JPH01204243A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光学的記録に用いる光磁気記録媒体に関する
。

（従来の技術とその課題） 光メモリー素子の中でも追加記録、消去が可能なイレー
ザブル型メモリーは、光磁気記録方式が最も実用化に近
い段階にいる。光磁気記録媒体の記録層としては総合的
な特性から見て現在の所、希土類・遷移金属薄膜が最も
多く用いられている。

この光磁気記録媒体として、レーザー光照射時の記録・
再生効率を向上させる為に基板上の光磁気記録層上に反
射層を設ける方式も提案されている。この方式はカー効
果とファラデー効果の併用により高いＣ／Ｎ比を得られ
るという点で優れている。

記録層上に設けられる反射層は一般的には高反射率の物
質が考えられるが、　Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔはコストが高＜
Ｃｕは腐食を起こし易いためＡｌまたはＡｌの合金の薄
膜が多く用いられる。

しかしながら、ＡｌやＡ１合金を使用した場合には耐蝕
性という点で問題がある。すなわちＡ１は高熱伝導度で
あるので感度を上げるためには厚さを薄くするのが望ま
しいが、表面酸化腹骨を考慮すると、反射率を得るため
に必要な膜厚以上の膜厚とせねばならず、感度を犠牲に
して反射層を厚く設けねばならなかった。

（課題を解決するための手段） 本発明者等は上述の欠点を克服した、高耐蝕性で高Ｃ／
Ｎ比の光磁気記録媒体を捷供するべく鋭意検討した結果
、特定の物質で保護層を構成することによりキャリアレ
ベルが高く、経時安定性に優れた光磁気記録媒体が得ら
れることを見出した。

〔発明の構成〕

本発明の要旨は、基板上に干渉層、光磁気記録層、反射
層及び保護層を順次設けてなる光磁気記録媒体において
、反射層がＡｌまたはＡｌを主体とする合金であり、保
護層がＴａであることを特徴とする光磁気記録媒体に存
する。

以下、本発明の詳細な説明する。

まず、本発明において用いられる基板としては、ガラス
、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
ク、又はガラス上に溝つき樹脂を形成した基板等が挙げ
られる。

基板の厚みは１〜２卿程度が一般的である。

光磁気記録層としては、たとえば、ＴｂＦｅ。

ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＤｙＦｅＣｏなどの希土類と
遷移金属の非晶質磁性合金、及びＭｎＢ１、ＭｎＣｕＢ
　ｉなどの多結晶垂直磁化膜が用いられる。

特に借上系の合金磁性膜に用いて大変効果的である。光
磁気記録層としては単一の層を用いても良いし、ＧｄＴ
ｂＦｅ／ＴｂＦｅのように２層以上の記録層を重ねても
良い。光磁気記録層の膜厚は１５０〜１０００人、好ま
しくは２００〜５００人である。

本発明においては、上記基板と光磁気記録層の間に干渉
層を設ける。この層は高屈折率の透明膜による光の干渉
効果を用い反射率を落とすことでノイズを低下させＣ／
Ｎ比を向上させるためのものである。

干渉層は単層膜でも多層膜でもよい。

干渉層としては金属酸化物や金属子フ化物、無機炭化物
等が好適に用いられる。金属酸化物としてはＡｌｚ　Ｏ
，、Ｔａｚ　Ｏ６，５ｉｎ２．５ｉＯ２ＴｉＯ等の金属
酸化物単独あるいはこれらの混合物、あるいはＡｌ−Ｔ
ａ−０の複合酸化物等が挙げられる。

また更にこれらに他の元素、例えばＴｉ、Ｚｒ、Ｗ。

Ｍｏ、Ｙｂ等が酸化物の形で単独あるいは　Ａｌ、Ｔａ
と複合して酸化物を形成していてもよい。これらの金属
酸化物は緻密で外部からの水分や酸素の侵入を防ぎ、耐
食性が高く光磁気記録層との反応性も小であり、また、
基板として樹脂基板を使用する場合にも樹脂との密着性
に優れる。

金属子フ化物としては、具体的にはＳｉ、Ａｌ、Ｇｅ等
の金属のチッ化物あるいはこれらの２種以上の複合チッ
化物又はこれらとＮｂ、Ｔａとの複合チッ化物（例えば
、Ｓ　１ＮｂＮ、Ｓ　１ＴａＮ等）が挙げられる。なか
でもＳｉを含有する千フ化物が良好な結果をもたらす。

金属子フ化物は緻密で外部からの水分や酸素の侵入を防
ぎ、それ自身の耐食性が高く、光磁気記録層との反応性
が小である。

一方、無機炭化物としてはＢａ　Ｃ，Ｓ　ｉ　Ｃ等が挙
げられる。

この干渉層の膜厚は屈折率により最適膜厚が異なるが、
通常４００人〜１５００人程程度特に５００人〜１００
０人が適当である。

干渉層としては特に酸化タンタルを用いて良好である。

酸化タンタルの干渉層は窒化物からなる干渉層に比べ内
部応力が小さくクラックの入る確立ははるかに小さくな
る。

酸化タンタルの組成は化学量論的組成比（Ｔａ。

０５）に近い組成が好ましい。過剰な酸素は記録層の酸
化をもたらすことになると共に屈折率が低下して干渉効
果が弱（なる。また、酸素が不足している場合には未酸
化部分に腐食が集中し、ピンホールが発生し易くなると
共に膜の光吸収が大きくなりキャリアレベルの低下が起
こる。好ましい酸化状態での屈折率は６３０　ｎｍの波
長で測定したときの複素屈折率をｎ”＝ｎ−ｉＫとした
とき２．０≦ｎ≦２゜２でかつＩＫ＋＜０．１５の範囲
である。

本発明においては光磁気記録層上に反射層及び保護層を
設ける。反射層は一般的には高反射率の物質が考えられ
るが、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔはコストが高くＣｕは腐食を起
こし易いため本発明においてはＡ１またはＡｌの合金の
薄膜を用いる。

特にＡｌにＴａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｐｄの少なくとも１種を１５原子％程度以下添加した合
金は高反射率であり、熱伝導度も低（高Ｃ／Ｎ比、感度
共に良好な特性をもたらす。反射層の膜厚は通常２５０
Å以下、好ましくは１５０〜２５０人程度である程度す
ぎた場合感度が低下し、蕩すぎる場合には反射率が低下
し、Ｃ／Ｎ比も落ちる。

保護層としてはＴａを用いるがこの保護層の目的は反射
層の酸化防止であり、これにより反射層の厚さを薄（出
来る。

保護層の膜厚は通常５０〜３００人程度が好程度い。Ｔ
ａの熱伝導率はＡｌよりかなり小さいため保護層として
設けてもＡｌが薄くなっている分感度は上がる。またＴ
ａは酸化に強いため耐蝕性も向上する。

基板上に干・塗層、記録層、反射層、保護層の各層を形
成する方法には、スパッタリング等の物理蒸着法（ＰＶ
Ｄ）　、プラズマＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）
等が通用される。

ＰＶＤ法にて光磁気記録層、反射層及び保護層を成膜形
成するには、所定の組成をもったターゲットを用いて電
子ビーム蒸着またはスパッタリングにより基板上に各層
を堆積するのが通常の方法である。

また、イオンブレーティングを用いる方法も考えられる
。

膜の堆積速度は早すぎると膜応力を増加させ、遅すぎれ
ば生産性に影響するので通常０．１人／　ｓ　ｅ　ｃ〜
１００人／　ｓ　ｅ　ｃ程度とされる。

干渉層の場合、Ｔａｚ　ｏｓツタ−ットを用いたＲＦス
パッタ法、Ｔａターゲットを用いたＡｒと０２ガスによ
るＤＣまたはＲＦ反応性スパッタ法、電子ビーム蒸着法
等が好ましい。これらのうち、酸素量の制御が可能であ
ること、成膜速度が速いこと、基板温度の上昇が小さい
こと等の点からＴａターゲットを用いたＡｒと０２ガス
によるＤＣ反応性スパッタ法が好ましい。この場合、屈
折率の制御は圧力を変えることで容易に達成できる。

〔実施例〕

以下に実施例をもって本発明を更に詳細に説明するが本
発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定され
るものではない。

実施例、比較例 １３０ｍｍφのポリカーボネート基板をスパッタリング
装置に導入し、先ず８ｘｌ　Ｏ−’ｔ　ｏ　ｒ　ｒ以下
まで排気し、Ａｒと０２との混合ガスを用いてＴａター
ゲットの反応性スパッタを行いＴａｚＯｓからなる８０
０人の干渉層を形成した。次いでＴｂターゲット及びＦ
ｅＣｏターゲットを用いＡｒガスにより２元同時スパッ
タし、Ｔｂｚｚ　（Ｆ　ｅｇ６ｃＯ＋。）７１１の３０
０人記録層を設けた。更にＡｌツタ−ットをＡｒガス中
でスパッターし２００人の反射層を形成した。更にＴａ
ターゲットをＡｒでスパッタすることにより保護層を設
けた。

保護層の膜厚を変えていった時の媒体の最適記録パワー
及びＣ／Ｎ比の変化を第１図に示す。

記録条件はｆ＝０．５ＭＨｚＸ　ＣＡＶ１８００ｒｐｍ
、ｄａｔ７５０％、ｒ＝３０ｍｍとした。

（最適記録パワー（ｐＷｏｐｔ）は記録時の２次歪みが
最小となる記録パワーであり値が小さいほど感度が良い
ことを表す）。

比較のためＡ１反射層を３００人設け、保護層を設けて
いない試料も作成した。この試料の感度は８ｍｗ、Ｃ／
Ｎ比は６２ｄＢであった。

この結果と実施例とを比べるとＴａ保護層は感度を低下
させることなく　Ｃ／Ｎ比を高く保持できる。

〔発明の効果〕

本発明の光磁気記録媒体は再生信号品質及び耐蝕性に優
れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例の保護層の膜厚変化による最適記録パワ
ー及びＣ／Ｎ比の変化を示す。 出　　願　　人　三菱化成工業株式会社代理人　弁理士
　長谷用　　　　　− （ほか１名）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に干渉層、光磁気記録層、反射層及び保護
   層を順次設けてなる光磁気記録媒体において、反射層が
   ＡｌまたはＡｌを主体とする合金であり、保護層がＴａ
   であることを特徴とする光磁気記録媒体。