JPS61258331A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS61258331A JPS61258331A JP10026485A JP10026485A JPS61258331A JP S61258331 A JPS61258331 A JP S61258331A JP 10026485 A JP10026485 A JP 10026485A JP 10026485 A JP10026485 A JP 10026485A JP S61258331 A JPS61258331 A JP S61258331A
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- Japan
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- magnetic
- underlayer
- cathode
- recording medium
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気的記憶装置に用いられる磁気記録媒体に
関する。
関する。
近年、磁気記録媒体の高記録密度化の要請により、金属
磁性薄膜を磁性層とする連続薄膜形の磁気記録媒体が注
目を集めている。このような金属磁性薄膜としては、ス
パッタリング法等により形成したＣｏまたはＣｏ−Ｎｉ
、 Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ 、 Ｃｏ−Ｐなどの合金系の金属
薄膜が知られているが、その磁気特性を改善するために
、非磁性支持体と上記磁性層との間に下地層としてＣｒ
層を介在させることが知られている（アイ・イー・イー
・イー・トランザクションズ・オン・マグネティックス
、ＷＡＧ、 １５巻３号１１３５頁（ＩＥＥＥ Ｔｒａ
ｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｈａａｎｅｔｉｃｓ。
磁性薄膜を磁性層とする連続薄膜形の磁気記録媒体が注
目を集めている。このような金属磁性薄膜としては、ス
パッタリング法等により形成したＣｏまたはＣｏ−Ｎｉ
、 Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ 、 Ｃｏ−Ｐなどの合金系の金属
薄膜が知られているが、その磁気特性を改善するために
、非磁性支持体と上記磁性層との間に下地層としてＣｒ
層を介在させることが知られている（アイ・イー・イー
・イー・トランザクションズ・オン・マグネティックス
、ＷＡＧ、 １５巻３号１１３５頁（ＩＥＥＥ Ｔｒａ
ｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｈａａｎｅｔｉｃｓ。
Ｖｏｌ、 ＨＡＧ、 １５． Ｎｏ ３． Ｐ、１１３
５．１９７９） ）。
５．１９７９） ）。
しかし、このようなＣｒ層を用いて高密度磁気記録に適
した、十分に高い保磁力を有する磁気記録媒体を再現性
よく得ることは困難であった。これは、Ｃｒ層からなる
下地層と磁性層との界面が酸素や水、００２等の吸着に
鋭敏であることから、製造条件のわずかな変化に対して
磁気特性が影響を受けやすいためであり、また、Ｃｒ層
の結晶性のわずかな違いにより、その上に積層される磁
性層の結晶性に大きな影響を及ぼすためであると考えら
れる。
した、十分に高い保磁力を有する磁気記録媒体を再現性
よく得ることは困難であった。これは、Ｃｒ層からなる
下地層と磁性層との界面が酸素や水、００２等の吸着に
鋭敏であることから、製造条件のわずかな変化に対して
磁気特性が影響を受けやすいためであり、また、Ｃｒ層
の結晶性のわずかな違いにより、その上に積層される磁
性層の結晶性に大きな影響を及ぼすためであると考えら
れる。
良好な磁気特性を有する高密度記録用磁気記録媒体を安
価に製造するためには、磁気特性が安定で再現性よく製
造されることが必要不可欠である。
価に製造するためには、磁気特性が安定で再現性よく製
造されることが必要不可欠である。
（問題点を解決するための手段）
このような問題点を解決するために、本発明による磁気
記録媒体は、下地層と磁性層との間に中間層を設け、こ
の中間層が下地層から磁性層に向かって、下地層の成分
を実質的に漸次減少し、磁性層の成分を実質的に漸次増
大して成膜されていることを特徴としている。
記録媒体は、下地層と磁性層との間に中間層を設け、こ
の中間層が下地層から磁性層に向かって、下地層の成分
を実質的に漸次減少し、磁性層の成分を実質的に漸次増
大して成膜されていることを特徴としている。
下地層としてはＣｒ又はＭｏを主成分とする膜が好まし
く、磁性層としてはＣｏを主成分とし又はＣｏを含む合
金を主成分とする膜が好ましい。
く、磁性層としてはＣｏを主成分とし又はＣｏを含む合
金を主成分とする膜が好ましい。
また、中間層の膜厚としては３０Å〜４００人であるこ
とが好ましい。
とが好ましい。
このような中間層を下地層と磁性層との間に介在させる
ことにより、良好な磁気特性を有する記録媒体が再現性
よく得られる。これは、上記中間層の存在により、製造
条件の変化に対する磁気特性の影響を少なくすると共に
、磁性層の結晶性の再現性が容易に得られるようになっ
たためであると推定される。
ことにより、良好な磁気特性を有する記録媒体が再現性
よく得られる。これは、上記中間層の存在により、製造
条件の変化に対する磁気特性の影響を少なくすると共に
、磁性層の結晶性の再現性が容易に得られるようになっ
たためであると推定される。
（実施例）
第１図は本発明による磁気記録媒体の一実施例を示す断
面図である。本実施例では、先ず、ソーダライムガラス
基板からなる非磁性支持体１上に、Ｃｒをターゲットと
してマグネトロン・スパッタリング法（Ａｒガス圧：
６ Ｘ １０−’Ｐａ、電カニ １０Ｗ／ｃｍ２ ）に
より、Ｃｒからなる非磁性の下地層２（膜厚： ３００
０人）を成膜する。引き続いて、Ｃｒターゲットと１５
ｗｔ％のＮｉを含むＣｏ−Ｎｉ合金ターゲットとを用い
て、同時にマグネトロン・スパッタリング法により、Ｃ
ｒ−Ｃｏ−Ｎｉからなる中間層３（膜厚：１００人）を
前述したＣｒ層層上上成膜する。その際、中間層３の成
膜開始時はＣｒ用カソードの電力を３Ｗ／ｃｍ２ 、
Ｃｏ−Ｎｉ合金用カソードの電力を零にして、漸次、Ｃ
ｒ用カソードの電力を低下させるに従い、ｃｏ−Ｎｉ合
金用カソードの電力を５Ｗ／ｃｍ２まで上昇させる。そ
して、Ｃｒ用カソードの電力が零になった時点で、中間
層３の成膜を終了する。この中間層３の成膜中、Ｃｒ−
Ｃｏ−Ｎｉが実質的に均一に分布し、かつ全体の膜厚も
実質的に均等になるように、下地層２付き基板１をター
ゲット上方で回転させる。引き続いて、Ｃｏ−Ｎｉ合金
用カソードの電力を一定（５Ｗ／ｃｍ２）にして、Ｃｏ
−Ｎｉからなる磁性層４（膜厚：４００人）を中間層３
上に成膜する。次に、上記成膜と同様マグネトロン・ス
パッタリング法により、炭素薄膜からなる保護層５（膜
厚：５００人）を前述した磁性層４上に成膜する。
面図である。本実施例では、先ず、ソーダライムガラス
基板からなる非磁性支持体１上に、Ｃｒをターゲットと
してマグネトロン・スパッタリング法（Ａｒガス圧：
６ Ｘ １０−’Ｐａ、電カニ １０Ｗ／ｃｍ２ ）に
より、Ｃｒからなる非磁性の下地層２（膜厚： ３００
０人）を成膜する。引き続いて、Ｃｒターゲットと１５
ｗｔ％のＮｉを含むＣｏ−Ｎｉ合金ターゲットとを用い
て、同時にマグネトロン・スパッタリング法により、Ｃ
ｒ−Ｃｏ−Ｎｉからなる中間層３（膜厚：１００人）を
前述したＣｒ層層上上成膜する。その際、中間層３の成
膜開始時はＣｒ用カソードの電力を３Ｗ／ｃｍ２ 、
Ｃｏ−Ｎｉ合金用カソードの電力を零にして、漸次、Ｃ
ｒ用カソードの電力を低下させるに従い、ｃｏ−Ｎｉ合
金用カソードの電力を５Ｗ／ｃｍ２まで上昇させる。そ
して、Ｃｒ用カソードの電力が零になった時点で、中間
層３の成膜を終了する。この中間層３の成膜中、Ｃｒ−
Ｃｏ−Ｎｉが実質的に均一に分布し、かつ全体の膜厚も
実質的に均等になるように、下地層２付き基板１をター
ゲット上方で回転させる。引き続いて、Ｃｏ−Ｎｉ合金
用カソードの電力を一定（５Ｗ／ｃｍ２）にして、Ｃｏ
−Ｎｉからなる磁性層４（膜厚：４００人）を中間層３
上に成膜する。次に、上記成膜と同様マグネトロン・ス
パッタリング法により、炭素薄膜からなる保護層５（膜
厚：５００人）を前述した磁性層４上に成膜する。
本実施例による磁気記録媒体を試料数２０個製作し、保
磁力ＨＣを測定した結果、Ｈｏ＝ ６００〜７０００ｅ
め範囲内にあった。一方、本実施例における中間層３の
みを成膜しない従来例によれば、同様の試料数に対して
Ｈ，＝ ４５０〜６５００ｅであり、本実施例のものと
比較して、保磁力Ｈ６が比較的低いと共に、そのバラツ
キが大きい。なお、本実施例のものの角形比（残留磁束
密度Ｂ、／飽和磁束密度Ｂ ）は約０．８であり、従来
例のものとはぼ同等であった。
磁力ＨＣを測定した結果、Ｈｏ＝ ６００〜７０００ｅ
め範囲内にあった。一方、本実施例における中間層３の
みを成膜しない従来例によれば、同様の試料数に対して
Ｈ，＝ ４５０〜６５００ｅであり、本実施例のものと
比較して、保磁力Ｈ６が比較的低いと共に、そのバラツ
キが大きい。なお、本実施例のものの角形比（残留磁束
密度Ｂ、／飽和磁束密度Ｂ ）は約０．８であり、従来
例のものとはぼ同等であった。
本実施例の中間層３の組成分布は、ガラス基板上に中間
層３のみを本実施例と同様に成膜した試料をオージェ電
子分光法により測定した結果、第２図に示すように、中
間層３の深さ方向に進むに従って、Ｃｒ組成比曲線６が
漸次増大し、Ｃｏ−Ｎｉ組成比曲線７が漸次減少してい
る。
層３のみを本実施例と同様に成膜した試料をオージェ電
子分光法により測定した結果、第２図に示すように、中
間層３の深さ方向に進むに従って、Ｃｒ組成比曲線６が
漸次増大し、Ｃｏ−Ｎｉ組成比曲線７が漸次減少してい
る。
中間層３の膜厚は、本実施例では１００人であったが、
その膜厚範囲については３０Å〜４００人であることが
望ましい。３０人より薄くした場合、保磁力Ｈ６の再現
性が悪くなる。一方、厚くした場合、保磁力Ｈ６の再現
性が良くなるが、その値が小さくなる傾向があるため、
４００Å以下であることが望ましい。
その膜厚範囲については３０Å〜４００人であることが
望ましい。３０人より薄くした場合、保磁力Ｈ６の再現
性が悪くなる。一方、厚くした場合、保磁力Ｈ６の再現
性が良くなるが、その値が小さくなる傾向があるため、
４００Å以下であることが望ましい。
本発明は、本実施例に限定されるものではなく、先ず、
非磁性支持体については、ソーダライムガラスの他に、
アルミノシリケートガラスなどの各種の多成分系ガラス
又は石英ガラスや、Ａｌ又はＡｆＬ合金若しくはＮ１−
ＰなどをメッキしたＡＪ２．合金、ポリエチレンテレフ
タレート、シリコンなどの基板を使用してもよい。下地
層についてはＣｒの他に、ＨＯなとの非磁性材料を使用
してもよく、この膜厚は所定の磁気特性が得られる限り
、製造上薄い方が望ましいが、特に限定されるものでは
ない。磁性層についてはＣｏ−Ｎｉの他に、ｃｏ−Ｎ＋
金合金成分比を変えたものやＣｏ単体、又はＣｏやＣｏ
−Ｎｉを主成分としてＦｅやｐｔを混合した合金、ｃｏ
−ｐｔな、 ど他のＣｏ系合金を使用してもよく、この
膜厚も特に限定されない。下地層と磁性層との間に介在
される中間層については、上述した下地層と磁性層の各
材料を適宜選定して、下地層から中間層に向かって、下
地層の成分を漸次減少し、磁性層の成分を漸次増大して
成膜すればよい。保護層は炭素薄膜の他に、Ｃｒ／Ｃ複
合層、 Ｓｉ ０２ Ｊｌ、 Ｃｒ／８１０２複合層、
Ｃｒ／Ｃ／Ｓｉ ０２複合層、Ｃ「／５ｉ０２／Ｃ複
合層、 Ｓｉ ０２ ／Ｃ複合層などにしてもよく、こ
の膜厚も特に限定されない。そして、成膜法については
スパッタリング法の他に、真空蒸着法、イオンブレーテ
ィング法などを使用してもよい。
非磁性支持体については、ソーダライムガラスの他に、
アルミノシリケートガラスなどの各種の多成分系ガラス
又は石英ガラスや、Ａｌ又はＡｆＬ合金若しくはＮ１−
ＰなどをメッキしたＡＪ２．合金、ポリエチレンテレフ
タレート、シリコンなどの基板を使用してもよい。下地
層についてはＣｒの他に、ＨＯなとの非磁性材料を使用
してもよく、この膜厚は所定の磁気特性が得られる限り
、製造上薄い方が望ましいが、特に限定されるものでは
ない。磁性層についてはＣｏ−Ｎｉの他に、ｃｏ−Ｎ＋
金合金成分比を変えたものやＣｏ単体、又はＣｏやＣｏ
−Ｎｉを主成分としてＦｅやｐｔを混合した合金、ｃｏ
−ｐｔな、 ど他のＣｏ系合金を使用してもよく、この
膜厚も特に限定されない。下地層と磁性層との間に介在
される中間層については、上述した下地層と磁性層の各
材料を適宜選定して、下地層から中間層に向かって、下
地層の成分を漸次減少し、磁性層の成分を漸次増大して
成膜すればよい。保護層は炭素薄膜の他に、Ｃｒ／Ｃ複
合層、 Ｓｉ ０２ Ｊｌ、 Ｃｒ／８１０２複合層、
Ｃｒ／Ｃ／Ｓｉ ０２複合層、Ｃ「／５ｉ０２／Ｃ複
合層、 Ｓｉ ０２ ／Ｃ複合層などにしてもよく、こ
の膜厚も特に限定されない。そして、成膜法については
スパッタリング法の他に、真空蒸着法、イオンブレーテ
ィング法などを使用してもよい。
以上説明したように、本発明によれば、実質的に非磁性
支持体上に順次成膜される下地層と磁性層との間に、下
地層から磁性層に向かって、下地層の成分を実質的に漸
次減少し、磁性層の成分を実質的に漸次増大して成膜し
た中間層を介在していることから、優れた磁気特性を有
する磁気記録媒体が再現性よく得られる。
支持体上に順次成膜される下地層と磁性層との間に、下
地層から磁性層に向かって、下地層の成分を実質的に漸
次減少し、磁性層の成分を実質的に漸次増大して成膜し
た中間層を介在していることから、優れた磁気特性を有
する磁気記録媒体が再現性よく得られる。
第１図は本発明の実施例を示す断面図、第２図は前実施
例の中間層の榛さ方向における組成分布を示す図である
。
例の中間層の榛さ方向における組成分布を示す図である
。
Claims (3)
- （１）非磁性支持体上に非磁性の下地層及び磁性層を順
次成膜してなる磁気記録媒体において、下地層と磁性層
との間に中間層を設け、かつ中間層が、下地層から磁性
層に向かって、下地層の成分を実質的に漸次減少し、磁
性層の成分を実質的に漸次増大して成膜されていること
を特徴とする磁気記録媒体。 - （２）下地層がＣｒ又はＭｏを主成分とする膜からなり
、かつ磁性層がＣｏを主成分とし又はＣｏを含む合金を
主成分とする膜からなることを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項記載の磁気記録媒体。 - （３）中間層の膜厚が３０Å〜４００Åであることを特
徴とする特許請求の範囲第（１）項又は第（２）項記載
の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10026485A JPS61258331A (ja) | 1985-05-11 | 1985-05-11 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10026485A JPS61258331A (ja) | 1985-05-11 | 1985-05-11 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61258331A true JPS61258331A (ja) | 1986-11-15 |
| JPH0256724B2 JPH0256724B2 (ja) | 1990-12-03 |
Family
ID=14269343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10026485A Granted JPS61258331A (ja) | 1985-05-11 | 1985-05-11 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61258331A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0518459A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-26 | Tokai Rika Co Ltd | 自動変速機のシフトレバーロツク装置 |
| JPH0557510U (ja) * | 1991-12-28 | 1993-07-30 | デルタ工業株式会社 | 自動車用チェンジレバーのシフトロック装置 |
| JPH0557508U (ja) * | 1991-12-28 | 1993-07-30 | デルタ工業株式会社 | 自動車用チェンジレバーのシフトロック装置 |
-
1985
- 1985-05-11 JP JP10026485A patent/JPS61258331A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0256724B2 (ja) | 1990-12-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |