JPH0511559B2 - - Google Patents
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- JPH0511559B2 JPH0511559B2 JP61243723A JP24372386A JPH0511559B2 JP H0511559 B2 JPH0511559 B2 JP H0511559B2 JP 61243723 A JP61243723 A JP 61243723A JP 24372386 A JP24372386 A JP 24372386A JP H0511559 B2 JPH0511559 B2 JP H0511559B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は科学的記録用媒体の製造方法に存す
る。詳しくは、レーザービームを照射して局部的
に加熱し、その加熱部に穴もしくは凹部又は凸部
を形成することによつて記録する光学的記録用媒
体を製造する方法に関するものである。
る。詳しくは、レーザービームを照射して局部的
に加熱し、その加熱部に穴もしくは凹部又は凸部
を形成することによつて記録する光学的記録用媒
体を製造する方法に関するものである。
基板上に形成された薄膜にレーザービームを照
射して、穴、凹部又は凸部を形成するようにした
光学的記録媒体として、従来よりTeを使用する
ことが知られている。Teは低融点、低熱伝導度
を有するために上記方法による記録において高い
感度を示す。しかしTeは酸化され易く酸化され
ると透明により記録できなくなるという問題があ
る。
射して、穴、凹部又は凸部を形成するようにした
光学的記録媒体として、従来よりTeを使用する
ことが知られている。Teは低融点、低熱伝導度
を有するために上記方法による記録において高い
感度を示す。しかしTeは酸化され易く酸化され
ると透明により記録できなくなるという問題があ
る。
上記問題点を改良したものとして、Teを合金
化したもの、Teの低酸化物、Teの有機薄膜中に
分散させたもの等がある。（例えば特開昭53−
31104公報、特開58−54338公報、特開昭57−
98394公報）。
化したもの、Teの低酸化物、Teの有機薄膜中に
分散させたもの等がある。（例えば特開昭53−
31104公報、特開58−54338公報、特開昭57−
98394公報）。
本発明者らは、特に、Te系記録媒体を、Te又
はTeを含む合金をターゲツトとしArガスを用い
てスパツタリングすることにより堆積せしめ、そ
の特性について検討した結果これらの媒体には、
膜全面が数千Åから1μｍの径を有する結晶粒が
存在することを発見し、これが、信号再生時のノ
イズの一因となり、Ｃ／Ｎ比（Carrier to
noiseratio）を低下させる事実を確認した。
はTeを含む合金をターゲツトとしArガスを用い
てスパツタリングすることにより堆積せしめ、そ
の特性について検討した結果これらの媒体には、
膜全面が数千Åから1μｍの径を有する結晶粒が
存在することを発見し、これが、信号再生時のノ
イズの一因となり、Ｃ／Ｎ比（Carrier to
noiseratio）を低下させる事実を確認した。
本発明者らは、この様な結果をふまえて更に
種々検討した結果Arガスに、フツ化窒素ガスを
混入してTe又はTeを含む合金ターゲツトをスパ
ツタする事により、得られる記録層が非晶質構造
を有し、従つて結晶粒及び結晶粒界が存在しない
ため、感度、ピツト形状共に良好で、しかも、経
時安定性に優れた光学的記録用媒体が得られる事
を見い出し、本発明を完成した。
種々検討した結果Arガスに、フツ化窒素ガスを
混入してTe又はTeを含む合金ターゲツトをスパ
ツタする事により、得られる記録層が非晶質構造
を有し、従つて結晶粒及び結晶粒界が存在しない
ため、感度、ピツト形状共に良好で、しかも、経
時安定性に優れた光学的記録用媒体が得られる事
を見い出し、本発明を完成した。
一方、記録感度及びピツト形状の改善のために
は、基板と記録媒体との間に下引き層を設けるこ
とも有効である。下引き層材料としては、CS2、
フツ化炭素ガス等各種モノマーのプラズマ重合膜
（特開57−117139、59−90246公報）、ポリテトラ
フルオロエチレン樹脂等のスパツタ膜（特開59−
90246、58−50634公報）等がある。本発明は、フ
ルオロカーボンの重合膜またはスパツタ膜を下引
層として用いた場合に有効な記録媒体に特徴を有
する。該記録媒体はTe又はTeを含む合金をター
ゲツト材として、特にフツ化窒素ガスとArガス
との混合ガス中において、反応性スパツタリング
を行い、フルオロカーボン薄膜層を被着した基板
上に、Teを含むスパツタ膜を形成することによ
り、経時安定性に優れ、高Ｃ／Ｎ比（Carrier to
noise ratio）、高感度を有する光学的記録媒体が
得られることを見い出した。
は、基板と記録媒体との間に下引き層を設けるこ
とも有効である。下引き層材料としては、CS2、
フツ化炭素ガス等各種モノマーのプラズマ重合膜
（特開57−117139、59−90246公報）、ポリテトラ
フルオロエチレン樹脂等のスパツタ膜（特開59−
90246、58−50634公報）等がある。本発明は、フ
ルオロカーボンの重合膜またはスパツタ膜を下引
層として用いた場合に有効な記録媒体に特徴を有
する。該記録媒体はTe又はTeを含む合金をター
ゲツト材として、特にフツ化窒素ガスとArガス
との混合ガス中において、反応性スパツタリング
を行い、フルオロカーボン薄膜層を被着した基板
上に、Teを含むスパツタ膜を形成することによ
り、経時安定性に優れ、高Ｃ／Ｎ比（Carrier to
noise ratio）、高感度を有する光学的記録媒体が
得られることを見い出した。
以下図面を参照して、本発明の方法を詳細に説
明する。第１図は、本発明の方法によつて得られ
た光学的記録用媒体の具体的構造の一例を示す模
式図であつて、１は基板、２は基板１上に配置し
たフルオロカーボンのプラズマ重合膜あるいはポ
リフルオロカーボンのスパツタ膜、３は膜２上に
反応性スパツタリングにより形成したTeを含む
記録層、４はトラツクサーボ用の溝である。第１
図の例では、基板１は射出成形等によつてトラツ
クサーボ用の案内溝を設けたポリメチルメタクリ
レート樹脂や、ポリカーボネート樹脂が用いられ
る。
明する。第１図は、本発明の方法によつて得られ
た光学的記録用媒体の具体的構造の一例を示す模
式図であつて、１は基板、２は基板１上に配置し
たフルオロカーボンのプラズマ重合膜あるいはポ
リフルオロカーボンのスパツタ膜、３は膜２上に
反応性スパツタリングにより形成したTeを含む
記録層、４はトラツクサーボ用の溝である。第１
図の例では、基板１は射出成形等によつてトラツ
クサーボ用の案内溝を設けたポリメチルメタクリ
レート樹脂や、ポリカーボネート樹脂が用いられ
る。
基板１上にフルオロカーボンのプラズマ重合
膜、あるいは、ポリフルオロカーボンのスパツタ
膜２を形成するにあたり、フルオロカーボンとし
ては、CF4、C2F6などのパーフルオロアルカン、
CF3CFCF2などのパーフルオロアルケン又は、パ
ーフルオロヘキサン、パーフルオロベンゼン等、
常温で気体、あるいは液体であつても蒸気圧が十
分高く、真空容器に該フルオロカーボンの蒸気を
10-3Torr以上満たし、グロー放電が可能となる
もので、フツ素の置換度が高いものが望ましい。
これらフツ化炭素をモノマーとして容量式あるい
は誘導式放電を用いることによりプラズマ重合膜
を形成する。ポリフルオロカーボンとしては、ポ
リテトラフルオロエチレン樹脂、テトラフルオロ
エチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合樹
脂、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアル
コキシエチレン共重合樹脂などを用い、これらを
ターゲツトとして、Arなどの不活性ガス、ある
いは、不活性ガスと前記モノマーの混合ガスでス
パツタすることにより、スパツタ膜を形成する。
このプラズマ重合膜またはスパツタ膜の膜厚は、
20〜1000Å、好適には50〜200Åとする。
膜、あるいは、ポリフルオロカーボンのスパツタ
膜２を形成するにあたり、フルオロカーボンとし
ては、CF4、C2F6などのパーフルオロアルカン、
CF3CFCF2などのパーフルオロアルケン又は、パ
ーフルオロヘキサン、パーフルオロベンゼン等、
常温で気体、あるいは液体であつても蒸気圧が十
分高く、真空容器に該フルオロカーボンの蒸気を
10-3Torr以上満たし、グロー放電が可能となる
もので、フツ素の置換度が高いものが望ましい。
これらフツ化炭素をモノマーとして容量式あるい
は誘導式放電を用いることによりプラズマ重合膜
を形成する。ポリフルオロカーボンとしては、ポ
リテトラフルオロエチレン樹脂、テトラフルオロ
エチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合樹
脂、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアル
コキシエチレン共重合樹脂などを用い、これらを
ターゲツトとして、Arなどの不活性ガス、ある
いは、不活性ガスと前記モノマーの混合ガスでス
パツタすることにより、スパツタ膜を形成する。
このプラズマ重合膜またはスパツタ膜の膜厚は、
20〜1000Å、好適には50〜200Åとする。
さらに、上記フルオロカーボン下引き層２の上
に、Teを含む記録層３を反応性スパツタリング
方によつて、50Å〜1μｍ程度、好ましくは、200
〜1000Å程度の厚さに堆積する。
に、Teを含む記録層３を反応性スパツタリング
方によつて、50Å〜1μｍ程度、好ましくは、200
〜1000Å程度の厚さに堆積する。
本発明方法においてはこの記録層３を形成する
ための反応性スパツタリング法にフツ化窒素と
Arガスとの混合ガスを用いる点に特徴がある。
この混合ガス中におけるフツ化窒素ガスの比率は
１〜50％（体積比）の範囲な好ましい。一方、タ
ーゲツト材としては、TeあるいはTeを母材とし
て、Se、Pb、Bi、Sb、Sn、Ge、As等を含む合
金が挙げられる。特に、ターゲツト材として、
Teを母材として、Seを５〜25原子％含む合金を
用い、Te及びSe並びに前記混合ガスに由来する
ＮとＦを含む堆積膜からなる記録層を形成するの
が経時安定性を増す上で好ましい。
ための反応性スパツタリング法にフツ化窒素と
Arガスとの混合ガスを用いる点に特徴がある。
この混合ガス中におけるフツ化窒素ガスの比率は
１〜50％（体積比）の範囲な好ましい。一方、タ
ーゲツト材としては、TeあるいはTeを母材とし
て、Se、Pb、Bi、Sb、Sn、Ge、As等を含む合
金が挙げられる。特に、ターゲツト材として、
Teを母材として、Seを５〜25原子％含む合金を
用い、Te及びSe並びに前記混合ガスに由来する
ＮとＦを含む堆積膜からなる記録層を形成するの
が経時安定性を増す上で好ましい。
記録層中の前記混合ガスに由来するＮ及びＦの
量はＮが0.1〜５原子％、Ｆが１〜７原子％程度
含有されているのが良い。Te合金が更に他の第
３成分等を含む場合、その量は通常、Teに対し、
原子比で１〜20％程度が好適に用いられる。
量はＮが0.1〜５原子％、Ｆが１〜７原子％程度
含有されているのが良い。Te合金が更に他の第
３成分等を含む場合、その量は通常、Teに対し、
原子比で１〜20％程度が好適に用いられる。
以上のような構成を有する本発明の方法によつ
て得られる光学的記録媒体は、フツ化窒素ガスに
由来するＮとＦを含むために、記録層が非晶質構
造となり、感度、ピツト形状に優れ、経時安定性
が極めて良く、温度70℃、相対湿度85％の加速試
験を30日間行つた後でも、その反射率は全く変化
しない。
て得られる光学的記録媒体は、フツ化窒素ガスに
由来するＮとＦを含むために、記録層が非晶質構
造となり、感度、ピツト形状に優れ、経時安定性
が極めて良く、温度70℃、相対湿度85％の加速試
験を30日間行つた後でも、その反射率は全く変化
しない。
更に上記のような下引き層を用いることによ
り、特に、形状が均一で明確なリムを有するピツ
トが形成され、従つて高Ｃ／Ｎ比が達成され、か
つ、高感度な記録媒体を得ることができる。
り、特に、形状が均一で明確なリムを有するピツ
トが形成され、従つて高Ｃ／Ｎ比が達成され、か
つ、高感度な記録媒体を得ることができる。
第２図は、本発明の方法を実施するに適した装
置の一例である。図中１は真空容器、２はポリテ
トラフルオロエチレン樹脂ターゲツト、３はTe
又はTeを含む合金ターゲツト、４は基板、５は
設置した対向電極、６はガス導入口、７はシヤツ
ター、８は排気口、９はRF電源、１０は切り換
えスイツチである。電極４は移動可能であつて、
ポリテトラフルオロエチレン樹脂ターゲツト２の
直上に配置してフルオロカーボンのスパツタ膜か
らなる下引き層を被着したのち、真空を被ること
なくターゲツト３の直上に移動せしめ、ひき続き
記録層の形成を行うことができる。第２図に示し
た装置の場合、ガス導入口６よりArガスを導入
してポリテトラフルオロエチレン樹脂ターゲツト
２と電極４の間で高周波グロー放電を生じせしめ
て、フルオロカーボンのスパツタ膜を基板５上に
下引層として形成し、ひき続きガス導入口より
Arとフツ化窒素の混合ガスを導入してTe又はTe
を含む合金ターゲツト３と電極４の間でやはり高
周波グロー放電を生ぜしめて、反応性スパツタリ
ングを行い、Teを含む堆積膜からなる記録層を
形成する。記録層中のSe含有量は、ターゲツト
中のSe含有量によつても制御できる。
置の一例である。図中１は真空容器、２はポリテ
トラフルオロエチレン樹脂ターゲツト、３はTe
又はTeを含む合金ターゲツト、４は基板、５は
設置した対向電極、６はガス導入口、７はシヤツ
ター、８は排気口、９はRF電源、１０は切り換
えスイツチである。電極４は移動可能であつて、
ポリテトラフルオロエチレン樹脂ターゲツト２の
直上に配置してフルオロカーボンのスパツタ膜か
らなる下引き層を被着したのち、真空を被ること
なくターゲツト３の直上に移動せしめ、ひき続き
記録層の形成を行うことができる。第２図に示し
た装置の場合、ガス導入口６よりArガスを導入
してポリテトラフルオロエチレン樹脂ターゲツト
２と電極４の間で高周波グロー放電を生じせしめ
て、フルオロカーボンのスパツタ膜を基板５上に
下引層として形成し、ひき続きガス導入口より
Arとフツ化窒素の混合ガスを導入してTe又はTe
を含む合金ターゲツト３と電極４の間でやはり高
周波グロー放電を生ぜしめて、反応性スパツタリ
ングを行い、Teを含む堆積膜からなる記録層を
形成する。記録層中のSe含有量は、ターゲツト
中のSe含有量によつても制御できる。
以下実施例により、本発明の方法を更に詳しく
説明する。
説明する。
第２図にその概略を示した装置を用い、真空容
器を３×10-6Torrまで排気した後、ヘキサフル
オロプロピレンモノマー及びArをArに対して較
正されたマスフローコントローラを通じて各々
50ccm、15ccm流し、真空容器内を５×10-3Torr
のガス圧とした。容量式結合を用いた高周波電極
に13.56MHzの高周波電圧を印加し、放電電力
100Wで５分間放電を行い、厚さ約100Åのプラズ
マ重合膜をポリカーボネート基板上に形成した。
この後基板側電極をTe85％、Se15％の合金ター
ゲツト直上に移動し、プリスパツタを行つた後、
NF3ガス及びArガスをArに対して較正させたマ
スフローコントローラを通じて各々、5ccm、
30ccm流し、全圧を５×10-3Torrとした。やは
り、13.56MHzの高周波電力100Wでグロー放電を
生ぜしめ、Te、Se、Ｎ、Ｆを含む記録膜を約35n
ｍ（350Å）堆積させた。
器を３×10-6Torrまで排気した後、ヘキサフル
オロプロピレンモノマー及びArをArに対して較
正されたマスフローコントローラを通じて各々
50ccm、15ccm流し、真空容器内を５×10-3Torr
のガス圧とした。容量式結合を用いた高周波電極
に13.56MHzの高周波電圧を印加し、放電電力
100Wで５分間放電を行い、厚さ約100Åのプラズ
マ重合膜をポリカーボネート基板上に形成した。
この後基板側電極をTe85％、Se15％の合金ター
ゲツト直上に移動し、プリスパツタを行つた後、
NF3ガス及びArガスをArに対して較正させたマ
スフローコントローラを通じて各々、5ccm、
30ccm流し、全圧を５×10-3Torrとした。やは
り、13.56MHzの高周波電力100Wでグロー放電を
生ぜしめ、Te、Se、Ｎ、Ｆを含む記録膜を約35n
ｍ（350Å）堆積させた。
ついで、この光学的記録媒体に、波長830nｍ
のGaAlAs半導体レーザーで記録と再生を行つた
ところ、Ｃ／Ｎ比52dBが得らえた。記録感度は
レーザービーム径1.6μｍに対して、３ｍＷであつ
た。
のGaAlAs半導体レーザーで記録と再生を行つた
ところ、Ｃ／Ｎ比52dBが得らえた。記録感度は
レーザービーム径1.6μｍに対して、３ｍＷであつ
た。
フルオロカーボン下引き膜を設けず、ポリカー
ボネート樹脂基板上に直接上堆積膜を形成した媒
体では、Ｃ／Ｎ比50dB、記録感度は４ｍＷであ
つた。
ボネート樹脂基板上に直接上堆積膜を形成した媒
体では、Ｃ／Ｎ比50dB、記録感度は４ｍＷであ
つた。
実施例と同様にして形成したフルオロカーボン
のスパツタ膜からなる下引き層上に、Arガスの
みでスパツタしてTeSe堆積膜を形成した場合、
Ｃ／Ｎ比45dBしか得られなかつた。また記録感
度は、3.5ｍＷであつた。
のスパツタ膜からなる下引き層上に、Arガスの
みでスパツタしてTeSe堆積膜を形成した場合、
Ｃ／Ｎ比45dBしか得られなかつた。また記録感
度は、3.5ｍＷであつた。
本発明の光学的記録用媒体は、三フツ化窒素ガ
スに由来する、Ｎ、Ｆを含有することにより記録
層中に結晶粒及び結晶粒界の存在しない均一な非
晶質構造の記録層が得られ、より高品位、高感度
の記録媒体が得られる。
スに由来する、Ｎ、Ｆを含有することにより記録
層中に結晶粒及び結晶粒界の存在しない均一な非
晶質構造の記録層が得られ、より高品位、高感度
の記録媒体が得られる。
第１図は、本発明記録媒体の実施例の構造を示
す、模式的断面図である。第２図は本発明に係る
光学的記録媒体の装置の一例を示す。 図中、１は基板、２はフルオロカーボン膜、３
は記録層をそれぞれ示す。
す、模式的断面図である。第２図は本発明に係る
光学的記録媒体の装置の一例を示す。 図中、１は基板、２はフルオロカーボン膜、３
は記録層をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レーザービームによつて穴もしくは凹部又は
凸部を形成することにより記録する光学的記録媒
体を製造する方法であつて、Te又はTeを含む合
金をターゲツト材として、フツ化窒素とArガス
との混合ガス中において反応性スパツタリングす
ることにより、基板上にTeを含む非晶質構造の
堆積膜を形成させることを特徴とする光学的記録
用媒体の製造方法。 ２ 基板とTeを含む堆積膜との間にフルオロカ
ーボンのプラズマ重合膜、またはポリフルオロカ
ーボンのスパツタ膜からなる下引き層を設けたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学
的記録用媒体の製造方法。 ３ ターゲツト材が、Teを母材とし、Seを５〜
25％含む合金であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光学的記録用媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61243723A JPS6395983A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 光学的記録用媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61243723A JPS6395983A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 光学的記録用媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6395983A JPS6395983A (ja) | 1988-04-26 |
| JPH0511559B2 true JPH0511559B2 (ja) | 1993-02-15 |
Family
ID=17108032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61243723A Granted JPS6395983A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 光学的記録用媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6395983A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0405450A3 (en) * | 1989-06-30 | 1991-08-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Data recording medium and method of manufacturing the same |
| IT1261227B (it) * | 1993-04-06 | 1996-05-09 | Cetev Cent Tecnolog Vuoto | Impianto di deposizione di film sottili, preferibilmente riferito a tecniche pecvd e "sputtering", e relativi processi. |
| US6433970B1 (en) | 1999-06-07 | 2002-08-13 | Read-Rite Corporation | Structure and method for redeposition free thin film CPP read sensor fabrication |
| JP2005062802A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-03-10 | Advanced Display Inc | 薄膜トランジスタアレイ基板の製法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57128596A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-10 | Toshiba Corp | Memory plate for optical recording |
| JPS6034897A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書替可能光記録媒体 |
| JPS6048397A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学的記録媒体およびその製造方法 |
| JPS6144694A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 積層型レ−ザ記録媒体 |
| JPS61227167A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-09 | Mitsubishi Metal Corp | 焼結合金タ−ゲツト材 |
| JPS61229244A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-13 | Pioneer Electronic Corp | 光学式情報記録媒体 |
-
1986
- 1986-10-14 JP JP61243723A patent/JPS6395983A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57128596A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-10 | Toshiba Corp | Memory plate for optical recording |
| JPS6034897A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書替可能光記録媒体 |
| JPS6048397A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学的記録媒体およびその製造方法 |
| JPS6144694A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 積層型レ−ザ記録媒体 |
| JPS61227167A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-09 | Mitsubishi Metal Corp | 焼結合金タ−ゲツト材 |
| JPS61229244A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-13 | Pioneer Electronic Corp | 光学式情報記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6395983A (ja) | 1988-04-26 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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