JP3903485B2 - 相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、機械的強度に優れた相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＭＯ、ＭＤなどの光記録媒体、特にＣＤ−ＲＷ光記録媒体の情報の記録および消去は、相変化メモリ膜にレーザー光を照射することにより結晶状態と非晶質状態との間で相変化させることによって行なうことは知られている。この相変化メモリ膜は、相変化メモリとなる成分組成の合金からなるターゲットを用いてスパッタリングすることにより形成することも知られている。
この相変化メモリとなる成分組成の合金は、Ｓｂ−Ｓｅ系合金、Ｔｅ−Ｓｂ系合金、Ｇｅ−Ｓｂ系合金、Ｇａ−Ｓｂ系合金、Ｌａ−Ｓｂ系合金、Ｉｎ−Ｓｅ系合金、Ｇｅ−Ｔｅ系合金、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅ系合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金、Ｎｉ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金、Ｉｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金など多数の合金が知られており、これら合金からなる相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造するには、まず、相変化メモリとなる成分組成の非晶質になりやすい合金インゴットを作製し、この非晶質になりやすい合金インゴットを粉砕して非晶質粉末を作製し、この非晶質粉末をホットプレスすることによりホットプレス体を作製し、このホットプレス体を研削加工してスパッタリングターゲットを製造する（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−３３６４４３号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この従来の方法で作製した相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットは機械的強度が低いためにホットプレス体を研削加工する際に割れが発生することがあり、さらに研削加工して得られたスパッタリングターゲットの取り扱い中にも割れが発生することがあり、その取り扱いには細心の注意が必要であった。さらに高い負荷のかかる高出力スパッタリング中にも割れが発生することがあった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者らは、一層機械的強度の優れた相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットを製造するべく研究を行なった結果、
相変化メモリとなる成分組成の合金インゴットを粉砕して作製した非晶質粉末を結晶化温度に保持して結晶化熱処理を施し、この結晶化熱処理して結晶化した合金粉末をホットプレスすることにより得られたホットプレス体は、従来の非晶質合金粉末をホットプレスして得られたホットプレス体よりも密度が格段に向上し、したがって、機械的強度が一層向上し、また、このようにして得られたホットプレス体は研削加工する際に割れが発生することが無く、さらに高出力スパッタリング中にも割れが発生することがない、という研究結果が得られたのである。
【０００６】
この発明は、かかる研究結果に基づいて成されたものであって、
（１）相変化メモリ膜形成用合金インゴットを粉砕して合金粉末を作製し、得られた合金粉末を結晶化温度に保持して結晶化熱処理したのち解砕することにより結晶化合金粉末を作製し、この結晶化合金粉末をホットプレスする相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法、に特徴を有するものである。
【０００７】
この発明の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、相変化メモリ膜形成用合金インゴットとして、特に、
Ｓｂ：３９〜４１質量％を含有し、残部がＳｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金インゴット、
Ｔｅ：２９〜３１質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金インゴット、
Ｇｅ：１６〜１８質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金インゴット、
Ｇａ：１１〜１３質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金インゴット、
Ｓｂ：２〜４質量％を含有し、残部がＬａおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金インゴット、
Ｇｅ：４９〜５１質量％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金インゴットを使用することが有効であることを確認した。
【０００８】
したがって、この発明は、
（２）前記相変化メモリ膜形成用合金インゴットは、Ｓｂ：３９〜４１質量％を含有し、残部がＳｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する（１）記載の相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法、
（３）前記相変化メモリ膜形成用合金インゴットは、Ｔｅ：２９〜３１質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有する（１）記載の相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法、
（４）前記相変化メモリ膜形成用合金インゴットは、Ｇｅ：１６〜１８質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有する（１）記載の相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法、
（５）前記相変化メモリ膜形成用合金インゴットは、Ｇａ：１１〜１３質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有する（１）記載の相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法、
（６）前記相変化メモリ膜形成用合金インゴットは、Ｓｂ：２〜４質量％を含有し、残部がＬａおよび不可避不純物からなる成分組成を有する（１）記載の相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法、
（７）前記相変化メモリ膜形成用合金インゴットは、Ｇｅ：４９〜５１質量％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する（１）記載の相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法、
に特徴を有するものである。
【０００９】
前記相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法において行なう結晶化熱処理の温度は合金の種類によって異なるが、この結晶化熱処理の保持時間は１０〜１４時間の範囲内にすることが好ましい。かかる条件で結晶化熱処理すると、一部凝集が進行することは避けられず、したがって、結晶化熱処理した合金粉末は解砕しなければならない。
【００１０】
この発明の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットは、相変化メモリ膜形成用合金をＡｒガス雰囲気中で完全に溶解して合金化したことを確認した後、鉄製モールドに出湯して合金インゴットを作製し、これらを不活性ガス雰囲気中で粉砕し、得られた粉砕合金粉末を結晶化熱処理して十分に結晶化させ、解砕して結晶化合金粉末を作製し、この結晶化合金粉末をホットプレスすることにより作製する。前記ホットプレスは、Ａｒガス雰囲気中、圧力：２７．３〜２９．１ＭＰａ、温度：結晶化温度、１〜２時間保持の条件で行なわれ、その後、モールドの温度が２７０〜３００℃まで下がった時点で冷却速度：１〜３℃／ｍｉｎ．で常温まで冷却することにより行われることが一層好ましい。
【００１１】
この様にして製造したホットプレス体は、高い機械的強度を有するところから直径を大きくして大型のターゲットを製造しても破損することがなく、さらに高出力のスパッタリングを行ってもターゲットに割れが発生しにくいところから成膜効率は一層向上する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
Ａｒ雰囲気中で溶解することにより得られた、
Ｓｂ：４０質量％を含有し、残部がＳｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金（以下、Ｓｂ−Ｓｅ系合金という）インゴット、
Ｔｅ：３０質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金（以下、Ｔｅ−Ｓｂ系合金という）インゴット、
Ｇｅ：１７質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金（以下、Ｇｅ−Ｓｂ系合金という）インゴット、
Ｇａ：１２質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金（以下、Ｇａ−Ｓｂ系合金という）インゴット、
Ｓｂ：３量％を含有し、残部がＬａおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金（以下、Ｓｂ−Ｌａ系合金という）インゴット、
Ｇｅ：５０質量％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金（以下、Ｇｅ−Ｔｅ系合金という）インゴット、
を用意し、これら合金インゴットをＡｒ雰囲気中で粉砕することにより、いずれも粒径：２５０μｍ以下のＳｂ−Ｓｅ系合金粉末、Ｔｅ−Ｓｂ系合金粉末、Ｇｅ−Ｓｂ系合金粉末、Ｇａ−Ｓｂ系合金粉末、およびＬａ−Ｓｂ系合金粉末を作製した。これらＳｂ−Ｓｅ系合金粉末、Ｔｅ−Ｓｂ系合金粉末、Ｇｅ−Ｓｂ系合金粉末、Ｇａ−Ｓｂ系合金粉末、Ｌａ−Ｓｂ系合金粉末およびＧｅ−Ｔｅ系合金粉末を作製した。これら合金粉末についてＸ線回折したところ、いずれも非結晶質であることを確認した。
【００１３】
本発明法１および従来法１
前記Ｓｂ−Ｓｅ系合金粉末をＡｒ雰囲気中、表１に示される結晶化温度および時間保持して結晶化熱処理し、この結晶化熱処理した合金粉末を解砕して１５０μｍ以下の結晶化合金粉末を作製し、この結晶化合金粉末をＸ線回折したところ、結晶質であることを確認した。この結晶質粉末を表１に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これら１０個のホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより本発明法１を実施した。
さらに、比較のために、先の非晶質であるＳｂ−Ｓｅ系合金粉末を結晶化熱処理することなく表１に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これらホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより従来法１を実施した。
【００１４】
これら本発明法１および従来法１で作製したそれぞれ１０個のホットプレス体のうち旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを表１に示し、さらに相対密度を測定し、その結果を表１に示した。さらに、これら旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットをモリブデン製の冷却用バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハンダ付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置にセットし、
・スパッタガス：Ａｒ、
・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、
・スパッタ電力：１００Ｗ（４００Ｖ、０．２５Ａ）、
の条件で３０時間大電力スパッタリングを行い、ターゲットに割れが発生したか否かを目視にて観察し、その結果を表１に示した。
【００１５】
【表１】
【００１６】
本発明法２および従来法２
前記Ｔｅ−Ｓｂ系合金粉末をＡｒ雰囲気中、表２に示される結晶化温度および時間保持して結晶化熱処理し、この結晶化熱処理した合金粉末を解砕して１５０μｍ以下の結晶化合金粉末を作製し、この粉末をＸ線回折したところ、結晶質であることを確認した。この結晶質粉末を表２に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これら１０個のホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより本発明法２を実施した。
さらに、比較のために、先の非晶質であるＴｅ−Ｓｂ系合金粉末を結晶化熱処理することなく表２に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これらホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより従来法２を実施した。
【００１７】
これら本発明法２および従来法２で作製したそれぞれ１０個のホットプレス体のうち旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを表２に示し、さらに相対密度を測定し、その結果を表２に示した。さらに、これら旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットをモリブデン製の冷却用バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハンダ付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置にセットし、
・スパッタガス：Ａｒ、
・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、
・スパッタ電力：１００Ｗ（４００Ｖ、０．２５Ａ）、
の条件で３０時間大電力スパッタリングを行い、ターゲットに割れが発生したか否かを目視にて観察し、その結果を表２に示した。
【００１８】
【表２】
【００１９】
本発明法３および従来法３
前記Ｇｅ−Ｓｂ系合金粉末をＡｒ雰囲気中、表３に示される結晶化温度および時間保持して結晶化熱処理し、この結晶化熱処理した合金粉末を解砕して１５０μｍ以下の結晶化合金粉末を作製し、この結晶化合金粉末をＸ線回折したところ、結晶質であることを確認した。この結晶質合金粉末を表３に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これら１０個のホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより本発明法３を実施した。
さらに、比較のために、先の非晶質であるＧｅ−Ｓｂ系合金粉末を結晶化熱処理することなく表３に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これらホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより従来法３を実施した。
【００２０】
これら本発明法３および従来法３で作製したそれぞれ１０個のホットプレス体のうち旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを表３に示し、さらに相対密度を測定し、その結果を表３に示した。さらに、これら旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットをモリブデン製の冷却用バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハンダ付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置にセットし、
・スパッタガス：Ａｒ、
・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、
・スパッタ電力：１００Ｗ（４００Ｖ、０．２５Ａ）、
の条件で３０時間大電力スパッタリングを行い、ターゲットに割れが発生したか否かを目視にて観察し、その結果を表３に示した。
【００２１】
【表３】
【００２２】
本発明法４および従来法４
前記Ｇｅ−Ｓｂ系合金粉末をＡｒ雰囲気中、表４に示される結晶化温度および時間保持して結晶化熱処理し、この結晶化熱処理した合金粉末を解砕して１５０μｍ以下の結晶化合金粉末を作製し、この結晶化合金粉末をＸ線回折したところ、結晶質であることを確認した。この結晶質合金粉末を表４に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これら１０個のホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより本発明法４を実施した。
さらに、比較のために、先の非晶質であるＧｅ−Ｓｂ系合金粉末を結晶化熱処理することなく表４に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これらホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより従来法４を実施した。
【００２３】
これら本発明法４および従来法４で作製したそれぞれ１０個のホットプレス体のうち旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを表４に示し、さらに相対密度を測定し、その結果を表４に示した。さらに、これら旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットをモリブデン製の冷却用バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハンダ付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置にセットし、
・スパッタガス：Ａｒ、
・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、
・スパッタ電力：１００Ｗ（４００Ｖ、０．２５Ａ）、
の条件で３０時間大電力スパッタリングを行い、ターゲットに割れが発生したか否かを目視にて観察し、その結果を表４に示した。
【００２４】
【表４】
【００２５】
本発明法４および従来法４
前記Ｓｂ−Ｌａ系合金粉末をＡｒ雰囲気中、表５に示される結晶化温度および時間保持して結晶化熱処理し、この結晶化熱処理した粉末を解砕して１５０μｍ以下の結晶化合金粉末を作製し、この結晶化合金粉末をＸ線回折したところ、結晶質であることを確認した。この結晶質合金粉末を表５に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これら１０個のホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより本発明法５を実施した。
さらに、比較のために、先の非晶質であるＳｂ−Ｌａ系合金粉末を結晶化熱処理することなく表５に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これらホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより従来法５を実施した。
【００２６】
これら本発明法５および従来法５で作製したそれぞれ１０個のホットプレス体のうち旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを表５に示し、さらに相対密度を測定し、その結果を表５に示した。さらに、これら旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットをモリブデン製の冷却用バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハンダ付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置にセットし、
・スパッタガス：Ａｒ、
・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、
・スパッタ電力：１００Ｗ（４００Ｖ、０．２５Ａ）、
の条件で３０時間大電力スパッタリングを行い、ターゲットに割れが発生したか否かを目視にて観察し、その結果を表５に示した。
【００２７】
【表５】
【００２８】
本発明法６および従来法６
前記Ｇｅ−Ｔｅ系合金粉末をＡｒ雰囲気中、表６に示される結晶化温度および時間保持して結晶化熱処理し、この結晶化熱処理した合金粉末を解砕して１５０μｍ以下の結晶化合金粉末を作製し、この結晶化合金粉末をＸ線回折したところ、結晶質であることを確認した。この結晶質合金粉末を表６に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これら１０個のホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより本発明法６を実施した。
さらに、比較のために、先の非晶質であるＧｅ−Ｔｅ系合金粉末を結晶化熱処理することなく表６に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これらホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより従来法６を実施した。
【００２９】
これら本発明法６および従来法６で作製したそれぞれ１０個のホットプレス体のうち旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを表６に示し、さらに相対密度を測定し、その結果を表６に示した。さらに、これら旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットをモリブデン製の冷却用バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハンダ付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置にセットし、
・スパッタガス：Ａｒ、
・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、
・スパッタ電力：１００Ｗ（４００Ｖ、０．２５Ａ）、
の条件で３０時間大電力スパッタリングを行い、ターゲットに割れが発生したか否かを目視にて観察し、その結果を表６に示した。
【００３０】
【表６】
【００３１】
表１〜表６示される結果から、結晶化熱処理して結晶化させた相変化メモリ膜形成用合金粉末を使用してホットプレスする本発明法１〜６により得られたターゲットは、結晶化処理しない非晶質の相変化メモリ膜形成用合金粉末を使用してホットプレスする従来法１〜６により得られたターゲットに比べて高密度であるところから機械的強度が高く、旋削加工時に割れが発生せず、さらにスパッタリング中にスパッタ割れが発生しない優れた特性のターゲットを製造することができることが分かる。
【００３２】
【発明の効果】
上述のように、この発明によると、一層優れた相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することができ、したがって、光ディスクの生産効率の向上およびコスト削減を行うことができるとともに、光メディア産業の発展に大いに貢献し得るものである。
【発明の属する技術分野】
この発明は、機械的強度に優れた相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＭＯ、ＭＤなどの光記録媒体、特にＣＤ−ＲＷ光記録媒体の情報の記録および消去は、相変化メモリ膜にレーザー光を照射することにより結晶状態と非晶質状態との間で相変化させることによって行なうことは知られている。この相変化メモリ膜は、相変化メモリとなる成分組成の合金からなるターゲットを用いてスパッタリングすることにより形成することも知られている。
この相変化メモリとなる成分組成の合金は、Ｓｂ−Ｓｅ系合金、Ｔｅ−Ｓｂ系合金、Ｇｅ−Ｓｂ系合金、Ｇａ−Ｓｂ系合金、Ｌａ−Ｓｂ系合金、Ｉｎ−Ｓｅ系合金、Ｇｅ−Ｔｅ系合金、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅ系合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金、Ｎｉ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金、Ｉｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金など多数の合金が知られており、これら合金からなる相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造するには、まず、相変化メモリとなる成分組成の非晶質になりやすい合金インゴットを作製し、この非晶質になりやすい合金インゴットを粉砕して非晶質粉末を作製し、この非晶質粉末をホットプレスすることによりホットプレス体を作製し、このホットプレス体を研削加工してスパッタリングターゲットを製造する（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−３３６４４３号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この従来の方法で作製した相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットは機械的強度が低いためにホットプレス体を研削加工する際に割れが発生することがあり、さらに研削加工して得られたスパッタリングターゲットの取り扱い中にも割れが発生することがあり、その取り扱いには細心の注意が必要であった。さらに高い負荷のかかる高出力スパッタリング中にも割れが発生することがあった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者らは、一層機械的強度の優れた相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットを製造するべく研究を行なった結果、
相変化メモリとなる成分組成の合金インゴットを粉砕して作製した非晶質粉末を結晶化温度に保持して結晶化熱処理を施し、この結晶化熱処理して結晶化した合金粉末をホットプレスすることにより得られたホットプレス体は、従来の非晶質合金粉末をホットプレスして得られたホットプレス体よりも密度が格段に向上し、したがって、機械的強度が一層向上し、また、このようにして得られたホットプレス体は研削加工する際に割れが発生することが無く、さらに高出力スパッタリング中にも割れが発生することがない、という研究結果が得られたのである。
【０００６】
この発明は、かかる研究結果に基づいて成されたものであって、
（１）相変化メモリ膜形成用合金インゴットを粉砕して合金粉末を作製し、得られた合金粉末を結晶化温度に保持して結晶化熱処理したのち解砕することにより結晶化合金粉末を作製し、この結晶化合金粉末をホットプレスする相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法、に特徴を有するものである。
【０００７】
この発明の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、相変化メモリ膜形成用合金インゴットとして、特に、
Ｓｂ：３９〜４１質量％を含有し、残部がＳｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金インゴット、
Ｔｅ：２９〜３１質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金インゴット、
Ｇｅ：１６〜１８質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金インゴット、
Ｇａ：１１〜１３質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金インゴット、
Ｓｂ：２〜４質量％を含有し、残部がＬａおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金インゴット、
Ｇｅ：４９〜５１質量％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金インゴットを使用することが有効であることを確認した。
【０００８】
したがって、この発明は、
（２）前記相変化メモリ膜形成用合金インゴットは、Ｓｂ：３９〜４１質量％を含有し、残部がＳｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する（１）記載の相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法、
（３）前記相変化メモリ膜形成用合金インゴットは、Ｔｅ：２９〜３１質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有する（１）記載の相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法、
（４）前記相変化メモリ膜形成用合金インゴットは、Ｇｅ：１６〜１８質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有する（１）記載の相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法、
（５）前記相変化メモリ膜形成用合金インゴットは、Ｇａ：１１〜１３質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有する（１）記載の相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法、
（６）前記相変化メモリ膜形成用合金インゴットは、Ｓｂ：２〜４質量％を含有し、残部がＬａおよび不可避不純物からなる成分組成を有する（１）記載の相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法、
（７）前記相変化メモリ膜形成用合金インゴットは、Ｇｅ：４９〜５１質量％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する（１）記載の相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法、
に特徴を有するものである。
【０００９】
前記相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法において行なう結晶化熱処理の温度は合金の種類によって異なるが、この結晶化熱処理の保持時間は１０〜１４時間の範囲内にすることが好ましい。かかる条件で結晶化熱処理すると、一部凝集が進行することは避けられず、したがって、結晶化熱処理した合金粉末は解砕しなければならない。
【００１０】
この発明の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットは、相変化メモリ膜形成用合金をＡｒガス雰囲気中で完全に溶解して合金化したことを確認した後、鉄製モールドに出湯して合金インゴットを作製し、これらを不活性ガス雰囲気中で粉砕し、得られた粉砕合金粉末を結晶化熱処理して十分に結晶化させ、解砕して結晶化合金粉末を作製し、この結晶化合金粉末をホットプレスすることにより作製する。前記ホットプレスは、Ａｒガス雰囲気中、圧力：２７．３〜２９．１ＭＰａ、温度：結晶化温度、１〜２時間保持の条件で行なわれ、その後、モールドの温度が２７０〜３００℃まで下がった時点で冷却速度：１〜３℃／ｍｉｎ．で常温まで冷却することにより行われることが一層好ましい。
【００１１】
この様にして製造したホットプレス体は、高い機械的強度を有するところから直径を大きくして大型のターゲットを製造しても破損することがなく、さらに高出力のスパッタリングを行ってもターゲットに割れが発生しにくいところから成膜効率は一層向上する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
Ａｒ雰囲気中で溶解することにより得られた、
Ｓｂ：４０質量％を含有し、残部がＳｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金（以下、Ｓｂ−Ｓｅ系合金という）インゴット、
Ｔｅ：３０質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金（以下、Ｔｅ−Ｓｂ系合金という）インゴット、
Ｇｅ：１７質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金（以下、Ｇｅ−Ｓｂ系合金という）インゴット、
Ｇａ：１２質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金（以下、Ｇａ−Ｓｂ系合金という）インゴット、
Ｓｂ：３量％を含有し、残部がＬａおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金（以下、Ｓｂ−Ｌａ系合金という）インゴット、
Ｇｅ：５０質量％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有する合金（以下、Ｇｅ−Ｔｅ系合金という）インゴット、
を用意し、これら合金インゴットをＡｒ雰囲気中で粉砕することにより、いずれも粒径：２５０μｍ以下のＳｂ−Ｓｅ系合金粉末、Ｔｅ−Ｓｂ系合金粉末、Ｇｅ−Ｓｂ系合金粉末、Ｇａ−Ｓｂ系合金粉末、およびＬａ−Ｓｂ系合金粉末を作製した。これらＳｂ−Ｓｅ系合金粉末、Ｔｅ−Ｓｂ系合金粉末、Ｇｅ−Ｓｂ系合金粉末、Ｇａ−Ｓｂ系合金粉末、Ｌａ−Ｓｂ系合金粉末およびＧｅ−Ｔｅ系合金粉末を作製した。これら合金粉末についてＸ線回折したところ、いずれも非結晶質であることを確認した。
【００１３】
本発明法１および従来法１
前記Ｓｂ−Ｓｅ系合金粉末をＡｒ雰囲気中、表１に示される結晶化温度および時間保持して結晶化熱処理し、この結晶化熱処理した合金粉末を解砕して１５０μｍ以下の結晶化合金粉末を作製し、この結晶化合金粉末をＸ線回折したところ、結晶質であることを確認した。この結晶質粉末を表１に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これら１０個のホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより本発明法１を実施した。
さらに、比較のために、先の非晶質であるＳｂ−Ｓｅ系合金粉末を結晶化熱処理することなく表１に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これらホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより従来法１を実施した。
【００１４】
これら本発明法１および従来法１で作製したそれぞれ１０個のホットプレス体のうち旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを表１に示し、さらに相対密度を測定し、その結果を表１に示した。さらに、これら旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットをモリブデン製の冷却用バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハンダ付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置にセットし、
・スパッタガス：Ａｒ、
・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、
・スパッタ電力：１００Ｗ（４００Ｖ、０．２５Ａ）、
の条件で３０時間大電力スパッタリングを行い、ターゲットに割れが発生したか否かを目視にて観察し、その結果を表１に示した。
【００１５】
【表１】
本発明法２および従来法２
前記Ｔｅ−Ｓｂ系合金粉末をＡｒ雰囲気中、表２に示される結晶化温度および時間保持して結晶化熱処理し、この結晶化熱処理した合金粉末を解砕して１５０μｍ以下の結晶化合金粉末を作製し、この粉末をＸ線回折したところ、結晶質であることを確認した。この結晶質粉末を表２に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これら１０個のホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより本発明法２を実施した。
さらに、比較のために、先の非晶質であるＴｅ−Ｓｂ系合金粉末を結晶化熱処理することなく表２に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これらホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより従来法２を実施した。
【００１７】
これら本発明法２および従来法２で作製したそれぞれ１０個のホットプレス体のうち旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを表２に示し、さらに相対密度を測定し、その結果を表２に示した。さらに、これら旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットをモリブデン製の冷却用バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハンダ付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置にセットし、
・スパッタガス：Ａｒ、
・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、
・スパッタ電力：１００Ｗ（４００Ｖ、０．２５Ａ）、
の条件で３０時間大電力スパッタリングを行い、ターゲットに割れが発生したか否かを目視にて観察し、その結果を表２に示した。
【００１８】
【表２】
本発明法３および従来法３
前記Ｇｅ−Ｓｂ系合金粉末をＡｒ雰囲気中、表３に示される結晶化温度および時間保持して結晶化熱処理し、この結晶化熱処理した合金粉末を解砕して１５０μｍ以下の結晶化合金粉末を作製し、この結晶化合金粉末をＸ線回折したところ、結晶質であることを確認した。この結晶質合金粉末を表３に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これら１０個のホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより本発明法３を実施した。
さらに、比較のために、先の非晶質であるＧｅ−Ｓｂ系合金粉末を結晶化熱処理することなく表３に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これらホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより従来法３を実施した。
【００２０】
これら本発明法３および従来法３で作製したそれぞれ１０個のホットプレス体のうち旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを表３に示し、さらに相対密度を測定し、その結果を表３に示した。さらに、これら旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットをモリブデン製の冷却用バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハンダ付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置にセットし、
・スパッタガス：Ａｒ、
・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、
・スパッタ電力：１００Ｗ（４００Ｖ、０．２５Ａ）、
の条件で３０時間大電力スパッタリングを行い、ターゲットに割れが発生したか否かを目視にて観察し、その結果を表３に示した。
【００２１】
【表３】
本発明法４および従来法４
前記Ｇｅ−Ｓｂ系合金粉末をＡｒ雰囲気中、表４に示される結晶化温度および時間保持して結晶化熱処理し、この結晶化熱処理した合金粉末を解砕して１５０μｍ以下の結晶化合金粉末を作製し、この結晶化合金粉末をＸ線回折したところ、結晶質であることを確認した。この結晶質合金粉末を表４に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これら１０個のホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより本発明法４を実施した。
さらに、比較のために、先の非晶質であるＧｅ−Ｓｂ系合金粉末を結晶化熱処理することなく表４に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これらホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより従来法４を実施した。
【００２３】
これら本発明法４および従来法４で作製したそれぞれ１０個のホットプレス体のうち旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを表４に示し、さらに相対密度を測定し、その結果を表４に示した。さらに、これら旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットをモリブデン製の冷却用バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハンダ付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置にセットし、
・スパッタガス：Ａｒ、
・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、
・スパッタ電力：１００Ｗ（４００Ｖ、０．２５Ａ）、
の条件で３０時間大電力スパッタリングを行い、ターゲットに割れが発生したか否かを目視にて観察し、その結果を表４に示した。
【００２４】
【表４】
本発明法４および従来法４
前記Ｓｂ−Ｌａ系合金粉末をＡｒ雰囲気中、表５に示される結晶化温度および時間保持して結晶化熱処理し、この結晶化熱処理した粉末を解砕して１５０μｍ以下の結晶化合金粉末を作製し、この結晶化合金粉末をＸ線回折したところ、結晶質であることを確認した。この結晶質合金粉末を表５に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これら１０個のホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより本発明法５を実施した。
さらに、比較のために、先の非晶質であるＳｂ−Ｌａ系合金粉末を結晶化熱処理することなく表５に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これらホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより従来法５を実施した。
【００２６】
これら本発明法５および従来法５で作製したそれぞれ１０個のホットプレス体のうち旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを表５に示し、さらに相対密度を測定し、その結果を表５に示した。さらに、これら旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットをモリブデン製の冷却用バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハンダ付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置にセットし、
・スパッタガス：Ａｒ、
・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、
・スパッタ電力：１００Ｗ（４００Ｖ、０．２５Ａ）、
の条件で３０時間大電力スパッタリングを行い、ターゲットに割れが発生したか否かを目視にて観察し、その結果を表５に示した。
【００２７】
【表５】
本発明法６および従来法６
前記Ｇｅ−Ｔｅ系合金粉末をＡｒ雰囲気中、表６に示される結晶化温度および時間保持して結晶化熱処理し、この結晶化熱処理した合金粉末を解砕して１５０μｍ以下の結晶化合金粉末を作製し、この結晶化合金粉末をＸ線回折したところ、結晶質であることを確認した。この結晶質合金粉末を表６に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これら１０個のホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより本発明法６を実施した。
さらに、比較のために、先の非晶質であるＧｅ−Ｔｅ系合金粉末を結晶化熱処理することなく表６に示される温度および圧力でホットプレスすることにより１０個のホットプレス体を作製し、これらホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：３００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することにより従来法６を実施した。
【００２９】
これら本発明法６および従来法６で作製したそれぞれ１０個のホットプレス体のうち旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを表６に示し、さらに相対密度を測定し、その結果を表６に示した。さらに、これら旋盤加工時に割れが発生しなかった相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットをモリブデン製の冷却用バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材にてハンダ付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置にセットし、
・スパッタガス：Ａｒ、
・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、
・スパッタ電力：１００Ｗ（４００Ｖ、０．２５Ａ）、
の条件で３０時間大電力スパッタリングを行い、ターゲットに割れが発生したか否かを目視にて観察し、その結果を表６に示した。
【００３０】
【表６】
表１〜表６示される結果から、結晶化熱処理して結晶化させた相変化メモリ膜形成用合金粉末を使用してホットプレスする本発明法１〜６により得られたターゲットは、結晶化処理しない非晶質の相変化メモリ膜形成用合金粉末を使用してホットプレスする従来法１〜６により得られたターゲットに比べて高密度であるところから機械的強度が高く、旋削加工時に割れが発生せず、さらにスパッタリング中にスパッタ割れが発生しない優れた特性のターゲットを製造することができることが分かる。
【００３２】
【発明の効果】
上述のように、この発明によると、一層優れた相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットを製造することができ、したがって、光ディスクの生産効率の向上およびコスト削減を行うことができるとともに、光メディア産業の発展に大いに貢献し得るものである。
Claims (7)
- 相変化メモリ膜形成用合金インゴットを粉砕して合金粉末を作製し、得られた合金粉末を結晶化温度に保持して結晶化熱処理したのち解砕することにより結晶化合金粉末を作製し、この結晶化合金粉末をホットプレスすることを特徴とする相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記相変化メモリ膜形成用合金インゴットは、Ｓｂ：３９〜４１質量％を含有し、残部がＳｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有することを特徴とする請求項１記載の相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記相変化メモリ膜形成用合金インゴットは、Ｔｅ：２９〜３１質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有することを特徴とする請求項１記載の相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記相変化メモリ膜形成用合金インゴットは、Ｇｅ：１６〜１８質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有することを特徴とする請求項１記載の相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記相変化メモリ膜形成用合金インゴットは、Ｇａ：１１〜１３質量％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる成分組成を有することを特徴とする請求項１記載の相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記相変化メモリ膜形成用合金インゴットは、Ｓｂ：２〜４質量％を含有し、残部がＬａおよび不可避不純物からなる成分組成を有することを特徴とする請求項１記載の相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記相変化メモリ膜形成用合金インゴットは、Ｇｅ：４９〜５１質量％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる成分組成を有することを特徴とする請求項１記載の相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法。
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