JPH02223040A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
-
- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は光磁気記録媒体に関し特に反射層の改良によっ
て感度及び経時安定性を向上させた光磁気記録媒体℃関
する。
て感度及び経時安定性を向上させた光磁気記録媒体℃関
する。
近年、光磁気記録媒体は、レーザー光による書き込み読
み出し可能光磁気ディスクとして大容量データファイル
等に広く利用されている。
み出し可能光磁気ディスクとして大容量データファイル
等に広く利用されている。
光磁気記録媒体の使用形態としては通常透明基板上に記
録層と保護層をスバ・ンタリング等の成膜法で設けた媒
体を単板で使用する場合と基板を外側に向けて接着層を
介して２枚貼り合わせた両面記録型の形態で使用する場
合とがある。
録層と保護層をスバ・ンタリング等の成膜法で設けた媒
体を単板で使用する場合と基板を外側に向けて接着層を
介して２枚貼り合わせた両面記録型の形態で使用する場
合とがある。
また、記録再生に際して光は基板側から入射されるが入
射光を有効に利用してＣ／Ｎを高め、また対称性の優れ
た記録ビット形状を得るために基板とは反対の最上層に
反射層を設けることが提案されており、上記の単板の光
磁気記録媒体においてもまた両面記録型の光磁気記録媒
体においても採用されている。（例えば、特開昭５７−
１２０２５３号公報に開示されている。） 前記反射層は、通常反射率の高い金属の薄膜であり、例
えば、Ａｔ、Ａｕ、Ｃｕ、ＰＬ、Ｔａ及びＴｉ等の単体
もしくは合金が使用され、中でも特にコストが安価であ
ること、反射率さらに熱伝導性が比較的良好であること
等の理由からＡｌＣｕが土に検討されている。
射光を有効に利用してＣ／Ｎを高め、また対称性の優れ
た記録ビット形状を得るために基板とは反対の最上層に
反射層を設けることが提案されており、上記の単板の光
磁気記録媒体においてもまた両面記録型の光磁気記録媒
体においても採用されている。（例えば、特開昭５７−
１２０２５３号公報に開示されている。） 前記反射層は、通常反射率の高い金属の薄膜であり、例
えば、Ａｔ、Ａｕ、Ｃｕ、ＰＬ、Ｔａ及びＴｉ等の単体
もしくは合金が使用され、中でも特にコストが安価であ
ること、反射率さらに熱伝導性が比較的良好であること
等の理由からＡｌＣｕが土に検討されている。
しかしながら、このＡｌやＣｕは比較的腐食され易く使
用したり保存しているうちに反射率が次第に低下すると
いう問題があった。
用したり保存しているうちに反射率が次第に低下すると
いう問題があった。
この問題を改良し反射層の耐腐食性を改良する為に合金
にする方法、反射層を表面処理する方法等が提案されて
いるがいまだ充分に解決されていない。特に、合金にす
る方法においてレヨ、Ａ１とＭｇ、Ｓｉ、Ｍｎ等の金属
との合金にする方法が特開昭６１−２３９３４９号公報
や特開昭６２−２９５２３２号公報等に開示されている
が、未だ充分でなく、経時加速試験のために高温度高湿
度下に保存した比較的短時間内に反射層の表面に腐食痕
が発生してしまい、局部的に反射率が低下する結果、ド
ロップ・アウト（ＢＥＲ（ピットエラーレート））が増
加する等の問題があった。
にする方法、反射層を表面処理する方法等が提案されて
いるがいまだ充分に解決されていない。特に、合金にす
る方法においてレヨ、Ａ１とＭｇ、Ｓｉ、Ｍｎ等の金属
との合金にする方法が特開昭６１−２３９３４９号公報
や特開昭６２−２９５２３２号公報等に開示されている
が、未だ充分でなく、経時加速試験のために高温度高湿
度下に保存した比較的短時間内に反射層の表面に腐食痕
が発生してしまい、局部的に反射率が低下する結果、ド
ロップ・アウト（ＢＥＲ（ピットエラーレート））が増
加する等の問題があった。
〔発明が解決しようとする問題点］
本発明は、上記の従来技術の問題点に鑑がみなされたも
のであり、耐腐食性が改良された経時安定性の優れた反
射層を設けた光磁気記録媒体を提供することを目的とし
ている。
のであり、耐腐食性が改良された経時安定性の優れた反
射層を設けた光磁気記録媒体を提供することを目的とし
ている。
上記本発明の目的は、基板上に少なくとも記録層及び反
射層を有する光磁気記録媒体において、が反射層がＡｌ
（アルミニウム）とＴａ（タンタル）の合金よりなる薄
膜であることを特徴とする光磁気記録媒体により達成さ
れる。
射層を有する光磁気記録媒体において、が反射層がＡｌ
（アルミニウム）とＴａ（タンタル）の合金よりなる薄
膜であることを特徴とする光磁気記録媒体により達成さ
れる。
本発明の光磁気記録媒体の一例を第１図で以下に説明す
る。
る。
第１誘電体保護層ｌ、記録層２、第２誘電体保護層３、
ＡｌとＴａの合金反射層４の薄膜がこの順で積層された
構成の光磁気記録層５が透明プラスチック、ガラス等よ
りなる基Ｖｉ６上に設けられている。そして、前記光磁
気記録層５全体を保護するために紫外線硬化樹脂等より
なるを機保護層７が最上層の前記ＡｌとＴａの合金反射
層４の上面前記光磁気記録層５の側面を覆うように設け
られている。記録用もしくは読み出し用の光ビーム８は
前記基板６側から入射される。前記光ビーム８は前記基
板６、前記第１誘電体保護層１を通過して前記記録層２
に至りそこで前記記録Ｎ２に対し光磁気効果を及ぼし更
に前記第２誘電体保護層３を透過し前記Ａ１とＴａの合
金反射層４で反射され再び前記記録層２に戻り光磁気効
果を及ぼす。
ＡｌとＴａの合金反射層４の薄膜がこの順で積層された
構成の光磁気記録層５が透明プラスチック、ガラス等よ
りなる基Ｖｉ６上に設けられている。そして、前記光磁
気記録層５全体を保護するために紫外線硬化樹脂等より
なるを機保護層７が最上層の前記ＡｌとＴａの合金反射
層４の上面前記光磁気記録層５の側面を覆うように設け
られている。記録用もしくは読み出し用の光ビーム８は
前記基板６側から入射される。前記光ビーム８は前記基
板６、前記第１誘電体保護層１を通過して前記記録層２
に至りそこで前記記録Ｎ２に対し光磁気効果を及ぼし更
に前記第２誘電体保護層３を透過し前記Ａ１とＴａの合
金反射層４で反射され再び前記記録層２に戻り光磁気効
果を及ぼす。
前記ＡｌとＴａの合金反射層があるとにより、前記記録
層２の表面での反射による偏光いわゆるカー効果だけで
はなく透過光の偏光によるいわゆるファラデー効果をも
記録層に作用されるようにしてもって、ＣＮ比を大きく
できるようにしたことにある。
層２の表面での反射による偏光いわゆるカー効果だけで
はなく透過光の偏光によるいわゆるファラデー効果をも
記録層に作用されるようにしてもって、ＣＮ比を大きく
できるようにしたことにある。
以上本発明の光磁気記録媒体の構成を単板の媒体を例に
説明したが、この単板の光磁気記録媒体を前記基板６を
外側にして接着層を介して２枚貼り合わせて両面記録型
の媒体とすることもできる。
説明したが、この単板の光磁気記録媒体を前記基板６を
外側にして接着層を介して２枚貼り合わせて両面記録型
の媒体とすることもできる。
本発明の光磁気記録媒体においては上記の反射層を有す
る光磁気記録媒体の特徴に加えて更に反射層の耐腐食性
を向上させた結果経時劣化の点においても改善されてい
る。
る光磁気記録媒体の特徴に加えて更に反射層の耐腐食性
を向上させた結果経時劣化の点においても改善されてい
る。
すなわち、本発明の光磁気記録媒体の前記反射層のＡｌ
とＴａの合金はそれ自身でも耐腐食性が優れており外部
から侵入してくる酸素や水分の影響を受けにくく経時に
よる反射率の低下の結果特性が劣化する恐れが少ない、
前記有機保護層７でその表面が覆われ外気から遮断され
てはいても前記有機保護層７を透過してくる水分やまた
酸素によって前記反射層４の表面は局部的に侵されその
侵された部分での反射率が低下する。更に、ＢＥＲが増
大する等の問題をおこすようになる。特に、高温度高湿
度下の使用条件でこれらの問題は顕著となる。
とＴａの合金はそれ自身でも耐腐食性が優れており外部
から侵入してくる酸素や水分の影響を受けにくく経時に
よる反射率の低下の結果特性が劣化する恐れが少ない、
前記有機保護層７でその表面が覆われ外気から遮断され
てはいても前記有機保護層７を透過してくる水分やまた
酸素によって前記反射層４の表面は局部的に侵されその
侵された部分での反射率が低下する。更に、ＢＥＲが増
大する等の問題をおこすようになる。特に、高温度高湿
度下の使用条件でこれらの問題は顕著となる。
本発明の利点は、基板上の一方の面に記録層及び反射層
を有した２枚の媒体を、該基板の他方の面を外側に、向
けてホントメルト接着剤層を介して貼り合わせたいわゆ
る両面記録型光磁気記録媒体においてさらに生かすこと
ができる。
を有した２枚の媒体を、該基板の他方の面を外側に、向
けてホントメルト接着剤層を介して貼り合わせたいわゆ
る両面記録型光磁気記録媒体においてさらに生かすこと
ができる。
すなわち、両面記録型光磁気記録媒体にあっては、前述
の酸素や水分の影響の他にホットメルト接着剤層中の低
分子量成分、アルカリ金属等の腐食性の残存イオン等が
反射層の腐食を促進するからである。
の酸素や水分の影響の他にホットメルト接着剤層中の低
分子量成分、アルカリ金属等の腐食性の残存イオン等が
反射層の腐食を促進するからである。
前記ホットメルト接着剤層と反射層との間に有機樹脂保
護層が介在したとしても、前記の腐食性の成分の浸透を
防ぐには充分ではないので、本発明のようにＡ１とＴａ
の合金の薄膜を反射層とすることによって、との耐腐食
性を向上させもって、経時安定性の優れた両面記録型光
磁気記録媒体とすることができる。
護層が介在したとしても、前記の腐食性の成分の浸透を
防ぐには充分ではないので、本発明のようにＡ１とＴａ
の合金の薄膜を反射層とすることによって、との耐腐食
性を向上させもって、経時安定性の優れた両面記録型光
磁気記録媒体とすることができる。
本発明の光磁気記録媒体における前記ＡｌとＴａの合金
反射層４の組成はＴａが１乃至１０原子％であることが
望ましい、Ｔａがあまり多いと反射率が低下し逆に余り
少ないと耐腐食性が充分でなくなる。
反射層４の組成はＴａが１乃至１０原子％であることが
望ましい、Ｔａがあまり多いと反射率が低下し逆に余り
少ないと耐腐食性が充分でなくなる。
また前記Ａ１とＴａの合金反射層の厚さは２００乃至６
００Ａであることが望ましい。
００Ａであることが望ましい。
前記ＡｌとＴａの合金反射層は、通常スパッタ法により
形成される。すなわち、ＡｌとＴａの合金のターゲット
もしくはＡ１の上にＴａのチップを配したターゲットを
用いてＲＦスパッタ、ＤＣスパッタを行って、第１図に
示した例で言えば前記第２誘電体保護層３の上に成膜で
きる。
形成される。すなわち、ＡｌとＴａの合金のターゲット
もしくはＡ１の上にＴａのチップを配したターゲットを
用いてＲＦスパッタ、ＤＣスパッタを行って、第１図に
示した例で言えば前記第２誘電体保護層３の上に成膜で
きる。
前記光磁気記録層５を構成する他の層も前記ＡｌとＴａ
の合金反射層４と同様スパッタ法で成膜することができ
る。
の合金反射層４と同様スパッタ法で成膜することができ
る。
本発明の光磁気記録媒体における前記記録層２用の素材
としては、各種の酸化物及び金属の磁性体のｙＩＷ！４
が使用できる０例えば、ＭｎＢ１１ＭｎＡｌＣｅ、Ｍｎ
ＣｕＢ１等の結晶性材料、Ｇｄ１Ｇ、Ｂ１ＳｍＥｒＧａ
１Ｇ ＢｔＳｍＹｂＣｏＧｅｌＧ、等の単結晶材料、
さらに、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ、ＤｙＦｅ、Ｇ
ｄＦｅＢ１．ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣ
ｏ、ＴｂＦｅＮｉ等の比晶譬材料を用いた薄膜である。
としては、各種の酸化物及び金属の磁性体のｙＩＷ！４
が使用できる０例えば、ＭｎＢ１１ＭｎＡｌＣｅ、Ｍｎ
ＣｕＢ１等の結晶性材料、Ｇｄ１Ｇ、Ｂ１ＳｍＥｒＧａ
１Ｇ ＢｔＳｍＹｂＣｏＧｅｌＧ、等の単結晶材料、
さらに、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ、ＤｙＦｅ、Ｇ
ｄＦｅＢ１．ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣ
ｏ、ＴｂＦｅＮｉ等の比晶譬材料を用いた薄膜である。
中でも感度、Ｃ／Ｎ等の点で希土類金属、遷移金属を主
体とする記録層が最も好ましく、単一層としてもまた遷
移金属からなる薄膜と希土類金属からなる薄膜とが交互
に積層した形態でも使用される。
体とする記録層が最も好ましく、単一層としてもまた遷
移金属からなる薄膜と希土類金属からなる薄膜とが交互
に積層した形態でも使用される。
本発明の光磁気記録媒体における前記記録層２の耐腐食
性を高めるために遷移金属薄膜、希土類金属薄膜の双方
もしくはいずれかにＣｒ、 ＴｉＰｔ、Ａｌ等の金属を
添加することもできる。
性を高めるために遷移金属薄膜、希土類金属薄膜の双方
もしくはいずれかにＣｒ、 ＴｉＰｔ、Ａｌ等の金属を
添加することもできる。
前記記録層２の厚さは通常１５０乃至４００Ａである。
本発明の光磁気記録媒体においては前記記録層２の上下
に前記第１の誘電体保護層ｌ及び前記第２の誘電体保護
層３を設けて耐久性や光磁気特性を高めることが望まし
い、該誘電体としてはＡｌＮ、Ｓｉｎ、ＳｉＯｘ、Ｓｉ
Ｎｘ、５ｉＡｌＯＮ等が用いられ、中でも５ＬＮｘ、５
ｉＡｌＯＮが望ましい、この誘電体保護層の厚さとして
は通常３００乃至１５００Ａである。
に前記第１の誘電体保護層ｌ及び前記第２の誘電体保護
層３を設けて耐久性や光磁気特性を高めることが望まし
い、該誘電体としてはＡｌＮ、Ｓｉｎ、ＳｉＯｘ、Ｓｉ
Ｎｘ、５ｉＡｌＯＮ等が用いられ、中でも５ＬＮｘ、５
ｉＡｌＯＮが望ましい、この誘電体保護層の厚さとして
は通常３００乃至１５００Ａである。
本発明の光磁気記録媒体で使用する前記基板６としては
、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリ
オレフィン、エポキシ、ガラス等を用いることができる
が、特に樹脂基板中でもポリカーボネートが望ましい。
、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリ
オレフィン、エポキシ、ガラス等を用いることができる
が、特に樹脂基板中でもポリカーボネートが望ましい。
また、さらに耐久性を向上させるための前記有機保護層
７としては、紫外線硬化樹脂やホントメルト樹脂が使用
される。
７としては、紫外線硬化樹脂やホントメルト樹脂が使用
される。
〔発明の効果）
反射層をＡｌとＴａとの合金の薄膜とすることにより、
光磁気記録媒体のＣ／Ｎを大きくできるとともに、その
経時劣化を防止できもってＢＥＲ（ピットエラーレート
）の増大等の問題を軽減できる。
光磁気記録媒体のＣ／Ｎを大きくできるとともに、その
経時劣化を防止できもってＢＥＲ（ピットエラーレート
）の増大等の問題を軽減できる。
以下の実施例によって、本発明の新規な効果を明確にす
る。
る。
〔実施例−１〕
連続式スパッタリング装置を用いて、１３０φ、厚さ１
．２鴫のポリカーボネート基板上に以下のような順で各
薄膜を成膜して単板の光磁気記録媒体を得た。まず、第
１の誘電体保護層として５ｉｓＮ４薄膜を１０００人の
厚さで成膜し、次にＴｂＦｅＣｏＣｒよりなる非晶質合
金薄膜の記録層を３００人の厚さで前記第１の誘電体保
護層の上に成膜した。さらに、この記録層の上に第２の
誘電体保護層としてＳ ｉ ｓ Ｎａの薄膜を５００人
の厚さで成膜し、その上にＡｌとＴａの合金反射層とし
て３００人の厚さでＡｌとＴａの合金の薄膜を成膜した
。
．２鴫のポリカーボネート基板上に以下のような順で各
薄膜を成膜して単板の光磁気記録媒体を得た。まず、第
１の誘電体保護層として５ｉｓＮ４薄膜を１０００人の
厚さで成膜し、次にＴｂＦｅＣｏＣｒよりなる非晶質合
金薄膜の記録層を３００人の厚さで前記第１の誘電体保
護層の上に成膜した。さらに、この記録層の上に第２の
誘電体保護層としてＳ ｉ ｓ Ｎａの薄膜を５００人
の厚さで成膜し、その上にＡｌとＴａの合金反射層とし
て３００人の厚さでＡｌとＴａの合金の薄膜を成膜した
。
前記ＡｌとＴａの合金反射層の成膜は、純度９９．９９
％の８インチ径のＡｌツタ−ットの上に５論角のＴａの
チップを配して行った。そして、そのＡｌツタ−ゲット
上配するＴａのチップの数を変えることによって、前記
ＡｌとＴａの合金反射層のＴａの組成比を１乃至２０原
子％まで変化させた。
％の８インチ径のＡｌツタ−ットの上に５論角のＴａの
チップを配して行った。そして、そのＡｌツタ−ゲット
上配するＴａのチップの数を変えることによって、前記
ＡｌとＴａの合金反射層のＴａの組成比を１乃至２０原
子％まで変化させた。
上記のようにして得られた前記ＡｌとＴａの合金反射層
のＴａの含有量が異なる４種類の光磁気記録媒体の試料
Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄを８０ ”Ｃ９０％ＲＨの高温高湿度の
条件に設定された恒温槽中に１５００時間放置した。
のＴａの含有量が異なる４種類の光磁気記録媒体の試料
Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄを８０ ”Ｃ９０％ＲＨの高温高湿度の
条件に設定された恒温槽中に１５００時間放置した。
放置後の光磁気記録媒体につぎの反射率及び記録層のＨ
ｃを以下の方法で測定した。
ｃを以下の方法で測定した。
反射率の測定：波長８３０ｎｍの半導体レーザー光を光
磁気記録媒体サンプルの半径２９−の位置の反射率を光
磁気ディスク評価機のビレクア７プを用いて測定した。
磁気記録媒体サンプルの半径２９−の位置の反射率を光
磁気ディスク評価機のビレクア７プを用いて測定した。
Ｈｅの測定：波長８３０ｎｍの半導体レーザー光を用い
たカーヒステリシス装置で測定した。
たカーヒステリシス装置で測定した。
その結果を第１表に示す。
Ａ１とＴａの合金のかわりにＡｌ純金属を反射層の薄膜
の素材とした以外上記の実施例と同一の条件で光磁気記
録媒体の試料Ｅを作成した。
の素材とした以外上記の実施例と同一の条件で光磁気記
録媒体の試料Ｅを作成した。
第１表
反射率、Ｈｃともに高温高湿度下に放置する前の初期値
に対する相対値である。
に対する相対値である。
〔実施例−２〕
連続式スパッタリング装置を用いて、１３０φ、厚さ１
．２閣のポリカーボネート基板一方の面上に以下のよう
な順で各薄膜を成膜して単板の光磁気記録媒体を得た。
．２閣のポリカーボネート基板一方の面上に以下のよう
な順で各薄膜を成膜して単板の光磁気記録媒体を得た。
まず、第１の誘電体保護層としてＳｉＮｘ薄膜を１００
０人の厚さで成膜し、次にＴｂＦｅＣｏＣｒよりなる非
晶質合金薄膜の記録層を３００人の厚さで前記第１の誘
電体保護層の上に成膜した。さらに、この記録層の上に
第２の誘電体保護層としてＳｉＮｘの薄膜を５００人の
厚さで成膜し、その上に、反射層として３５０人の厚さ
でＡ１とＴａの合金の薄膜を成膜して、片面記録型の光
磁気記録媒体の試料Ｆ及びＧを作成した。
０人の厚さで成膜し、次にＴｂＦｅＣｏＣｒよりなる非
晶質合金薄膜の記録層を３００人の厚さで前記第１の誘
電体保護層の上に成膜した。さらに、この記録層の上に
第２の誘電体保護層としてＳｉＮｘの薄膜を５００人の
厚さで成膜し、その上に、反射層として３５０人の厚さ
でＡ１とＴａの合金の薄膜を成膜して、片面記録型の光
磁気記録媒体の試料Ｆ及びＧを作成した。
前記Ａ１とＴａの合金反射層の成膜は、純度９９．９９
％の８インチ径のＡｌツタ−ットの上に５聴角のＴａの
チップを配して行った。
％の８インチ径のＡｌツタ−ットの上に５聴角のＴａの
チップを配して行った。
前記片面記録型の光磁気記録媒体の試料２枚を前記ポリ
カーボネート基板の反射層及び記録層のない他方の面を
外側に向けて、２枚の媒体の外端部の８ケ所をクリップ
で固定して前記反射層の面を向かい合わせて密着させて
両面記録型光磁気記録媒体の試料を作成した。
カーボネート基板の反射層及び記録層のない他方の面を
外側に向けて、２枚の媒体の外端部の８ケ所をクリップ
で固定して前記反射層の面を向かい合わせて密着させて
両面記録型光磁気記録媒体の試料を作成した。
試料Ｆ同士貼り合わせた両面記録型光磁気記録媒体は試
料Ｈとし、試料Ｇ同士貼り合わせたものは試料■とした
。
料Ｈとし、試料Ｇ同士貼り合わせたものは試料■とした
。
〔実施例−３〕
実施例−２で得られた試料０２枚を前記ポリカーボネー
ト基板の反射層及び記録層のない他方の面を外側に向け
て前記反射層の面に先ず、大日本インキ■製の紫外線硬
化樹脂＃ＳＤ−１７を４μｍＷｌｉ布、次いで紫外線照
射による硬化を行い、さらに東亜合成化学■製ホットメ
ルト接着剤＃ＸＷ−１３を塗布して貼り合わせて、両面
記録型光磁気記録媒体の試料Ｊを作成した。
ト基板の反射層及び記録層のない他方の面を外側に向け
て前記反射層の面に先ず、大日本インキ■製の紫外線硬
化樹脂＃ＳＤ−１７を４μｍＷｌｉ布、次いで紫外線照
射による硬化を行い、さらに東亜合成化学■製ホットメ
ルト接着剤＃ＸＷ−１３を塗布して貼り合わせて、両面
記録型光磁気記録媒体の試料Ｊを作成した。
このときの前記ホットメルト接着副層の厚さは２０ｔＩ
ｍであった。
ｍであった。
〔比較例−２〕
試料Ｆ−Ｊにおける反射層を純度９９．９９％のＡｌに
かえた以外実施例−２及び実施例−３と同一の条件で光
磁気記録媒体の試料に、 Ｍ、及びＰを作成した。
かえた以外実施例−２及び実施例−３と同一の条件で光
磁気記録媒体の試料に、 Ｍ、及びＰを作成した。
上記のようにして得られた前記光磁気記録媒体の試料Ｆ
−Ｐを８０°Ｃ９０％ＲＨの高温高湿度の条件に設定さ
れた恒温槽中に１５００時間放置した。
−Ｐを８０°Ｃ９０％ＲＨの高温高湿度の条件に設定さ
れた恒温槽中に１５００時間放置した。
そして、各試料につき高温高湿度条件下に放置する前後
におけるＢＥＲ（ピットエラーレート）の測定をした。
におけるＢＥＲ（ピットエラーレート）の測定をした。
測定は、３．７ＭＨｘ、１８００ｒｐｍの条件で記録再
生したときの信号の欠落をみた。
生したときの信号の欠落をみた。
また、光磁気記録媒体サンプルの半径２９ｍｍの位置の
反射率を光磁気ディスク評価機のピックアップを用いて
測定した。波長８３０ｎｍの光を使用した。
反射率を光磁気ディスク評価機のピックアップを用いて
測定した。波長８３０ｎｍの光を使用した。
得られた結果を、第２表に示す。
第２表
〔実施例−４］
反射層のＴａの組成比を第３表のように変えた以外は、
実施例−２及び実施例−３と同一の条件で両面記録型光
磁気記録媒体の試料Ｑ−Ｔを作成した。
実施例−２及び実施例−３と同一の条件で両面記録型光
磁気記録媒体の試料Ｑ−Ｔを作成した。
各特性の測定結果を第３表に示す。
第３表
第１図
第１図は本発明の光磁気記録媒体の層構成を示す図であ
る。 １− 第１誘電体保護層 ２− 記録層 ３− 第２誘電体保護層 ４ − ＡｌとＴａの合金反射層 ５− 光磁気記録層 ６− 基板 ７− 有機保護層 ８− 記録用、読み出し用光ビーム 特許出願人 富士写真フィルム株式会社手続補正書 事件の表示 発明の名称 補正をする者 事件との関係 平成 年特願第１／りｒｂｉ号 光磁気記録媒体
る。 １− 第１誘電体保護層 ２− 記録層 ３− 第２誘電体保護層 ４ − ＡｌとＴａの合金反射層 ５− 光磁気記録層 ６− 基板 ７− 有機保護層 ８− 記録用、読み出し用光ビーム 特許出願人 富士写真フィルム株式会社手続補正書 事件の表示 発明の名称 補正をする者 事件との関係 平成 年特願第１／りｒｂｉ号 光磁気記録媒体
Claims (3)
- （１）基板上に少なくとも記録層及び反射層を有する光
磁気記録媒体において、該反射層がＡｌ（アルミニウム
）とＴａ（タンタル）の合金よりなる薄膜であることを
特徴とする光磁気記録媒体。 - （２）Ｔａの組成比が１乃至１０原子％であるＡｌとＴ
ａの合金よりなる薄膜を前記反射層とすることを特徴と
する請求項１記載の光磁気記録媒体。 - （３）基板上の一方の面に記録層及び反射層を有した２
枚の媒体を、該基板の他方の面を外側に、向けてホット
メルト接着剤層を介して貼り合わせた両面記録型光磁気
記録媒体において、該反射層がＡｌ（アルミニウム）と
Ｔａ（タンタル）の合金よりなる薄膜であることを特徴
とする両面記録型光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/938,686 US5340647A (en) | 1988-11-04 | 1992-09-01 | Optomagnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27859488 | 1988-11-04 | ||
| JP63-278594 | 1988-11-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02223040A true JPH02223040A (ja) | 1990-09-05 |
Family
ID=17599441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1119861A Pending JPH02223040A (ja) | 1988-11-04 | 1989-05-12 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5340647A (ja) |
| JP (1) | JPH02223040A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69130441T2 (de) * | 1990-08-07 | 1999-04-08 | Hitachi Maxell | Magnetooptischer Aufzeichnungsträger |
| EP0684601B1 (en) * | 1994-05-26 | 1997-10-01 | Teijin Limited | Optical recording medium |
| JP2001110635A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Minebea Co Ltd | 磁気光学体及びその製造方法 |
| US20040129200A1 (en) * | 2001-09-26 | 2004-07-08 | John Kouvetakis | Active electronic devices based on gallium nitride and its alloys grown on silicon substrates with buffer layers of SiCAIN |
| WO2004025707A2 (en) * | 2002-09-13 | 2004-03-25 | Arizona Board Of Regents | Active electronic devices based on gallium nitride and its alloys grown on silicon substrates with buffer layers of sicain |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5720933A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-03 | Toshiba Corp | Information recording carrier |
| US4544443A (en) * | 1983-05-13 | 1985-10-01 | Shap Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing an optical memory element |
| JPS6148148A (ja) * | 1984-08-13 | 1986-03-08 | Toshiba Corp | 光熱磁気記録媒体 |
| JPH0697514B2 (ja) * | 1985-02-21 | 1994-11-30 | シャープ株式会社 | 磁気光学記憶素子 |
| JPS61276150A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録用媒体 |
| JPH0719396B2 (ja) * | 1985-12-09 | 1995-03-06 | ソニー株式会社 | 情報記録媒体 |
| US4786559A (en) * | 1985-12-25 | 1988-11-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetooptical storage element |
| US4871614A (en) * | 1986-07-09 | 1989-10-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Opto-magnetic recording medium having three exchange-coupled magnetic layers |
| JPS63100636A (ja) * | 1986-10-16 | 1988-05-02 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
| US4902584A (en) * | 1986-12-25 | 1990-02-20 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| JPS644938A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-10 | Mitsubishi Chem Ind | Magneto-optical recording medium |
| CA1324213C (en) * | 1987-06-26 | 1993-11-09 | Yoshimitsu Kobayashi | Magnetooptical recording media |
| JPS6458918A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Incinerator |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP1119861A patent/JPH02223040A/ja active Pending
-
1992
- 1992-09-01 US US07/938,686 patent/US5340647A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5340647A (en) | 1994-08-23 |
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