JP2574768B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JP2574768B2 JP2574768B2 JP61186598A JP18659886A JP2574768B2 JP 2574768 B2 JP2574768 B2 JP 2574768B2 JP 61186598 A JP61186598 A JP 61186598A JP 18659886 A JP18659886 A JP 18659886A JP 2574768 B2 JP2574768 B2 JP 2574768B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は記録媒体、さらに詳細には、高密度にして、
高信頼性の希土類−遷移金属よりなる光磁気記録用媒体
に関する。
高信頼性の希土類−遷移金属よりなる光磁気記録用媒体
に関する。
従来、磁気記録、光磁気記録に用いられる記録媒体に
おいて、非磁性層を介して磁性層を積層する構成の記録
媒体は公知であり、たとえば特願昭60−180420号に開示
されている。このような記録媒体は、磁性層が非磁性層
を介して３層以上積層することにより記録感度の向上と
磁気特性、光学特性などの経時劣化の改善を意図したも
のであった。
おいて、非磁性層を介して磁性層を積層する構成の記録
媒体は公知であり、たとえば特願昭60−180420号に開示
されている。このような記録媒体は、磁性層が非磁性層
を介して３層以上積層することにより記録感度の向上と
磁気特性、光学特性などの経時劣化の改善を意図したも
のであった。
このような発明において、前記非磁性層の材質はSiO2
などの誘電体、TiO2、SiNなどの金属酸化物および金属
窒化物、CS2などの有機ポリマーなどの無機、有機およ
び結晶質、非晶質のいずれであってもよく、また、金属
であってもよいが、その熱電動率はできるだけ小さい方
がよいと明示されている。しかし、前記磁性層と非磁性
層の経時変化に対する効果は明確ではなかった。
などの誘電体、TiO2、SiNなどの金属酸化物および金属
窒化物、CS2などの有機ポリマーなどの無機、有機およ
び結晶質、非晶質のいずれであってもよく、また、金属
であってもよいが、その熱電動率はできるだけ小さい方
がよいと明示されている。しかし、前記磁性層と非磁性
層の経時変化に対する効果は明確ではなかった。
一方、記録媒体に、所謂第三元素を添加して経時変化
あるいは他の磁気的、磁気光学的特性を改善する方法も
公知である。たとえば、特開昭59−103314号に第三元素
としてIn、Alなどの添加効果について述べている。しか
し、これはInあるいはAlをたん含有するといえるだけ
で、その記録媒体膜の構成については、なんら記載して
いない。特に経時変化の改善についてなんら触れていな
い。
あるいは他の磁気的、磁気光学的特性を改善する方法も
公知である。たとえば、特開昭59−103314号に第三元素
としてIn、Alなどの添加効果について述べている。しか
し、これはInあるいはAlをたん含有するといえるだけ
で、その記録媒体膜の構成については、なんら記載して
いない。特に経時変化の改善についてなんら触れていな
い。
以上のように従来の技術においては、特に記録媒体の
経時変化の改善を主眼としたときに、記録媒体の膜構成
とその差異、有効性などに関しては何等研究がなされて
いないのが現状であった。
経時変化の改善を主眼としたときに、記録媒体の膜構成
とその差異、有効性などに関しては何等研究がなされて
いないのが現状であった。
本発明は上述の点に鑑みなされたものであり、記録媒
体の経時変化を改善し、かつ従来の発明の効果をさらに
向上せしめることを目的とし、磁性層（記録層）の挟持
される新たな高信頼性の非磁性層を提供することによっ
て前記目的を達成せんとするものである。
体の経時変化を改善し、かつ従来の発明の効果をさらに
向上せしめることを目的とし、磁性層（記録層）の挟持
される新たな高信頼性の非磁性層を提供することによっ
て前記目的を達成せんとするものである。
したがって、本発明による光磁気記録媒体は、希土類
−遷移金属よりなる磁性層が、In層またはInがSiO2中に
分散した層を介して２層以上積層されていることを特徴
とするものである。
−遷移金属よりなる磁性層が、In層またはInがSiO2中に
分散した層を介して２層以上積層されていることを特徴
とするものである。
本発明による光磁気記録媒体によれば、In層またはIn
がSiO2中に分散した層を介して磁性層を多層構造とした
ため、経時劣化を防止する効果が大きく、これによって
高信頼性の記録媒体が実現できる。
がSiO2中に分散した層を介して磁性層を多層構造とした
ため、経時劣化を防止する効果が大きく、これによって
高信頼性の記録媒体が実現できる。
第１図は本発明の構成を示す一具体例であり、１は希
土類−遷移金属よりなる光磁気記録用記録媒体、２は基
板、３は本発明による中間層を示す。
土類−遷移金属よりなる光磁気記録用記録媒体、２は基
板、３は本発明による中間層を示す。
この具体例においては、基板２上に磁性層１が積層さ
れ、次いで中間層３が形成されているとともに、この中
間層３上にさらに磁性層１が形成されており、２つの磁
性層１によって中間層３が挟着された構成になってい
る。
れ、次いで中間層３が形成されているとともに、この中
間層３上にさらに磁性層１が形成されており、２つの磁
性層１によって中間層３が挟着された構成になってい
る。
希土類−遷移金属よりなる光磁気記録用などの磁性層
１は、本発明において基本的に限定されるものではな
く、従来この種の記録層として使用されている記録材料
を有効に使用できる。TbFe、GdCoなどの希土類−遷移金
属からなる非晶質材料、MnBi、PtCoなど多結晶材料など
を挙げることができる。
１は、本発明において基本的に限定されるものではな
く、従来この種の記録層として使用されている記録材料
を有効に使用できる。TbFe、GdCoなどの希土類−遷移金
属からなる非晶質材料、MnBi、PtCoなど多結晶材料など
を挙げることができる。
上記磁性層１に挟着される中間層３は、本発明におい
て、In層またはInがSiO2中に分散した層である。第２図
は中間層３を２層以上設けた構成を示す具体例である。
この図より明らかなように、この具体例においては、基
板２上に磁性層１が設けられ、その磁性層１に中間層
３、磁性層１、第２の中間層３および磁性層１が順次積
層された構成になっている。
て、In層またはInがSiO2中に分散した層である。第２図
は中間層３を２層以上設けた構成を示す具体例である。
この図より明らかなように、この具体例においては、基
板２上に磁性層１が設けられ、その磁性層１に中間層
３、磁性層１、第２の中間層３および磁性層１が順次積
層された構成になっている。
このように上記具体例は、中間層３を２層設けた場合
の構成であるが、３層、４層、さらにそれ以上の多層に
する場合も同様に構成可能であるのは明らかである。
の構成であるが、３層、４層、さらにそれ以上の多層に
する場合も同様に構成可能であるのは明らかである。
なお、記録層である磁性層１は、所望の磁気特性、磁
気光学特性がえられれば、どんなに薄くてもよいが、現
在の成膜技術では磁性層だけの厚さは200Å程度が最薄
層であり、通常、厚さは５μｍ程度である。同様に中間
層３は、磁性層１の所望の磁気特性あるいは磁気光学特
性を損なわない範囲ならば、どんなに厚くてもよいが、
通常は、１Å〜1000Åの範囲であればよい。これらの磁
性膜１と中間層３の組み合わせは、機能的に種々定める
ことができる。
気光学特性がえられれば、どんなに薄くてもよいが、現
在の成膜技術では磁性層だけの厚さは200Å程度が最薄
層であり、通常、厚さは５μｍ程度である。同様に中間
層３は、磁性層１の所望の磁気特性あるいは磁気光学特
性を損なわない範囲ならば、どんなに厚くてもよいが、
通常は、１Å〜1000Åの範囲であればよい。これらの磁
性膜１と中間層３の組み合わせは、機能的に種々定める
ことができる。
第３図は、InをSiO2中に分散させた中間層３を有する
場合の具体例であり、４はIn、５はSiO2を示している。
場合の具体例であり、４はIn、５はSiO2を示している。
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１ 磁性層として、TbFe膜を使用し、２極RFスパッタ装置
で成膜した。基板としてはガラスを使用した。ターゲッ
トは100mmφの大きさの99.99％純度のFe上に、10mm角の
Feペレット（純度99.99％）を並べた複合ターゲットを
使用した。膜作製に当たっては、あらかじめ７×10-7To
rrの真空度に排気後、４×10-2〜８×10-2TorrのArガス
中でスパッタ成膜を行った。次ぎに、真空を破ることな
く、InターゲットからInをスパッタした。スパッタ厚は
同様であるが、RFパワーは低く抑えた。その後、再びTb
Fe複合ターゲットからTbFeをスパッタし、In層を一層設
けた構成の試料No.1を得た。各膜厚はTbFe層500Å/In層
100Å/TbFe層500Åであった。この膜構成は、第１図の
膜構成と同様である。
で成膜した。基板としてはガラスを使用した。ターゲッ
トは100mmφの大きさの99.99％純度のFe上に、10mm角の
Feペレット（純度99.99％）を並べた複合ターゲットを
使用した。膜作製に当たっては、あらかじめ７×10-7To
rrの真空度に排気後、４×10-2〜８×10-2TorrのArガス
中でスパッタ成膜を行った。次ぎに、真空を破ることな
く、InターゲットからInをスパッタした。スパッタ厚は
同様であるが、RFパワーは低く抑えた。その後、再びTb
Fe複合ターゲットからTbFeをスパッタし、In層を一層設
けた構成の試料No.1を得た。各膜厚はTbFe層500Å/In層
100Å/TbFe層500Åであった。この膜構成は、第１図の
膜構成と同様である。
実施例２ 実施例１と同様にして、In層を２層有する試料No.2を
作製した。各膜厚はTbe層350Å、In層50Åとそれぞれの
トータル膜厚を試料No.1と同様にした。この構成は、第
２図に示す膜構成と同様である。
作製した。各膜厚はTbe層350Å、In層50Åとそれぞれの
トータル膜厚を試料No.1と同様にした。この構成は、第
２図に示す膜構成と同様である。
比較例１ 実施例１のInの代わりにAlを使用し、成膜条件を同じ
にして試料No.3を作製した。
にして試料No.3を作製した。
実施例３ Inの代わりにSiO2上にInチップを面積比がIn:SiO2＝3
0:70の割合で配置した複合ターゲットを用いスパッタを
行った。成膜条件は実施例１と同様である。また、膜構
成は第３図に示すものと同様である。これを試料No.4と
した。
0:70の割合で配置した複合ターゲットを用いスパッタを
行った。成膜条件は実施例１と同様である。また、膜構
成は第３図に示すものと同様である。これを試料No.4と
した。
比較例２ In層を設けず、TbFe層だけの試料を上述のスパッタ条
件で作製し、試料No.5とした。膜厚は1000Åであった。
件で作製し、試料No.5とした。膜厚は1000Åであった。
上述の試料を用いて、70℃、85パワーRHの恒温恒湿槽
に入れ、膜の初期値からの特性変化を測定した。特性は
反射率と磁性変化である。結果を第１表に示す。
に入れ、膜の初期値からの特性変化を測定した。特性は
反射率と磁性変化である。結果を第１表に示す。
上述の第１表より、以下のことがわかった。
In層またはInがSiO2中に分散した層を介して多層膜
構成にした本発明による記録媒体は、これを設けない記
録媒体（試料No.5）に比較して経時変化が大幅に改善で
きる。
構成にした本発明による記録媒体は、これを設けない記
録媒体（試料No.5）に比較して経時変化が大幅に改善で
きる。
非磁性層はInを含む層構成の方がAlの場合より劣化
が少ない。
が少ない。
In層を一層設けた場合より多層とした方が効果があ
る。
る。
SiO2にInを分散させたときよりもIn層担体の方が効
果がある。
果がある。
なお、本実施例においては、オーバーコードを施さな
かったため、本発明による記録媒体においても表面劣化
が多少みられるが、オーバコートあるいは下地層または
それらの両方を施せば、さらに経時変化を改善できる。
かったため、本発明による記録媒体においても表面劣化
が多少みられるが、オーバコートあるいは下地層または
それらの両方を施せば、さらに経時変化を改善できる。
以上説明したように、本発明においては、In層または
InがSiO2中に分散した層を希土類−遷移金属よりなる磁
性層に挟持せしめ、多層構造にすることにより、経時変
化を防止することが可能になる。このため高信頼性の記
録媒体とすることが可能である。
InがSiO2中に分散した層を希土類−遷移金属よりなる磁
性層に挟持せしめ、多層構造にすることにより、経時変
化を防止することが可能になる。このため高信頼性の記
録媒体とすることが可能である。
第１図は本発明による記録媒体の一具体例の構成図、第
２図は他の具体例の構成図、第３図は第三の具体例の構
成図である。 １……磁性層、２……基板、３……中間層。
２図は他の具体例の構成図、第３図は第三の具体例の構
成図である。 １……磁性層、２……基板、３……中間層。
Claims (1)
- 【請求項１】希土類−遷移金属よりなる光磁気記録層
が、In層またはInがSiO2中に分散した層を介して２層以
上積層されていることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61186598A JP2574768B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61186598A JP2574768B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6342054A JPS6342054A (ja) | 1988-02-23 |
| JP2574768B2 true JP2574768B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=16191358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61186598A Expired - Fee Related JP2574768B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2574768B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5626973A (en) * | 1992-06-25 | 1997-05-06 | Teijin Limited | Magneto-optical layer and magneto-optical recording medium |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62232738A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録用媒体 |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP61186598A patent/JP2574768B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6342054A (ja) | 1988-02-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |