JPH02285533A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH02285533A JPH02285533A JP1104576A JP10457689A JPH02285533A JP H02285533 A JPH02285533 A JP H02285533A JP 1104576 A JP1104576 A JP 1104576A JP 10457689 A JP10457689 A JP 10457689A JP H02285533 A JPH02285533 A JP H02285533A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 67
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 61
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 35
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 13
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000691 Re alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010253 TiO7 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- -1 moisture Chemical compound 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[利用分野]
本発明は、レーザ等の光により情報の記録・再生・消去
等を行う光記録媒体に関する。更に詳細には、保護層又
は/及び反射層として金属膜を有する光記録媒体に関す
る。
等を行う光記録媒体に関する。更に詳細には、保護層又
は/及び反射層として金属膜を有する光記録媒体に関す
る。
[従来技術]
光記録媒体は高密度・大容量の情報記録媒体として種々
の研究が行なわれている。特に情報の書き換え可能な光
磁気記録媒体は応用分野が広く種々の材料・システムが
発表されておりその実用化が待望されている。
の研究が行なわれている。特に情報の書き換え可能な光
磁気記録媒体は応用分野が広く種々の材料・システムが
発表されておりその実用化が待望されている。
上述の光磁気記録材料としては、例えば特開昭52−3
1703号公報記載ノTbFe、特開昭58−7374
6号公報記載のTbFeCo、 Dy[eCo等、既に
多くの提案かある。しかし、これらの光磁気記録媒体の
実用化には、記録再生特性及び耐久性のより一層の向上
が必要と言われている。
1703号公報記載ノTbFe、特開昭58−7374
6号公報記載のTbFeCo、 Dy[eCo等、既に
多くの提案かある。しかし、これらの光磁気記録媒体の
実用化には、記録再生特性及び耐久性のより一層の向上
が必要と言われている。
この解決策として、記録・再生特性向上のためには、透
明基板と記録層の間に透明な誘電体層を設ける方法、及
びまたは記録層の裏面に反射層を設ける方法等が検討さ
れている。これらは、エンハンスメン1−効果により、
見かけの磁気光学効果を高め、CN比の向−Lをはかる
というものである。
明基板と記録層の間に透明な誘電体層を設ける方法、及
びまたは記録層の裏面に反射層を設ける方法等が検討さ
れている。これらは、エンハンスメン1−効果により、
見かけの磁気光学効果を高め、CN比の向−Lをはかる
というものである。
反射層としては、現在各種の検討が行われているが再生
CN比を高めるためには、性能指数JR−θk(R:反
射率、θに:にerr回転角)を高める必要かあり、そ
のためには反射率の高いAI。
CN比を高めるためには、性能指数JR−θk(R:反
射率、θに:にerr回転角)を高める必要かあり、そ
のためには反射率の高いAI。
Cu、 Ag、 Au等を反射膜として用いるのが好ま
しいとされている。ところが、これらの材料は熱伝導率
が高いためにレーザー光で加熱してビットを記録する際
の熱の拡散が大きく、ビット形状の乱れを生じ、CN比
が低下してしまうという欠点がある。
しいとされている。ところが、これらの材料は熱伝導率
が高いためにレーザー光で加熱してビットを記録する際
の熱の拡散が大きく、ビット形状の乱れを生じ、CN比
が低下してしまうという欠点がある。
また、この金属反射層に、記録層の1に食を防止するた
めの保護層としての役割も兼ね備えさせると構成が簡単
になるが、前述の^l、 Cu、 A[+、 へLI等
は耐環境性試験によるピンホールの発生の問題があり、
また更に一層の耐久性の向」二のためそのにに有機保護
層を設けた場合にはその樹脂中に残存する塩素や酸によ
る記録層及び/または金属層自身の劣化等の問題があり
、かかる金属層のより一層の改良が必要であることかわ
かった。
めの保護層としての役割も兼ね備えさせると構成が簡単
になるが、前述の^l、 Cu、 A[+、 へLI等
は耐環境性試験によるピンホールの発生の問題があり、
また更に一層の耐久性の向」二のためそのにに有機保護
層を設けた場合にはその樹脂中に残存する塩素や酸によ
る記録層及び/または金属層自身の劣化等の問題があり
、かかる金属層のより一層の改良が必要であることかわ
かった。
[発明の目的]
本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、前記の保護
層又は/及び反射層として金属膜か設けられた光記録媒
体、中でも光磁気記録媒体の記録・再生特性及び耐久性
の一層の向上を目的とするものである。具体的には、該
金属膜の耐湿性、耐酸性を改良して媒体全体の耐久性を
向上させること、該金属膜を反射率が実用)十分で熱伝
堺性の低いものに改良することにより、記録ビット形状
を安定化すると同時に再生信号の反射光量を高めること
で記録・再生特性の向」二をはかることである。
層又は/及び反射層として金属膜か設けられた光記録媒
体、中でも光磁気記録媒体の記録・再生特性及び耐久性
の一層の向上を目的とするものである。具体的には、該
金属膜の耐湿性、耐酸性を改良して媒体全体の耐久性を
向上させること、該金属膜を反射率が実用)十分で熱伝
堺性の低いものに改良することにより、記録ビット形状
を安定化すると同時に再生信号の反射光量を高めること
で記録・再生特性の向」二をはかることである。
[発明の構成・作用]
上述の目的は、以下の本発明により達成される。
即ち、本発明は保護層又は/及び反射層として金属膜を
有する光記録媒体において、該金属膜が、^l、 Cu
、八〇、^Uからなる群から選ばれた少なくとも1種の
金属元素i4とReとの合金からなることを特徴とする
光記録媒体である。
有する光記録媒体において、該金属膜が、^l、 Cu
、八〇、^Uからなる群から選ばれた少なくとも1種の
金属元素i4とReとの合金からなることを特徴とする
光記録媒体である。
、[1述の本発明は以下のようにしてなされたものであ
る。すなわち前述の反射性能の良いAI、 Cu。
る。すなわち前述の反射性能の良いAI、 Cu。
Ag、 Auの金属膜の欠点解消を他の元素の添加に着
目し種々を検討したところ、Reの添加によりAI。
目し種々を検討したところ、Reの添加によりAI。
Cu、 AQ、^りのみからなる反射膜を用いる場合に
比べ、ビット記録時の感度、ならびにCN比が向上する
と共に媒体の耐久性も大幅に改善されることを見出し、
なされたものである。なおかかる改善は、Iteを添加
することにより、金属膜の熱伝導率か低減され、ビット
記録時の熱の拡散が抑えられるため、ビット形状の安定
化が実現されたこと並ひに膜自体の耐湿性、耐酸性が改
善されたことによるものと考えられる。
比べ、ビット記録時の感度、ならびにCN比が向上する
と共に媒体の耐久性も大幅に改善されることを見出し、
なされたものである。なおかかる改善は、Iteを添加
することにより、金属膜の熱伝導率か低減され、ビット
記録時の熱の拡散が抑えられるため、ビット形状の安定
化が実現されたこと並ひに膜自体の耐湿性、耐酸性が改
善されたことによるものと考えられる。
十述の点より本発明の金属膜は、反射性能の良い八1.
CU、 AU、 Auよりなる群より選ばれた少なく
とも1種の金属元素HとReとの合金141oo−xR
ex(×は原子%)からなるものである。この合金膜中
のRe含有量Xは、記録時の熱拡散を抑え且つ膜自身及
び媒体全体の耐久性を高める点から1.at(原子)%
以上である。そして、保護層としての耐久性向上面から
Reは多いほど好ましいか、コスト等の実用面から保護
層としては、95at%以下が好ましい。又Reが多過
ぎると反射率か低下するなめ反射層として用いる場合に
は80at%以下が好ましい。更にReが高価であるこ
とを考えるといずれの場合もReの含有量Xは、50a
t%以下が特に好ましい。
CU、 AU、 Auよりなる群より選ばれた少なく
とも1種の金属元素HとReとの合金141oo−xR
ex(×は原子%)からなるものである。この合金膜中
のRe含有量Xは、記録時の熱拡散を抑え且つ膜自身及
び媒体全体の耐久性を高める点から1.at(原子)%
以上である。そして、保護層としての耐久性向上面から
Reは多いほど好ましいか、コスト等の実用面から保護
層としては、95at%以下が好ましい。又Reが多過
ぎると反射率か低下するなめ反射層として用いる場合に
は80at%以下が好ましい。更にReが高価であるこ
とを考えるといずれの場合もReの含有量Xは、50a
t%以下が特に好ましい。
また、本発明の金属膜の特性から、光磁気記録媒体等の
透明基板と記録層との間に該金属膜を設けることにより
、特にプラスチックス基板を用いた場合の、基板から記
録層への水分、酸素、塩素等の拡散を抑え、耐酸化性、
耐透湿性の向」二を実現でき、また、中でも透明誘電体
層と記録層の間に設けることにより、誘電体層から記録
層ノ\の水分、酸素、塩素等の拡散が抑えられ、媒体全
体のml久性を向]二できる。
透明基板と記録層との間に該金属膜を設けることにより
、特にプラスチックス基板を用いた場合の、基板から記
録層への水分、酸素、塩素等の拡散を抑え、耐酸化性、
耐透湿性の向」二を実現でき、また、中でも透明誘電体
層と記録層の間に設けることにより、誘電体層から記録
層ノ\の水分、酸素、塩素等の拡散が抑えられ、媒体全
体のml久性を向]二できる。
この金属膜の膜厚は、基板側からの記録・再生の面から
50Å以下であることか必要で、特に媒体のCN比を高
めるという点から20Å以下が好ましい。一方反射層と
して用いる場合の前記金属膜の膜厚は、500人以、I
−であれば充分である。
50Å以下であることか必要で、特に媒体のCN比を高
めるという点から20Å以下が好ましい。一方反射層と
して用いる場合の前記金属膜の膜厚は、500人以、I
−であれば充分である。
ところで、前述の合金HRe よりなる金100−x
x 属膜に、更にCr、 li、 Ta、 lrの群より選
ばれた1種以上の添加元素Nを添加することにより、金
属膜の保護性能具体的には耐酸性、耐透湿性をさらに向
−トさせることができ、媒体の耐久性を一層向上させる
ことができる。その組成はこの合金膜の10(1−x
x 1oo−y Ny(x元素組成を一般式(M
Re )■は原子%)と表わしたとき、金属
元素Hの含有量Xは前述の通りである6まな、添加元素
Nの含有量yの範囲は添加量を増すことで耐久性を向上
することは可能であるか合金膜自身の反射率が低下しず
ぎないように設定する必要かあり好ましくは50at%
以下さらに好ましくは3oo1%以下である。
x 属膜に、更にCr、 li、 Ta、 lrの群より選
ばれた1種以上の添加元素Nを添加することにより、金
属膜の保護性能具体的には耐酸性、耐透湿性をさらに向
−トさせることができ、媒体の耐久性を一層向上させる
ことができる。その組成はこの合金膜の10(1−x
x 1oo−y Ny(x元素組成を一般式(M
Re )■は原子%)と表わしたとき、金属
元素Hの含有量Xは前述の通りである6まな、添加元素
Nの含有量yの範囲は添加量を増すことで耐久性を向上
することは可能であるか合金膜自身の反射率が低下しず
ぎないように設定する必要かあり好ましくは50at%
以下さらに好ましくは3oo1%以下である。
本発明における前記金属膜の製造方法としては、公知の
真空蒸着法、スパッタリング法等の物理蒸着(PVD)
法等の薄膜形成法で作られるが、高温高温耐環境性試験
で生じる剥離・亀裂を生じさせないために、界面での接
着性か大きい膜を作製することが好ましく、この為には
スパッタリング法が好ましい6 本発明の光記録媒体の記録層としては、公知のコンパク
トディスクのビット方式、光磁気記録方式、相変化記録
方式等全て適用できるが、中でも前述の問題を有する光
磁気記録方式に効果的に適用できる。かかる光磁気記録
方式の記録層としては光磁気効果により記録・再生でき
るものであれはよく、公知の膜面に垂直な方向に磁化容
易方向を有し、任意の反転磁区を作ることにより光磁気
効果に基いて情報の記録・再生が可能な磁性金属薄膜、
例えば公知の−rbFeco合金、 Gd’rbFe合
金、 NdDyFeCo合金、 NdFe合金、 Pr
Fe合金、 cere合金等が適用できるにれらは公知
の真空蒸着法、スパッタリング法等で作製できる。
真空蒸着法、スパッタリング法等の物理蒸着(PVD)
法等の薄膜形成法で作られるが、高温高温耐環境性試験
で生じる剥離・亀裂を生じさせないために、界面での接
着性か大きい膜を作製することが好ましく、この為には
スパッタリング法が好ましい6 本発明の光記録媒体の記録層としては、公知のコンパク
トディスクのビット方式、光磁気記録方式、相変化記録
方式等全て適用できるが、中でも前述の問題を有する光
磁気記録方式に効果的に適用できる。かかる光磁気記録
方式の記録層としては光磁気効果により記録・再生でき
るものであれはよく、公知の膜面に垂直な方向に磁化容
易方向を有し、任意の反転磁区を作ることにより光磁気
効果に基いて情報の記録・再生が可能な磁性金属薄膜、
例えば公知の−rbFeco合金、 Gd’rbFe合
金、 NdDyFeCo合金、 NdFe合金、 Pr
Fe合金、 cere合金等が適用できるにれらは公知
の真空蒸着法、スパッタリング法等で作製できる。
本発明の光記録媒体の透明基板としてはポリ力−ボネー
1〜樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂4−メチル−ペ
ンテン樹脂などまたそれらの共重合体による合成樹脂基
板またはガラス基板などが適用できるが、機械強度、耐
候性、耐熱性、透湿性、コストの点でポリカーボネート
樹脂基板が好ましい。
1〜樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂4−メチル−ペ
ンテン樹脂などまたそれらの共重合体による合成樹脂基
板またはガラス基板などが適用できるが、機械強度、耐
候性、耐熱性、透湿性、コストの点でポリカーボネート
樹脂基板が好ましい。
本発明の光記録媒体において干渉によるエンハンス効果
を得るため記録層と基板との間に設ける透明誘電体層及
び/または、記録層の基板と反対側に設Glる透明誘電
体層としては、外界から記録層への酸素、水分、塩素等
の侵入を防ぐため、亀裂・ピンホールの少ない物質が好
ましく AlNHgF2. ZnS 、Cer3AIF
33NaF、 Si N、 、 Sho 。
を得るため記録層と基板との間に設ける透明誘電体層及
び/または、記録層の基板と反対側に設Glる透明誘電
体層としては、外界から記録層への酸素、水分、塩素等
の侵入を防ぐため、亀裂・ピンホールの少ない物質が好
ましく AlNHgF2. ZnS 、Cer3AIF
33NaF、 Si N、 、 Sho 。
5iOz 、TiO7、7r 03 、 In
03 、SnO□ 、 八I 03 。
03 、SnO□ 、 八I 03 。
la O5,Bi 03などの窒化物、弗化物、酸化物
硫化物、またはこれらの複合体などが適用できる。
硫化物、またはこれらの複合体などが適用できる。
これらは公知の真空蒸着法、スパッタリング法等で作製
できる。
できる。
」−述の本発明の作用効果は以下の通りである。
透明基板上に、保護層又は/及び反射層として金属膜を
有する光記録媒体において、前述の通り金属層として代
表的な公知のAI、 Cu、八g、 Au等の金属もし
くはこれらの合金を用いてディスクを構成した場合、こ
れらの材料は熱伝導率か大きいために、レーザー光で加
熱してビットを記録する際に、加熱部分から前記金属層
への熱の拡散が大きく、記録ビット形状が乱れ、CN比
も低下してしまう。 これに対して本発明による、AI
、 Cu、^9^1の群から選ばれた少なくとも1種の
金属元素とRe金属との合金膜を用いた光記録媒体では
後述の実施例の通り記録ビット形状の乱れかなく、CN
比も向上できる。これは、該合金膜の熱伝導率が小さい
ために、レーサー光による加熱部分からの熱拡散が少な
く、ビット形状か安定化されたためであると考えられる
。
有する光記録媒体において、前述の通り金属層として代
表的な公知のAI、 Cu、八g、 Au等の金属もし
くはこれらの合金を用いてディスクを構成した場合、こ
れらの材料は熱伝導率か大きいために、レーザー光で加
熱してビットを記録する際に、加熱部分から前記金属層
への熱の拡散が大きく、記録ビット形状が乱れ、CN比
も低下してしまう。 これに対して本発明による、AI
、 Cu、^9^1の群から選ばれた少なくとも1種の
金属元素とRe金属との合金膜を用いた光記録媒体では
後述の実施例の通り記録ビット形状の乱れかなく、CN
比も向上できる。これは、該合金膜の熱伝導率が小さい
ために、レーサー光による加熱部分からの熱拡散が少な
く、ビット形状か安定化されたためであると考えられる
。
また、前記Reの合金膜を用いた光記録媒体は、AI、
Cu、 Aq、 Au等の金属もしくはこれらの合金
のみからなる金属膜を用いた場合に比べ、後述の実施例
の通り高温高湿雰囲気下での加速劣化試験における耐久
性が大幅に向−Lするにれは、Re金属を添加すること
により、膜自身の耐酸性、耐透湿性が向上したためと考
えられる。この効果は、通常の環境下での長期安定性に
対し特に有効となる。
Cu、 Aq、 Au等の金属もしくはこれらの合金
のみからなる金属膜を用いた場合に比べ、後述の実施例
の通り高温高湿雰囲気下での加速劣化試験における耐久
性が大幅に向−Lするにれは、Re金属を添加すること
により、膜自身の耐酸性、耐透湿性が向上したためと考
えられる。この効果は、通常の環境下での長期安定性に
対し特に有効となる。
この点は後述の実施例で本発明のReの合金膜を用いた
ディスクでは、光磁気記録層の酸化等によるピンポール
の発生は全く見られなかったことからも首肯できる。
ディスクでは、光磁気記録層の酸化等によるピンポール
の発生は全く見られなかったことからも首肯できる。
また、本発明のReの合金膜を、基板と光記録層との間
に設けることにより、基板及び/または透明誘電体層か
らの酸素・塩素・水分等、劣化をひき起こす因子が記録
層に侵入するのを防止することができる。
に設けることにより、基板及び/または透明誘電体層か
らの酸素・塩素・水分等、劣化をひき起こす因子が記録
層に侵入するのを防止することができる。
更に、本発明の前述のReの合金膜に、Cr、 TTa
2:rの群より選ばれた1種以上の元素を添加する
ことにより、媒体の耐久性を一層向上させることかでき
る。
2:rの群より選ばれた1種以上の元素を添加する
ことにより、媒体の耐久性を一層向上させることかでき
る。
以上の通り、本発明は保護層又は/及び反射層として金
属膜を有する光記録媒体において、該金属層か、AI、
Cu、 Aq、 Auからなる群から選ばれた】1 少なくとも1種の金属元素とlleとの合金膜であるこ
と、さらにはこの合金膜に更にCr、 Ti、 Ta、
7rの群より選ばれた1種以トの金属を添加した合金
膜であること特徴とし、高記録感度、高CN比を有し、
且つ耐環境性に優れた光記録媒体を実現したものであり
、工業十人きな寄与をなすものである。
属膜を有する光記録媒体において、該金属層か、AI、
Cu、 Aq、 Auからなる群から選ばれた】1 少なくとも1種の金属元素とlleとの合金膜であるこ
と、さらにはこの合金膜に更にCr、 Ti、 Ta、
7rの群より選ばれた1種以トの金属を添加した合金
膜であること特徴とし、高記録感度、高CN比を有し、
且つ耐環境性に優れた光記録媒体を実現したものであり
、工業十人きな寄与をなすものである。
以下、本発明を光磁気記録媒体に適用した実施例を説明
する。なお、本発明はかかる実施例に限定されるもので
はない。
する。なお、本発明はかかる実施例に限定されるもので
はない。
[実施例1〜8]
以下のようにして第1図に示す構成の光磁気記録媒体を
作成し評価した。
作成し評価した。
直径130+nm、厚さ1.2mmの円盤で、1.6μ
mピッチのグループを有するポリカーボネート樹脂(P
C)のディスク基板1を、3ターゲツトの高周波マグネ
トロンスパッタ装置(アネルバ■製、5PF−4301
1型)の真空層内に固定し、4 x 10−7 Tor
r以下になるまで排気する。なお、膜形成においては基
板1は15rpmで基板中心点口りに回転させた。
mピッチのグループを有するポリカーボネート樹脂(P
C)のディスク基板1を、3ターゲツトの高周波マグネ
トロンスパッタ装置(アネルバ■製、5PF−4301
1型)の真空層内に固定し、4 x 10−7 Tor
r以下になるまで排気する。なお、膜形成においては基
板1は15rpmで基板中心点口りに回転させた。
次に、Ar/Nz混合カス(N2含有量: 30Vo
1%)を真空槽内に導入し、圧力51TOrrになるよ
うに^r/N2混合カスの流量を調整した6ターゲツI
・とじては、直径100+nm、厚さ5 mmで、Al
5oS!so (添数字は組成(原子%)を示す)の焼
結体からなる円盤を用い、放電電力100W、放電周波
数13.56112の放電条件で高周波スパッタリング
を行い、誘電体層2としてAl5iNを約800人堆積
した。
1%)を真空槽内に導入し、圧力51TOrrになるよ
うに^r/N2混合カスの流量を調整した6ターゲツI
・とじては、直径100+nm、厚さ5 mmで、Al
5oS!so (添数字は組成(原子%)を示す)の焼
結体からなる円盤を用い、放電電力100W、放電周波
数13.56112の放電条件で高周波スパッタリング
を行い、誘電体層2としてAl5iNを約800人堆積
した。
続いて前面保護層3として、ターゲットを、A1の円盤
−にに、表1の各サンプルの金属膜に対応してRe
Cr Ti、 Ta、 Zrの各チップ(−5X 5
X 1 mmt)を適宜配置したものに変え、肘カス
(5N)を真空槽内に導入し、前述と同じ放電条件で前
面保護層3の金属膜を約15A堆積した。膜組成は、表
1の実施例1〜8の各サンプルの金属膜組成の棚に示し
た値となるようチップの数を調整した。
−にに、表1の各サンプルの金属膜に対応してRe
Cr Ti、 Ta、 Zrの各チップ(−5X 5
X 1 mmt)を適宜配置したものに変え、肘カス
(5N)を真空槽内に導入し、前述と同じ放電条件で前
面保護層3の金属膜を約15A堆積した。膜組成は、表
1の実施例1〜8の各サンプルの金属膜組成の棚に示し
た値となるようチップの数を調整した。
次に、光磁気記録層4として、ターゲットを1b23[
O6゜CO8合金(添数字は組成(原子%)を示す)の
円盤に変え、前述の前面保護層3と同じスバッタ条件で
TbFeCo合金膜を約400人堆積した。
O6゜CO8合金(添数字は組成(原子%)を示す)の
円盤に変え、前述の前面保護層3と同じスバッタ条件で
TbFeCo合金膜を約400人堆積した。
続いて保護層を兼ねた反射層5としてターゲットを前述
の前面保護層3のターゲットすなわちへの円盤−ヒに表
1の金属膜に対応してRe、 Cr、 ’ITa、 l
rの各チップを配置したものに戻し、前面保護層3と同
じスパッタ条件で前面保護層3と同じ金属膜を約500
人堆積した。
の前面保護層3のターゲットすなわちへの円盤−ヒに表
1の金属膜に対応してRe、 Cr、 ’ITa、 l
rの各チップを配置したものに戻し、前面保護層3と同
じスパッタ条件で前面保護層3と同じ金属膜を約500
人堆積した。
以上の手順で積層構成が第1図に示すところの、PC/
八1へiN /前面保護層/ TbFeCo/反射層で
、前面保護層3及び反射層5か表1の金属)摸からなる
光磁気記録ディスクの各サンプルを得た。
八1へiN /前面保護層/ TbFeCo/反射層で
、前面保護層3及び反射層5か表1の金属)摸からなる
光磁気記録ディスクの各サンプルを得た。
この各サンプルのCN比(Carrier to no
iseratio ) 、及び記録感度の測定には、光
磁気記録再生装置(ナカミチ083−1000Type
nI )を用い、1800rpnでディスクを回転させ
、2.0MHzの信号を半導体レーサーで記録したのち
、0.8+IIWの半導体レーザー光で再生を行った。
iseratio ) 、及び記録感度の測定には、光
磁気記録再生装置(ナカミチ083−1000Type
nI )を用い、1800rpnでディスクを回転させ
、2.0MHzの信号を半導体レーサーで記録したのち
、0.8+IIWの半導体レーザー光で再生を行った。
記録・消去時の印加磁界は500エルステツドである6
記録時の最適レーザーパワーは、再生信号の1次高調波
と2次高調波との差か最大となる値とし、これをもって
各−リーンプルの記録感度の比較を行った。測定結果を
表1の実施例1〜8に示す。
記録時の最適レーザーパワーは、再生信号の1次高調波
と2次高調波との差か最大となる値とし、これをもって
各−リーンプルの記録感度の比較を行った。測定結果を
表1の実施例1〜8に示す。
又各サンプルの表面を目視により観察したところ、ピン
ホールは観察されなかった。次にこの各サンプルを加速
劣化テスト具体的には80℃85%RHの高温高湿下に
500時間放置した。そしてテスト後のCN比、記録感
度を測定した。結果を表1の実施例1〜8に示す。
ホールは観察されなかった。次にこの各サンプルを加速
劣化テスト具体的には80℃85%RHの高温高湿下に
500時間放置した。そしてテスト後のCN比、記録感
度を測定した。結果を表1の実施例1〜8に示す。
また加速劣化テスト後の各サンプルの表面もピンポール
の発生は全く見られなかった。
の発生は全く見られなかった。
[実施例9〜16]
実施例1〜8と全く同じようにしてその前面保護層3及
び反射層5を表1の実施例9〜16に示す組成の金属膜
とする以外は全く同じ構成の第1図に示すPC/八1へ
iN /前面保護層/ Tt]FeCo/反射層からな
る光磁気ディスクの各サンプルを作成し、評価した。
び反射層5を表1の実施例9〜16に示す組成の金属膜
とする以外は全く同じ構成の第1図に示すPC/八1へ
iN /前面保護層/ Tt]FeCo/反射層からな
る光磁気ディスクの各サンプルを作成し、評価した。
なお、前面保護層3.及び反射層5もターゲットを八〇
の円盤上に表1の実施例9〜16の各組成に対応するR
e、 Cr、 Ti、 Ia、 Zrの各チップを配置
したものを用いる以外は実施例1〜8と全く同じ条件及
び同じ厚さで各金属膜を堆積しな。得られた各サンプル
の加速劣化テスト並びにその前後のCN比、及び記録感
度の測定も実施例1〜8と同じようにして行なった。結
果を表1の実施例9〜16に示す。また各サンプルの表
面を観察したところ、実施例1〜8と同様加速劣化テス
1〜の前後共にピンホールは観察されなかった。
の円盤上に表1の実施例9〜16の各組成に対応するR
e、 Cr、 Ti、 Ia、 Zrの各チップを配置
したものを用いる以外は実施例1〜8と全く同じ条件及
び同じ厚さで各金属膜を堆積しな。得られた各サンプル
の加速劣化テスト並びにその前後のCN比、及び記録感
度の測定も実施例1〜8と同じようにして行なった。結
果を表1の実施例9〜16に示す。また各サンプルの表
面を観察したところ、実施例1〜8と同様加速劣化テス
1〜の前後共にピンホールは観察されなかった。
[比較例1,2]
実施例1〜8と全く同じようにしてその前面保護層3及
び反射層5を表1の比較例1,2に示ず組成の金属膜と
する以外は全く同じ構成の第1図に示すPC/Al5i
N /前面保護層/Tb1eCO/反射層からなる光磁
気ディスクの各サンプルを作成し、評価した。
び反射層5を表1の比較例1,2に示ず組成の金属膜と
する以外は全く同じ構成の第1図に示すPC/Al5i
N /前面保護層/Tb1eCO/反射層からなる光磁
気ディスクの各サンプルを作成し、評価した。
なお、前面保護層3.及び反射層5もターゲットに八l
、Agの各円盤ターゲラ1〜を用いる以外は実施例1〜
8と全く同じ条件及び同じ厚さで各金属膜を堆積した。
、Agの各円盤ターゲラ1〜を用いる以外は実施例1〜
8と全く同じ条件及び同じ厚さで各金属膜を堆積した。
この各サンプルのCN比、及び記録感度を実施例1〜8
と同じ条件で測定した。結果を表1の比較例1,2に示
す。
と同じ条件で測定した。結果を表1の比較例1,2に示
す。
又各ザンプルの表面を観察したところ、ピンポール等の
欠陥は見られなかった。次にこの各サンプルに実施例1
〜8と同じ加速劣化テストをしたところ、サンプルの前
面にわたって腐食か発生しており、CN比、記録感度の
測定はできなかった。
欠陥は見られなかった。次にこの各サンプルに実施例1
〜8と同じ加速劣化テストをしたところ、サンプルの前
面にわたって腐食か発生しており、CN比、記録感度の
測定はできなかった。
「
喝
表 1
[実施例77〜24コ
実施例1〜8と全く同じようにしてその前面保護層3及
び反射層5を表2の実施例17〜24に示す組成の金属
膜とする以外は全く同じ構成の第1図に示ずPC/^1
siN /前面保護層/’1bFecO/反射層からな
る光磁気ディスクの各サンプルを作成し、評価しな。
び反射層5を表2の実施例17〜24に示す組成の金属
膜とする以外は全く同じ構成の第1図に示ずPC/^1
siN /前面保護層/’1bFecO/反射層からな
る光磁気ディスクの各サンプルを作成し、評価しな。
なお、前面保護層3.及び反射層5もターゲットをCu
の円盤−■二に表2の実施例17〜24の各組成に対応
するRe、 Cr、 Ti、 la、 Zrの各チップ
を配置したものを用いる以外は実施例1〜8と全く同じ
条件及び同じ厚さで各金属膜を堆積しな。得られた各サ
ンプルの加速劣化テスト並びにその前後のCN比、及び
記録感度の測定も実施例1〜8と同じようにして行なっ
た。結果を表2の実施例17〜24に示ず。また各サン
プルの表面を観察したところ、実施例1〜8と同様加速
劣化テストの前後共にピンポールは観察されなかった。
の円盤−■二に表2の実施例17〜24の各組成に対応
するRe、 Cr、 Ti、 la、 Zrの各チップ
を配置したものを用いる以外は実施例1〜8と全く同じ
条件及び同じ厚さで各金属膜を堆積しな。得られた各サ
ンプルの加速劣化テスト並びにその前後のCN比、及び
記録感度の測定も実施例1〜8と同じようにして行なっ
た。結果を表2の実施例17〜24に示ず。また各サン
プルの表面を観察したところ、実施例1〜8と同様加速
劣化テストの前後共にピンポールは観察されなかった。
[実施例25〜32]
実施例1〜8と全く同じようにしてその前面保護層3及
び反射層5を表2の比較例25〜32に示す組成の金属
膜とする以外は全く同じ構成の第1図に示すPC/八1
へiN /前面保護層/ TbFeCo/反射層からな
る光磁気ディスクの各サンプルを作成し、評価した。
び反射層5を表2の比較例25〜32に示す組成の金属
膜とする以外は全く同じ構成の第1図に示すPC/八1
へiN /前面保護層/ TbFeCo/反射層からな
る光磁気ディスクの各サンプルを作成し、評価した。
なお、前面保護層3.及び反射層5もターゲットにAu
の各円盤に表2の実施例25〜32の各組成に対応する
Re、 Cr、 Ti、 ia、 Zrの各チップを配
置したものを用いる以外は実施例1〜8と全く同じ条件
及び同じ厚さで各金属膜を堆積した。得られた各サンプ
ルの加速劣化テスト並びにその前後のCN比、及び記録
感度の測定も実施例1〜8と同じようにして行なった。
の各円盤に表2の実施例25〜32の各組成に対応する
Re、 Cr、 Ti、 ia、 Zrの各チップを配
置したものを用いる以外は実施例1〜8と全く同じ条件
及び同じ厚さで各金属膜を堆積した。得られた各サンプ
ルの加速劣化テスト並びにその前後のCN比、及び記録
感度の測定も実施例1〜8と同じようにして行なった。
結果を表2の実施例25〜32に示す。また各サンプル
の表面を観察したところ、実施例1〜8と同様加速劣化
テストの前後共にピンポールは観察されなかった。
の表面を観察したところ、実施例1〜8と同様加速劣化
テストの前後共にピンポールは観察されなかった。
1つ
[比較例3,4]
実施例1〜8と全く同じようにしてその前面保護層3及
び反射層5を表2の比較例3.4に示す組成の金属膜と
する以外は全く同じ構成の第1図に示すPC/Al5i
N /前面保護層/Tbl’eCo/反射層からなる光
磁気ディスクの各サンプルを作成し、評価しな。
び反射層5を表2の比較例3.4に示す組成の金属膜と
する以外は全く同じ構成の第1図に示すPC/Al5i
N /前面保護層/Tbl’eCo/反射層からなる光
磁気ディスクの各サンプルを作成し、評価しな。
なお、前面保護層3.及び反射層5もターゲットにCu
、^Uの各円盤ターゲットを用いる以外は実施例1〜8
と全く同じ条件及び同じ厚さで各金属膜を堆積した。
、^Uの各円盤ターゲットを用いる以外は実施例1〜8
と全く同じ条件及び同じ厚さで各金属膜を堆積した。
この各サンプルのCN比、及び記録感度を実施例1〜8
と同じ条件で測定しな。結果を表2の比較例3,4に示
す。
と同じ条件で測定しな。結果を表2の比較例3,4に示
す。
又各ザンプルの表面を観察したところ、ピンホール等の
欠陥は見られなかった。次にこの各サンプルに実施例1
〜8と同じ加速劣化テストをしたところ、サンプルの前
面にわたって腐食が発生しており、CN比、記録感度の
