットした後、内周側可変径マスク10の径は
縮小し、外周側可変径マスク11の径は拡大した状態とし
ておき、ディスク基板２上に下地保護層12として、スパ
ッタリングにより、Al2O3、AlN、SiO2、Si3N4、TiO2、Y
2O3等の誘電体層を形成する。
前記下地保護層12の成膜が完了した後、外部からの操
作により、内周側可変径マスク10の径は拡大し、外周側
可変径マスク11の径は縮小させる。すなわち、両マスク
10,11の間の開口面積を狭くする。この状態で、TbFe、G
dTbTe、TbFeCo等の磁性材料をスパッタリングして、下
地保護層12上に例えば1000A゜程度の記録層13を形成す
る。
作により、内周側可変径マスク10の径は拡大し、外周側
可変径マスク11の径は縮小させる。すなわち、両マスク
10,11の間の開口面積を狭くする。この状態で、TbFe、G
dTbTe、TbFeCo等の磁性材料をスパッタリングして、下
地保護層12上に例えば1000A゜程度の記録層13を形成す
る。
その後再び、内周側可変径マスク10の径を縮小し、外
周側可変径マスク11の径を拡大して、下地保護層12の成
膜時と同じ状態に戻し、記録層13上に保護層14を形成す
る。これにより、第３図に示すごとく、記録層13が内周
端、外周端をも保護層12,14に完全に覆われた３層薄膜
構造の光ディスク15が完成する。
周側可変径マスク11の径を拡大して、下地保護層12の成
膜時と同じ状態に戻し、記録層13上に保護層14を形成す
る。これにより、第３図に示すごとく、記録層13が内周
端、外周端をも保護層12,14に完全に覆われた３層薄膜
構造の光ディスク15が完成する。
上記の方法により製造した光ディスクの耐候性は充分
向上される。例えば、従来法により製造した第６図の構
造の光ディスクと、同じ材料を用いて本発明方法により
製造した第３図の構造の光ディスクとの２種について、
気温60℃、相対湿度90％の高温、高湿中で加速試験を行
ったが、1000時間後の両光ディスクを比べると、従来法
による光ディスクでは記録層の内周部、および、外周部
に明確に浸食が見られたのに対し、本発明方法による光
ディスクでは浸食は全く見られなかった。
向上される。例えば、従来法により製造した第６図の構
造の光ディスクと、同じ材料を用いて本発明方法により
製造した第３図の構造の光ディスクとの２種について、
気温60℃、相対湿度90％の高温、高湿中で加速試験を行
ったが、1000時間後の両光ディスクを比べると、従来法
による光ディスクでは記録層の内周部、および、外周部
に明確に浸食が見られたのに対し、本発明方法による光
ディスクでは浸食は全く見られなかった。
なお、実施例は３層薄膜構造であるが、これに限ら
ず、２層以上に積層された薄膜を持つ光ディスクに適用
できる。
ず、２層以上に積層された薄膜を持つ光ディスクに適用
できる。
また、成膜手段については、スパッタリング法、蒸着
法に限らず、他の方法の場合にも適用できる。
法に限らず、他の方法の場合にも適用できる。
また、上記実施例では、光磁気ディスクの製造につい
て述べたが、これに限らず、相変化型の追記型光ディス
ク等、耐候性の低い記録媒体を使用し、かつ、保護層を
設ける光ディスクの製造に適用可能である。
て述べたが、これに限らず、相変化型の追記型光ディス
ク等、耐候性の低い記録媒体を使用し、かつ、保護層を
設ける光ディスクの製造に適用可能である。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、可変径マスクを
用いてディスク基板を覆い、記録層を形成する時と保護
層を形成する時とで可変径マスクの径を変えて、保護層
を記録層より広く形成するので、記録層の内周端、外周
端をも保護層により完全に覆うことができ、記録層に浸
食、劣化の生じない耐候性に優れた光ディスクを得るこ
とができる。
用いてディスク基板を覆い、記録層を形成する時と保護
層を形成する時とで可変径マスクの径を変えて、保護層
を記録層より広く形成するので、記録層の内周端、外周
端をも保護層により完全に覆うことができ、記録層に浸
食、劣化の生じない耐候性に優れた光ディスクを得るこ
とができる。
また、本発明方法によれば、真空槽内の真空を保った
まま連続して各層の成膜を行うことができるので、真空
層の真空を一たん解除してマスクを取り替える等の繁雑
な作業は不要であり、製造が容易である。また、成膜工
程中に記録媒体が酸化される不都合もない。
まま連続して各層の成膜を行うことができるので、真空
層の真空を一たん解除してマスクを取り替える等の繁雑
な作業は不要であり、製造が容易である。また、成膜工
程中に記録媒体が酸化される不都合もない。
【図面の簡単な説明】 第１図〜第３図は本発明方法の一実施例を説明するもの
で、第１図は真空槽内にセットされたディスク基板の平
面図、第２図は同断面図、第３図は本発明方法により製
造された光ディスクの要部断面図、第４図〜第６図は従
来例を示すもので、第４図は真空槽内のディスク基板の
平面図、第５図は同断面図、第６図は従来方法により製
造された光ディスクの要部断面図である。 ２……ディスク基板、10……内周側可変径マスク、 11……外周側可変径マスク、12……下地保護層、 13……記録層、14……保護層。
で、第１図は真空槽内にセットされたディスク基板の平
面図、第２図は同断面図、第３図は本発明方法により製
造された光ディスクの要部断面図、第４図〜第６図は従
来例を示すもので、第４図は真空槽内のディスク基板の
平面図、第５図は同断面図、第６図は従来方法により製
造された光ディスクの要部断面図である。 ２……ディスク基板、10……内周側可変径マスク、 11……外周側可変径マスク、12……下地保護層、 13……記録層、14……保護層。
Claims (1)
- 【請求項１】真空槽内でディスク基板に記録層および保
護層を積層する光ディスクの製造方法において、ディス
ク基板の内周部、および、外周部を、径が変化し得る可
変径マスクにより覆うとともに、記録層形成時と保護層
形成時とで前記可変径マスクの径を変化させることによ
り、記録層より広い保護層を形成することを特徴とする
光ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14795886A JP2632671B2 (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 光デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14795886A JP2632671B2 (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 光デイスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS634441A JPS634441A (ja) | 1988-01-09 |
| JP2632671B2 true JP2632671B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=15441928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14795886A Expired - Lifetime JP2632671B2 (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 光デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2632671B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5312663A (en) * | 1991-12-27 | 1994-05-17 | Eastman Kodak Company | Optical element having durability enhancing layer |
-
1986
- 1986-06-24 JP JP14795886A patent/JP2632671B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS634441A (ja) | 1988-01-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |