KR960010928B1

KR960010928B1 - 자기광학 기록 매체

Info

Publication number: KR960010928B1
Application number: KR1019880007767A
Authority: KR
Inventors: 요시미쯔 고바야시; 요시유끼 기사까; 아끼히꼬 오야; 도시후미 가와노; 마사오 고마쯔; 유끼 다나까
Original assignee: 미쓰비시 가가꾸 가부시끼가이샤; 미우라 아끼라
Priority date: 1987-06-26
Filing date: 1988-06-24
Publication date: 1996-08-13
Also published as: DE3883310T2; EP0296888A3; DE3883310D1; EP0296888A2; EP0296888B1; KR890001038A; CA1324213C

Abstract

내용 없음.

Description

자기광학 기록매체

제1도는 반사필름에 첨가해준 Ta양에 대한 캐리어 수준 및 최적기록 출력변화를 도시한 도면,

제2도는 서로 상이한 보호층을 갖고 있는 실시예 2 내지 6의 디스크의 촉진 노화시험에서의 드롭인 (Drop-in)오차율(error rate) 변화를 도시한 도면,

제3도는 실시예 2에서 산화탄탈륨 필름의 파장 633nm에서의 굴절률과 반응성 스퍼터링압과의 관계를 도시한 도면,

제4도는 실시예 3에서 보호층의 필림두께를 변화시킬때 야기되는 매체의 최적 기록 출력 변화를 도시한 도면,

제5도는 실시예 10(디스크 A)와 비교예 4(디스크 13)에서의 촉진 노화시험에서 경시변화에 따른 오차율 증가를 측정 도시한 것이며, 또

제6도는 실시예 12에서의 촉진노화시험에서 경시변화에 따른 오차율 증가를 측정 도시한 것이다.

본 발명은 자기광학 기록매체에 관한 것이다. 본 발명은 특히, 투명한 기재, 이 투명한 기재상에 위치한 방해층, 자기광학 기록층과 반사층으로 구성되고, 자기광학 기록층이 방해층과 반사층 사이에 위치하는 자기기록 매체와 투명한 기체, 이 투명한 기재상에 위치한 자기광학 기록층, 반사층 및 유기보호층으로 구성 되고, 반사층이 자기광학 기록층과 유기보호층 사이에 위치하는 자기 기록매체에 관한 것이다.

광학적 기억소자 중에서 추가기록 및 삭제가 가능한 삭제 가능기억은 자기광학 기록계를 실제 사용 가능하게 만드는 기회를 제공하였다. 현재에는 전체적인 특성을 감안해서 자기광학 기록매체의 기록층용으로 회토류 및 전이 금속 합금의 얇은 필름이 사용되고 있다.

자기광학 기록매체로서, 레이저 비임이 조사될때 기록 및 재생 효율을 개선시키기 위해서 기재상에 놓여진 자기광학 기록층에 반사층이 제공된 매체가 제안되었다. 이 매체는 케르효과(Kerr effect)와 파라데이효 효과(Faradey effect)의 양쪽 모두를 이용하기 때문에 높은 C/N 비율을 수득하게 된다는 점에서 탁월하다.

지금까지, 보호층이 알루미늄의 산화물을 함유하는 착물 산화물인 것을 특징으로 하며, 자기층, 보호층 및 기본 판재로 구성되는 자기광학 매체가 제안되었다[유럽 특허 제0,208,549호 (미합중국 특허 제4,743,502호와 상응함)] .

이밖에도, 본 발명의 출원인은 이미 자기광학 기록매체에 관해 많은 발명을 제안한바 있다(예 : 일본국 특허원 소60-151506호(1985), 일본국 특허 공개공보 소62-102448호(1987), 동소62-l17156호(1987) 및 동소 62-110642호 (1987)와 일본국 특허원 소61-227424호 (1986), 동소61-310115호(1986), 동소61-310116호(1986), 동소62-744호(1987), 동소62-2339호(1987), 동소62-2337호(1987), 동소62-90370호 (1987), 동소 62-105289호 (1987)와 동소 62-110199호(1987)).

또한, 자기광학 매체가 영국특허 제2143689호, 미합중국 특허 제4268575호, 동제4461807호, 동제 4449138호, 동제4579777호, 동제4578322호, 동제4569881호, 동제4562105호, 동제4414650호 및 동제4586092호, 독일 연방공화국 특허 제3500314호, 일본국 특허공개공고 소60-197964호, 동소60-202559호 및 동소60-54056호와 IBM TDB Vol. 16, 제5권(1973년 10월) 1442페이지에 제안되었다.

기재, 자기광학 기록층 및 반사층으로 구성되고, 자기광학 기록층이 이들 기재와 반사층 사이에 위치하는 자기광학 기록매체의 반사층으로서 Al 또는 Te 반사층이 통상 제안되어 왔다[일본국 특허 공개 공고 소 62-52744호(1987)]. 그러나, Al 반사층의 경우에는 Al 반사층의 높은 열전도도가 기록감도를 크게 저하시키는 한편, Te 반사층의 경우에는 기록 감도가 개선된 장점에도 불구하고 Te 반사층의 낮은 반사도 때문에 충분한 C/N 비율을 얻는 다는 것이 불가능해진다.

반사층으로서 알루미늄-니켈 합금이 사용되는 자기광학 저장소자(미합중국특허 제4,71f628호)와 반사층으로서 알루미늄-티탄 합금이 사용되는 광학정보 기록매체(미합중국특허 제4,725,502호)가 또한 제안되었다.

앞에서 제안된 자기광학 기록매체에서는 반사층으로서 충분한 C/N 비율과 기록감도를 갖고 있는 알루미늄 합금이 사용된 자기광학 기록매체가 제공되었으나, 이들 자기광학 기록매체의 내부식성은 만족스러운 것이 되지 못하였다.

높은 내부식성, 높은 C/N 비율과 높든 기록감도를 갖는 자기광학 기록매체를 제공할 목적으로 본 발명자들이 예의 연구를 진행해온 결과 반사층으로서 알루미늄-탄탈륨 합금을 사용 자기광학 기록매체가 높은 캐리어 수준(Carrier level)과 시간경과에 따른 탁월한 안정성을 갖고 또 유기 보호층을 갖고 있는 자기 광학 기록매체가 높은 내부식성 및 캐리어 수준을 갖는다는 사실을 발견하게 되었다. 본 발명은 이같은 발견을 근거로 하여 완성시킨 것이다.

본 발명의 첫번째 특징은 투명한 기재, 이 투명한 기재상에 위치시킨 방해층, 자기광학 기록층과 Ta 함유 Al 합금으로 형성된 반사층으로 구성되며, 자기광학 기록층이 이들 방해층과 반사층 사이에 위치하는 자기광학 기록매체를 제공하는 데 있다.

본 발명의 두번째 특징은 투명한 기재, 이 투명한 기재상에 위치시킨 자기광학 기록층, 반사층 및 유기보호층으로 구성되고, 반사층이 이들 자기광학 기록층과 유기 보호층 사이에 위치하는 자기광학 기촉매체를 제공하는 데 있다.

본 발명의 세번째 특징은 각각의 투명한 기재, 자기광학 기록층과 반사층으로 구성되며 자기광학 기록층이 이들 투명한 기재와 반사층 사이에 위치하게 되는 2개의 디스크 부재를 투명한 기재, 자기광학 기록층, 반사층, 유기보호층, 반사층, 자기광학 기록층 및 투명한 기지의 순서가 되도록 유기 보호층과 함께 발라주어서 제조한 자기광학 기록매체를 제공하는 데 있다.

본 발명의 1개 특징은 투명한 기재, 이 투명한 기재상에 위치한 방해층, 자기광학 기록층 및 반사층으로 구성되며, 이 자기광학 기록층이 방해층과 반사층 사이에 위치하고 또 이 반사층이 Ta를 함유하는 Al 합금으로 구성된 자기광학 기록매체에 있다.

본 발명에서 사용되는 투명한 기재의 예로는 유리 ; 아크릴 수지와 폴리카르보네이트 수지와 같은 플라스틱 물질과 표면에 흠이 있는 수지를 갖는 유리를 들수가 있다.

이들 기재의 두께는 정해진 것은 없으나 일반적으로 약 1 내지 2mm이다.

자기광학 기록층으로는 예를들어 TbFe, TbFeCo, TbCo 및 DyFeCo와 같은 희토류와 천이금속의 무정 형 자기 합금 및 MnBi, MnCuBi 또는 그 유사체의 다결정 수직 자기 필름이 사용된다.

이들 중에서도 적어도 Tb, Fe 및 Co를 함유하는 합금으로 구성된 자기광학 기록층(자기광학 자기층)이 바람직하다.

자기광학 기록층은 단일층 또는 TbFeCo/TbFe와 같이 2개층 또는 그 이상의 층으로 구성될 수도 있다.

이 자기광학 기록층의 두께는 250내지 500Å이다.

높은 굴절률을 갖고 있는 투명한 필름의 광 방해 효과를 이용해서 반사도를 감소시키기 위해서 또 노이즈를 감소시켜 주기 위해서 방해층을 기재와 자기광학 기록층 사이에 위치시켜줌으로써 C/N 비율을 개선하였다. 이 방해층은 단층 필름이나 또는 다층 필름 어느것으로도 구성될 수 있다. 이 방해층으로 금속산화물 또는 금속질화물이 사용된다. 금속산화물로는 Al₂O₃, Ta₂O,, SiO, SiO, TiO₂와 이들의 혼합물이 사용된다. Al-Ta-0의 산화화합물이 또한 사용될 수도 있다. Ti, Zr, W, Mo 및 Yb와 같은 기타원소의 산화물 또는 이 기타 원소들의 Al 또는 Ta 복합체와 전술한 금속산화물을 결합시켜서 산화물을 형성시키는 것이 또한 가능하다. 이들 금속산화물은 조밀하고, 외부로부터의 산소 또는, 수분의 침입을 방지할 수 있으며, 내부식성이 높고 또 기록층과의 반응성이 작으며, 또 수지 기재를 사용한 경우에도 기재와의 점착성이 탁월하다.

산화 탄탈륨은 이 방해층용 금속 산과물로서 특히 바람직하다.

이 산화탄탈륨은 화학당량성분(Ta₂O₅)에 근접하는 조성을 갖는 것이 바람직하다. 산소가 과잉량 존재하는 경우에는 기록층이 산화된다. 반면에 산소가 불충분한 경우에는 부식이 비산화 부위에 집중되어 핀 호울을 형성하게 된다

산화가 바람직하게 이루어진 상태에서 금속산화물의 바람직한 굴절률(n)은 2.0≤n≤2.2이며, 또 소멸계수 (k : Extinction coefficient)는 |k|0.15이다(단, 파장 633nm에서 측정한 착물 굴절률(n^*)가 n^*=n-ik(이때 i는 허수를 나타냄)인 것으로 가정한 경우임).

이 방해층용으로 사용되는 금속 착화물로는 실리콘 니트리드, 알루미늄 니트리드등이 유용된다. 이들중 실리콘 니트리드의 사용이 바람직하다.

실리콘 니트리드중의 Si 및 N의 비율에서 N 함량이 너무 큰 경우에는 이 층의 굴절률이 감소하게 되며 또 밀도가 작아진다. 반면, N 함량이 너무 작은 경우에는, 이 층에서 흡착이 이어지게 되어 따라서 캐리어 수준이 낮아진다. 따라서 Si/N 비율은 화학당량 조성(Si₃N₄,)이거나 또는 Si함량이 이 조성비율보다 약간 큰 것이 바람직하다. 보다 상세히 설명하면 Si/N의 원소 비율은 0.75 내지 1.0의 범위에 있는 것이 바람직하다. 금속질화물의 바람직한 굴절률(n)은 2.0≤n≤2,5이며 또 파장 633nm에서 측정한 착물 굴절지수(n^*)가 n^*=n-ik(이때 i는 허수임)인 것으로 가정한 경우에 소멸 계수(k)는 0k0.2 범위이다.

이 방해층의 최적 두께는 굴절률에 따라 달라지게 되지만 통상 약 400 내지 1,500Å, 바람직하게는 약 500 내지 1,000Å이다.

본 발명의 자기광학 기록매체는 반사형 자기광학 기록매체이며 또 이 자기광학 기록층 위에 반사층을 갖고 있다.

이 반사층은 Al 및 Ta의 합금으로 구성된다. Ta 함량은 0.1 내지 15at%, 바람직하게는 0.5 내지 10at%, 보다 바람직하게는 1 내지 8at%이다.

Al 단일물질은 높은 반사율과 비교적 높은 내부식성을 감안할때 반사층용으로 상당히 우수한 물질이 된다. 그러나, Al은 높은 열 전도도를 갖고 있기 때문에 감도가 치명적으로 나빠진다. 이에 비해서 Ta를 Al에 첨가하는 경우에, 반사율을 그다지 크게 떨어뜨리지 않은 상태에서 열 전도도를 낮출수가 있었다. 바꿔 말해서, 우수한 C/N 비율을 유지하면서 기록감도를 개선할 수가 있었다. 이밖에도 Al과 Ta의 합금은 Al과 Ta 이외의 물질, 예를들면 Si 및 Pt의 합금보다 내식성이 우수하였다.

본 발명에 따른 반사층용으로 사용되는 Al과 Ta의 합금은 Cu, Mn 및 Mg과 같은 소량의 다른 원소 포함할 수도 있다.

반사층의 두께는 약 100 내지 1,000Å, 바람직하게는 200 내지 600Å이다.

이 반사층이 너무 두꺼운 경우에는 감도가 나빠지게 되는 한편, 너무 얇은 반사층은 반사율과 C/N 비율을 감소시킨다.

금속 산화물 또는 금속 질화물로서 형성된 보호층을 이 반사층위에 추가로 위치시킬 수도 있다. 이 보호층으로 방해층 용으로 사용되는 금속산화물 및 금속 질화물을 사용할 수도 있다. 이들 금속산화물 및 금속질화물은 치밀하며 또 외부로 부터의 산소 및 수분의 공격을 방지할 수가 있다.

이 보호층의 두께가 크면 클수록 보호능력 및 감도 저하 모두가 커진다. 따라서 이 보호층의 직합한 두께는 통상 약 50 내지 500Å이다.

방해층, 기록층, 반사층 및 보호층의 각각을 기재상에 형성시키는 경우에, 증착과 같은 물리적 증기부착(PVD) 및 플라즈마 화학적 증기부착과 같은 화학적 증기부착(CVD) 또는 그 유사 방법이 적용된다.

방해층, 자기광학층, 반사층 및 보호층이 PVD에 의해 형성되는 경우에 각개 층은 통상 정해진 조성의 타게트를 사용해서 전자비임 부착 또는 증착에 의해 기재상에 부착시킨다. 이와는 달리, 이온 도금법이 사용될 수도 있다.

층부착 속도가 너무 빠른 경우에는 층의 응력이 증가하게 되며, 층부착 속도가 너무 늦은 경우에는, 생산성이 영향을 받게된다.

따라서, 통상 약 0,1Å초 내지 100Å/초의 부착 속도가 이용된다.

본 발명의 또 다른 특징은 적어도 투명 기재, 자기광학 기록층과 반사층으로 구성되며 자기광학 기록층이 투명한 기재와 반사층 사이에 위치하는 디스크 부재와 이 디스크 부재의 반사층 위에 위치하는 유기 보호층을 포함하는 자기광학 기록매체에 있다.

본 발명에 따른 유기 보호층을 갖고 있는 자기광학 기록매체의 몇가지 실시태양을 다음에 기술하였다.

(i) 투명한 기재, 이 투명한 기재상에 위치시킨 자기광학 기록층, 반사층과 유기 보호층으로 구성되고, 반사층이 자기광학 기록층과 유기 보호층 사이에 위치하는 자기광학 기록매체.

(ii) 투명한 기재, 이 투명한 기재 상에 위치한 자기광학 기록층, 반사층, 금속산화물 또는 금속 질화물로 형성된 보호층과 이 보호층 위에 위치시킨 유기 보호층으로 구성되며, 반사층을 이 자기광학 기록층과 보호층 사이에 위치시킨 자기광학 기록매체.

iii) 투명한 기재, 이 투명한 기재상에 위치한 방해층, 자기광학 기록층과 유기 보호층으로 구성되며, 자기광학기록층을 이들 방해층과 유기 보호층 사이에 위치시킨 자기광학기록매체.

(iv) 투명한 기재, 이 투명한 기재상에 위치한 방해층, 자기광학 기록층, 반사층, 금속산화물 또는 금속 질화물로 형성된 보호층과 이 보호층위에 위치하는 유기 보호층으로 구성되며, 이 자기광학 기록층과 반사층을 이들 방해층과 보호층 사이에 순차적으로 위치시킨 자기광학 기록매체.

자기광학 기록매체로서의 성질에 손상을 주지 않는 한에는 전술한 실시태양에 또 다른 층을 결합시킬 수도 있다. 이들 실시태양중 (iii) 및 (iv)가 바람직하다.

유기 보호층으로는 JIS(일본 공업 규격) K6301에 정의된 100% 장력(tensile stress)이 50kgf/cm²이하이고 또 JIS Z 0208에 정의된 수분 투과율이 24시간 후에 20g/m²이하인 유기물질이 사용된다. 100% 장력이 30kgf/cm²이하, 더 바람직하게는 15kgf/cm²이하이고, 24시간 후의 수분 투과율이 10g/m²이하, 더 바람 직하게는 7g/m^*이자인 유기 물질이 바람직하게 사용된다.

전술한 특성을 갖고 있는 유기 물질로서는 히드로카본 폴리올로 형성된 폴리우레탄을 예시할 수가 있다.

폴리우레탄은 주성분으로 낮은 습윤특성을 갖는 탄화수소 폴리올을 이소시아네이트 화합물과 NCO/OH비율이 0.8 내지 1.3, 바람직하게는 0.9 내지 1.1되는 조건을 만족시킬 수 있는 혼합 비율로 혼합하고 또 이 수득된 혼합물을 경화시켜서 수득될 수가 있다.

폴리올의 원료 물질인 폴리히드록시 폴리부타디엔은 분자당 1개 이상의 히드록시기, 바람직하게는 1.8 내지 5.0 개의 히드록시기를 갖고 있는 폴리부타디엔 중합체이며 또 이들의 평균 분자량은 통상 500 내지 50,000, 바람직하게는 1,000 내지 20,000이다. 폴리 히드록시 폴리부타디엔을 제조하는 방법은 특별히 규정된 것은 없으나, 다음의 방법이 바람직하다.

예를들어, 폴리히드록시 폴리부타디엔은 부타디엔을 과산화수소, 시클로헥사논 퍼옥사이드와 같은 히드록시기를 갖는 라디칼 중합 반응개시제나 β,β'-아조비스(β-시아노)-n-프로판올과 δ,δ'-아조비스(δ-시아노)-n-펜탄올과 같이 기능기를 갖는 아조비스 화합물을 사용해서 알코올, 케톤 및 에스테르와 같은 용매중에서 라디칼-중합반응 시키거나, 또는 부타디엔을 유사하게 지방족 아조디카르복시산 또는 그 에스테르와 같은 라디칼 중합 반응 개시제를 사용해서 중합 반응시키고 그후에 카르복시기 또는 이것의 에스테르 부위를 환원시켜서 수득할 수가 있다.

이와는 달리, 촉매로서 나트륨, 리튬과 같은 알칼리금속 및 알칼리 금속의 착물과 다중고리 방향족 화합물을 사용해서 부타디엔을 음이온적으로 중합반응시키고, 그후에 이 중합체를 알킬렌옥사이드, 에피클로로 히드린 또는 그 유사체로서 기능화 시키는 단계로 구성되는 방법을 사용할 수도 있다. 음이온성 중합 반응용으로 사용되는 촉매의 예로는 리튬-나프탈렌 착물, 리튬-안트라센 착물과 리튬-비페닐 착물과 같은 리튬 착물과 1,4-디알칼리 금속 부탄, 1,5-디알칼리 금속 펜탄, 1,10-디알칼리금속데칸과 1,4-디알칼리금속 1,1,4,4-테트라페닐부탄과 같은 디알칼리금속 탄화수소를 들 수가 있다.

이와같은 음이온성 중합 반응을 원만하게 진행시키기 위해서는 헥산, 헵탄, 벤젠, 톨루엔, 크실렌과 시클로헥산과 같은 탄화수소 용매를 추가로 사용할수가 있다. 촉매로서 알칼리 금속을 사용하는 경우에 디에틸 에테르, '디프로필에테르, 에틸프로필에테르와 에틸부틸에테르와 같은 비교적 낮은 극성을 갖는 루이스 염기를 전술한 용매와 함께 사용하는 것이 바람직하다.

이같이 수득한 활성기 함유 중합체는 통상적인 방법으로 에폭시 화합물과 반응시키며, 또 이 반응 생성물은 염산, 황산 및 아세트산과 같은 양자포함산으로 처리해서 폴리히드록시 폴리부타디엔을 수득한다.

에폭시화합물로서, 에틸렌 옥사이드, 프로필렌옥사이드, 부틸렌옥사이드, 시클로헥센옥사이드, 스티렌옥사이드 및 페닐 글리시딜 에테르와 같은 모노옥시 화합물 ; 비스페놀 A의 디글리시딜 에테르, 비닐시클로 헥센 디에폭사이드, 부타디엔 디에폭사이드, 디시클로펜타디엔 디에폭사이드, 리모넨 디에폭사이드 및 에틸렌 글리콜의 비스에폭사이드와 같은 폴리에폭시 화합물과 에퍼클로로히드린, 에피브로모히드린과 메틸에피 클로로히드린과 같은 할로에폭시 화합물들이 유용하게 사용된다. 이들중에서 폴리에폭시 화합물과 할로에폭시 화합물들이 바람직하다.

모노에폭시 화합물을 사용하는 경우에는 사용된 에폭시 화합물의 양은 중합체와 동일한 몰량인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하기로는 중합체 1몰에 대해 에폭시 화합물이 2몰 이상 사용되는 것이다. 이때에, 에폭시 화합물을 개환 고리형태로 살아있는 중합체(living polymer)의 양쪽 말단에 결합하고, 개환 고리에서 수산기의 수소 원자를 알칼리 금속으로 치환되어 있는 상태에서 결합할 것이 고려되고 있다.

한편, 폴리에폭시 화합물과 할로에폭시 화합물을 사용하는 경우에 사용되는 화합물의 양은 얻어진 중합체의 사용목적, 즉 중합체의 분자량 및 수산기의 수에따라 적절히 선택되지만 통상은 살아있는 중합체당 0.5 내지 2몰, 바람직하기로는 0.6내지 1.7몰이다.

이때에, 에폭시 고리가 개환된 후 살아있는 중합체는 주로 서로 결합되고, 그리고 알칼리 금속에 의해 치환된 수산기를 갖는 에폭시 화합물을 통해 서로 결합된 살아있는 중합체의 수개 분자의 중합체가 얻어진다. 또한 고분자 폴리부타디엔 중합체의 오존 분해 반응에 의해 얻어진 산소 함유 중합체를 감소시키는 방법 또는 기타 방법에 의해 폴리히드록시 폴리부타디엔을 얻을 수 있다.

상기 여러가지 방법에 의해 얻어진 폴리히드록시 폴리부타디엔은 여러 비율로 1.2 결합 및 1.4 결합을 갖는 각종 미세 구조를 중합체이다. 예를들면, 라디칼 중합 반응에 의해 생성된 폴리히드록시 폴리부타디엔의 미세 구조는 5 내지 30%의 시스-1,4-결합, 50 내지 80%의 트랜스-1,4-결합, 그리고 15 내지 30%의 1,2결합이다. 다시 말해서, 폴리히드록시 폴리부타디엔은 미세 구조에 많은 1,4 결합을 갖는다. 음이온 중합 반응에 의해, 사용 용매 및 촉매를 적절히 선택함으로써 많은 1,4 결합을 갖는 중합체를 얻을 수 있다. 폴리이소시아네이트에 의해 많은 1,4 결합을 갖는 수소화 폴리히드록시 폴리부타디엔을 경화함으로써 얻어진 폴리우레탄은 고추처럼 기계적 성질(예, 인장강도 및 연신성)이 우수하고, 이 폴리우레탄은 일반적으로 내 열변형성, 내 산화성, 내 오존성, 내광성 및 내후성과 같은 물리적 성질이 많은 1,2 결합을 갖는 폴리히드록시 폴리부타디엔으로 부터 얻어진 폴리우레탄보다 더 우수하다. 그러므로, 1,2 결합되는 1,4 결합을 더 많이 갖는 폴리히드록시 폴리부타디엔, 특히 미세구조의 1,4 결합 50% 이상(바람직하기로는 70% 이상)을 갖는 것이 바람직하다.

폴리올은 수산기를 보유한채 루테늄 촉매에 의해 상기 취득한 폴리히드록시 폴리부타디엔중 주쇄 및/또는 측쇄의 이중 결합 98% 이상을 수소 첨가함으로써 얻어진다. 루테늄 촉매는 금속 자체의 형태, 캐리어 담지된 이질(異質)의 촉매형태, 또는 가용성 염으로서 금속을 사용하는 단일 촉매 형태로 사용된다.

캐리어로서는 탄소, 알루미나, 실리카 알루미나, 규조토, 탄산바륨, 탄산칼슘등이 사용될 수 있다. 이 경우에, 캐리어에 담지된 금속의 양은 통상 0.01 내지 50중량%, 바람직하기로는 0.2 내지 15중량%이다.

폴리히드록시 부타디엔은 촉매로서 루테늄 존재하에 수소와 반응될 수 있지만, 용매를 사용함으로써 수소 첨가반응이 다 잘 진행될 수 있다. 용매로서는 지방족 탄화수소, 방향족 탄화수소, 알콜, 에테르 및 이들의 혼합물이 사용될 수 있다.

수소 첨가 반응에서 사용된 루테늄 촉매의 양은 촉매의 종류 및 수소첨가 방법에 따라 달라진다. 예를들면, 루테늄 촉매 존재하에서 현탁 중합을 실시하는 경우에, 폴리히드록시 폴리부타디엔에 대한 루테늄의 비는 0,01 내지 1,00 중량%이다. 반응온도는 20 내지 150℃가 바람직하다.

수산기의 이탈이 무시될 수 없기 때문에, 반응 온도가 더 높으면 수소 첨가 속도의 증가에도 불구하고 바람직하지 못하다. 수소는 상압 또는 고압하에서 유동 시스템으로 사용될 수 있다. 수소 첨가 반응은 고정상(牀)공정 및 현탁 시스템과 같은 어떠한 반응 형태를 채택할 수 있다. 플리히드록시 폴리부타디엔의 주쇄 및/또는 측쇄의 이중 결합은 상기 조건하에서 수소첨가 된다 폴리우레탄을 제조하기 위해서, 중합체내의 이중 결합이 거의 완전히 수소 첨가될 필요가 있다. 수소첨가 반응전 중합체내의 이중 결합중 98%이상, 바람직하기로는 99% 이상이 수소첨가 되는 정도까지 더욱 바람직하기로는 이중 결합이 거의 남아 있지 않을 때까지 수소 첨가된 폴리히드록시 폴리부타디엔이 폴리올로서 사용되는 것이 좋다.

폴리이소시아네이트로서, 우레탄 공업에서 사용되는 어떠한 폴리이소시아네이트도 사용될 수 있으며, 테트라메틸렌 디이소시아네이트, 헥산메틸렌 디이소시아네이트, 에틸렌 디이소시아네이트, 페닐렌 디이소시아네이트, 톨릴렌 디이소시아네이트 및 디페닐메탄 디이소시아네이트가 바람직하다.

사용된 이소시아네이트 화합물의 양은 폴리올과 거의 동일 몰인 것이 바람직하다 중합 반응에서는 원샷(one-shet)공정 및 예비중합체 성형이 이용될 수 있다.

이러한 중축합 반응에 사용되는 반응 촉진제로서는 트리에틸아민, 트리에틸렌 디아민 및 디메틸아미노에탄올과 같은 3급 아민 ; 그리고 디부틸틴 디라우레이트와 같은 유기 금속 화합물이 바람직하다.

본 발명에 따른 2-팩(pack)형 폴리우레탄의 또 다른 예로는 탄화수소 몰리올에서와 똑같은 조건하에서 주성분으로서 피마자유 폴리올을 경화함으로써 얻어진 폴리우레탄이 있다.

탄화수소 폴리올 또는 피마자유 폴리올의 일부는 0 내지 49중량%의 범위로 폴리에스테르 폴리올 또는 폴리에테르 폴리올과 같은 또 다른 폴리올로 대체될 수 있다. 대체 범위가 49중량%를 초과한다면, 탄화수소 폴리올의 특징인 비흡습성을 저하시킬 위험이 있다.

작업성 및 안정성을 고려할때, 이소시아네이트는 화합물은 폴리올의 일부와 반응시킴으로써 예비중합체 형태로 사용되는 것이 바람직하다.

경우에 따라 각종 가소제를 첨가할 수 있고, 그 결과 유기 보호층은 경화전에 접착제의 점성과 경화후에 접착제의 경도를 조절하는 동안 접착제로서 작용한다. 본 발명에 따른 유기 보호층의 접착제는, 에폭시 접착제와 같이 다른 접착제가 사용될때 불가피한 80%의 상대습도 및 65℃의 온도 조건하에서 장시간 동안 방지된 후에도 디스크 부재를 벗겨내지 않는다. 그 이유는 본 발명의 접착제는 접착성 및 탄성이 상기 조건에서 장시간 동안 방지되어도 저하되지 않기 때문이다. 또한, 상기한 바와같은 고온 및 고습 조건하에서도, 본 발명에 따른 접착제는 디스크 부재나 기록층 부재와 반응하여 시간이 오래된 후에도 이들 부재를 열화시킬 가능성이 없다.

유기 보호층의 두께는 1 내지 200μm, 바람직하기로는 약 3 내지 100μm이다.

유기 보호층은 스핀 피복법 또는 기타 통상의 방법에 의해 형성되기 쉽다.

유기 보호층은 낮은 수분 투과율을 갖고 수분으로 인해 기판에 제공된 각층의 열화를 방지한다 또한, 유기 보호층은 접착성이 우수하기 때문에, 양면 자기광학 기록매체를 구성하도록 접착층으로서 2디스크 부재사이에 삽입될 수 있다.

본 발명에 따른 양면 자기광학 기록매체의 몇가지 구체에는 다음과 같다 (i) 투명기관, 반사층 및 이들 사이에 위치한 자기광학 기록층으로 구성된 3개의 디스크 부재를 투명기판 자기광학 기록층, 반사층, 유기보호층, 반사층, 자기광학 기록층 및 투명기관의 순으로 유기보호층을 통해 서로 결합시킴으로서 제조된 자기광학 기록매체.

(ii) 자기광학 기록층이 방해층과 반사층 사이에 위치하도록 투명기판, 투명기판위의 방해층, 자기광학 기록층 및 반사층, 그리고 염의로는 반사층상의 금속 질화물 또는 금속 산화물로 이루어진 보호층으로 각각 구성된 2개의 디스크 부재를 투명기관, 자기광학 기록층, 반사층, 임의로는 보호층, 유기보호층, 임의로는 보호층, 반사층, 자기광학 기록층, 방해층 및 투명기판의 순으로 유기보호층을 통해 서로 결합시킴으로써 제조된 자기광학 기록매체.

제2 및 제3구체예에서, 투영기판, 방해층, 자기광학 기록층, 반사층 및 보호층은 자기광학 기록매체의 제조에 사용할 수 있는 한 특정되지 않지만, 투명기판, 방해층, 자기기록층, 반사층 그리고 본 발명의 제1 구체예에서 금속 산화물 또는 금속 질화물로 된 보호층이 바람직하게 사용된다.

상기한 바와같이, 본 발명에 따른 자기광학 기록매체는 높은 C/N 비율, 우수한 기록 감도 및 높은 내부 식성을 갖는다.

본 발명은 다음 실시예에서 더욱 상세히 설명되지만, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 제한되지 않는다.

실시예 1

8×10^-7토르(Torr) 이하까지 배기시킨 스퍼터링 장치에 130mmφ의 폴리카르보네이트 기재를 장입시켰다. Ar 잊 O₂의 혼합 가스를 사용하여 Ta 타게트를 반응성 스퍼터링시켜, 800Å 두께의 Ta₂O₅방해층을 형성시켰다. Ar 가스 중에서 Tb 타게트 및 FeCo 타게트를 사용하여 동시에 스퍼터링시킴으로써 300Å 두께의 Tb₂₂(Fe₉₀Co₁₀)₇₈기록층을 형성시켰다. 또 그위에 위치하는 Ta 칩을 갖는 Al 타게트를 Ar 가스중에 조절할수 있다.

이렇게 하여 수득한 자기광학 기록매체의 기록 감도 및 캐리어 수준(Al 필름을 사용한 때의 캐리어 수준을 OdB으로 가정한 경우)을 PIN 광전다이오드 시차 검출기가 장치된 동특성 검출기(dynamic characteristic detector)에 의해 측정하였다. 기록 감도는 제2고조파 왜곡(harmonic distortion)이 최소인 경우의 기록출력(최적 기록출력, optimum recording power)로 표시된다.

기록 조건 :

CAV(constant angular velocity, 일정 각속도) : 1800rpm

위치 : 반지름에서 30mm

온-랜드(On-land) 기록

기록 주파수 : 0.5MHz

기록 충실도(duty) : 50%

판독 조건 :

일정각속도(CAV) : 1,800rpm

판독력 0,8mW

반사층의 조성물을 X-선 형광법으로 분석하였다. 이 결과를 제1도에 도시하였다. 매체가 더 낮은 퇴적 기록출력을 가질수록, 매체는 더 높은 감도를 가지며, 또 매체가 더 높은 캐리어 수준을 가질수록 재생 신호의 품질은 높다.

비교 실시예 1 및 2

실시예1에서와 동일한 방법으로 Ta₂O₅, 방해층 및 TbFeCo 기록층을 형성시켰다. Al 층 또는 Ta 층의 300Å-두께 반사층을 형성시켰다. 실시예1에서와 동일한 조건하에서 기록 감도 및 캐리어 수준을 측정하였다.

결과는 제1도에 도시하였다. 제1도로 부터 명백한 바와같이, 최적 기록출력 및 캐리어 수준은 Al중의 Ta 함량이 증가함에 따라 감소하지만, Ta 함량이 낮은 경우, 캐리어 수준을 낮추지 않으면서 최적 기록출력을 최대한도로 감소시키는 것이 가능하다.

실시예 2

8×10^-5Pa 이하까지 배기시킨 마그네트론 스퍼터링 장치에 폴리카르보네이트 기재를 장입시켰다. 그후 20sccm의 Ar 및 5sccm의 O₂를 여기에 도입하여 압력을 0.8Pa로 조정하였다. 이 상태에서, 4인치ψ의 Ta 타게트를 500W 전력에서 DC 스퍼터링 처리시키고, 또 4Å/초의 속도로 800Å 두께의 산호 탄탈륨 방해층을 형성시켰다. 633nm의 파장에서 측정한 이 층의 착물 굴절률(n^*) n^*=2.1-0.03i이었다.

챔버를 배기시킨 후 압력을 0,3Pa로 도정하기 위해 30sccm의 Ar 가스를 도입시켰다. Tb 타게트 및 Fe₉₀Co₁₀타게트를 동시에 스퍼터링 시켜 방해층위에 300Å 두께의 Tb₂₃(Fe₉₀Co₁₀)₇₇기록층을 형성시켰다. 또한 그위에 위치하는 Ta 칩을 갖는 Al 타게트를 Ar 가스중에서 스퍼터링시켜 기록층위에 300Å 두께의 Al₉₇Ta₃반사층을 형성시켰다.

초기 C/N 은 62.5이고 또 촉진 노화 시험 후 C/N은 62.3이었다. 대부분 크랙(crack)은 발생되지 않았다. 기록 조건은 f=0.5MHz, 기록위치=30mm, CAV=1,800rpm이고 기록 충실도=50%이었다.

실시예6에서와 같이 압력에 따른 방해층의 착물 굴절률(n^*) 변화를 제3도에 도시하였다.

실시예 3

8×10^-7Torr 이하까지 배기시킨 스퍼터링 장치에 130mm길의 폴리카르보네이트 기재를 장입시켰다. Ar및 O₂의 혼합 가스를 사용하여 Ta타게트를 반응성 스퍼터링시켜 800Å 두께의 Ta₂O₂방해층을 형성시켰다. Ar 가스중에서 Tb 타게트 및 FeCo 타게트를 사용하여 동시에 스퍼터링시킴으로써 300Å 두께의 Tb₂₂(Fe₉₀Co₁₀)₇₈기록층을 형성시켰다.

이어 그 위에 위치하는 Ta 칩을 갖는 Al 타게트를 Ar 가스중에서 스퍼터링시켜 300Å 두께의 Al₉₇Ta₃반사층을 형성시켰다. 또한 Ar 및 O₂의 혼합 가스중에서 Ta 타게트를 스퍼터링시킴으로써 산화 탄탈륨 보호층을 형성시켰다

보호층의 필름두께를 변화시킬 때 야기되는 매체의 최적 기록 출력 변화를 제4도에 도시하였다.

기록 조건은, f=0.5MHz, CVA=1,800rpm, 기록 충실도=50% 및 기록 위치 =30mm였다.

(최적 기록 출력은 기록중 제2응력이 최소인 경우의 기록 출력이고 또 수치가 작을 수록, 감도는 더 높다).

보호층이 500Å 두께 이하인 경우, 감도의 하락은 많아야 10%이었다.

산화 알루미늄을 보호층으로 사용한 경우, 거의 동일한 결과를 수득하였다.

실시예 4

Ar 및 N₂의 혼합 가스중에서 Si 표적을 스퍼터링시켜 반사층위에 실리콘 니트리드 보호층을 형성시키는 것을 제외하고는 실시예3에서와 동일한 방법으로 자기광학 기록매체를 제조하였다.

보호층이 500Å 두께 이하인 경우, 감도 감소는 많아야 10%이었다.

알루미늄 니트리드를 보호층으로 사용한 경우, 동일한 결과를 수득하였다.

실시예 5

실시에2에서와 동일한 방법으로 폴리카르보네이트 기재상에 방해층, 기록층 및 반사층을 차례로 형성시키고, 또 반사층 위에 폴리우레탄으로 구성된 유기 보호층을 최외각 층으로서 형성시켰다. 폴리우레탄을 하기와 같은 방법으로 제조하였다.

(성분A의 제조)

폴리에테르(Polyether) HA(상표명:미쓰비시 케미칼 공업사 제품으로서 수평균 분자량이 약 2,000이고 히드록시 당량이 0,907meq/g인 폴리올레핀 폴리올) : 100g,

아데크아쿠오돌(Adekaquodol) (상표명 ; 아사히 덴가 가부시끼가이샤 제품으로서, 히드록시 당량이 13.7meq/g인 4-작용기성 폴리올 : 19,8g

파라핀족 공정오일 P-200(교도 세끼유 가부시끼가이샤 제품 : 110g,

우레탄 제조용 주석 촉매 UL-22(MD 가세이 가부시끼가이샤 제품) : 138mg.

이들 원료 물질을 50℃에서 상호 균일하게 혼합하여 성분 A를 제조하였다. 이것의 점도는 25℃에서 1, 800cps였다.

(성분 B의 제조)

폴리에테르 HA : 100g,

파라핀족 공정 오일 P-200 : 116g

실온에서, 분리할 수 있는 플라스크내에서 이들 원료 물질을 상호 균일하게 혼합하였다. 혼합물에 14,2g의 2,4-톨릴렌 디이소시아네이트를 부가하였다. 80℃에서 6시간 동판 반응시킨 후, 성분 B가 수득되었다. 이것의 점도는 25℃에서 3,800cps 였다.

이렇게 하여 수득한 성분 A 및 성분 B를 1 : 5의 중량비로 혼합하였다. 이어 수득한 액체를 진공하에서 소포시킨 후, 이것을 디스크에 도포하였다.

동일한 방법으로 수득한 액체로 부터 가압 시이트를 제조하였다. 물리적 측정한 경우, JIS K6301에 정의된 100% 장력은 3kgf/cm²였고 인장 강도는 7kgf/cm²였다. JIS ZO 208에 규정된 200μm-두께 필름의 수분 투과율은 24시간 후에 5g/cm²였다.

실시예 6

8×10^-7토르 이하까지 배기시킨 스퍼터링 장치예 130mmφ의 폴리카르보네이트 기재를 장입하였다. Ar 및 O₂의 혼합 가스를 사용하여, Ta 타게트를 먼저 반응성 스퍼터링시킴으로써, 800Å 두께의 Ta₂O₅방해층을 형성시켰다. Ar 가스중에서 Tb 타게트 및 PeCo 타게트를 사용하여 동시 스퍼터링 시킴으로써 300Å 두께의 Tb₂₂(Fe₆₀Co₁₀)₇₈기록층을 형성시켰다. 이어 그 위에 위치한 Ta 칩을 갖는 Al 타게트를 Ar 가스중에서 스퍼터링시켜 300℃ 두께의 Al₉₇Ta₃반사층을 형성시켰다. 이어 그 위에 위치한 Ta 칩을 갖는 Al 타게트를 Ar 가스중에서 스퍼터링시켜 300Å 두께의 Al₉₇Ta₃반사층을 형성시켰다. 또한 Ar 및 O₂의 혼합 가스중에서 Ta 타게트를 스퍼터링시킴으로써 300Å 두께를 갖는 산화 탄탈륨의 제1보호층을 형성시켰다. 최종적으로, 10μm 두께를 갖는 유기 보호층을 폴리우레탄으로 부터 형성시켰다.

온도 70℃ 및 상대습도 85%의 조건하에서 실시예 2 내지 6에서 수득한 각 디스크에 대한 촉진 노화시험을 수행하여 드롭인(drop-in) 오차율의 증가를 측정하였다. 결과를 제2도에 도시하였다.

산화 탄탈륨 보호층이 제공된 실시예3의 디스크 및 실리콘 니트리드 보호층이 제공된 실시예4의 디스크에 있어서, 1,000시간의 촉진 노화 시험후의 오차율 증가는 5배 이하로 한정되었다. 10μm 두께의 폴리우레탄 수지 보호층이 제공된 실시예5의 디스크에 있어서, 2,000시간의 촉진 노화 시험후의 오차율 중가는 약 2배로 한정되었다. 산화 탄탈륨 및 폴리우페탄 수지의 2개 보호층이 제공된 실시예6의 디스크에 있어서, 2,000 시간의 촉진 노화시험 후의 오차율은 촉진 노화 시험전 값의 1.2배 였다

비교 실시예 3

실시예1에서와 동일한 방법으로 방해층 및 기록층을 형성시켯다 부가된 Ta 이외의 여러가지 원소를 갖는 Al 층을 사용하여 기록층상에 여러가지 반사층을 형성시켜 디스크를 제조하였다. 이렇게 하여 수득한 디스크 및 실시예1의 디스크에 대하여 70℃의 온도 및 85%의 상대습도 조건하에서 2.50 시간 촉진 노화시험틀 수행하였다. 결과를 하기 표1에 수록하였다.

표1로부터 명백한 바와같이, 그것에 부가된 Ta를 갖는 반사필름은 그것에 부가된 다른 원소를 갖는 것보다 탁월하다.

실시예 7

5×10Pa 이하까지 배기시킨 마그네트론 스퍼터링 장치에 폴리카르보네이트 기재를 장입시켰다. 그후, 30sccm의 Ar 및 4sccm의 N를 도입시켜 압력을 0.5Pa로 조정시켰다. 이 상태에서, 4인치φ의 Ta 타게트를 500W 전력에서 RF 스퍼터링 처리시키고, 또 1.5Å/초의 속도로 750Å두께의 실리콘 니트리드 방해층을 형성시켰다. 이 필름의 굴절률은 2.1이었다.

챔버를 비운후, 압력을 0.3Pa로 조정하기 위해 30sccm의 Ar 가스를 도입시켰다. Tb 타게트 및 FeCo타게트를 동시에 스퍼터링시켜 방해층위에 300Å 두께의 Tb(FeCo)기록층을 형성시켰다. 또한, 그위에 위치하는 Ta 칩을 갖는 Al 타게트를 Ar 가스중에서 스퍼터링시켜 기록층위에 300Å 두께의 AlTa반사층을 형성시켰다.

이렇게 수득한 디스크의 C/N 비율을 0.5MHz, 1,800rpm 및 기록위치=30mm에서 측정한 경우, 디스크는 63dB과 같은 양호한 특성을 나타내었다.

이 디스크를 상온에서 1년간 보관한 후에도 크랙이나 또는 C/N 비율의 약화는 전혀 관찰되지 않았다.

실시예 8

Ar 및 N의 혼합 가스중에서 Si 타게트를 스퍼터링시켜 800Å 두께의 SiN방해층을 형성시킨 것을 제외하고는 실시예2에서와 동일한 방법으로 자기광학 기록매체를 제조하였다.

보호층의 두께가 500Å 이하인 경우, 감도 약화는 많아야 10%였다.

온도 70℃ 및 상대습도 85% 조건하에서 디스크상의 500시간 촉진노화시험을 실행하였다. 촉진노화시험 전후의 드롭인 오차율을 측정한 경우, 오차율의 증가는 약 2.0배 이하이었다.

산화 알루미늄을 보호층으로 사용한 경우에도 거의 동일한 결과를 얻었다.

실시예 9

Ar 및 N의 혼합 가스중에서 Si 타게트를 스퍼터링시켜 실리콘 니트리드 보호층을 형성시킨 것을 제외하고는 실시예8에서와 동일한 방법으로 자기광학 기록매체를 제조하였다.

보호층의 두께가 500Å 이하인 경우, 감도 악화는 많아야 10%이었다.

온도 70℃ 및 상대습도 85% 조건하에서 디스크상의 500시간 촉진노화시험을 실행하였다. 촉진노화시험전후의 드롭인 오차율을 측정한 경우, 오차율의 증가는 약 2.2배 이하이었다.

알루미늄 니트리드를 보호층으로 사용한 경우에도 거의 동일한 결과가 얻어졌다.

실시예 10

8×10Pa 이하까지 배기시킨 스퍼터링 장치에 130mmφ의 폴리카르보네이트 기재를 장입시켰다. 그후, 20sccm의 Ar 및 5sccm의 O를 도입시켜 압력을 0.8Pa로 조정하였다. 이 상태에서, 4인치φ의 Ta 타게트를 500W 전력에서 DC 스퍼터링 처리시키고, 또 4Å/초의 속도로 800Å 두께의 산화탄탈륨 방해층을 형성시켰다. 파장 633nm에서 측정된 이 층의 착물 굴절률(n)=2.1∼0.03i이었다.

챔버를 비운후, 압력을 0.3Pa로 조정하기 위해 30sccm의 Ar 가스를 도입시켰다. Tb 타게트 및 FeCo타게트를 동시에 스퍼터링시켜 방해층위에 300Å 두께의 AlTa반사층을 형성시켰다. 30sccm의 Ar 및 4sccm의 N를 도입시켜 압력을 0.5Pa로 조정하였다. 이 상태에서 4인치φ의 Si 타게트를 500W 전력에서 반응성 스퍼터링 처리시켜 1,5Å/초의 속도로 2.1의 굴절률을 갖는 300Å 두께의 실리콘 니트리드 보호층을 형성시켰다.

실시예5에서 수득된 폴리우레탄을 접착제로 사용하여 2개 자기광학 기록매체를 보호층과 서로 마주보도록 접착시켰다. 폴리우레탄 접착층(유기 보호층)의 두께는 10μm 였다.

접착에 의해 수득된 디스크를 온도 70℃ 및 상대습도의 85% 조건하에서 2,000 시간 촉진노화시험 처리시켰고 또 시간에 따른 오차율의 증가를 측정하였다. 2,000시간 후 오차율의 증가는 1.3배로 제한되었다. 결과를 제5도에 도시하였다.

비교실시예 4

실시예 10에서와 동일한 구조를 갖는 기재, 방해층, 기록층 및 반사층을 갖는 디스크를 제조하였다. 이러한 디스크 2개를 아크릴레이트 접착제로 서로 접착시켰다. 이 접착제는 24시간 후에 15g/m의 수분 투과율을 갖지만 100% 장력에 대하여 접착제는 100% 신장되지 않았다. 즉 이 접착제는 경질이었다. 접착에 의하여 수득된 디스크를 온도 70℃ 및 상대습도 85% 조건하에서 2,000시간 촉진노화시험 처리시켰고 또 시간에 따른 오차율의 증가를 측정하였다. 2,000시간 후 오차율은 5.2배로 증가하였고 크랙의 발생이 관찰되었다. 결과를 제5도에 도시하였다.

실시예 11

폴리카르보네이트 기재, 방해층, 기록층 및 반사층으로 구성되고 또 실시예6에서와 동일한 방법으로 제조된 자기광학 기록매체를 반사층과 서로 대면하도록 실시예5에서 수득한 폴리우레탄을 접착제로 사용하여 접착시켰다. 폴리우레탄 접착층(유기 보호층)의 두께는 50μm이었다.

접착에 의하여 수득된 디스크를 온도 70Å 및 상대습도 85% 조건하에서 2,000시간 촉진노화 시험시켰고 또 시간에 따른 오차율의 증가를 측정하였다. 2,000시간 후 오차율의 증가는 1.2배로 제한되었다.

실시예 12

8×10토르 이하까지 배기시킨 스퍼터렁 장치에 130mmφ의 폴리카르보네이트 기재를 장입시켰다. 그후 30sccm의 Ar 및 4sccm의 N를 도입시켜 압력을 0.5Pa로 조정하였다. 이 상태에서, 4인치φ의 Ta 타게트를 500W 전력에서 RF 스퍼터링시켰고 또 1,5Å/초 속도로 750Å의 두께 실리콘 니트리드(SiN) 방해층을 형성시켰다. 633nm 파장에서 측정된 이 층의 착물 굴절률(n)은 n=2.1-0.03i이었다.

챔버를 비운후, 압력을 0.3Pa로 조정하기 위해 30sccm의 Ar 가스를 도입시켰다. Tb 타게트 및 FeCo타게트를 동시에 스퍼터링시켜 방해층위에 300Å 두께의 Tb(FeCo)기록층을 형성시켰다. 또한, 그위에 위치한 Ta 칩을 갖는 Al 타게트를 Ar 가스중에서 스퍼터링시켜 기록층위에 300Å 두께의 AlTa반사층을 형성시켰다. 20sccm의 Ar 및 5sccm의 O를 도입시켜 압력을 0.8Pa로 조정시켰다. 이 상태에서, 4인치φ의 Ta 타게트를 500W 전력에서 DC 처리시켜 4Å/초의 속도로 800Å 두께의 산화탄탈륨 보호층을 형성시켰다.

실시예 12에서 수득된 폴리우레탄을 접착제로 사용하여 2개의 자기광학 기록매체를 보호층과 서로 대면하도록 접착시켰다. 폴리우레판 접착층(유기 보호층)의 두께는 10μm였다

접착에 의해 수득된 디스크를 온도 70℃ 및 상대습도의 85% 조건하에서 2,000시간 촉진노화시험 처리시켰고 또 시간에 따른 오차율의 증가를 측정하였다. 2,000시간 후 오차율의 증가는 1.3배로 제한되었다. 결과를 제6도에 나타내었다

실시예 13

Ar 가스중에서 Tb 타게트와 FeCo 타게트를 사용한 이원 스퍼터링에 의하여 실시예 12에서와 동일한 방법으로 폴리카르보네이트 기재상에 제공된 방해층위에 300Å 두께의 Tb(FeCo)기록층을 형성시켰다.

그 위에 위치한 Ta 칩을 갖는 Al 타게트를 Ar 가스중에서 스퍼터링시켜 300Å 두께의 AlTe반사층을 형성시켰다. 실시예 5에서 수득된 폴리우레탄을 접착제로 사용하여 2개의 자기광학 기록매체를 반사층과 서로 대면하도록 접착시켰다. 이 폴리우레탄 접착층(유기 접착층)의 두께는 10μm이었다.

접착에 의해 수득된 디스크를 온도 70℃ 및 상대습도 85%의 조건하에서 2,000시간 촉진노화시험 처리시키고 또 시간에 따른 오차율의 증가를 측정하였다. 2,000시간 후 오차율의 증가는 1.5배로 제한되었다.

실시예 14

방해층, 기록층, 반사층 및 실리콘 니트리드 보호층을 실시예 10에서와 동일한 방법으로 폴리카르보네이트 기재상에 차례로 형성시키고 또 보호층위에 실시예5에서 수득된 폴리우레탄으로 구성된 유기 보호층을 최외각층으로 형성시켰다.

이렇게 수득한 디스크를 온도 70℃ 상대습도 85% 조건하에서 1,500시간 촉진노화시험 처리시키고 또 시간에 따른 드롭인 오차율의 증가를 측정하였다. 1,500시간 후 오차율의 증가는 1배로 제한되었다.

Claims

투명한 기재, 이 투명한 기재상에 위치시킨 방해층, 회토류 금속 및 전이금속의 합금으로 이루어진 두께 250 내지 500Å의 자기광학 기록층과 1 내지 8원자%의 Ta를 함유하는 Al 합금으로 형성된 두께 100 내지 1,000Å의 반사층으로 구성되며, 자기광학 기록층이 이들 방해층과 반사층 사이에 위치하는 자기광학 기록매체.
제1항에 있어서, 상기 방해층이 금속 산화물 또는 금속 질화물로 구성된 자기광학 기록매체.
제2항에 있어서, 상기 금속 산화물이 산화 탄탈륨인 자기광학 기록매체
제2항에 있어서, 상기 금속 산화물이 실리콘 니트리드인 자기광학 기록매체.
제1항에 있어서, 상기 회토류 밑 전이금속의 합금이 Tb, Fe 및 Co으로 구성된 군으로 부터 선정된 것을 1개 이상 함유하는 자기광학 기록매체.
제1항에 있어서, 금속 산화물 또는 금속 질화물로 구성된 두께 5 내지 500Å의 보호층이 상기 반사층위에 위치하는 자기광학 기록매체.
제6항에 있어서, 상기 보호층의 금속 산화물이 산화탄탈륨인 자기광학 기록매체.
제6항에 있어서, 상기 보호층의 금속 질화물이 실리콘 니트리드인 자기광학 기록매체.
투명한 기재, 이 투명한 기재상에 위치시킨 방해층, 회토류 금속 및 전이금속의 합금으로 형성된 두께 250 내지 500Å의 자기광학 기록층 및 1 내지 8원자%의 Ta를 함유하는 Al 합금으로 형성된 두께 200 내지 600Å의 반사층으로 구성되며, 자기광학층이 방해층과 반사층 사이에 위치하는 자기광학 기록매체.
제1항에 있어서, 상기 방해층의 두께가 400 내지 1,500Å인 자기광학 기록매체.