JPH0773527A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH0773527A JPH0773527A JP21554793A JP21554793A JPH0773527A JP H0773527 A JPH0773527 A JP H0773527A JP 21554793 A JP21554793 A JP 21554793A JP 21554793 A JP21554793 A JP 21554793A JP H0773527 A JPH0773527 A JP H0773527A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- silicon carbide
- recording medium
- magneto
- optical recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は光磁気記録媒体の保護膜（誘電体
膜）としての炭化けい素膜を速い成膜速度で、かつ安価
な成膜装置を用いて成膜する光磁気記録媒体の製造方法
の提供を目的とするものである。 【構成】 本発明による光磁気記録媒体の製造方法
は、透明基板上に第一の誘電体膜、磁性膜、第二の誘電
体膜、反射膜の順で成膜されており、この第一、第二の
誘電体膜が炭化けい素膜で構成されている光磁気記録媒
体の製造方法において、この炭化けい素膜を室温で 1.0
Ω・cm以下の抵抗率をもつ炭化けい素をターゲットとす
るスパッタリング法、特には直流スパッタリング法で成
膜することを特徴とするものである。
膜）としての炭化けい素膜を速い成膜速度で、かつ安価
な成膜装置を用いて成膜する光磁気記録媒体の製造方法
の提供を目的とするものである。 【構成】 本発明による光磁気記録媒体の製造方法
は、透明基板上に第一の誘電体膜、磁性膜、第二の誘電
体膜、反射膜の順で成膜されており、この第一、第二の
誘電体膜が炭化けい素膜で構成されている光磁気記録媒
体の製造方法において、この炭化けい素膜を室温で 1.0
Ω・cm以下の抵抗率をもつ炭化けい素をターゲットとす
るスパッタリング法、特には直流スパッタリング法で成
膜することを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体の製造方
法、特には誘電体膜として炭化けい素膜をもつ光磁気記
録媒体の製造方法に関するものである。
法、特には誘電体膜として炭化けい素膜をもつ光磁気記
録媒体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報化社会の進展に伴なって高密
度、大容量の記録媒体が要求されているが、これについ
ては情報の書きかえができ、かつ媒体が交換できること
から光磁気記録媒体が注目され、研究開発が続けられて
いる。この光磁気記録媒体については記録材料としてTb
FeCo系に代表される希土類元素と鉄属金属との合金が広
く用いられているが、この材料は大気中の酸素や水分に
より容易に腐食されてしまうために、これにはその耐蝕
性を改善する保護膜が設けられているので、この光磁気
記録媒体の膜構造は基板上に無機化合物の保護膜、光磁
気記録膜、無機化合物の保護膜、金属の反射膜を順次積
層した４層構造とすることが特性的にすぐれたものにな
ることが知られている。
度、大容量の記録媒体が要求されているが、これについ
ては情報の書きかえができ、かつ媒体が交換できること
から光磁気記録媒体が注目され、研究開発が続けられて
いる。この光磁気記録媒体については記録材料としてTb
FeCo系に代表される希土類元素と鉄属金属との合金が広
く用いられているが、この材料は大気中の酸素や水分に
より容易に腐食されてしまうために、これにはその耐蝕
性を改善する保護膜が設けられているので、この光磁気
記録媒体の膜構造は基板上に無機化合物の保護膜、光磁
気記録膜、無機化合物の保護膜、金属の反射膜を順次積
層した４層構造とすることが特性的にすぐれたものにな
ることが知られている。
【０００３】この無機化合物の保護膜には記録媒体の物
理的保護に加えて、多重干渉を利用した磁気光学効果の
増幅作用（カー回転角エンハンスメント）も要求されて
いるので、この保護膜については１）膜が緻密である、
２）光学的に適当な屈折率を有している、３）記録膜と
反応しない、４）ピンホールが少ないということが要求
されるのであるが、これには耐熱、構造材料として知ら
れている炭化けい素が緻密であり、上記した保護膜とし
ての要求特性を満たすことから、光磁気記録媒体の保護
膜として広く用いられている。
理的保護に加えて、多重干渉を利用した磁気光学効果の
増幅作用（カー回転角エンハンスメント）も要求されて
いるので、この保護膜については１）膜が緻密である、
２）光学的に適当な屈折率を有している、３）記録膜と
反応しない、４）ピンホールが少ないということが要求
されるのであるが、これには耐熱、構造材料として知ら
れている炭化けい素が緻密であり、上記した保護膜とし
ての要求特性を満たすことから、光磁気記録媒体の保護
膜として広く用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この炭化けい素の成膜
についてはＣＶＤ法、スパッタリング法などが知られて
いるが、これには大面積に均一な膜を比較的容易に低温
で得られるスパッタリング法が広く用いられている。し
かし、この炭化けい素膜を炭化けい素をターゲットとし
てスパッタリング法で成膜する場合には、炭化けい素の
抵抗率が 0.1×106 〜10.0×106 Ω・cmと大きいために
高周波スパッタリング法によらなければならないことが
知られており、この高周波スパッタリング法では直流ス
パッタリング法に比べて、成膜速度が遅く、かつ電源装
置が高価なものとなるために、炭化けい素膜の作製に十
分な生産性が得られないという欠点がある。
についてはＣＶＤ法、スパッタリング法などが知られて
いるが、これには大面積に均一な膜を比較的容易に低温
で得られるスパッタリング法が広く用いられている。し
かし、この炭化けい素膜を炭化けい素をターゲットとし
てスパッタリング法で成膜する場合には、炭化けい素の
抵抗率が 0.1×106 〜10.0×106 Ω・cmと大きいために
高周波スパッタリング法によらなければならないことが
知られており、この高周波スパッタリング法では直流ス
パッタリング法に比べて、成膜速度が遅く、かつ電源装
置が高価なものとなるために、炭化けい素膜の作製に十
分な生産性が得られないという欠点がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、問題点を解決した光磁気記録媒体の製造方法に関す
るもので、これは透明基板上に第一の誘電体膜、磁性
膜、第二の誘電体膜、反射膜の順で成膜されており、こ
の第一、第二の誘電体膜が炭化けい素膜で構成されてい
る光磁気記録媒体の製造方法において、この炭化けい素
膜を室温で 1.0Ω・cm以下の抵抗率をもつ炭化けい素を
ターゲットとするスパッタリング法で成膜することを特
徴とするものである。
利、問題点を解決した光磁気記録媒体の製造方法に関す
るもので、これは透明基板上に第一の誘電体膜、磁性
膜、第二の誘電体膜、反射膜の順で成膜されており、こ
の第一、第二の誘電体膜が炭化けい素膜で構成されてい
る光磁気記録媒体の製造方法において、この炭化けい素
膜を室温で 1.0Ω・cm以下の抵抗率をもつ炭化けい素を
ターゲットとするスパッタリング法で成膜することを特
徴とするものである。
【０００６】すなわち、本発明者らは光磁気記録媒体に
おける記録膜の保護膜となる炭化けい素からなる誘電体
層を生産性よく成膜する方法について種々検討したとこ
ろ、この炭化けい素をスパッタリング法で成膜するとき
にこのターゲットとなる炭化けい素を室温で 1.0Ω・cm
以下の抵抗率をもつものとすると、炭化けい素膜が再現
性よく得られることを見出すと共に、この場合にはター
ゲットとしての炭化けい素が抵抗率の低いものであるの
で、直流スパッタリング法で炭化けい素膜を作成するこ
とができ、したがって高周波スパッタリング法に比べて
成膜速度が速く、かつ電源を簡素化できるので成膜装置
を安価に作製することができ、生産性高く炭化けい素膜
を作成することができることを確認して本発明を完成さ
せた。以下にこれをさらに詳述する。
おける記録膜の保護膜となる炭化けい素からなる誘電体
層を生産性よく成膜する方法について種々検討したとこ
ろ、この炭化けい素をスパッタリング法で成膜するとき
にこのターゲットとなる炭化けい素を室温で 1.0Ω・cm
以下の抵抗率をもつものとすると、炭化けい素膜が再現
性よく得られることを見出すと共に、この場合にはター
ゲットとしての炭化けい素が抵抗率の低いものであるの
で、直流スパッタリング法で炭化けい素膜を作成するこ
とができ、したがって高周波スパッタリング法に比べて
成膜速度が速く、かつ電源を簡素化できるので成膜装置
を安価に作製することができ、生産性高く炭化けい素膜
を作成することができることを確認して本発明を完成さ
せた。以下にこれをさらに詳述する。
【０００７】
【作用】本発明は光磁気記録媒体の製造方法に関するも
のであり、これは前記したように透明基板上に第一の誘
電体膜、磁性膜、第二の誘電体膜、反射膜の順で成膜さ
れており、この第一、第二の誘電体膜が炭化けい素膜で
構成されている光磁気記録媒体の製造方法において、こ
の炭化けい素膜を室温で 1.0Ω・cm以下の抵抗率をもつ
炭化けい素をターゲットとするスパッタリング法で成膜
することを特徴とするものであるが、これによればここ
に使用されるターゲットが室温で 1.0Ω・cm以下の抵抗
率をもつものであるので直流スパッタリング法による炭
化けい素膜の作成が可能となり、したがって高周波スパ
ッタリング法に比べて成膜速度が速い、電源が簡素化で
きるので成膜装置を安価に作製できるという有利性が与
えられる。
のであり、これは前記したように透明基板上に第一の誘
電体膜、磁性膜、第二の誘電体膜、反射膜の順で成膜さ
れており、この第一、第二の誘電体膜が炭化けい素膜で
構成されている光磁気記録媒体の製造方法において、こ
の炭化けい素膜を室温で 1.0Ω・cm以下の抵抗率をもつ
炭化けい素をターゲットとするスパッタリング法で成膜
することを特徴とするものであるが、これによればここ
に使用されるターゲットが室温で 1.0Ω・cm以下の抵抗
率をもつものであるので直流スパッタリング法による炭
化けい素膜の作成が可能となり、したがって高周波スパ
ッタリング法に比べて成膜速度が速い、電源が簡素化で
きるので成膜装置を安価に作製できるという有利性が与
えられる。
【０００８】本発明による光磁気記録媒体の製造方法
は、保護膜としての炭化けい素膜の成膜を抵抗率が室温
で 1.0Ω・cm以下である炭化けい素をターゲットとする
スパッタリング法で行なうものであるが、この場合には
ターゲットの抵抗率が室温で 1.0Ω・cm以下と小さいも
のであるので、このスパッタリングは直流スパッタリン
グ法とすることができ、したがって高周波スパッタリン
グ法に比べて成膜速度が早く、かつ、電源が簡素化でき
るので成膜装置を安価に製作できるという有利性が与え
られる。
は、保護膜としての炭化けい素膜の成膜を抵抗率が室温
で 1.0Ω・cm以下である炭化けい素をターゲットとする
スパッタリング法で行なうものであるが、この場合には
ターゲットの抵抗率が室温で 1.0Ω・cm以下と小さいも
のであるので、このスパッタリングは直流スパッタリン
グ法とすることができ、したがって高周波スパッタリン
グ法に比べて成膜速度が早く、かつ、電源が簡素化でき
るので成膜装置を安価に製作できるという有利性が与え
られる。
【０００９】また、ここに使用される抵抗値が室温で
1.0Ω・cm以下であるターゲットとしての炭化けい素は
１）超微粉末の炭化けい素を焼結する、２）けい素に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｂｉのいずれ
かの元素を意識的に添加したＳｉを原料にして炭化けい
素を製造する、３）炭化けい素にＴｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈ
ｆから選ばれる少なくとも一つの元素を 0.5〜10％添加
する、という方法で得たものとすればよく、これによれ
ば抵抗値が室温で 1.0Ω・cm以下の炭化けい素を容易に
得ることができる。
1.0Ω・cm以下であるターゲットとしての炭化けい素は
１）超微粉末の炭化けい素を焼結する、２）けい素に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｂｉのいずれ
かの元素を意識的に添加したＳｉを原料にして炭化けい
素を製造する、３）炭化けい素にＴｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈ
ｆから選ばれる少なくとも一つの元素を 0.5〜10％添加
する、という方法で得たものとすればよく、これによれ
ば抵抗値が室温で 1.0Ω・cm以下の炭化けい素を容易に
得ることができる。
【００１０】また、この炭化けい素をターゲットとする
直流スパッタリング法で作られる炭化けい素薄膜の膜厚
は、それが５nm未満では薄すぎて磁性膜の保護膜として
の役目を果たすことができず、40nm以上とすると十分な
透過率が得られず、光磁気記録媒体が記録感度の悪いも
のとなるので、この炭化けい素膜の膜厚は５〜40nmの範
囲のものとすることが望ましい。
直流スパッタリング法で作られる炭化けい素薄膜の膜厚
は、それが５nm未満では薄すぎて磁性膜の保護膜として
の役目を果たすことができず、40nm以上とすると十分な
透過率が得られず、光磁気記録媒体が記録感度の悪いも
のとなるので、この炭化けい素膜の膜厚は５〜40nmの範
囲のものとすることが望ましい。
【００１１】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例、比較例 粒子径0.01μｍ〜 0.2μｍの炭化けい素の超微粉末から
焼結した室温での抵抗率が10.0〜30.0×10-3Ω・cmであ
る炭化けい素焼結体をスパッタリング用ターゲットとし
て使用し、パワー 100Ｗ、 200Ｗ、 300Ｗ、成膜圧力0.
