JPH06103546B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH06103546B2 JPH06103546B2 JP60293109A JP29310985A JPH06103546B2 JP H06103546 B2 JPH06103546 B2 JP H06103546B2 JP 60293109 A JP60293109 A JP 60293109A JP 29310985 A JP29310985 A JP 29310985A JP H06103546 B2 JPH06103546 B2 JP H06103546B2
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- recording layer
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、レーザービームなどの手段を用いて光学的に
情報を記録する記録層を基板上に有する光記録媒体に関
するものである。さらに詳しくいえば、本発明は、該記
録層の膜厚が十分に薄い領域においても高い感度とS/N
比を有し、かつ断熱層を必要としない光記録媒体に関す
るものである。
情報を記録する記録層を基板上に有する光記録媒体に関
するものである。さらに詳しくいえば、本発明は、該記
録層の膜厚が十分に薄い領域においても高い感度とS/N
比を有し、かつ断熱層を必要としない光記録媒体に関す
るものである。
従来の技術 従来、光記録媒体には、記録層に孔を開けて情報を記録
する開孔型と、加熱によつて光学特性を変化させ情報を
記録する相変態型とがある。一般に、相変態型の感材と
してはGe−Te,TeOx及びSb2Se3などの金属化合物が知ら
れており、これらの金属化合物を加熱徐冷あるいは加熱
急冷することによつて、非晶質から結晶質、あるいは結
晶質から非晶質へと相変化させ、その反射率の差を利用
して、情報の読み書きが行われている。
する開孔型と、加熱によつて光学特性を変化させ情報を
記録する相変態型とがある。一般に、相変態型の感材と
してはGe−Te,TeOx及びSb2Se3などの金属化合物が知ら
れており、これらの金属化合物を加熱徐冷あるいは加熱
急冷することによつて、非晶質から結晶質、あるいは結
晶質から非晶質へと相変化させ、その反射率の差を利用
して、情報の読み書きが行われている。
このような相変態型感材を用いて、記録層単層だけで情
報を読み書きする場合、十分な光学的コントラストを得
るためには、該記録層をかなり厚くする必要がある。し
かしながら、記録層を厚くするとレーザー光で情報を記
録する場合、記録層が厚さ方向に一様に変態しなかつた
り、熱が拡散して記録ピツトのエツジが不鮮明になつた
りするなどの原因によつて、十分なS/N比が得られない
という欠点を生じる。
報を読み書きする場合、十分な光学的コントラストを得
るためには、該記録層をかなり厚くする必要がある。し
かしながら、記録層を厚くするとレーザー光で情報を記
録する場合、記録層が厚さ方向に一様に変態しなかつた
り、熱が拡散して記録ピツトのエツジが不鮮明になつた
りするなどの原因によつて、十分なS/N比が得られない
という欠点を生じる。
また、従来Alなどの反射層を設けることも知られている
が、このような金属を反射層に用いる場合、光学的コン
トラストは増大するものの、該金属は熱伝導率が高いの
で熱が逃げやすく、感度が低下するという問題があり、
そのため、記録層と反射層との間に、さらに断熱性の層
を設ける必要があつて、工程が複雑になるのを免れな
い。
が、このような金属を反射層に用いる場合、光学的コン
トラストは増大するものの、該金属は熱伝導率が高いの
で熱が逃げやすく、感度が低下するという問題があり、
そのため、記録層と反射層との間に、さらに断熱性の層
を設ける必要があつて、工程が複雑になるのを免れな
い。
発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、このような従来の光記録媒体が有する
問題点を解決し、記録層の膜厚が十分に薄い領域におい
ても高い感度とS/N比を有し、かつ断熱層を必要としな
い光記録媒体を提供することにある。
問題点を解決し、記録層の膜厚が十分に薄い領域におい
ても高い感度とS/N比を有し、かつ断熱層を必要としな
い光記録媒体を提供することにある。
問題点を解決するための手段 本発明者らは、種々研究を重ねた結果、記録層として少
