JPH01251352A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光学的記録に用いる光磁気記録媒体に関する
。

（従来の技術とその課題） 光メモリー素子の中でも追加記録、消去が可能なイレー
ザブル型メモリーは、光磁気記録方式が最も実用化に近
い段階にいる。光磁気記録媒体の記録層としては総合的
な特性から見て、現在のところ、希土類−遷移金属系薄
膜が最も多く用いられている。

この光磁気記録媒体として、レーザー光照射時の記録・
再生効率を向上させる為に基板上の光磁気記録層上に反
射層を設ける方式も提案されている。この方式はカー効
果とファラデー効果の併用により高いＣ／Ｎ比を得られ
るという点で優れている。

記録層上に設けられる反射層は一般的には高反射率の物
質が考えられるが、　Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔはコストが高＜
Ｃｕは腐食を起こし易いためＡｌまたはＡｌの合金の薄
膜が多く用いられる。

しかしながら、ＡｌやＡ１合金を使用した場合には耐蝕
性という点で問題がある。　すなわちＡｌやＡ１合金は
表面に自然酸化膜をつくるため全体腐食に対しては強固
な特性を示すが一度ピンホールが生成すると腐食電流の
集中が起こりピンホールの拡大をもたらすことになる。

この反応は特に水分の存在下において顕著である。

（課題を解決するための手段） 本発明者等は上述の欠点を克服した、高耐蝕性で高Ｃ／
Ｎ比の光磁気記録媒体を提供するべく鋭意検討した結果
、特定の物質で保護層（接着層）を構成することにより
キャリアレベルが高く、経時安定性に優れた光磁気記録
媒体が得られることを見出した。

〔発明の構成〕

本発明の要旨は、基板上に金属窒化物からなる干渉層、
希土類金属と遷移金属の合金からなる光磁気記録層、記
録層に接して設けられたＡｌまたはＡ１を主体とする合
金からなる反射層を設けてなる光磁気記録媒体を反射層
側を対向せしめて接着層を介在させて貼合せてなり、接
着層が下記（イ）及び（ロ）の特性を有することを特徴
とする光磁気記録媒体に存する。

（イ）ＪＩＳ　　Ｋ　　６３０１で規定された１００％
引張応力が５０Ｋｇｆ／ｃｍ”以下。

（ロ）ＪＩＳ　　Ｚ　　０２０８で規定された透湿度が
２４時間で２０ｇ／ｍ”以下。

以下、本発明の詳細な説明する。

まず、本発明において用いられる基板としては、ガラス
、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
ク、又はガラス上に溝つき樹脂を形成した基板等が挙げ
られる。

基板の厚みは１〜２ＩＩＩＩ１１程度が一般的である。

光磁気記録層としては、たとえば、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＴｂＣｏ、ＤｙＦｅＣｏなどの希土類と遷移金属
の非晶質磁性合金が用いられる。光磁気記録層としては
単一の層を用いても良いし、ＧｄＴｂＦｅ／ＴｂＦｅの
ように２層以上の記録層を重ねても良い。光磁気記録層
の膜厚は２５０〜５００人である。

本発明においては、上記基板と光磁気記録層の間に干渉
層を設ける。この層は高屈折率の透明膜による光の干渉
効果を用い反射率を落とすことでノイズを低下させＣ／
Ｎ比を向上させるためのものである。

干渉層は単層膜でも多層膜でもよい。干渉層としては金
属窒化物が用いられる。金属窒化物としては窒化シリコ
ン、窒化アルミニウム等が挙げられるが、これらの金属
窒化物は緻密で外部からの水分や酸素の侵入を防ぐ、特
に窒化シリコンを用いて良好である。

窒化シリコンのＳｔとＮの比率はＮが多すぎれば膜の屈
折率が低下し緻密性も悪くなる。またＮが少なすぎれば
、膜に吸収を生じキャリアレベルの低下をもたらす、従
ってＳｔとＮとの比は化学量ｉ的組成比（Ｓ　１３Ｎａ
　）もしくはそれより多少Ｓｔが多い状態が好ましい。

具体的には、ＳｔとＮの原子比はＳｔ／Ｎで０．７５〜
１．０の範囲が良い。窒化シリコンの屈折率は６３３　
ｎｍの波長で測定したときの複素屈折率（ｎｏ）をｎ”
＝ｎ−ｉＫ（ｉは虚数を表す）としたとき２．０≦ｎ≦
２．５でかつ０＜Ｋ＜０．２の範囲であるのが良い。

この干渉層の膜厚は屈折率により最適膜厚が異なるが、
通常４００人〜１５００人程以上特に５００〜１０００
人程度が適当で以上。

本発明においては光磁気記録層上に反射層を設ける。反
射層は一般的には高反射率の物質が考えられるが、Ａｕ
、Ａｇ５Ｐｔはコストが高＜Ｃｕは腐食を起こし易いた
め本発明においてはＡｌまたはＡｌの合金の薄膜を用い
る。

特にＡｌにＴａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ５Ｐｔ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｐｄの少なくとも１種を０．１〜１５原子％程度好まし
くは１〜１０原子％程度添加した合金は高反射率であり
、熱伝導度も低く高Ｃ／Ｎ比、感度共に良好な特性をも
たらす。

反射層の膜厚は通常１００〜１０００人程度、好まし以
上２００〜６００人程度である以上すぎた場合感度が低
下し、薄すぎる場合には反射率が低下し、Ｃ／Ｎ比も落
ちる。

本発明の光磁気記録媒体は上記した基板／干渉層／記録
層／反射層からなる光磁気記録媒体を２枚、反射層側を
向かい合わせて接着層で貼り合わせる。

接着層としては、内部応力が低（媒体にクラックや反り
を生じさせないもの。また透湿性が低く水分による腐食
を強く抑えられるものが好ましく、ＪＩＳ　　Ｋ　　６
３０１で規定された１００％引張応力にして５０Ｋｇｆ
／ｃｍ”以下で、かつＪＩＳ　Ｚ０２０８で規定された
透湿度が２４時間で２０ｇ／ｍ２以下のものが好ましく
、更に好ましくは上記規定の１００％引張応力３０Ｋｇ
ｆ／ｃｍ”以下、かつ上記規定の透湿度が２４時間で１
０ｇ／ｍ”以下の有機物が良好な結果をもたらす。

このような有機物としては炭化水素系ポリオールを使用
するポリウレタンが好ましく採用される。

このポリウレタンとしては、吸湿性の低い炭化水素系ポ
リオールを主成分とし、イソシアネート化合物をＮＣ０
１０Ｈ＝０．８〜１．３好ましくはＮＣ０１０Ｈ＝０．
９〜１．１となるような配分比で混合し、硬化せしめた
ものが好ましい。

このような炭化水素系ポリオールは公知の、例えば特開
昭５０−９０６９４号に記載のブタジェンポリマーを水
添する等の方法により、また、これを用いたポリウレタ
ンは公知の、例えば特開昭５０−１４２６９５号に記載
の、上記ポリオールにポリイソシアネートを反応させる
等の方法により容易に製造される。

この接着層を設けることで媒体の耐蝕性は大きく向上す
る。

接着層の膜厚は１μｍ〜２００μｍ好ましくは３μｍ〜
１００μｍ程度である。

基板上に干渉層、記録層、反射層の各層を形成する方法
には、スパッタリング等の物理蒸着法（ＰＶＤ）、プラ
ズマＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）等が適用され
る。

ＰＶＤ法にて光磁気記録層、反射層及び保護層を成膜形
成するには、所定の組成をもったターゲットを用いて電
子ビーム蒸着またはスパッタリングにより基板上に各層
を堆積するのが通常の方法である。

また、イオンブレーティングを用いる方法も考えられる
。

膜の堆積速度は早すぎると膜応力を増加させ、遅すぎれ
ば生産性に影響するので通常０．１人／　ｓ　ｅ　ｃ〜
１００人／　ｓ　ｅ　ｃ程度とされる。

〔実施例〕

以下に実施例をもって本発明を更に詳細に説明するが本
発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定され
るものではない。

実施例１ １３０ｍｍφのポリカーボネート基板をスパッタリング
装置に導入し、先ず８Ｘ１０−’ｔｏｒｒ以下まで排気
し、Ａｒを３０ｓｅｃｍ、Ｎ２を４ｓｅｃｍ導入し、圧
力を０．５Ｐａに調整した。この状態で５００Ｗのパワ
ーで４インチφのＳｔツタ−ットをＲＦスパッタリング
し、１．５人／秒の速度で屈折率２．　１の窒化シリコ
ン（Ｓｉ：＋Ｎ４）の干渉層を７５０人形成した。次い
でＴｂターゲット及びＦｅＣｏターゲットを用いたＡｒ
ガスによる２元同時スパッタでＴ　ｂ　ｚｚ　（Ｆ　ｅ
　９０ＣＯｔｏ）　ｑ＊の３００人記録層を設けた。更
にＴａチップを配したＡｔターゲットを用いＡｒガス中
でスパッターＬ／Ａ　１９？Ｔ　ａ　３の合金からなる
３００人の反射層を形成した。このような光磁気記録媒
体を反射層を対向させ、下記のようにして得たポリウレ
タンで貼り合わせた、接着層であるポリウレタンの厚さ
は１０μとした。

「成分Ａの製造」 ″ポリテールＨＡ”（商品名）（三菱化成工業株式会社
製、数平均分子量：約２０００、水酸基等量：０．９０
７ｍｅｑ／ｇのポリオレフィンポリオール）１００ｇ、 °゛アデカクオドール′（商品名）（旭電化株式会社製
、４官能ポリオール、水酸基等１１３．７ｍｅｑ／ｇ）
１９．８ｇ、 ”パラフィン系プロセスオイル°゛　（共同石油株式％
式％ パスズ系ウレタン化触媒”（ＭＤ化成株式会社製、ＵＬ
−２２）１３８ｍｇ。

これらを５０°Ｃで均一に混合し成分Ａとした。この粘
度は２５°Ｃで１８００ｃｐｓであった。

「成分Ｂの製造」 ゛ポリテールＨＡ’１００ｇ。

゛パラフィン系プロセスオイルＰ−２００”１１６ｇ。

これらをセパラブルフラスコ中で室温で均一に混合する
。ついで、２．４−）リレンジイソシアネート１４．２
ｇを添加し、８０°Ｃで６時間反応して成分Ｂを得た、
粘度は２５℃で３８００ｃｐｓであった。

このようにして作成したＡ液とＢ液を重量比１：５で混
合し、真空脱泡を行った後ディスクに塗布し、貼り合わ
せた。

同様にして作成した液を用いプレスシートを作り物性値
を測定したところ　ＪＩＳ　　Ｋ６３０１での１００％
引張応力は３ｋｇｆ／ｃｍ”　　引張強度は７ｋｇｆ／
ｃｍ”であった。また、ＪＩＳ　　Ｚ０２０８で規定さ
れた透湿度は厚さ２００μｍのフィルムで２４時間で５
ｇ／ｃｍ”であった。

このようにして作成した貼り合わせディスクを７０°Ｃ
１８５％ＲＨの条件で２０００時間加速試験し、エラー
レートの増加を経時的に観察した。２０００時間経過後
もエラーレートは１．５倍に抑制できた。

結果を第１図に示す。

比較例１ 反射層までを実施例と同じ構造とし、接着剤としてアク
リレート系接着剤を用いた。この接着剤は透湿度は２４
時間で１５　ｇ／ｍ”であるが１００％引張応力は１０
０％まで伸びない、すなわち、かなり固いものである。

このようにして作成した貼り合わせディスクを７０°Ｃ
１８５％ＲＨの条件で２０００時間加速試験し、エラー
レートの増加を経時的に観察したところ２０００時間経
過後にはクラックが全面に発生しエラーレートの測定が
不可能となった。

結果を第１図に示す。

比較例２ 反射層までを実施例と同じ構造とし、接着剤として透湿
度が２４時間で１２０ｇ／ｍ”　、１００％引張応力４
０Ｋｇ／ｃｍｚのポリウレタン系接着剤を用いた。この
ようにして作成した貼り合わせディスクを７０°Ｃ１８
５％ＲＨの条件で２０００時間加速試験し、エラーレー
トの増加を経時的に観察した。

２０００時間経過後にエラーレートは５．５倍に増加し
た。結果を第１図に示す。

（発明の効果） 本発明の光磁気記録媒体は耐候性に優れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例及び比較例の加速試験によるエラーレー
トの増加を経時的に測定した結果である。 図中イは実施例１、口は比較例１、ハは比較例２の場合
である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に金属窒化物からなる干渉層、希土類金属
   と遷移金属の合金からなる光磁気記録層、記録層に接し
   て設けられたＡｌまたはＡｌを主体とする合金からなる
   反射層を設けてなる光磁気記録媒体を反射層側を対向せ
   しめて接着層を介在させて貼合せてなり、接着層が下記
   （イ）及び（ロ）の特性を有することを特徴とする光磁
   気記録媒体。 （イ）ＪＩＳＫ６３０１で規定された１００％引張応力
   が５０Ｋｇｆ／ｃｍ＾２以下。 （ロ）ＪＩＳＺ０２０８で規定された透湿度が２４時間
   で２０ｇ／ｍ＾２以下。