67Ｐａという条件でコーニング社製＃7059のガラス基板
上に、直流スパッタリング法で炭化けい素薄膜の成膜を
行なうと共に、比較のためにこれを高周波スパッタリン
グ法で行ない、得られた炭化けい素薄膜の膜厚を触針法
で測定し、この成膜速度をしらべたところ、図１に示し
たとおりの結果が得られ、直流スパッタリング法による
実施例のものは高周波スパッタリング法による比較例の
もの比べて、 100Ｗ、 200Ｗ、 300Ｗのいずれも場合に
も成膜速度の早いことが確認された。
焼結した室温での抵抗率が10.0〜30.0×10-3Ω・cmであ
る炭化けい素焼結体をスパッタリング用ターゲットとし
て使用し、パワー 100Ｗ、 200Ｗ、 300Ｗ、成膜圧力0.
67Ｐａという条件でコーニング社製＃7059のガラス基板
上に、直流スパッタリング法で炭化けい素薄膜の成膜を
行なうと共に、比較のためにこれを高周波スパッタリン
グ法で行ない、得られた炭化けい素薄膜の膜厚を触針法
で測定し、この成膜速度をしらべたところ、図１に示し
たとおりの結果が得られ、直流スパッタリング法による
実施例のものは高周波スパッタリング法による比較例の
もの比べて、 100Ｗ、 200Ｗ、 300Ｗのいずれも場合に
も成膜速度の早いことが確認された。
【００１２】
【発明の効果】本発明は光磁気記録媒体の製造方法に関
するものであり、これは前記したように透明基板に第一
の誘電体膜、磁性膜、第二の誘電体膜、反射膜の順で成
膜されており、この第一、第二の誘電体膜が炭化けい素
膜で構成されている光磁気記録媒体の製造方法におい
て、この炭化けい素膜を室温で 1.0Ω・cm以下の抵抗率
をもつ炭化けい素をターゲットとするスパッタリング法
で成膜することを特徴とするものであるが、これによれ
ばこのスパッタリングを直流スパッタリング法で行なう
ことができるので、成膜速度が速く、成膜装置が安価に
作製できることから、生産性のすぐれた方法で光磁気記
録媒体を製造することができるという有利性が与えられ
る。
するものであり、これは前記したように透明基板に第一
の誘電体膜、磁性膜、第二の誘電体膜、反射膜の順で成
膜されており、この第一、第二の誘電体膜が炭化けい素
膜で構成されている光磁気記録媒体の製造方法におい
て、この炭化けい素膜を室温で 1.0Ω・cm以下の抵抗率
をもつ炭化けい素をターゲットとするスパッタリング法
で成膜することを特徴とするものであるが、これによれ
ばこのスパッタリングを直流スパッタリング法で行なう
ことができるので、成膜速度が速く、成膜装置が安価に
作製できることから、生産性のすぐれた方法で光磁気記
録媒体を製造することができるという有利性が与えられ
る。
【図１】本発明の実施例（直流スパッタリング法）、比
較例（高周波スパッタリング法）により炭化けい素膜を
成膜したときのパワーと成膜速度との関係グラフを示し
たものである。
較例（高周波スパッタリング法）により炭化けい素膜を
成膜したときのパワーと成膜速度との関係グラフを示し
たものである。
フロントページの続き (72)発明者 俵 好夫 神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番１号 信越化学工業株式会社コーポレートリサ ーチセンター内
Claims (3)
- 【請求項１】透明基板上に第一の誘電体膜、磁性膜、第
二の誘電体膜、反射膜の順で成膜されており、この第
一、第二の誘電体膜が炭化けい素膜で構成されている光
磁気記録媒体の製造方法において、この炭化けい素膜を
室温で 1.0Ω・cm以下の抵抗率をもつ炭化けい素をター
ゲットとするスパッタリング法で成膜することを特徴と
する光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】スパッタリング法が直流スパッタリング法
である請求項１に記載した光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】炭化けい素膜が膜厚５〜40nmである請求項
１に記載した光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21554793A JPH0773527A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21554793A JPH0773527A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0773527A true JPH0773527A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=16674242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21554793A Pending JPH0773527A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0773527A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018696B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-03-28 | Target Technology Company Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7045188B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7572517B2 (en) | 2002-07-08 | 2009-08-11 | Target Technology Company, Llc | Reflective or semi-reflective metal alloy coatings |
-
1993
- 1993-08-31 JP JP21554793A patent/JPH0773527A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7045188B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7572517B2 (en) | 2002-07-08 | 2009-08-11 | Target Technology Company, Llc | Reflective or semi-reflective metal alloy coatings |
| US7018696B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-03-28 | Target Technology Company Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
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