なくともGe及びTeから構成される相変態型のものを用
い、レーザー光を基板側から照射する場合は記録層の上
に、膜面側から照射する場合は記録層と基板との間に、
消衰係数kが大きく、かつ熱伝導率の小さなSb、Te若し
くはBiを主成分とする金属薄膜反射層を設けることによ
り、あるいはさらにこの最下層や最上層に金属化合物か
ら成る保護層を設けることにより、該記録層や反射層の
酸化及び腐食が防止されて、より安定した特性のものが
得られることを見出し、この知見に基づいて本発明を完
成するに至つた。
なくともGe及びTeから構成される相変態型のものを用
い、レーザー光を基板側から照射する場合は記録層の上
に、膜面側から照射する場合は記録層と基板との間に、
消衰係数kが大きく、かつ熱伝導率の小さなSb、Te若し
くはBiを主成分とする金属薄膜反射層を設けることによ
り、あるいはさらにこの最下層や最上層に金属化合物か
ら成る保護層を設けることにより、該記録層や反射層の
酸化及び腐食が防止されて、より安定した特性のものが
得られることを見出し、この知見に基づいて本発明を完
成するに至つた。
すなわち、本発明は、基板上に、少なくともGe及びTeを
含有する相変態型記録層を有する光記録媒体において、
該記録層の上又は下にSb、Te又はBiの単独又はこれらを
主成分とする金属薄膜反射層を設けたことを特徴とする
光記録媒体を特徴とする情報記録媒体を提供するもので
ある。
含有する相変態型記録層を有する光記録媒体において、
該記録層の上又は下にSb、Te又はBiの単独又はこれらを
主成分とする金属薄膜反射層を設けたことを特徴とする
光記録媒体を特徴とする情報記録媒体を提供するもので
ある。
本発明の光記録媒体における基板としては、通常光デイ
スクなどの光記録媒体に慣用されているもの、例えばア
クリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ガラスなどの透明基板やアルミニウム合金基板など
が用いられる。
スクなどの光記録媒体に慣用されているもの、例えばア
クリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ガラスなどの透明基板やアルミニウム合金基板など
が用いられる。
また、記録層には、感光材として少なくともGe及びTeを
含有する相変態型感光材、例えばGe−Te、Ge−Te−Sb、
Ge−Te−Snなどの系が用いられる。これらの感光材から
成る記録層は真空蒸着法やスパツタ法などによつて設け
ることができる。この記録層はレーザービームなどで加
熱徐冷あるいは加熱急冷することによつて、非晶質から
結晶質へと、あるいは結晶質から非晶質へと変態し、そ
の反射率の差を利用して情報の読み書きができる。
含有する相変態型感光材、例えばGe−Te、Ge−Te−Sb、
Ge−Te−Snなどの系が用いられる。これらの感光材から
成る記録層は真空蒸着法やスパツタ法などによつて設け
ることができる。この記録層はレーザービームなどで加
熱徐冷あるいは加熱急冷することによつて、非晶質から
結晶質へと、あるいは結晶質から非晶質へと変態し、そ
の反射率の差を利用して情報の読み書きができる。
本発明の光記録媒体においては、Sb、Te又はBiを単独又
は主成分とする金属薄膜反射層を前記記録層の上層又は
下層に設けることが必要である。これによつて、該記録
層の膜厚が十分薄い領域において、大きな光学的コント
ラストを得ることが可能となり、その結果、高感度でか
つS/N比の高い光記録媒体が得られる。これは、記録層
と金属薄膜反射層との間に光の干渉が生じ、記録層が薄
くても高コントラストとなるからである。
は主成分とする金属薄膜反射層を前記記録層の上層又は
下層に設けることが必要である。これによつて、該記録
層の膜厚が十分薄い領域において、大きな光学的コント
ラストを得ることが可能となり、その結果、高感度でか
つS/N比の高い光記録媒体が得られる。これは、記録層
と金属薄膜反射層との間に光の干渉が生じ、記録層が薄
くても高コントラストとなるからである。
この反射層は、比較的消衰係数kが大きく、熱伝導率が
低い。このため、所要の光学的コントラストが得られ、
レーザー光などで情報を記録する場合、反射層に熱が拡
散し、感度が低下するのが防止される。
低い。このため、所要の光学的コントラストが得られ、
レーザー光などで情報を記録する場合、反射層に熱が拡
散し、感度が低下するのが防止される。
この金属薄膜反射層は真空蒸着法又はスパツタ法によつ
て形成される。その膜厚としては、100〜1000Åの範囲
であれば十分な光学的コントラストが得られる。この膜
厚は厚すぎると感度が低下し、一方薄すぎるとコントラ
ストが小さくなり、これらの点を考慮すると200〜500Å
の範囲の膜厚が最も好ましい。該金属薄膜反射層は、レ
ーザービームを基板側から照射する場合は記録層の上層
に、膜面側から照射する場合は基板と記録層との間に設
けられる。
て形成される。その膜厚としては、100〜1000Åの範囲
であれば十分な光学的コントラストが得られる。この膜
厚は厚すぎると感度が低下し、一方薄すぎるとコントラ
ストが小さくなり、これらの点を考慮すると200〜500Å
の範囲の膜厚が最も好ましい。該金属薄膜反射層は、レ
ーザービームを基板側から照射する場合は記録層の上層
に、膜面側から照射する場合は基板と記録層との間に設
けられる。
さらに、本発明の光記録媒体においては、所望に応じ、
金属薄膜反射層や記録層の酸化及び腐食を防止するため
に、その少なくとも最下層若しくは最上層に金属化合物
から成る保護層が設けられる。この金属化合物として
は、Siの酸化物が水分の侵入を防ぐ効果に優れているの
で好ましい。
金属薄膜反射層や記録層の酸化及び腐食を防止するため
に、その少なくとも最下層若しくは最上層に金属化合物
から成る保護層が設けられる。この金属化合物として
は、Siの酸化物が水分の侵入を防ぐ効果に優れているの
で好ましい。
発明の効果 本発明の光記録媒体は、記録層の上又は下に金属薄膜反
射層を設けたことにより、該記録層の膜厚が十分に薄い
領域においても高い感度とS/N比を有し、かつ断熱層を
必要としない特徴を有している。また、さらに、最下層
や最上層に金属化合物から成る保護層を設けたことによ
り、記録層や金属薄膜反射層の酸化及び腐食が防止さ
れ、前記特徴に加え、経時安定性も良好である。
射層を設けたことにより、該記録層の膜厚が十分に薄い
領域においても高い感度とS/N比を有し、かつ断熱層を
必要としない特徴を有している。また、さらに、最下層
や最上層に金属化合物から成る保護層を設けたことによ
り、記録層や金属薄膜反射層の酸化及び腐食が防止さ
れ、前記特徴に加え、経時安定性も良好である。
実 施 例 次に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
比較例1 厚さ1.2mmのスライドガラス上に、抵抗加熱法により、G
eとTeを別々に入れた2つの蒸着ボートから、2元共蒸
着法により、Ge:Te=1:1の組成の膜を、膜厚がそれぞれ
200Å,400Å,800Å,1000Å,1400Å,及び1800Åの6つ
のサンプルを作成した。このときの蒸着中の真空度は、
3×10-6Torr以下であつた。これらのサンプルの波長83
0nmにおける反射率を、未処理のときと、200℃のオーブ
ン中で10分間熱処理したのちの2回測定した。その結果
を第1図に示す。○印が未処理サンプルの反射率、●印
が熱処理を施したのちのサンプル反射率である。
eとTeを別々に入れた2つの蒸着ボートから、2元共蒸
着法により、Ge:Te=1:1の組成の膜を、膜厚がそれぞれ
200Å,400Å,800Å,1000Å,1400Å,及び1800Åの6つ
のサンプルを作成した。このときの蒸着中の真空度は、
3×10-6Torr以下であつた。これらのサンプルの波長83
0nmにおける反射率を、未処理のときと、200℃のオーブ
ン中で10分間熱処理したのちの2回測定した。その結果
を第1図に示す。○印が未処理サンプルの反射率、●印
が熱処理を施したのちのサンプル反射率である。
さらに、論理計算も行い、実験データと比較した。実験
は変態前の反射率、点線が変態後の反射率である。計算
に用いたGe−Te薄膜の光学定数は、変態前が4.0+0.9i,
変態後は5.4+3.6iである。
は変態前の反射率、点線が変態後の反射率である。計算
に用いたGe−Te薄膜の光学定数は、変態前が4.0+0.9i,
変態後は5.4+3.6iである。
この図から明らかなように、実験データーと理論計算と
はほとんど一致していることが分かる。また、変態前後
の反射率の差は約1000Åで最大となることが分かる。こ
の反射率の差、すなわち光学的コントラストを利用して
情報の読み書きを行つているので、その差が大きいほど
好ましい。
はほとんど一致していることが分かる。また、変態前後
の反射率の差は約1000Åで最大となることが分かる。こ
の反射率の差、すなわち光学的コントラストを利用して
情報の読み書きを行つているので、その差が大きいほど
好ましい。
次に、実際のアクリル樹脂(ポリメチルメタクリレー
ト)基板にGe-Te薄膜を真空蒸着した。まず真空蒸着機
槽内に、射出成形法によつて得られた直径305mm、厚さ
1.5mmの円板状のアクリル基板をセツトした。アクリル
基板は、装置の中央に置いて回転できるようになつてい
る。装置内には、回転の中心軸を中心として、3つの加
熱蒸着ボートと、5つのるつぼをもつ電子ビーム装置が
備えられている。2つの加熱ボートにそれぞれTe,Geを
入れたのち、蒸着装置内を3×10-6Torr以下に排気し、
アクリル基板を回転速度120rpmで回転させながら、二元
蒸着法によつて、Ge:Te=1:1組成の薄膜を形成した。こ
の膜圧は、最大の光学的コントラストが得られる1000Å
とした。このようにして作成したデイスクを、900rpmで
回転させ、アクリル基板側から波長830nmの集光した半
導体レーザーのビームを照射した。書き込んだ信号の周
波数は1.5MHzであつた。信号の再生には、同一波長の半
導体レーザー光を用いた。この場合の、読み出した信号
のC/N比は、バンド幅30KHzにおいて50dBであつた。
ト)基板にGe-Te薄膜を真空蒸着した。まず真空蒸着機
槽内に、射出成形法によつて得られた直径305mm、厚さ
1.5mmの円板状のアクリル基板をセツトした。アクリル
基板は、装置の中央に置いて回転できるようになつてい
る。装置内には、回転の中心軸を中心として、3つの加
熱蒸着ボートと、5つのるつぼをもつ電子ビーム装置が
備えられている。2つの加熱ボートにそれぞれTe,Geを
入れたのち、蒸着装置内を3×10-6Torr以下に排気し、
アクリル基板を回転速度120rpmで回転させながら、二元
蒸着法によつて、Ge:Te=1:1組成の薄膜を形成した。こ
の膜圧は、最大の光学的コントラストが得られる1000Å
とした。このようにして作成したデイスクを、900rpmで
回転させ、アクリル基板側から波長830nmの集光した半
導体レーザーのビームを照射した。書き込んだ信号の周
波数は1.5MHzであつた。信号の再生には、同一波長の半
導体レーザー光を用いた。この場合の、読み出した信号
のC/N比は、バンド幅30KHzにおいて50dBであつた。
実施例1 比較列1と同様のスライドガラスに、Ge:Te=1:1の組成
の膜を、200Å,400Å,600Å,800Å及び1000Åの膜厚に
形成したのち、さらにSbを反射層として、全サンプルに
500Å蒸着した。この場合の変態前後のスライドガラス
面からの反射率の変化を第2図に示す。用いた波長は83
0nmである。○印が変態前の反射率,●印が変態後の反
射率である。この場合も同様に理論計算も行つた。Sbの
光学定数は、4.33+4.8iを用いた。実線が変態前の反射
率、点線が変態後の反射率の記録層の膜厚依存性を示し
ている。
の膜を、200Å,400Å,600Å,800Å及び1000Åの膜厚に
形成したのち、さらにSbを反射層として、全サンプルに
500Å蒸着した。この場合の変態前後のスライドガラス
面からの反射率の変化を第2図に示す。用いた波長は83
0nmである。○印が変態前の反射率,●印が変態後の反
射率である。この場合も同様に理論計算も行つた。Sbの
光学定数は、4.33+4.8iを用いた。実線が変態前の反射
率、点線が変態後の反射率の記録層の膜厚依存性を示し
ている。
第1図との比較から明らかなように、記録層単層だけで
は、十分なコントラストが得られなかつた、膜厚の薄い
領域においても、Sb薄膜反射層を設けると、大きなコン
トラストが得られることが分かる。比較例1の場合、最
大の光学的コントラストは、記録層の膜厚が1000Å近傍
で得られたのに対し、本実施例ではそれよりもかなり薄
い400Å近傍で最大のコントラストが得られる。このよ
うにSbの反射層を設けることによつて、記録層の膜厚を
半分以下に薄くすることができる。
は、十分なコントラストが得られなかつた、膜厚の薄い
領域においても、Sb薄膜反射層を設けると、大きなコン
トラストが得られることが分かる。比較例1の場合、最
大の光学的コントラストは、記録層の膜厚が1000Å近傍
で得られたのに対し、本実施例ではそれよりもかなり薄
い400Å近傍で最大のコントラストが得られる。このよ
うにSbの反射層を設けることによつて、記録層の膜厚を
半分以下に薄くすることができる。
次に、アクリル板に、Ge−Te薄膜、Sb薄膜を順に蒸着し
た。蒸着した膜厚は、それぞれ400Å,500Åである。記
録した信号は、比較例1に同様に1.5MHzであり、読み出
した信号のC/N比は、バンド幅30KHzにおいて58dBであつ
た。これによりC/N比は、記録層を薄くすると、良くな
ることが実証された。
た。蒸着した膜厚は、それぞれ400Å,500Åである。記
録した信号は、比較例1に同様に1.5MHzであり、読み出
した信号のC/N比は、バンド幅30KHzにおいて58dBであつ
た。これによりC/N比は、記録層を薄くすると、良くな
ることが実証された。
第1図は比較例1におけるGe−Te薄膜の変態前後の反射
率の膜厚依存性を示すグラフ、第2図は実施例1の変態
前後の反射率変化を示すグラフである。
率の膜厚依存性を示すグラフ、第2図は実施例1の変態
前後の反射率変化を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−95740(JP,A) 特開 昭62−119746(JP,A) 実開 昭60−150629(JP,U)
Claims (2)
- 【請求項1】基板上に、少なくともGe及びTeを含有する
相変態型記録層を有する光記録媒体において、該記録層
の上又は下にSb、Te又はBiの単独又はこれらを主成分と
する金属薄膜反射層を設けたことを特徴とする光記録媒
体。 - 【請求項2】基板上に、少なくともGe及びTeを含有する
相変態型記録層を有する光記録媒体において、該記録層
の上又は下にSb、Te又はBiの単独又はこれらを主成分と
する金属薄膜反射層を設け、さらに少なくとも最下層又
は最上層に金属化合物から成る保護層を設けたことを特
徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60293109A JPH06103546B2 (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60293109A JPH06103546B2 (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62154341A JPS62154341A (ja) | 1987-07-09 |
JPH06103546B2 true JPH06103546B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=17790542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60293109A Expired - Fee Related JPH06103546B2 (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06103546B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02266978A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-10-31 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6095740A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-29 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 情報記録媒体 |
JPS60150629U (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-07 | 三菱電機株式会社 | 光学式情報記録担体 |
JPS62119746A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-06-01 | Fujitsu Ltd | 光記録媒体 |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP60293109A patent/JPH06103546B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62154341A (ja) | 1987-07-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |