JPS61227167A - 焼結合金タ−ゲツト材 - Google Patents
焼結合金タ−ゲツト材Info
- Publication number
- JPS61227167A JPS61227167A JP60066170A JP6617085A JPS61227167A JP S61227167 A JPS61227167 A JP S61227167A JP 60066170 A JP60066170 A JP 60066170A JP 6617085 A JP6617085 A JP 6617085A JP S61227167 A JPS61227167 A JP S61227167A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target material
- alloy
- powder
- molding
- density
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、テルル、セレンおよびアンチモンのうち１種
もしくはコ、禎以上を含む薄膜層をスパッタリング法に
よシ形成する場合に使用されるテルル、セレンおよびア
ンチモンのうち１種又は２種以上からなる焼結合金ター
ゲット材に関する。
もしくはコ、禎以上を含む薄膜層をスパッタリング法に
よシ形成する場合に使用されるテルル、セレンおよびア
ンチモンのうち１種又は２種以上からなる焼結合金ター
ゲット材に関する。
周知のように、テルル、セレンおよ・びアンチモンのう
ち／ｆ１１もＬ〈は２種以上、および／又はそれ等の／
１１１以上を含む合金等は光ディスクの記録媒体薄膜層
に好適な素材として実用化され【おり、同薄膜層は、一
般にスパッタリング法によシ襄遺されている。このスパ
ッタリング法に用いられるターゲットは、円形または角
形板状のテルル、セレンおよびアンチモンのうち７棟も
しくは２種以上および／又はそれ岬の／種以上を含む合
金等のターゲット材（以下ターゲット材という）とそれ
にロウ付けされたバンキングプレート（冷却板）とから
なっている。
ち／ｆ１１もＬ〈は２種以上、および／又はそれ等の／
１１１以上を含む合金等は光ディスクの記録媒体薄膜層
に好適な素材として実用化され【おり、同薄膜層は、一
般にスパッタリング法によシ襄遺されている。このスパ
ッタリング法に用いられるターゲットは、円形または角
形板状のテルル、セレンおよびアンチモンのうち７棟も
しくは２種以上および／又はそれ岬の／種以上を含む合
金等のターゲット材（以下ターゲット材という）とそれ
にロウ付けされたバンキングプレート（冷却板）とから
なっている。
従来、このようなターゲット材は、溶解鋳造法或いは粉
末焼結法によってつくられている。
末焼結法によってつくられている。
しかし、テルル、セレンおよびアンチモンのうちいずれ
か／櫨もしくは２種以上を含むこれらターゲット材とし
ての組成は、’ｌ’ｅ、Ｓｅ％Ｓｂ、゛Ｔｅ−３ｅ、Ｔ
ｏ−Ｐｂ％Ｔｏ−Ｇｅｓ Ｔｅ−８ｅ−ｃｄ ％ Ｔ
ｅ Ｓ ｅ Ｓ ｂ Ａ ｇ ｓ Ｓ ｅＳ ｂ
ｓＳｓ−８ｎ、５ｅ−８ｎ−Ｉｎ、Ｓｅ−Ｔｅ−８ｂ等
があるが、いずれも極めて脆く、展延性がなく塑性加工
が出来ない。
か／櫨もしくは２種以上を含むこれらターゲット材とし
ての組成は、’ｌ’ｅ、Ｓｅ％Ｓｂ、゛Ｔｅ−３ｅ、Ｔ
ｏ−Ｐｂ％Ｔｏ−Ｇｅｓ Ｔｅ−８ｅ−ｃｄ ％ Ｔ
ｅ Ｓ ｅ Ｓ ｂ Ａ ｇ ｓ Ｓ ｅＳ ｂ
ｓＳｓ−８ｎ、５ｅ−８ｎ−Ｉｎ、Ｓｅ−Ｔｅ−８ｂ等
があるが、いずれも極めて脆く、展延性がなく塑性加工
が出来ない。
そのため、溶解鋳造法においては割れ易く、製品歩留り
が悪いのみならず、鋳塊の結晶粒が大きく、＃同時のガ
ス巻込みがあり、ガスホールを生じ、したがって溶解鋳
造によるターゲット材を用いてスパッタリングを行なう
とスパッタリング中に必ず異常放電が起シ安定して薄膜
を形成することが出来ない欠点がある。さら忙合金にお
いては、偏析を生じ易いので、結局、薄膜での組成が均
一に保持出来ない。
が悪いのみならず、鋳塊の結晶粒が大きく、＃同時のガ
ス巻込みがあり、ガスホールを生じ、したがって溶解鋳
造によるターゲット材を用いてスパッタリングを行なう
とスパッタリング中に必ず異常放電が起シ安定して薄膜
を形成することが出来ない欠点がある。さら忙合金にお
いては、偏析を生じ易いので、結局、薄膜での組成が均
一に保持出来ない。
他方焼結法はテルル、セレンおよびアンチモノの単体ま
たはテルル、セレン、およびアンチモンのうちｌ種以上
を含む合金化した鋳塊を粉砕し、加圧成形して焼結する
ものである。この方法によってつくられたターゲット材
は、上記溶解鋳造法によってつくられたターゲット材の
檀々な欠点はなくなるが、スパッタリングを行なう場合
、ターゲット材の熱伝導が悪く、発生する熱を充分忙除
去出来ないため温度が上昇し、高出力に上けることが出
来ない欠点がある。
たはテルル、セレン、およびアンチモンのうちｌ種以上
を含む合金化した鋳塊を粉砕し、加圧成形して焼結する
ものである。この方法によってつくられたターゲット材
は、上記溶解鋳造法によってつくられたターゲット材の
檀々な欠点はなくなるが、スパッタリングを行なう場合
、ターゲット材の熱伝導が悪く、発生する熱を充分忙除
去出来ないため温度が上昇し、高出力に上けることが出
来ない欠点がある。
本発明者らは、上記欠点を解消すべく鋭意研究した結果
、焼結法によってつくられたターゲット材の１＃度が、
単体またはその合金の密度に対して従来ｇｏ−ｇダチで
あつものを僅か高くすることによって熱伝導率が大＠に
高くなることを知見した。
、焼結法によってつくられたターゲット材の１＃度が、
単体またはその合金の密度に対して従来ｇｏ−ｇダチで
あつものを僅か高くすることによって熱伝導率が大＠に
高くなることを知見した。
本発明は上記知見に基づいて完成されたもので、高出力
において効率よくスパッタリングを行うことができ、均
質、平滑で優れたテルル、セレンおよびアンチモンのう
ち１種もしくは２種以上を含む合金薄膜が得られるター
ゲット材を提供することを目的とする。
において効率よくスパッタリングを行うことができ、均
質、平滑で優れたテルル、セレンおよびアンチモンのう
ち１種もしくは２種以上を含む合金薄膜が得られるター
ゲット材を提供することを目的とする。
本発明は、上記の目的な達成するためになされたもので
、その手３段は、テルル、セレンおよびアンチモンの単
体またはテルル、セレンおよびアンチモンのうちいずれ
か／種以上な含む合金の鋳塊を粉砕し、微細な結晶サイ
ズの均質な粉末とし、それを高い冷間静水圧で加圧成形
して焼成することによシ、密度を単体或いはその合金の
密度のｇ！−以上としたターゲット材である。さら九本
発明の詳細な説明する。
、その手３段は、テルル、セレンおよびアンチモンの単
体またはテルル、セレンおよびアンチモンのうちいずれ
か／種以上な含む合金の鋳塊を粉砕し、微細な結晶サイ
ズの均質な粉末とし、それを高い冷間静水圧で加圧成形
して焼成することによシ、密度を単体或いはその合金の
密度のｇ！−以上としたターゲット材である。さら九本
発明の詳細な説明する。
本発明に係るターゲット材の原料として使用される合金
は、テルル、セレンおよびアンチモンのうちいずれかｗ
ｉｏ＊子チ以上含有する合金である。この合金またはテ
ルル、セレンもしくはアンチモン単体を粉砕し、篩い分
は等によって粒度を調整し、混合して、１００〜６コＳ
メツシユの結晶サイズの微細化された全体的に均質な粉
末とする。この粉末の粒度分布が広過ぎると不均質とな
シ、また粒径が大きすぎても小さすぎても成形体の強度
が上らず、加工中或いはスパッタ中にクラックが入シス
バッタ中の異常放電の原因となシ、さらにターゲット材
の密度も高くならない。
は、テルル、セレンおよびアンチモンのうちいずれかｗ
ｉｏ＊子チ以上含有する合金である。この合金またはテ
ルル、セレンもしくはアンチモン単体を粉砕し、篩い分
は等によって粒度を調整し、混合して、１００〜６コＳ
メツシユの結晶サイズの微細化された全体的に均質な粉
末とする。この粉末の粒度分布が広過ぎると不均質とな
シ、また粒径が大きすぎても小さすぎても成形体の強度
が上らず、加工中或いはスパッタ中にクラックが入シス
バッタ中の異常放電の原因となシ、さらにターゲット材
の密度も高くならない。
次いで通常上記粉末を真空に保持して脱ガスする。真空
脱ガスの条件としては温度は３０℃以上から粉末そのも
のの蒸気圧が／Ｔｏｒｒ以下でちる温度までの範囲で選
択され、真窒度は／Ｔｏｒｒ以下とし、７〜５時間位の
処理が行なわれる。この真空脱ガス処理は、場合によっ
てはスパッタリング前のターゲット材に施すこともある
。
脱ガスの条件としては温度は３０℃以上から粉末そのも
のの蒸気圧が／Ｔｏｒｒ以下でちる温度までの範囲で選
択され、真窒度は／Ｔｏｒｒ以下とし、７〜５時間位の
処理が行なわれる。この真空脱ガス処理は、場合によっ
てはスパッタリング前のターゲット材に施すこともある
。
この粉末を高い冷間静水８１によって加圧成形し、さら
に焼結して単体又は合金そのものの密度のｇ５チ以上の
密度の焼結体をつ＜シ、これを機械加工してターゲット
材を切出し、バッキングプレートと四つ付けしてターゲ
ットとする。このようにして得られたターゲットは熱、
伝導率がよく、冷却が充分に行なわれるので、高出力に
よつ【スパッタリングを行なうことができる。
に焼結して単体又は合金そのものの密度のｇ５チ以上の
密度の焼結体をつ＜シ、これを機械加工してターゲット
材を切出し、バッキングプレートと四つ付けしてターゲ
ットとする。このようにして得られたターゲットは熱、
伝導率がよく、冷却が充分に行なわれるので、高出力に
よつ【スパッタリングを行なうことができる。
本発明に係るターゲット材は、単体またはその合金の密
度のざ！−以上の密度を有するので極めて熱伝導率がよ
く、これＫよってつくられたターゲットは、よく冷却さ
れ、高出力を付与しても温就かあがらず、効率的なスパ
ッタリングを行うことが可能となる。
度のざ！−以上の密度を有するので極めて熱伝導率がよ
く、これＫよってつくられたターゲットは、よく冷却さ
れ、高出力を付与しても温就かあがらず、効率的なスパ
ッタリングを行うことが可能となる。
以下に実施例および比較例を示して本発明をさらに詳し
く説明する。
く説明する。
単体または合金ｔボールミルによって粉砕し、篩分けし
″′ｃ１００−４２！メツシュの粉末とし、表に示す条
件で真窒脱気した。これを冷間静水圧プレス忙よって加
圧成形し、焼結してそれぞれ単体または合金塊密度のｇ
ｓｓ以上の密度の焼結体とした。この焼結体を機械加工
して径が／！；Ｏｍｓ厚さが６ｍのターゲット材とした
。このターゲット材にバッキングプレートとして銅板を
ロウ付けしてターゲットとし、所定の温度、流量の水で
冷却し【スパッタリングを行なった。
″′ｃ１００−４２！メツシュの粉末とし、表に示す条
件で真窒脱気した。これを冷間静水圧プレス忙よって加
圧成形し、焼結してそれぞれ単体または合金塊密度のｇ
ｓｓ以上の密度の焼結体とした。この焼結体を機械加工
して径が／！；Ｏｍｓ厚さが６ｍのターゲット材とした
。このターゲット材にバッキングプレートとして銅板を
ロウ付けしてターゲットとし、所定の温度、流量の水で
冷却し【スパッタリングを行なった。
〔比較例／−／１
焼結体の密度を単体または合金塊の密度のざＳチ未満と
した外は、実施例と同じにしてスパッタリングを行なっ
た。
した外は、実施例と同じにしてスパッタリングを行なっ
た。
実施例、比較例の結果を第１表に示す。
表よシ、実施例に示すターゲット材の優れていることが
わかる。
わかる。
以上述べたように本発明に係るターゲット材は、僅かＫ
その密度を高めることによって熱伝導率が大幅によくな
シ、冷却が充分に行なわれるのでターゲット表面の温度
が上らないため高出力によるスパッタリングが可能とな
シ、薄膜の形成速度が早く、従来の焼結法によってつく
られたターゲット材忙比して極めて効率のよいスパッタ
リングを行なうことが出来る。
その密度を高めることによって熱伝導率が大幅によくな
シ、冷却が充分に行なわれるのでターゲット表面の温度
が上らないため高出力によるスパッタリングが可能とな
シ、薄膜の形成速度が早く、従来の焼結法によってつく
られたターゲット材忙比して極めて効率のよいスパッタ
リングを行なうことが出来る。
Claims (1)
- テルル、セレンおよびアンチモンのうち１種もしくは２
種以上の粉末および／又はこれらの１種もしくは２種以
上を含む合金粉末を加圧成形し、これを焼結した、焼結
ターゲット材において、組成が全体的に均一で、密度が
８５％以上であることを特徴とした焼結合金ターゲット
材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60066170A JPS61227167A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 焼結合金タ−ゲツト材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60066170A JPS61227167A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 焼結合金タ−ゲツト材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61227167A true JPS61227167A (ja) | 1986-10-09 |
| JPH0372153B2 JPH0372153B2 (ja) | 1991-11-15 |
Family
ID=13308103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60066170A Granted JPS61227167A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 焼結合金タ−ゲツト材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61227167A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621146A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-07 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 光記録用スパツタリングタ−ゲツト及びその製造方法 |
| JPS6395983A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-26 | Mitsubishi Kasei Corp | 光学的記録用媒体の製造方法 |
| JPS63143258A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング用タ−ゲツト |
| EP1480209A1 (en) * | 2002-02-25 | 2004-11-24 | Nikko Materials Company, Limited | Sputtering target for phase-change memory, film for phase change memory formed by using the target, and method for producing the target |
| US8241834B2 (en) * | 2008-05-01 | 2012-08-14 | Sony Corporation | Optical recording medium and production method therefor, and sputtering target and production method therefor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57203771A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-14 | Mitsubishi Metal Corp | Manufacture of target for vapor-deposition |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP60066170A patent/JPS61227167A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57203771A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-14 | Mitsubishi Metal Corp | Manufacture of target for vapor-deposition |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621146A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-07 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 光記録用スパツタリングタ−ゲツト及びその製造方法 |
| JPS6395983A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-26 | Mitsubishi Kasei Corp | 光学的記録用媒体の製造方法 |
| JPH0511559B2 (ja) * | 1986-10-14 | 1993-02-15 | Mitsubishi Chem Ind | |
| JPS63143258A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング用タ−ゲツト |
| EP1480209A1 (en) * | 2002-02-25 | 2004-11-24 | Nikko Materials Company, Limited | Sputtering target for phase-change memory, film for phase change memory formed by using the target, and method for producing the target |
| EP1480209A4 (en) * | 2002-02-25 | 2006-11-08 | Nippon Mining Co | SPUTTER TARGET FOR A PHASE SWITCH MEMORY, FILM FOR A PHASE SWITCHED MEMORY DEVELOPED BY USING THE TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING THE TARGET |
| US8241834B2 (en) * | 2008-05-01 | 2012-08-14 | Sony Corporation | Optical recording medium and production method therefor, and sputtering target and production method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0372153B2 (ja) | 1991-11-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |