JPH01171140A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH01171140A JPH01171140A JP62329246A JP32924687A JPH01171140A JP H01171140 A JPH01171140 A JP H01171140A JP 62329246 A JP62329246 A JP 62329246A JP 32924687 A JP32924687 A JP 32924687A JP H01171140 A JPH01171140 A JP H01171140A
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 10
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 11
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 abstract 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 241000283986 Lepus Species 0.000 description 1
- -1 TbFeCo Chemical class 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、光学的記録に用いる光磁気記録媒体に関する
。
。
(従来の技術とその課題)
光メモリー素子の中でも追加記録、消去が可能なイレー
ザブル型メモリーは、光磁気記録方式が最も実用化に近
い段階にいる。光磁気記録媒体の記録層としては総合的
な特性から見て、現在の所、希土類、遷移金属薄膜が最
も多く用いられている。
ザブル型メモリーは、光磁気記録方式が最も実用化に近
い段階にいる。光磁気記録媒体の記録層としては総合的
な特性から見て、現在の所、希土類、遷移金属薄膜が最
も多く用いられている。
この光磁気記録媒体として、レーザー光照射時の記録・
再生効率を向上させる為に基板上の光磁気記録層上に反
射層を設ける方式も提案されている。この方式はカー効
果とファラデー効果の併用により高いC/N比を得られ
るという点で優れている。
再生効率を向上させる為に基板上の光磁気記録層上に反
射層を設ける方式も提案されている。この方式はカー効
果とファラデー効果の併用により高いC/N比を得られ
るという点で優れている。
従来、反射層としてAlやA1合金を用いるものが提案
されている。
されている。
しかしながら、AlやA1合金を使用した場合には局部
腐食に対する耐蝕性という点で問題があった。
腐食に対する耐蝕性という点で問題があった。
すなわちA1やA1合金は表面に自然酸化膜をつくるた
め全体腐食に対しては強固な特性を示すが一度ピンホー
ルが生成すると腐食電流の集中が起こりピンホールの拡
大をもたらすことになる。この反応は特に水分の存在下
において顕著である。
め全体腐食に対しては強固な特性を示すが一度ピンホー
ルが生成すると腐食電流の集中が起こりピンホールの拡
大をもたらすことになる。この反応は特に水分の存在下
において顕著である。
(課題を解決するための手段)
本発明者等は上述の欠点を克服した、高耐蝕性で高C/
N比の光磁気記録媒体を提供するべく鋭意検討した結果
、特定の物質で保護層を構成することによりキャリアレ
ベルが高く、経時安定性に優れた光磁気記録媒体が得ら
れることを見出した。
N比の光磁気記録媒体を提供するべく鋭意検討した結果
、特定の物質で保護層を構成することによりキャリアレ
ベルが高く、経時安定性に優れた光磁気記録媒体が得ら
れることを見出した。
本発明の要旨は、基板上に金属酸化物からなる干渉層、
光磁気記録層、反射層および保護層を順次設けてなる光
磁気記録媒体において、反射層がAlまたはAlを主体
とする合金であり、保護層が金属酸化物であることを特
徴とする光磁気記録媒体に存する。
光磁気記録層、反射層および保護層を順次設けてなる光
磁気記録媒体において、反射層がAlまたはAlを主体
とする合金であり、保護層が金属酸化物であることを特
徴とする光磁気記録媒体に存する。
以下、本発明の詳細な説明する。
まず、本発明において用いられる基板としては、ガラス
、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
ク、又はアルミニウム等の金属、ガラス上に溝つき樹脂
を形成した基板等が挙げられる。
、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
ク、又はアルミニウム等の金属、ガラス上に溝つき樹脂
を形成した基板等が挙げられる。
基板の厚みは1〜2m程度が一般的である。
光磁気記録層としては、たとえば、TbFe。
TbFeCo、TbCo、DyFeCoなどの希土類と
遷移金属の非晶′1を磁性合金、及びMnB1、MnC
uB iなどの多結晶垂直磁化膜が用いられる。
遷移金属の非晶′1を磁性合金、及びMnB1、MnC
uB iなどの多結晶垂直磁化膜が用いられる。
特に希土系の合金磁性膜に用いて大変効果的である。光
磁気記録層としては単一の層を用いても良いし、GdT
bFe/TbFeのように2層以上の記録層を重ねても
良い。光磁気記録層の膜厚は250〜500人である。
磁気記録層としては単一の層を用いても良いし、GdT
bFe/TbFeのように2層以上の記録層を重ねても
良い。光磁気記録層の膜厚は250〜500人である。
本発明においては、上記基板と光磁気記録層の間に干渉
層を設ける。この層は高屈折率の透明Hりによる光の干
渉効果を用い反射率を落とすことでノイズを低下させC
/N比を向上させるためのものである。
層を設ける。この層は高屈折率の透明Hりによる光の干
渉効果を用い反射率を落とすことでノイズを低下させC
/N比を向上させるためのものである。
干渉層は単層膜でも多層膜でもよい。干渉層としては金
属酸化物が用いられる。金属酸化物としては酸化タンタ
ル、酸化アルミニウム、酸化チタニウム等が挙げられる
が、これらの金属酸化物は緻密で外部からの水分や酸素
の侵入を防ぐ、特に酸化タンタルを用いて良好である。
属酸化物が用いられる。金属酸化物としては酸化タンタ
ル、酸化アルミニウム、酸化チタニウム等が挙げられる
が、これらの金属酸化物は緻密で外部からの水分や酸素
の侵入を防ぐ、特に酸化タンタルを用いて良好である。
酸化タンタルの干渉層は窒化物からなる干渉層に比べ内
部応力が小さくクランクの入る確立ははるかに小さくな
る 酸化タンタルの組成は化学量論的組成比(Ta。
部応力が小さくクランクの入る確立ははるかに小さくな
る 酸化タンタルの組成は化学量論的組成比(Ta。
0、)に近い組成が好ましい。過剰な酸素は記録層の酸
化をもたらすことになると共に屈折率が低下して干渉効
果が弱くなる。また、酸素が不足している場合には未酸
化部分に腐食が集中し、ピンホールが発生し易くなると
共に膜の光吸収が大きくなりキャリアレベルの低下が起
こる。好ましい酸化状態での屈折率は630 nmの波
長で測定したときの複素屈折率をn”=n−iKとした
とき2.0≦n≦2゜2でかつIK+<0.15の範囲
である。
化をもたらすことになると共に屈折率が低下して干渉効
果が弱くなる。また、酸素が不足している場合には未酸
化部分に腐食が集中し、ピンホールが発生し易くなると
共に膜の光吸収が大きくなりキャリアレベルの低下が起
こる。好ましい酸化状態での屈折率は630 nmの波
長で測定したときの複素屈折率をn”=n−iKとした
とき2.0≦n≦2゜2でかつIK+<0.15の範囲
である。
この干渉層の膜厚は屈折率により最適膜厚が異なるが、
通常400人〜1500人程度、特に500人〜100
0人が適当である。
通常400人〜1500人程度、特に500人〜100
0人が適当である。
記録層上に設けられる反射層は一般的には高反射率の物
質が考えられるが、 Au、Ag、Ptはコストが高<
Cuは腐食を起こし易いためAlまたはAlの合金の薄
膜を用いる。
質が考えられるが、 Au、Ag、Ptはコストが高<
Cuは腐食を起こし易いためAlまたはAlの合金の薄
膜を用いる。
特にAlにTa、Ti、Zr、Mo、Pt、V、Cr、
Pdの少なくとも1種を15原子%程度まで添加した合
金は高反射率であり、熱伝導度も低く高C/N比、感度
共に良好な特性をもたらす。反射層の膜厚は通常100
−1000λ程度、好ましくは200〜600人程度で
ある。厚すぎた場合感度が低下し、薄すぎる場合には反
射率が低下する。
Pdの少なくとも1種を15原子%程度まで添加した合
金は高反射率であり、熱伝導度も低く高C/N比、感度
共に良好な特性をもたらす。反射層の膜厚は通常100
−1000λ程度、好ましくは200〜600人程度で
ある。厚すぎた場合感度が低下し、薄すぎる場合には反
射率が低下する。
反射層上に設けられる保護層としては金属酸化物が用い
られる。金属酸化物としては酸化タンタル、酸化アルミ
ニウムのそれぞれ単独又はこれらの複合酸化物が好まし
い。
られる。金属酸化物としては酸化タンタル、酸化アルミ
ニウムのそれぞれ単独又はこれらの複合酸化物が好まし
い。
これらの酸化物は外部からの水分の侵入を防ぐため反射
層の腐食を大きく抑制できる。また、保護層の作成時に
反射層が酸化されることが考えられるが、AlまたはA
1合金の反射層は表面に強固な酸化皮膜を形成するため
深さ数十Å以上の酸化は起こらない。
層の腐食を大きく抑制できる。また、保護層の作成時に
反射層が酸化されることが考えられるが、AlまたはA
1合金の反射層は表面に強固な酸化皮膜を形成するため
深さ数十Å以上の酸化は起こらない。
この保護層の膜厚は厚いほど保護能力が高いが厚いほど
感度の低下も大きくなるので、通常50人〜500人程
度が適当である。
感度の低下も大きくなるので、通常50人〜500人程
度が適当である。
基板上に干渉層、記録層、反射層、保護層の各層を形成
する方法には、スパッタリング等の物理蒸着法(PVD
)、プラズマCVDのような化学蒸着法(CVD)等が
適用される。
する方法には、スパッタリング等の物理蒸着法(PVD
)、プラズマCVDのような化学蒸着法(CVD)等が
適用される。
PVD法にて光磁気記録層、反射層及び保護層を成膜形
成するには、所定の組成をもったターゲットを用いて電
子ビーム蒸着またはスパッタリングにより基板上に各層
を堆積するのが通常の方法である。
成するには、所定の組成をもったターゲットを用いて電
子ビーム蒸着またはスパッタリングにより基板上に各層
を堆積するのが通常の方法である。
また、イオンブレーティングを用いる方法も考えられる
。
。
膜の堆積速度は早すぎると膜応力を増加させ、遅すぎれ
ば生産性に影響するので通常0.1人/ s e c7
−100人/ s e c程度とされる。
ば生産性に影響するので通常0.1人/ s e c7
−100人/ s e c程度とされる。
干渉層の場合、TazOsターゲットを用いたRFスパ
ッタ法、Taターゲットを用いたArとOzガスによる
DCまたはRF反応性スパッタ法、電子ビーム蒸着法等
が好ましい、これらのうち、酸素量の制御が可能である
こと、成膜速度が速いこと、基板温度の上昇が小さいこ
と等の点からTaターゲットを用いたArと02ガスに
よるDCC反応性スパン性法好ましい。この場合、屈折
率の制御は圧力を変えることで容易に達成できる。
ッタ法、Taターゲットを用いたArとOzガスによる
DCまたはRF反応性スパッタ法、電子ビーム蒸着法等
が好ましい、これらのうち、酸素量の制御が可能である
こと、成膜速度が速いこと、基板温度の上昇が小さいこ
と等の点からTaターゲットを用いたArと02ガスに
よるDCC反応性スパン性法好ましい。この場合、屈折
率の制御は圧力を変えることで容易に達成できる。
以下に実施例をもって本発明を更に詳細に説明するが本
発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定され
るものではない。
発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定され
るものではない。
実施例1
130mmφのポリカーボネート基板をスパッタリング
装置に導入し、先ず8X10−’torr以下まで排気
し、Arと0□との混合ガスを用いてTaターゲットの
反応性スパッタを行いTa、O,からなる800人の干
渉層を形成した。次いでTbターゲット及びFeCoタ
ーゲットを用いたArガスによる2元同時スパッタによ
りTb、□(Fe、。Go、。
装置に導入し、先ず8X10−’torr以下まで排気
し、Arと0□との混合ガスを用いてTaターゲットの
反応性スパッタを行いTa、O,からなる800人の干
渉層を形成した。次いでTbターゲット及びFeCoタ
ーゲットを用いたArガスによる2元同時スパッタによ
りTb、□(Fe、。Go、。
)7.の300人記録層を設けた。更にTaチップを配
置したAlターゲットをArガス中でスパック−しA1
.、Ta、の合金からなる300人の反射層を形成した
。更にTaターゲットをArと02の混合ガスでスパッ
タすることにより酸化タンタルからなる保護層を設けた
。
置したAlターゲットをArガス中でスパック−しA1
.、Ta、の合金からなる300人の反射層を形成した
。更にTaターゲットをArと02の混合ガスでスパッ
タすることにより酸化タンタルからなる保護層を設けた
。
保護層の膜厚を変えていった時の媒体の最適記録パワー
の変化を第1図に示す。
の変化を第1図に示す。
記録条件はf=0.5MHz、 CAV1800rp
m、duty50%、r=30mmとした。
m、duty50%、r=30mmとした。
(最適記録パワーは記録時の2次歪みが最小となる記録
パワーであり値が小さいほど感度が良いことを表す)。
パワーであり値が小さいほど感度が良いことを表す)。
保rtL層が500Å以下では感度の劣化が一割未満で
済む。このディスクを70°C185%RHの条件下で
500hrの加速試験を行い試験前後のエラーレートを
測定したところ増加は約1.8倍に抑えられた(第2図
参照)。
済む。このディスクを70°C185%RHの条件下で
500hrの加速試験を行い試験前後のエラーレートを
測定したところ増加は約1.8倍に抑えられた(第2図
参照)。
なお、保護層として酸化アルミニウムを用いた場合もほ
ぼ同様の結果を得た。
ぼ同様の結果を得た。
比較例1
比較例として反射層までを実施例と同様に形成し保護層
を設けなかったディスクを作成した。
を設けなかったディスクを作成した。
このディスクを実施例と同様に70°C185%RHの
条件下で500hrの加速試験を行い試験前後のエラー
レートを測定したところ増加は約4.1倍に達した(第
2図参照)。
条件下で500hrの加速試験を行い試験前後のエラー
レートを測定したところ増加は約4.1倍に達した(第
2図参照)。
〔発明の効果]
本発明の光磁気記録媒体は再生信号品質及び耐蝕性に優
れる。
れる。
第1図は実施例の保護層の膜厚変化による最適記録パワ
ーの変化を示す。第2図は加速試験を行った際の試験前
後のエラーレートを示す。 出 願 人 三菱化成工業株式会社代理人 弁理士
長谷用 − (ばか1名) Cへυ(dB) (/H&) −乙さlキン2朱1導讐 晃2図 〉ウロ 迷 M アー呵 (kr)
ーの変化を示す。第2図は加速試験を行った際の試験前
後のエラーレートを示す。 出 願 人 三菱化成工業株式会社代理人 弁理士
長谷用 − (ばか1名) Cへυ(dB) (/H&) −乙さlキン2朱1導讐 晃2図 〉ウロ 迷 M アー呵 (kr)
Claims (4)
- (1)基板上に金属酸化物からなる干渉層、光磁気記録
層、反射層および保護層を順次設けてなる光磁気記録媒
体において、反射層がAlまたはAlを主体とする合金
であり、保護層が金属酸化物であることを特徴とする光
磁気記録媒体。 - (2)保護層が酸化タンタルまたは酸化アルミニウムあ
るいはこれらの複合酸化物であることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の光磁気記録媒体。 - (3)干渉層が酸化タンタルをであることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の光磁気記録媒体。 - (4)反射層がTa、Ti、Zr、V、Mo、Cr、P
t、Pdから選ばれた少なくとも1種の元素を含むAl
系合金であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62329246A JPH01171140A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 光磁気記録媒体 |
CA000570235A CA1324213C (en) | 1987-06-26 | 1988-06-23 | Magnetooptical recording media |
DE88305842T DE3883310T2 (de) | 1987-06-26 | 1988-06-24 | Magnetooptische Datenträger. |
KR1019880007767A KR960010928B1 (ko) | 1987-06-26 | 1988-06-24 | 자기광학 기록 매체 |
EP88305842A EP0296888B1 (en) | 1987-06-26 | 1988-06-24 | Magnetooptical recording media |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62329246A JPH01171140A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01171140A true JPH01171140A (ja) | 1989-07-06 |
Family
ID=18219289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62329246A Pending JPH01171140A (ja) | 1987-06-26 | 1987-12-25 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01171140A (ja) |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP62329246A patent/JPH01171140A/ja active Pending
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