JPS6371959A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6371959A JPS6371959A JP21585986A JP21585986A JPS6371959A JP S6371959 A JPS6371959 A JP S6371959A JP 21585986 A JP21585986 A JP 21585986A JP 21585986 A JP21585986 A JP 21585986A JP S6371959 A JPS6371959 A JP S6371959A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光磁気メモリー、磁気記録、表示素子などに
用いられる磁気カー効果あるいはファラデイー効果など
の磁気光学効果を用いて読み出すことのできる光磁気記
録媒体の製造法の改良に関する。
用いられる磁気カー効果あるいはファラデイー効果など
の磁気光学効果を用いて読み出すことのできる光磁気記
録媒体の製造法の改良に関する。
［従来の技術］
従来より、光磁気記録媒体としては、ＭｎＢ ｉ 。
ＭｎＣｕｔｌｉなどの多結晶薄膜、ＧｄＣｏ、 ＧｄＦ
ｅ、 ＴｂＦｅ。
ｅ、 ＴｂＦｅ。
ＤｙＦｅ、 ＧｄＴｂＦｃ、 ＴｂＤｙＦｅ、 ＧｄＦ
ｅＣｏ、 ＴｂＦｅ（：ｏ、 ＧｄＴｂＣ。
ｅＣｏ、 ＴｂＦｅ（：ｏ、 ＧｄＴｂＣ。
などの非晶質薄膜、ＧｄＩＧなどの単結晶薄膜などが知
られている。これらの薄膜のうち、大面積の薄膜を室温
近傍の温度で製作する際の成膜性、信号を小さな光熱エ
ネルギーで書き込むためのＪｒき込み効率、および書き
込まれた４３号をＳ／Ｎ比よく読み出すための読み出し
効率等を勘案して、最近では前記非晶質薄膜が光磁気記
録媒体用として優れていると考えられている。
られている。これらの薄膜のうち、大面積の薄膜を室温
近傍の温度で製作する際の成膜性、信号を小さな光熱エ
ネルギーで書き込むためのＪｒき込み効率、および書き
込まれた４３号をＳ／Ｎ比よく読み出すための読み出し
効率等を勘案して、最近では前記非晶質薄膜が光磁気記
録媒体用として優れていると考えられている。
しかしながら、一般に希土類−遷移金属合金から成る非
晶質磁性体は耐食性か劣り湿気を４４する雰囲気中では
腐食されて磁気特性の劣化を生しるという欠点があった
。このような欠点を除くために、従来から磁気記録層に
Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ等の元素を添加したり、
磁気記録層に保護層を設ける方法が提案されている。特
に保護層を設ける方法は有効であり、従来から各種の保
５隻層か熱心に研究されていた。
晶質磁性体は耐食性か劣り湿気を４４する雰囲気中では
腐食されて磁気特性の劣化を生しるという欠点があった
。このような欠点を除くために、従来から磁気記録層に
Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ等の元素を添加したり、
磁気記録層に保護層を設ける方法が提案されている。特
に保護層を設ける方法は有効であり、従来から各種の保
５隻層か熱心に研究されていた。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、保護層には記録層を腐蝕から守るという
働きの他に、低熱伝導性、基板との密着性、記録層や他
の補助層との密着性、小さい内部応力等、種々の特性が
要求されるため保護層材料及び成膜法の選定が難しい。
働きの他に、低熱伝導性、基板との密着性、記録層や他
の補助層との密着性、小さい内部応力等、種々の特性が
要求されるため保護層材料及び成膜法の選定が難しい。
これらの性能を総合的に判断するとＳｉＯつ（ｘ ＝
０．８〜ｌ、９）が材料としては優れているか５ｉｎｘ
はＸの値によって各種特性が変化する。その−Ｆ、光磁
気記録媒体にとって最適な特性になるＸの埴は基板の種
類や層構成によって変わるため、単にＳｉＯを蒸着やス
ッパタ法によって成膜しても良好な保護層にはならなが
った。そこで、Ｘの値をコントロールするためにＳｉや
ＳｉＯを０２ガスを導入して反応蒸着したり、反応スパ
ッタする方法も考えられてきた。しかしこれらの方法も
非常に酸化されやすい希土類元素を扱う前後で作成途中
の媒体及び成膜装置が０７ガスにさらされるという決定
的な欠点をもっていた。
０．８〜ｌ、９）が材料としては優れているか５ｉｎｘ
はＸの値によって各種特性が変化する。その−Ｆ、光磁
気記録媒体にとって最適な特性になるＸの埴は基板の種
類や層構成によって変わるため、単にＳｉＯを蒸着やス
ッパタ法によって成膜しても良好な保護層にはならなが
った。そこで、Ｘの値をコントロールするためにＳｉや
ＳｉＯを０２ガスを導入して反応蒸着したり、反応スパ
ッタする方法も考えられてきた。しかしこれらの方法も
非常に酸化されやすい希土類元素を扱う前後で作成途中
の媒体及び成膜装置が０７ガスにさらされるという決定
的な欠点をもっていた。
本発明の目的は上述従来の欠点を除去し、０２ガスを利
用しなくても、所望のＸをもっＳｉＯｘの保護層が設け
られた光磁気記録媒体を作製できる方法を提供すること
にある。
用しなくても、所望のＸをもっＳｉＯｘの保護層が設け
られた光磁気記録媒体を作製できる方法を提供すること
にある。
［問題点を解決するための丁段］
、Ｆ記の目的は、基体トに、光学的に情報の記録、再生
が可能な、希土類−遷移金属合金から成る磁気記録層と
、珪素及び酸素を成分とする保護層とが少なくとも設け
られた光磁気記録媒体を製造する方法において、前記保
護層を、Ｓｉ、 ＳｉＯ及びＳｉＯ２から選ばれた少
なくとも２杆以上の混合粉末の焼結体をターゲットとし
て用いたスパッタリング法により、設けることを特徴と
する製造方法により達成される。
が可能な、希土類−遷移金属合金から成る磁気記録層と
、珪素及び酸素を成分とする保護層とが少なくとも設け
られた光磁気記録媒体を製造する方法において、前記保
護層を、Ｓｉ、 ＳｉＯ及びＳｉＯ２から選ばれた少
なくとも２杆以上の混合粉末の焼結体をターゲットとし
て用いたスパッタリング法により、設けることを特徴と
する製造方法により達成される。
かかる方法により０２ガスを使用しなくても所望のＸを
もったＳ ｉｏｘの保護層を形成することができる。た
だし、混合粉末焼結より成る−１−記ターゲットのＳｉ
と０の組成比と、これを用いて成膜される保護層のＳｉ
とＯの組成比は一般に一致しない。
もったＳ ｉｏｘの保護層を形成することができる。た
だし、混合粉末焼結より成る−１−記ターゲットのＳｉ
と０の組成比と、これを用いて成膜される保護層のＳｉ
とＯの組成比は一般に一致しない。
従って、混合粉末焼結ターゲットのＳｉと０の組成比（
結局はこのターゲット作成の際の混合粉末の混合比）は
、所望の組成の５ｉｎｘ保護膜をｑＪるために、実験的
に決定する必要がある。
結局はこのターゲット作成の際の混合粉末の混合比）は
、所望の組成の５ｉｎｘ保護膜をｑＪるために、実験的
に決定する必要がある。
本発明において、５ｉｎｘ形成の際のスパッタ装置内の
雰囲気圧、投入電力等の諸条件は、公知のターゲットを
用いたスパッタリングの際の諸条件と同程度またはそわ
とかけはなれないので、適宜選定すればよい。
雰囲気圧、投入電力等の諸条件は、公知のターゲットを
用いたスパッタリングの際の諸条件と同程度またはそわ
とかけはなれないので、適宜選定すればよい。
本発明により製造された光磁気記録媒体の構成例を、第
１図に示す。この光磁気記録媒体はプラスチック、ガラ
ス等からなる透光性基板（基体）１Ｆに＋１７Ｆ述した
ような方法により作製されたＳｉｎ。
１図に示す。この光磁気記録媒体はプラスチック、ガラ
ス等からなる透光性基板（基体）１Ｆに＋１７Ｆ述した
ような方法により作製されたＳｉｎ。
から成る保護層２か設けられ、更にそのＩ−に磁気記録
層３と保護層４が積層されたものである。保護層４は保
護層２と同様にして作製されるのが望ましいけれども他
の酸化物、硫化物、フッ化物のような無機材料あるいは
金属材料を通常の蒸着法又はスパッリング法により設け
てもよい。有機高分子膜を塗工により設けてもよい。保
Ｊ舊層２は干渉効果を利用してＳ／Ｎ比を増大させるた
めの干渉層としての機能を付加することもできる。その
場合は保護層２のＪゾさｄは記録再生光の波長をλ、保
護層の屈折率をｎとすると、λ／２０≦ｎｄ≦２λ１５
となるように選ぶ。
層３と保護層４が積層されたものである。保護層４は保
護層２と同様にして作製されるのが望ましいけれども他
の酸化物、硫化物、フッ化物のような無機材料あるいは
金属材料を通常の蒸着法又はスパッリング法により設け
てもよい。有機高分子膜を塗工により設けてもよい。保
Ｊ舊層２は干渉効果を利用してＳ／Ｎ比を増大させるた
めの干渉層としての機能を付加することもできる。その
場合は保護層２のＪゾさｄは記録再生光の波長をλ、保
護層の屈折率をｎとすると、λ／２０≦ｎｄ≦２λ１５
となるように選ぶ。
磁気記録層３はその主成分がＦｅ、Ｇｏ、Ｎｉ等の希土
類元素の一種以十と、Ｇｄ、 Ｔｂ、 ＤＶ等の遷移金
属の−種以上とから成っており、光学的に情報の記録、
再生が可能である。例えば、高周波スパッタ装置あるい
はＤＣスパッタ装置を用いたスパッタリングにより形成
される。その膜厚は通常２００〜２０００人厚程度に形
成する。
類元素の一種以十と、Ｇｄ、 Ｔｂ、 ＤＶ等の遷移金
属の−種以上とから成っており、光学的に情報の記録、
再生が可能である。例えば、高周波スパッタ装置あるい
はＤＣスパッタ装置を用いたスパッタリングにより形成
される。その膜厚は通常２００〜２０００人厚程度に形
成する。
本発明の方法により製造された光磁気記録媒体の他の構
成例を第２図に示す。この図のように光ト渉効果を果た
す光干渉層５、光反射能の高い反射層６とを更に設ける
ことにより、Ｓ／Ｎ比を向上させた光磁気記録媒体とす
ることができる。
成例を第２図に示す。この図のように光ト渉効果を果た
す光干渉層５、光反射能の高い反射層６とを更に設ける
ことにより、Ｓ／Ｎ比を向上させた光磁気記録媒体とす
ることができる。
本発明の方法により製造される光磁気記録媒体の磁気記
録層３は、２つの磁性層が交換結合した状態にある二層
構造のものでもよい。
録層３は、２つの磁性層が交換結合した状態にある二層
構造のものでもよい。
また、５ｉＯＸの保護層の他に干渉効果をさらに高めた
り、密着性をさらに向上させたりする等、諸特性の補充
、向−トの目的で、種々の補助層を設けることができる
。
り、密着性をさらに向上させたりする等、諸特性の補充
、向−トの目的で、種々の補助層を設けることができる
。
［実施例］
実施例１
第２図に例示した構成を有する光磁気記録媒体を次のよ
うに作製した。直径＋３０ｔｎｍ 、 Ｎさ］、２ｍｍ
のトララッキング用案内溝付きのポリカーボネート製の
ディスク状基板上に、ＳｉＯとＳｉＯ２との混合比が４
＝１で作製された混合粉末焼結体のターゲットを用いて
、高周波スッパタ法により膜厚１４００人の５ｉｎｘ（
ｘ ＝ １．４ ）を成膜し保護層２とした。続けてＧ
ｄＴｂとＦｅ（：ｏとのターゲットを用い２元同時スパ
ッタリング法によって膜厚１３０人のＧｄＴｂＦｅ［：
ｏを成膜し磁気記録層３とした。次に保護層２と同様に
して膜Ｊ’Ｊ１４００人のＳｉＯｘを成膜し干渉層５と
した。更に電Ｙ〜ビーム加熱によりＡＩをＪ’Ｘさ５０
０人に蒸着して反射層６とし、続いてそのににＳｉＯを
厚さ２０００人に蒸着して保護層４とした。これを接着
剤を用いて基板１と同型の保護用シ、（板と張り合わせ
て光磁気記録媒体を作製した。
うに作製した。直径＋３０ｔｎｍ 、 Ｎさ］、２ｍｍ
のトララッキング用案内溝付きのポリカーボネート製の
ディスク状基板上に、ＳｉＯとＳｉＯ２との混合比が４
＝１で作製された混合粉末焼結体のターゲットを用いて
、高周波スッパタ法により膜厚１４００人の５ｉｎｘ（
ｘ ＝ １．４ ）を成膜し保護層２とした。続けてＧ
ｄＴｂとＦｅ（：ｏとのターゲットを用い２元同時スパ
ッタリング法によって膜厚１３０人のＧｄＴｂＦｅ［：
ｏを成膜し磁気記録層３とした。次に保護層２と同様に
して膜Ｊ’Ｊ１４００人のＳｉＯｘを成膜し干渉層５と
した。更に電Ｙ〜ビーム加熱によりＡＩをＪ’Ｘさ５０
０人に蒸着して反射層６とし、続いてそのににＳｉＯを
厚さ２０００人に蒸着して保護層４とした。これを接着
剤を用いて基板１と同型の保護用シ、（板と張り合わせ
て光磁気記録媒体を作製した。
この光磁気記録媒体の環境安定性を−１へるために一２
０℃相対湿度１００％から６０℃相対湿度９５％間のサ
イクルテスト（Ｚへ〇テスト）を行なったところ、１０
００時間後も内、外周縁の端がら２市以内に腐食が発生
しただけで記録領域には外観−」二何らの変化もなく記
録再生も良好に行なえた。
０℃相対湿度１００％から６０℃相対湿度９５％間のサ
イクルテスト（Ｚへ〇テスト）を行なったところ、１０
００時間後も内、外周縁の端がら２市以内に腐食が発生
しただけで記録領域には外観−」二何らの変化もなく記
録再生も良好に行なえた。
比較例１
保護層２と干渉層５のそれぞれを、ＳｉＯの焼結ターゲ
ットを用いたスパッタリングにより成膜したＳｉｎ、層
（Ｊ’Ｘさ順に１４００人、１６００人、Ｘ＝１．６）
とした他は、実施例と同様に光磁気記録媒体を作製し、
７．へ〇テストを行なった。試験の結果、５０時間試験
後には一部に膜のハガレが発生し２５０時間後には全面
に膜のハガレが発生し光−気記録媒体としては全く使用
不能となってしまっていた。
ットを用いたスパッタリングにより成膜したＳｉｎ、層
（Ｊ’Ｘさ順に１４００人、１６００人、Ｘ＝１．６）
とした他は、実施例と同様に光磁気記録媒体を作製し、
７．へ〇テストを行なった。試験の結果、５０時間試験
後には一部に膜のハガレが発生し２５０時間後には全面
に膜のハガレが発生し光−気記録媒体としては全く使用
不能となってしまっていた。
比較例２
保護層２と干渉層５のそれぞわをＳｉターゲットを用い
０２ガスを導入しながら反応性スパッリングにより成１
１１２シたＳ ｉＱ、層く厚さ１Ｑｆｔｃ１４００人、
＋４（１（１人、 ｘ＝１．４ ）とした他は実施例
と同様に光磁気記録媒体を作製したが垂直磁化膜は得ら
れなかった。即ち、保護層に適したＳｉＯヶでもを０２
を導入しなから形成すると極めてその性能が低下するこ
とはあきらかである。
０２ガスを導入しながら反応性スパッリングにより成１
１１２シたＳ ｉＱ、層く厚さ１Ｑｆｔｃ１４００人、
＋４（１（１人、 ｘ＝１．４ ）とした他は実施例
と同様に光磁気記録媒体を作製したが垂直磁化膜は得ら
れなかった。即ち、保護層に適したＳｉＯヶでもを０２
を導入しなから形成すると極めてその性能が低下するこ
とはあきらかである。
比較例３
保護層２と干渉層５のそれぞれをスパッタリングにより
成膜した、保護特性が５ｉｎｘ以外で母れていると考え
られるＺｎＳ層（厚さ順に１４００人、 １２００人）
とした他は、実施例と同様にして光磁気記録媒体を作成
し、ＺＡＤテストを行なった。試験の結果この媒体は試
験時間５００時間後までは外観状何の変化も起きず記録
再生も良好に行なえたが１０００時間経過後には一部に
膜のハガレが発生してしまった。
成膜した、保護特性が５ｉｎｘ以外で母れていると考え
られるＺｎＳ層（厚さ順に１４００人、 １２００人）
とした他は、実施例と同様にして光磁気記録媒体を作成
し、ＺＡＤテストを行なった。試験の結果この媒体は試
験時間５００時間後までは外観状何の変化も起きず記録
再生も良好に行なえたが１０００時間経過後には一部に
膜のハガレが発生してしまった。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、保護能力や密着性能等の諸
点から最適であるＸの値をもったＳ ｉ Ｏｙ、の保護
層を打する光磁気記録媒体を、０２に汚染されることな
く製造できるようになった。したがって、本発明によっ
て、環境安定性、腐食防止効果、膜の密、７′ｉ安定性
等の諸特性か極めて帰れた光磁気記録媒体の提供が可能
になった。
点から最適であるＸの値をもったＳ ｉ Ｏｙ、の保護
層を打する光磁気記録媒体を、０２に汚染されることな
く製造できるようになった。したがって、本発明によっ
て、環境安定性、腐食防止効果、膜の密、７′ｉ安定性
等の諸特性か極めて帰れた光磁気記録媒体の提供が可能
になった。
第１図、第２図は各々本発明の光ｂｕ気記録媒体の一構
成例を示す模式図である。 １：透光基盤 ２，４：保護層 ３：ＶＡ磁気記録層 ５：干渉層６；反射層
成例を示す模式図である。 １：透光基盤 ２，４：保護層 ３：ＶＡ磁気記録層 ５：干渉層６；反射層
Claims (1)
- １）基体上に、光学的に情報の記録、再生が可能な、希
土類−遷移金属合金から成る磁気記録層と、珪素及び酸
素を成分とする保護層とが少なくとも設けられた光磁気
記録媒体を製造する方法において、前記保護層を、Ｓｉ
、ＳｉＯ及びＳｉＯ＿２から選ばれた少なくとも２種以
上の混合粉末の焼結体をターゲットとして用いたスパッ
タリング法により、設けることを特徴とする製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21585986A JPS6371959A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21585986A JPS6371959A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6371959A true JPS6371959A (ja) | 1988-04-01 |
Family
ID=16679454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21585986A Pending JPS6371959A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6371959A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0323532A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-31 | Nec Home Electron Ltd | 光ディスク及びその製造方法 |
| US5355934A (en) * | 1992-07-22 | 1994-10-18 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Low pressure casting apparatus |
| JP2009255133A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Tanida Gokin Kk | 差圧鋳造装置 |
-
1986
- 1986-09-16 JP JP21585986A patent/JPS6371959A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0323532A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-31 | Nec Home Electron Ltd | 光ディスク及びその製造方法 |
| US5355934A (en) * | 1992-07-22 | 1994-10-18 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Low pressure casting apparatus |
| JP2009255133A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Tanida Gokin Kk | 差圧鋳造装置 |
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