JPH01251351A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光学的記録に用いる光磁気記録媒体に関する
。

（従来の技術とその課題） 光メモリー素子の中でも追加記録、消去が可能なイレー
ザブル型メモリーは、光磁気記録方式が最も実用化に近
い段階にいる。光磁気記録媒体の記録層としては総合的
な特性から見て、現在のところ希土類−遷移金属系薄膜
が最も多く用いられている。

この光磁気記録媒体として、レーザー光照射時の記録・
再生効率を向上させる為に基板上の光磁気記録層上に反
射層を設ける方式も提案されている。この方式はカー効
果とファラデー効果の併用により高いＣ／Ｎ比を得られ
るという点で優れている。

記録層上に設けられる反射層は一般的には高反射率の物
質が考えられるが、　Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔはコストが高＜
Ｃｕは腐食を起こし易いためＡｌまたはＡｌの合金の薄
膜が多く用いられる。

しかしながら、ＡｔやＡ１合金を使用した場合には耐蝕
性という点で問題がある。　すなわちＡｌやＡ１合金は
表面に自然酸化膜をつくるため全体腐食に対しては強固
な特性を示すが一度ビンホールが生成すると腐食電流の
集中が起こりピンホールの拡大をもたらすことになる。

この反応は特に水分の存在下において顕著である。

（課題を解決するための手段） 本発明者等は上述の欠点を克服した、高耐蝕性で高Ｃ／
Ｎ比の光磁気記録媒体を提供するべく鋭意検討した結果
、特定の物質で保護Ｎ（接着層）を構成することにより
キャリアレベルが高く、経時安定性に優れた光磁気記録
媒体が得られることを見出した。

〔発明の構成］ 本発明の要旨は、基板上に金属酸化物からなる干渉層、
希土類金属と遷移金属の合金からなる光磁気記録層、記
録層に接して設けられたＡｌまたはＡｌを主体とする合
金からなる反射層を設けてなる光磁気記録媒体を反射層
側を対向せしめて接着層を介在させて貼合せてなり、接
着層が下記（イ）及び（ロ）の特性を有することを特徴
とする光磁気記録媒体に存する。

（イ）ＪＩＳ　　Ｋ　　６３０１で規定された１００％
引張応力が５０Ｋｇｆ／ｃｍ”以下 （ロ）ＪＩＳ　　Ｚ　　０２０８で規定された透湿度が
２４時間で２０　ｇ／ｍ”以下 以下、本発明の詳細な説明する。

まず、本発明において用いられる基板としては、ガラス
、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
ク、又はガラス上に溝つき樹脂を形成した基板等が挙げ
られる。

基板の厚みは１〜２ｓ程度が一般的である。

光磁気記録層としては、たとえば、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＴｂＣｏ５ＤｙＦｅＣｏなどの希土類と遷移金属
の非晶質磁性合金が用いられる。光磁気記録層としては
単一の層を用いても良いし、ＧｄＴｂＦｅ／ＴｂＦｅの
ように２層以上の記録層を重ねても良い。光磁気記録層
の膜厚は２５０〜５００人である。

本発明においては、上記基板と光磁気記録層の間に干渉
層を設ける。この層は高屈折率の透明膜による光の干渉
効果を用い反射率を落とすことでノイズを低下させＣ／
Ｎ比を向上させるためのものである。

干渉層は単層膜でも多層膜でもよい。

干渉層としては金属酸化物が用いられる。金属酸化物と
してはＡｌｚ　Ｏｘ　、Ｔａｚ　ｏ、　、Ｓ　ｉｏｚ、
ＳｉＯ，Ｔｉ○等の金属酸化物単独あるいはこれらの混
合物、あるいはＡｌ−Ｔａ−０の複合酸化物等が挙げら
れる。また更にこれらに他の元素、例えばＴｉ、Ｚｒ、
Ｗ、Ｍｏ、Ｙｂ等が酸化物の形で単独あるいはＡｌ、Ｔ
ａと複合して酸化物を形成していてもよい。これらの金
属酸化物は緻密で外部からの水分や酸素の侵入を防ぎ、
耐食性が高く光磁気記録層との反応性も小であり、また
、基板として樹脂基板を使用する場合にも樹脂との密着
性に優れる。

この干渉層の膜厚は屈折率により最適膜厚が異なるが、
通常４００人〜１５００人程以上特に５００人〜１００
０人が適当である。

干渉層としては特に酸化タンタルを用いて良好である。

酸化タンタルの干渉層は窒化物からなる干渉層に比べ内
部応力が小さくクランクの入る確立ははるかに小さくな
る。

酸化タンタルの組成は化学量論的組成比（Ｔａ。

０、）に近い組成が好ましい。過剰な酸素は記録層の酸
化をもたらすことになると共に屈折率が低下して干渉効
果が弱くなる。また、酸素が不足している場合には未酸
化部分に腐食が集中し、ピンホールが発生し易くなると
共に膜の光吸収が大きくなりキャリアレベルの低下が起
こる。好ましい酸化状態での屈折率は６３３ｎｍの波長
で測定したときの複素屈折率をｎ”＝ｎ−ｉＫとしたと
き２．０≦ｎ≦２゜２でかつＩＫ＋＜０．１５の範囲で
ある。

本発明においては光磁気記録層上に反射層を設ける。反
射層は一般的には高反射率の物質が考えられるが、Ａｕ
、Ａｇ、Ｐｔはコストが高＜Ｃｕは腐食を起こし易いた
め本発明においてはＡｌまたはＡｌの合金の薄膜を用い
る。

特にＡｌにＴａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｖ。

Ｃｒ、Ｐｄの少なくとも１種を０．１〜１５原子％程度
好ましくは１〜１０原子％程度添加した合金は高反射率
であり、熱伝導度も低く高Ｃ／Ｎ比、感度共に良好な特
性をもたらす。

反射層の膜厚は通常１００〜１０００人程度、好まし以
上２００〜６００人程度である以上すぎた場合感度が低
下し、薄すぎる場合には反射率が低下し、Ｃ／Ｎ比も落
ちる。

本発明の光磁気記録媒体は上記した基板／干渉層／記録
層／反射層からなる光磁気記録媒体を２枚、反射層側を
向かい合わせて接着層で貼り合わせる。

接着層としては、内部応力が低く媒体にクランクや反り
を生じさせないもの。また透湿性が低く水分による腐食
を強く抑えられるものが好ましく、ＪＩＳ　　Ｋ　　６
３０１で規定された１００％引張応力にして５０Ｋｇｆ
／ｃｍ”以下で、かツＪＩＳ　　Ｚ０２０８で規定され
た透湿度が２４時間で２０ｇ／ｍ２以下のものが好まし
く、更に好ましくは上記規定の１００％引張応力３０Ｋ
ｇｆ／ｃｍ”以下、かつ上記規定の透湿度が２４時間で
Ｌｏｇ／ｍ”以下の有機物が良好な結果をもたらす。

このような有機物としては炭化水素系ポリオールを使用
するポリウレタンが好ましく採用される。

このポリウレタンとしては、吸湿性の低い炭化水素系ポ
リオールを主成分とし、イソシアネート化合物をＮＧＯ
ｌｏＨ−０，８〜１．　３好ましくはＮＧＯ１０Ｈ＝０
．９〜１．１となるような配分比で混合し、硬化せしめ
たものが・好ましい。

このような炭化水素系ポリオールは公知の、例えば特開
昭５０−９０６９４号に記載のブタジェンポリマーを水
添する等の方法により、また、これを用いたポリウレタ
ンは公知の、例えば特開昭５０−１４２６９５号に記載
の、上記ポリオールにポリイソシアネートを反応させる
等の方法により容易に製造される。

この接着層を設けることで媒体の耐蝕性は大きく向上す
る。

接着層の膜厚は１μｍ〜２００μｍ好ましくは３μｍ〜
１００μｍ程度である。

基板上に干渉層、記録層、反射層の各層を形成する方法
には、スパッタリング等の物理蒸着法（ＰＶＤ）、プラ
ズマＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）等が適用され
る。

ＰＶＤ法にて光磁気記録層、反射層及び保護層を成膜形
成するには、所定の組成をもったターゲットを用いて電
子ビーム蒸着またはスパッタリングにより基板上に各層
を堆積するのが通常の方法である。

また、イオンブレーティングを用いる方法も考えられる
。

膜の堆積速度は早すぎると膜応力を増加させ、遅すぎれ
ば生産性に影響するので通常０．１人／　ｓ　ｅ　ｃ〜
１００人／　ｓ　ｅ　ｃ程度とされる。

干渉層の場合、Ｔａｇ’ｓターゲット等を用いたＲＦス
パッタ法、Ｔａターゲット等を用いたＡｒと０□ガスに
よるＤＣまたはＲＦ反応性スパッタ法、電子ビーム蒸着
法等が好ましい。これらのうち、酸素量の制御が可能で
あること、成膜速度が速いこと、基板温度の上昇が小さ
いこと等の点からＴａターゲット等を用いたＡｒと０□
ガスによるＤＣ反応性スパッタ法が好ましい。この場合
、干渉層の屈折率゛の制御・は圧力を変えることで容易
に達成できる。

接着層の成膜法としてはスピンコード法、その他通常の
塗布法により容易に成膜することが可能である。

〔実施例〕

以下に実施例をもって本発明を更に詳細に説明するが本
発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定され
るものではない。

実施例１ １３０ｍｍφのポリカーボネート基板をスパッタリング
装置に導入し、先ず８Ｘ１０−’ｔｏｒｒ以下まで排気
し、Ａｒと０□との混合ガスを用いてＴａターゲットの
反応性スパッタを行いＴａ、Ｏ，からなる８００人の干
渉層を形成した。次いでＴｂターゲット及びＦｅＣｏタ
ーゲットを用いたＡｒガスによる２元同時スパッタでＴ
　ｂ　ｚｚ　（Ｆ　ｅ　９０ＣＯ＋ｏ）　ｔｓの３００
人記録層を設けた。更にＴａチップを配したＡｌターゲ
ットを用いＡｒガス中でスパッターしＡ　ｌ　９？Ｔ　
ａ　３の合金からなる３００人の反射層を形成した。こ
のような光磁気記録媒体を反射層を対向させ、下記のよ
うにして得たポリウレタンで貼り合わせた接着層である
ポリウレタンの厚さは５０μｍとした。

「成分Ａの製造」 ゛ポリテールＨＡ”　（商品名）（三菱化成工業株式会
社製、数平均分子量：約２０００、水酸基等量：０．９
０７ｍｅｑ／ｇのポリオレフィンポリオール）１００ｇ
。

°°アデカクオドール“°　（商品名）（旭電化株式会
社製、４官能ポリオール、水酸基等量１３．７ｍｅｑ／
ｇ）１９．８ｇ、 ”パラフィン系プロセスオイル°′　（共同石油株式％
式％ ”°スズ系ウレタン化触媒”（ＭＤ化成株式会社製、Ｕ
Ｌ−２２）１３８ｍｇ。

これらを５０℃で均一に混合し成分Ａとした。この粘度
は２５°Ｃで１８００ｃｐｓであった。

「成分Ｂの製造」 °”ポリテールＨＡ″１００　ｇ。

”パラフィン系プロセスオイルＰ−２００°゛１１６ｇ
。

これらをセパラブルフラスコ中で室温で均一に混合する
。ついで、２．４−１リレンジイソシアネー）１４．２
ｇを添加し、８０℃で６時間反応して成分Ｂを得た、粘
度は２５°Ｃで３８００ｃｐｓであった。

このようにして得たＡ液とＢ液を重量比１；５で混合し
、真空脱泡を行った後ディスクに塗布し、貼り合わせた
。

同様にして作成した液を用いプレスシートを作り物性値
を測定したところ　ＪＩＳ　　Ｋ６３０１での１００％
引張応力は３ｋｇｆ／ｃｍ”　　引張強度は７ｋｇｆ／
ｃｍ”であった。また、ＪＩＳ　　２０２０８で規定さ
れた透湿度は厚さ２００μｍのフィルムで２４時間で５
ｇ／ｃｍ”であった。

このようにして作成した貼合ディスクを７０’Ｃ１８５
％ＲＨの条件で２０００時間加速試験し、エラーレート
の増加を経時的に観察した。２０００時間経過後もエラ
ーレートは１．２倍に抑制できた。結果を第１図に示す
。

比較例１ 反射層までを実施例と同じ構造とし、接着剤としてアク
リレート系接着剤を用いた。この接着剤は透湿度は２４
時間で１．５ｇ／ｍ”であるが１００％引張応力は１０
０％まで伸びない、すなわち、かなり固いものである。

このようにして作成した貼り合わせディスクを７０°Ｃ
１８５％ＲＨの条件で２０００時間加速試験し、エラー
レートの増加を経時的に観察したところ２０００時間経
過後にエラーレートは４．２倍に増加し、クラックの発
生も見られた。結果を第１図に示す。

比較例２ 反射層までを実施例と同じ構造とし、接着剤として透湿
度が２４時間で１２０ｇ／ｍ”、１００％引張応力４０
Ｋｇ／ｃｍ”のポリウレタン系接着剤を用いた。このよ
うにして作成した貼り合わせディスクを７０℃、８５％
ＲＨの条件で２０００時間加速試験し、エラーレートの
増加を経時的に観察した。

２０００時間経過後にエラーレートは５．２倍に増加し
た。結果を第１図に示す。

〔発明の効果〕

本発明の光磁気記録媒体は耐候性に優れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例及び比較例の加速試験によるエラーレー
トの増加を経時的に測定した結果である。 図中イは実施例１、口は比較例工、ハは比較例２の場合
である。 エラーレートの増加子（橿）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に金属酸化物からなる干渉層、希土類金属
   と遷移金属の合金からなる光磁気記録層、記録層に接し
   て設けられたＡｌまたはＡｌを主体とする合金からなる
   反射層を設けてなる光磁気記録媒体を反射層側を対向せ
   しめて接着層を介在させて貼合せてなり、接着層が下記
   （イ）及び（ロ）の特性を有することを特徴とする光磁
   気記録媒体。 （イ）ＪＩＳＫ６３０１で規定された１００％引張応力
   が５０Ｋｇｆ／ｃｍ＾２以下。 （ロ）ＪＩＳＺ０２０８で規定された透湿度が２４時間
   で２０ｇ／ｍ＾２以下。