JPH07262633A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH07262633A JPH07262633A JP4732094A JP4732094A JPH07262633A JP H07262633 A JPH07262633 A JP H07262633A JP 4732094 A JP4732094 A JP 4732094A JP 4732094 A JP4732094 A JP 4732094A JP H07262633 A JPH07262633 A JP H07262633A
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- JP
- Japan
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- layer
- protective layer
- film
- recording
- magneto
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】
【構成】 基板上に少なくとも誘電体からなる保護層，
磁性体からなる記録層及び反射層をスパッタ法により積
層して成膜する光磁気記録媒体において、記録層３と反
射層５にはさまれた保護層４がカ−ボン及び水素からな
る。 【効果】 第２誘電体保護層の熱伝導特性を高くするこ
とによって、記録時におけるビットの記録滲みが少な
い、低エラ−レ−ト特性を有する高信頼性光磁気記録媒
体を得ることができる。
磁性体からなる記録層及び反射層をスパッタ法により積
層して成膜する光磁気記録媒体において、記録層３と反
射層５にはさまれた保護層４がカ−ボン及び水素からな
る。 【効果】 第２誘電体保護層の熱伝導特性を高くするこ
とによって、記録時におけるビットの記録滲みが少な
い、低エラ−レ−ト特性を有する高信頼性光磁気記録媒
体を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザー光を用い情報の
記録、再生、消去を行う光磁気記録媒体に関するもので
ある。
記録、再生、消去を行う光磁気記録媒体に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報量の増大にともないコンピュ
ータの外部メモリーとしての書換え可能型記録媒体の大
容量化が進んでいる。そのひとつの手段として情報の記
録及び消去をレーザー光による加熱と外部磁場の印加に
より磁性体層の磁化方向を変えることで行い、記録され
た情報を磁気カー効果による光の偏光面の回転を利用し
て読み出す方式を用いた光磁気ディスクが実用化されて
いる。
ータの外部メモリーとしての書換え可能型記録媒体の大
容量化が進んでいる。そのひとつの手段として情報の記
録及び消去をレーザー光による加熱と外部磁場の印加に
より磁性体層の磁化方向を変えることで行い、記録され
た情報を磁気カー効果による光の偏光面の回転を利用し
て読み出す方式を用いた光磁気ディスクが実用化されて
いる。
【０００３】この光磁気記録媒体は、記録層として用い
られる希土類金属−３ｄ遷移金属合金の磁気光学効果を
光の干渉効果により大きくするため誘電体保護層及び反
射層を組み合わせたディスク構造が一般に用いられてい
る。上記の目的に用いられる誘電体保護層は、屈折率が
大きく光の透過率が大きいことと共に、記録層を保護す
る効果に優れていることが求められ、そのような材質と
してＳｉＮ、ＳｉＮＨ、ＳｉＯＮ、ＳｉＡｌＯＮ、Ｔａ
Ｏ等が知られている。
られる希土類金属−３ｄ遷移金属合金の磁気光学効果を
光の干渉効果により大きくするため誘電体保護層及び反
射層を組み合わせたディスク構造が一般に用いられてい
る。上記の目的に用いられる誘電体保護層は、屈折率が
大きく光の透過率が大きいことと共に、記録層を保護す
る効果に優れていることが求められ、そのような材質と
してＳｉＮ、ＳｉＮＨ、ＳｉＯＮ、ＳｉＡｌＯＮ、Ｔａ
Ｏ等が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】現在、光磁気ディスク
媒体においては、記録した情報が常に安定に読み出せる
ことが必要であり、そのためには記録時における記録ビ
ットの記録滲みが少ない媒体が必要である。すなわち、
レ−ザ−によって照射された磁性層は、キュリ−温度付
近まで温度が上がるが、熱の拡散が記録ビット周辺にお
よんだ場合、記録滲みとなるためこれが記録ビットの位
相ずれを発生させエラ−の原因となる。したがって、熱
は出来るだけ反射層側に拡散させる必要がある。
媒体においては、記録した情報が常に安定に読み出せる
ことが必要であり、そのためには記録時における記録ビ
ットの記録滲みが少ない媒体が必要である。すなわち、
レ−ザ−によって照射された磁性層は、キュリ−温度付
近まで温度が上がるが、熱の拡散が記録ビット周辺にお
よんだ場合、記録滲みとなるためこれが記録ビットの位
相ずれを発生させエラ−の原因となる。したがって、熱
は出来るだけ反射層側に拡散させる必要がある。
【０００５】従来、光磁気ディスクに使用されてきた膜
構造では、記録層の保護とエンハンス効果を得るため
に、記録層と反射層の間にはＳｉ系の誘電体保護層があ
る。この誘電体保護層の熱伝導特性が問題となるが、Ｓ
ｉ系の誘電体保護層では十分とはいえないため、記録滲
みが生じ記録ビットの位相ずれが生じ、これが原因でエ
ラ−レ−トの上昇が生じることがあった。このため、記
録ビットの記録滲みの生じにくい、良好な熱伝導特性を
有する誘電体保護層の開発が求められている。
構造では、記録層の保護とエンハンス効果を得るため
に、記録層と反射層の間にはＳｉ系の誘電体保護層があ
る。この誘電体保護層の熱伝導特性が問題となるが、Ｓ
ｉ系の誘電体保護層では十分とはいえないため、記録滲
みが生じ記録ビットの位相ずれが生じ、これが原因でエ
ラ−レ−トの上昇が生じることがあった。このため、記
録ビットの記録滲みの生じにくい、良好な熱伝導特性を
有する誘電体保護層の開発が求められている。
【０００６】そこで本発明はかかる従来の実状に鑑みて
提案されたものであり、磁性層と反射層の間にカ−ボン
と水素からなる誘電体保護層を形成することによって、
記録滲みが少ない低エラ−レ−トな特性を有する光磁気
記録媒体を提供することを目的とする。
提案されたものであり、磁性層と反射層の間にカ−ボン
と水素からなる誘電体保護層を形成することによって、
記録滲みが少ない低エラ−レ−トな特性を有する光磁気
記録媒体を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するために鋭意検討を行った結果、磁性層と反
射層との間にカ−ボンと水素からなる誘電体保護層を形
成することによって、記録滲みが少なく、低エラ−レ−
トな特性を示す光磁気記録媒体が得られることを見出だ
し本発明を完成するに至った。
題を解決するために鋭意検討を行った結果、磁性層と反
射層との間にカ−ボンと水素からなる誘電体保護層を形
成することによって、記録滲みが少なく、低エラ−レ−
トな特性を示す光磁気記録媒体が得られることを見出だ
し本発明を完成するに至った。
【０００８】即ち、本発明は、基板上に少なくとも誘電
体からなる保護層及び磁性体からなる記録層をスパッタ
法により積層して成膜する光磁気記録媒体において、前
記保護層がカ−ボン及び水素からなることを特徴とする
光磁気記録媒体に関する。
体からなる保護層及び磁性体からなる記録層をスパッタ
法により積層して成膜する光磁気記録媒体において、前
記保護層がカ−ボン及び水素からなることを特徴とする
光磁気記録媒体に関する。
【０００９】以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【００１０】図１は本発明で得た光磁気記録媒体の断面
を示す図である。この光磁気記録媒体は記録・再生が基
板側から行われ、透明基板１上に第１誘電体保護層２、
記録層３、第２誘電体保護層４および反射層５がこの順
序に積層されたものである。次に本発明の成膜方法につ
いて説明する。透明基板上に第１誘電体保護層を成膜す
るが、この層は、通常ＳｉＮ層で構成される。成膜は、
例えばＳｉターゲットを用いＡｒ＋Ｎ2ガスを用いたＲ
Ｆ反応スパッタ法などの通常の方法で行えばよい。前記
真空槽中のガス圧の設定はＡｒガス流量を固定し排気系
のバルブ開度の調整で行い、成膜する誘電体層膜の屈折
率はＮ2ガス流量を調整して行えばよい。第２誘電体保
護層は、例えばＣ（炭素）ターゲットを用い、Ａｒ＋水
素ガスなどを用いたＤＣスパッタ法で水素含有カ−ボン
膜を成膜する。水素含有カ−ボンの確認はラマンスペク
トルの測定によって行うことができる。すなわち、ラマ
ンスペクトル（ラマンシフト）が１５３０〜１６００ｃ
ｍ-1および、１３５０〜１４００ｃｍ-1の範囲に有り、
その強度比：（１３５０〜１４００ｃｍ-1／１５３０〜
１６００ｃｍ-1）が１．０以下であれば水素含有カ−ボ
ン膜であることが確認でき、水素含有量としては２１〜
３７ａｔ％が好ましい。又、反射層は、通常Ａｌターゲ
ットをＡｒガスを用いＤＣスパッタすることで形成する
ことができる。
を示す図である。この光磁気記録媒体は記録・再生が基
板側から行われ、透明基板１上に第１誘電体保護層２、
記録層３、第２誘電体保護層４および反射層５がこの順
序に積層されたものである。次に本発明の成膜方法につ
いて説明する。透明基板上に第１誘電体保護層を成膜す
るが、この層は、通常ＳｉＮ層で構成される。成膜は、
例えばＳｉターゲットを用いＡｒ＋Ｎ2ガスを用いたＲ
Ｆ反応スパッタ法などの通常の方法で行えばよい。前記
真空槽中のガス圧の設定はＡｒガス流量を固定し排気系
のバルブ開度の調整で行い、成膜する誘電体層膜の屈折
率はＮ2ガス流量を調整して行えばよい。第２誘電体保
護層は、例えばＣ（炭素）ターゲットを用い、Ａｒ＋水
素ガスなどを用いたＤＣスパッタ法で水素含有カ−ボン
膜を成膜する。水素含有カ−ボンの確認はラマンスペク
トルの測定によって行うことができる。すなわち、ラマ
ンスペクトル（ラマンシフト）が１５３０〜１６００ｃ
ｍ-1および、１３５０〜１４００ｃｍ-1の範囲に有り、
その強度比：（１３５０〜１４００ｃｍ-1／１５３０〜
１６００ｃｍ-1）が１．０以下であれば水素含有カ−ボ
ン膜であることが確認でき、水素含有量としては２１〜
３７ａｔ％が好ましい。又、反射層は、通常Ａｌターゲ
ットをＡｒガスを用いＤＣスパッタすることで形成する
ことができる。
【００１１】本発明で用いる誘電体層の材質は上記した
ものに限定されるものではなく、第１誘電体保護層とし
てＳｉＮＨ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＡｌＯＮ、Ｓｉ
Ｃ等、或いはそれ以外の酸化物を用いてもよい。また第
２誘電体保護層に関しても水素ガスのかわりにメタンガ
ス等の他炭化水素ガスを用いても同様な効果が得られ、
安全性や取り扱いやすさの点から、これらの炭化水素ガ
スを用いて成膜する方が好ましい。第１誘電体層の膜厚
は１０〜１５０ｎｍ、又、第２誘電体保護層の膜厚は５
〜５０ｎｍでよいが、好ましくは第１誘電体層の膜厚を
７０〜１００ｎｍ、又、第２誘電体保護層の膜厚は１５
〜３０ｎｍとすることによって、光学特性の良好な光磁
気記録媒体が得られる。
ものに限定されるものではなく、第１誘電体保護層とし
てＳｉＮＨ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＡｌＯＮ、Ｓｉ
Ｃ等、或いはそれ以外の酸化物を用いてもよい。また第
２誘電体保護層に関しても水素ガスのかわりにメタンガ
ス等の他炭化水素ガスを用いても同様な効果が得られ、
安全性や取り扱いやすさの点から、これらの炭化水素ガ
スを用いて成膜する方が好ましい。第１誘電体層の膜厚
は１０〜１５０ｎｍ、又、第２誘電体保護層の膜厚は５
〜５０ｎｍでよいが、好ましくは第１誘電体層の膜厚を
７０〜１００ｎｍ、又、第２誘電体保護層の膜厚は１５
〜３０ｎｍとすることによって、光学特性の良好な光磁
気記録媒体が得られる。
【００１２】記録層の成膜は、記録層を構成する成分、
例えば、ＴｂとＦｅＣｏの各ターゲットをＡｒガスを用
いて同時にＤＣスパッタを行い、基板が各ターゲット上
を交互に通過するように回転することでＴｂＦｅＣｏ合
金膜を形成することができる。
例えば、ＴｂとＦｅＣｏの各ターゲットをＡｒガスを用
いて同時にＤＣスパッタを行い、基板が各ターゲット上
を交互に通過するように回転することでＴｂＦｅＣｏ合
金膜を形成することができる。
【００１３】記録層としては、上に例示したＴｂＦｅＣ
ｏの他にＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＤｙＦｅＣｏ、
ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏ等の組成の希土類金属−３ｄ遷移金属合金を用いるこ
とができ、更に耐蝕性向上のためにＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ等
に代表される不動態元素を微量添加してもよい。またそ
れ以外にもＭｎＢｉ等の金属間化合物や、Ｃｏ／Ｐｔ系
の人工格子薄膜などの垂直磁化膜を用いたときにも同様
な効果が得られる。
ｏの他にＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＤｙＦｅＣｏ、
ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏ等の組成の希土類金属−３ｄ遷移金属合金を用いるこ
とができ、更に耐蝕性向上のためにＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ等
に代表される不動態元素を微量添加してもよい。またそ
れ以外にもＭｎＢｉ等の金属間化合物や、Ｃｏ／Ｐｔ系
の人工格子薄膜などの垂直磁化膜を用いたときにも同様
な効果が得られる。
【００１４】記録層の膜厚は１０〜５０ｎｍで良いが、
好ましくは２５ｎｍ程度が光学特性上よい。反射層とし
てはＡｌタ−ゲットの他にＡｌＣｒ，ＡｌＴｉ，ＡｌＴ
ａ，ＡｌＮｉなどを用いてもよい。膜厚は３０ｎｍ以上
であれば良いが好ましくは６０ｎｍ程度が記録特性上よ
い。
好ましくは２５ｎｍ程度が光学特性上よい。反射層とし
てはＡｌタ−ゲットの他にＡｌＣｒ，ＡｌＴｉ，ＡｌＴ
ａ，ＡｌＮｉなどを用いてもよい。膜厚は３０ｎｍ以上
であれば良いが好ましくは６０ｎｍ程度が記録特性上よ
い。
【００１５】第一誘電体および第二誘電体膜の屈折率は
エンハンス条件が同一になるように窒素ガスおよび水素
ガス又は炭化水素ガスの導入量を調節して成膜を行い、
およそ２．０〜２．４とすればよい。成膜ガス圧力につ
いては各層共に全ガス圧力が、０．２〜０．３Ｐａの範
囲にて行うと、上記特性を有する膜が得ることが可能と
なる。
エンハンス条件が同一になるように窒素ガスおよび水素
ガス又は炭化水素ガスの導入量を調節して成膜を行い、
およそ２．０〜２．４とすればよい。成膜ガス圧力につ
いては各層共に全ガス圧力が、０．２〜０．３Ｐａの範
囲にて行うと、上記特性を有する膜が得ることが可能と
なる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を実施例をもって更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、成膜装置はＵＬＶＡＣ製、商品名「ＳＭＯ−０５
ＣＲ」を使用し、記録滲みの程度は、ジッタ−特性によ
り評価し、ナカミチ製、商品名「ＯＭＳ２０００Ｓ」
と、タイムインタ−バルアナライザ−を組み合わせて測
定を行った。また、水素含有量の測定はＨＦＳ（Ｈｙｄ
ｒｏｇｅｎ Ｆｏｒ−ｗａｒｄ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎ
ｇ）により行った。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、成膜装置はＵＬＶＡＣ製、商品名「ＳＭＯ−０５
ＣＲ」を使用し、記録滲みの程度は、ジッタ−特性によ
り評価し、ナカミチ製、商品名「ＯＭＳ２０００Ｓ」
と、タイムインタ−バルアナライザ−を組み合わせて測
定を行った。また、水素含有量の測定はＨＦＳ（Ｈｙｄ
ｒｏｇｅｎ Ｆｏｒ−ｗａｒｄ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎ
ｇ）により行った。
【００１７】実施例１ 基板は３．５インチ径のポリカーボネート製基板を用い
た。第１誘電体保護層（図１中２）としてのＳｉＮ層の
成膜は、Ｓｉターゲットを用い、Ａｒ＋Ｎ2ガスを用い
たＲＦ反応スパッタで行った。真空槽中のガス圧は０．
２〜０．４Ｐａに設定し、膜厚は１００ｎｍになるまで
成膜した。形成するＳｉＮ膜の屈折率は、スパッタ時の
Ｎ2ガス流量を調整することで約２．０５に合わせた。
た。第１誘電体保護層（図１中２）としてのＳｉＮ層の
成膜は、Ｓｉターゲットを用い、Ａｒ＋Ｎ2ガスを用い
たＲＦ反応スパッタで行った。真空槽中のガス圧は０．
２〜０．４Ｐａに設定し、膜厚は１００ｎｍになるまで
成膜した。形成するＳｉＮ膜の屈折率は、スパッタ時の
Ｎ2ガス流量を調整することで約２．０５に合わせた。
【００１８】次に記録層（図１中３）を、Ｔｂのターゲ
ットとＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、基板が各ターゲ
ット上を交互に通過するように回転させながらＡｒガス
を用いて同時にＤＣスパッタを行い、厚さ約２５ｎｍの
Ｔｂ18（Ｆｅ90Ｃｏ10）82合金膜を形成した。第２誘電
体保護層（図１中４）はＣターゲットを用い、Ａｒ＋メ
タンガスを用いたＤＣスパッタで、真空槽中のガス圧は
０．２Ｐａに設定し、膜厚は３０ｎｍになるまで成膜し
た。形成する水素含有カ−ボン膜の屈折率は、スパッタ
時のメタンガス流量を調整することで約２．０５に合わ
せた。反射層（図１中５）は、Ａｌターゲットを用いＡ
ｒガスを用いてＤＣスパッタし膜厚約６０ｎｍに形成し
た。
ットとＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、基板が各ターゲ
ット上を交互に通過するように回転させながらＡｒガス
を用いて同時にＤＣスパッタを行い、厚さ約２５ｎｍの
Ｔｂ18（Ｆｅ90Ｃｏ10）82合金膜を形成した。第２誘電
体保護層（図１中４）はＣターゲットを用い、Ａｒ＋メ
タンガスを用いたＤＣスパッタで、真空槽中のガス圧は
０．２Ｐａに設定し、膜厚は３０ｎｍになるまで成膜し
た。形成する水素含有カ−ボン膜の屈折率は、スパッタ
時のメタンガス流量を調整することで約２．０５に合わ
せた。反射層（図１中５）は、Ａｌターゲットを用いＡ
ｒガスを用いてＤＣスパッタし膜厚約６０ｎｍに形成し
た。
【００１９】実施例２ 第２誘電体保護層（図１中４）としての水素含有カ−ボ
ン層の膜厚を２５ｎｍ、屈折率を約２．３５に合わせた
他は、実施例１と同様な方法でディスクを作製した。
ン層の膜厚を２５ｎｍ、屈折率を約２．３５に合わせた
他は、実施例１と同様な方法でディスクを作製した。
【００２０】実施例３ 第１誘電体保護層（図１中２）としてのＳｉＮ層の膜厚
を７０ｎｍ、第２誘電体保護層（図１中４）としての水
素含有カ−ボン層の膜厚を１５ｎｍ、屈折率を約２．０
５に合わせた他は、実施例１と同様な方法でディスクを
作製した。
を７０ｎｍ、第２誘電体保護層（図１中４）としての水
素含有カ−ボン層の膜厚を１５ｎｍ、屈折率を約２．０
５に合わせた他は、実施例１と同様な方法でディスクを
作製した。
【００２１】比較例１ 第２誘電体保護層（図１中４）をＳｉＮ層とし、Ｓｉタ
ーゲットを用い、Ａｒ＋Ｎ2ガスを用いたＲＦ反応スパ
ッタで行った。真空槽中のガス圧は０．３Ｐａに設定
し、膜厚は３０ｎｍになるまで成膜した。形成するＳｉ
Ｎ膜の屈折率は、スパッタ時のＮ2ガス流量を調整する
ことで約２．０５に合わせた。この他は、実施例１と同
様な方法でディスクを作製した。
ーゲットを用い、Ａｒ＋Ｎ2ガスを用いたＲＦ反応スパ
ッタで行った。真空槽中のガス圧は０．３Ｐａに設定
し、膜厚は３０ｎｍになるまで成膜した。形成するＳｉ
Ｎ膜の屈折率は、スパッタ時のＮ2ガス流量を調整する
ことで約２．０５に合わせた。この他は、実施例１と同
様な方法でディスクを作製した。
【００２２】比較例２ 第２誘電体保護層（図１中４）をＳｉＮ層とし、Ｓｉタ
ーゲットを用い、Ａｒ＋Ｎ2ガスを用いたＲＦ反応スパ
ッタで行った。真空槽中のガス圧は０．３Ｐａに設定
し、膜厚は２５ｎｍになるまで成膜した。形成するＳｉ
Ｎ膜の屈折率は、スパッタ時のＮ2ガス流量を調整する
ことで約２．３５に合わせた。この他は、実施例２と同
様な方法でディスクを作製した。
ーゲットを用い、Ａｒ＋Ｎ2ガスを用いたＲＦ反応スパ
ッタで行った。真空槽中のガス圧は０．３Ｐａに設定
し、膜厚は２５ｎｍになるまで成膜した。形成するＳｉ
Ｎ膜の屈折率は、スパッタ時のＮ2ガス流量を調整する
ことで約２．３５に合わせた。この他は、実施例２と同
様な方法でディスクを作製した。
【００２３】比較例３ 第２誘電体保護層（図１中４）をＳｉＮ層とし、Ｓｉタ
ーゲットを用い、Ａｒ＋Ｎ2ガスを用いたＲＦ反応スパ
ッタで行った。真空槽中のガス圧は０．３Ｐａに設定
し、膜厚は１５ｎｍになるまで成膜した。形成するＳｉ
Ｎ膜の屈折率は、スパッタ時のＮガス流量を調整するこ
とで約２．０５に合わせた。この他は、実施例３と同様
な方法でディスクを作製した。
ーゲットを用い、Ａｒ＋Ｎ2ガスを用いたＲＦ反応スパ
ッタで行った。真空槽中のガス圧は０．３Ｐａに設定
し、膜厚は１５ｎｍになるまで成膜した。形成するＳｉ
Ｎ膜の屈折率は、スパッタ時のＮガス流量を調整するこ
とで約２．０５に合わせた。この他は、実施例３と同様
な方法でディスクを作製した。
【００２４】以上のディスクについてジッタ−を評価し
た。記録パワ−は５ｍＷから９ｍＷ，回転数２４００ｒ
ｐｍ，半径２４ｍｍにて、ビット周期が３Ｔから８Ｔの
ランダムパタ−ンを記録し、再生パワ−１．５ｍＷにて
再生された信号の各ビット周期におけるジッタ−の平均
値を求め評価基準とした。なお、ジッタ−は各ビット周
期の標準偏差とした。
た。記録パワ−は５ｍＷから９ｍＷ，回転数２４００ｒ
ｐｍ，半径２４ｍｍにて、ビット周期が３Ｔから８Ｔの
ランダムパタ−ンを記録し、再生パワ−１．５ｍＷにて
再生された信号の各ビット周期におけるジッタ−の平均
値を求め評価基準とした。なお、ジッタ−は各ビット周
期の標準偏差とした。
【００２５】第二誘電体層のラマンスペトルは、基板に
ガラス基板を用い第二誘電体層まで前記方法により成膜
後測定を別途行った。測定条件はＡｒレ−ザ−パワ−３
００ｍＷ，装置はＪｏｂｉｎ−Ｙｖｏｎ社製、商品名
「Ｒａｍａｎｏｒ Ｕ−１０００」を使用した。一例と
して、実施例１における第二誘電体層のラマンスペクト
ルを図２に示す。
ガラス基板を用い第二誘電体層まで前記方法により成膜
後測定を別途行った。測定条件はＡｒレ−ザ−パワ−３
００ｍＷ，装置はＪｏｂｉｎ−Ｙｖｏｎ社製、商品名
「Ｒａｍａｎｏｒ Ｕ−１０００」を使用した。一例と
して、実施例１における第二誘電体層のラマンスペクト
ルを図２に示す。
【００２６】表１に、本実施例及び比較例のジッタ−測
定結果を示す。表１より同じディスク構造の場合、第２
誘電体保護層を水素含有カ−ボンとすることによってジ
ッタ−特性が改善されていることがわかる。これは、水
素含有カ−ボンの熱伝導特性がＳｉＮに比べ優れている
ために、記録ビットの記録滲みが少なく良好な特性が得
られたと考えられる。
定結果を示す。表１より同じディスク構造の場合、第２
誘電体保護層を水素含有カ−ボンとすることによってジ
ッタ−特性が改善されていることがわかる。これは、水
素含有カ−ボンの熱伝導特性がＳｉＮに比べ優れている
ために、記録ビットの記録滲みが少なく良好な特性が得
られたと考えられる。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【発明の効果】本発明により、ジッタ−特性が良く、言
い換えれば低エラ−レ−ト特性を有する高信頼性光磁気
記録媒体を得ることができる。
い換えれば低エラ−レ−ト特性を有する高信頼性光磁気
記録媒体を得ることができる。
【図１】 本発明で得た光磁気記録媒体の一実施態様の
断面を示す図
断面を示す図
【図２】 実施例１における第二誘電体層のラマンスペ
クトルを示す図。
クトルを示す図。
１：透明基板 ２：第１誘電体保護層 ３：記録層 ４：第２誘電体保護層 ５：反射層
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも誘電体からなる保護
層，磁性体からなる記録層及び反射層をスパッタ法によ
り積層して成膜する光磁気記録媒体において、記録層と
反射層にはさまれた前記保護層がカ−ボン及び水素から
なることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4732094A JPH07262633A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4732094A JPH07262633A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07262633A true JPH07262633A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=12771990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4732094A Pending JPH07262633A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07262633A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1109166A1 (en) * | 1999-12-14 | 2001-06-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Recording medium and method of manufacturing same |
| KR100525370B1 (ko) * | 1998-08-21 | 2005-12-27 | 엘지전자 주식회사 | 광 기록 매체 |
-
1994
- 1994-03-17 JP JP4732094A patent/JPH07262633A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100525370B1 (ko) * | 1998-08-21 | 2005-12-27 | 엘지전자 주식회사 | 광 기록 매체 |
| EP1109166A1 (en) * | 1999-12-14 | 2001-06-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Recording medium and method of manufacturing same |
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