測定はできなかった6以上の結果から、本発明の八t、
Cu、 Ag、 八uの群から選ばれた金属元素と金
属Reとの合金膜からなる金属膜を保護層又は/及び反
射層とした光記録媒体は、Reを含有しない金属膜に比
べ、媒体のCN比、記録感度、耐久性の向上か可能であ
ることかわかった。更にReに加え、Cr、 Ti、
Ta、 2rの群より選ばれた1種以上の元素を添加す
ることにより、耐久性をさらに向」−できることがわが
っな。
欠陥は見られなかった。次にこの各サンプルに実施例1
〜8と同じ加速劣化テストをしたところ、サンプルの前
面にわたって腐食が発生しており、CN比、記録感度の
測定はできなかった6以上の結果から、本発明の八t、
Cu、 Ag、 八uの群から選ばれた金属元素と金
属Reとの合金膜からなる金属膜を保護層又は/及び反
射層とした光記録媒体は、Reを含有しない金属膜に比
べ、媒体のCN比、記録感度、耐久性の向上か可能であ
ることかわかった。更にReに加え、Cr、 Ti、
Ta、 2rの群より選ばれた1種以上の元素を添加す
ることにより、耐久性をさらに向」−できることがわが
っな。
第1図は実施例の光磁気ディスクの積層構成の説明図で
ある。 に基板、2:誘電体層、3:前面保護層4:光磁気記録
層、5:反射層
ある。 に基板、2:誘電体層、3:前面保護層4:光磁気記録
層、5:反射層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、保護層又は/及び反射層として金属膜を有する光記
録媒体において、該金属膜がAl、Cu、Ag、Auか
らなる群より選ばれた少なくとも1種の金属元素とRe
との合金膜からなることを特徴とする光記録媒体。 2、前記金属膜が保護層であり、そのRe含有量が1〜
95at%の範囲である請求項第1項記載の光記録媒体
。 3、前記金属膜が反射層であり、そのRe含有量が1〜
80at%の範囲である請求項第1項又は第2項記載の
光記録媒体。 4、前記金属膜が、前記合金にCr、Ti、Ta、Zr
の群より選ばれた少なくとも1種の添加元素が添加され
た合金である請求項第1項〜第3項記載のいずれかの光
記録媒体。5、前記添加元素の含有量が50at%以下
である請求項第4項記載の光記録媒体。 6、光記録層が光磁気記録層である請求項第1項〜第5
項記載のいずれかの光記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1104576A JP2507592B2 (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1104576A JP2507592B2 (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02285533A true JPH02285533A (ja) | 1990-11-22 |
JP2507592B2 JP2507592B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=14384264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1104576A Expired - Lifetime JP2507592B2 (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2507592B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02294953A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-05 | Nec Corp | 光記憶体 |
US5552237A (en) * | 1992-09-30 | 1996-09-03 | Tdk Corporation | Magnetooptical recording medium |
-
1989
- 1989-04-26 JP JP1104576A patent/JP2507592B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02294953A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-05 | Nec Corp | 光記憶体 |
US5552237A (en) * | 1992-09-30 | 1996-09-03 | Tdk Corporation | Magnetooptical recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2507592B2 (ja) | 1996-06-12 |
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