JPS62130235A - タ−ゲツト材の製造方法 - Google Patents
タ−ゲツト材の製造方法Info
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- JPS62130235A JPS62130235A JP60271144A JP27114485A JPS62130235A JP S62130235 A JPS62130235 A JP S62130235A JP 60271144 A JP60271144 A JP 60271144A JP 27114485 A JP27114485 A JP 27114485A JP S62130235 A JPS62130235 A JP S62130235A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光磁気記録材料として最近注目されている
希土類金属と鉄族金属とからなる薄膜をスパッタリング
によって製造する際に用いられるターゲット材の製造方
法に関するものである。
希土類金属と鉄族金属とからなる薄膜をスパッタリング
によって製造する際に用いられるターゲット材の製造方
法に関するものである。
希土類金属と鉄族金属とからなる光磁気記録媒体をスパ
ッタリングによって製造する際に用いられるターゲット
材は、従来、 １）希土類金属と鉄族金属とを真空中まだは不活性ガス
雰囲気中でアーク溶解して製造した合金インゴツト材を
切断、研削等によって所定寸法のターゲットに仕上げる
方法、 ２）鉄族金属板上に希土類金属チップを置くか、また、
はその逆に希土類金属板上に鉄族金属チップを置くこと
によって、２種のターケ゛ット材を組み合わせた複合タ
ーゲット材とする方法、３）前記１）の方法によって製
造した合金インゴットを粉砕して得た合金粉末をホット
プレスによって成形する方法（特願昭５９−２１１９６
７号）、および ４）微細に分割した希土類金属と鉄族金属との混合物に
、真空中または不活性ガス雰囲気中において、この混合
物中に存在する金属成分系の共融点未満の温度で熱開成
形を施して、希土類金属と鉄族金属との界面に金属間化
合物を形成させるとともに希土類金属と鉄族金属とを接
合する方法（特願昭５９−２１９２２７号）、 によって得ている。
ッタリングによって製造する際に用いられるターゲット
材は、従来、 １）希土類金属と鉄族金属とを真空中まだは不活性ガス
雰囲気中でアーク溶解して製造した合金インゴツト材を
切断、研削等によって所定寸法のターゲットに仕上げる
方法、 ２）鉄族金属板上に希土類金属チップを置くか、また、
はその逆に希土類金属板上に鉄族金属チップを置くこと
によって、２種のターケ゛ット材を組み合わせた複合タ
ーゲット材とする方法、３）前記１）の方法によって製
造した合金インゴットを粉砕して得た合金粉末をホット
プレスによって成形する方法（特願昭５９−２１１９６
７号）、および ４）微細に分割した希土類金属と鉄族金属との混合物に
、真空中または不活性ガス雰囲気中において、この混合
物中に存在する金属成分系の共融点未満の温度で熱開成
形を施して、希土類金属と鉄族金属との界面に金属間化
合物を形成させるとともに希土類金属と鉄族金属とを接
合する方法（特願昭５９−２１９２２７号）、 によって得ている。
しかしながら、前記１）の方法によって製造された合金
ターゲット材は、 １）ターゲットの寸法が、溶解炉の大きさ、形状に依存
するために大径のターゲットが得られず、１１）ｆた、
アーク溶解だけでは所望の寸法、形状を有するターゲッ
ト、特に薄肉のターゲットを得ることができないために
切断、研削等の後加工を必要として、生産性が低下し、 １ｉｉ） Ｌかもこのターゲット材は脆いために、後
加工を施し難く、かつ歩留りが悪く、 つぎに、前記２）の方法によって構成された複合ターゲ
ット材は、 １）板とチップとの間で異常放電を起しやすく、１１）
希土類金属と鉄族金属が大きな塊シとなって分布し、し
かも単体の希土類金属と鉄族金属とはそのスパッタリン
グ速度が相違しているために、スパッタリングによって
生じた膜の組成が膜全体にわたって均一とならず、 また、前記３）の合金粉末をホットプレスによって成形
する方法では、 ｉ）合金インゴットの粉砕によって不純物が混入してく
るのを避けることができず、 １１）合金粉末をホットプレスしただけなので、でき上
ったターゲットは機械的に脆く、１１１）希土類金属自
体が元来極めて酸化しやすいために前記粉砕工程等によ
ってターケ゛ット材の中の希土類金属酸化物の景が増大
し、それに応じて単体の希土類金属の割合が低下するの
で、スパッタリングによって所望の磁気特性を有する膜
を得ることができないばかシか、甚だしい場合は、スパ
ッタリングによって生じた膜が、前記酸化物の影響で、
光磁気記録に必要な垂直磁化膜にならないことも多く、 さらに、微細に分割した希土類金属と鉄族金属とを混ぜ
合わせた混合物に熱開成形を施す前記４）の方法によっ
て製造されたターゲット材では、１）希土類金属は元来
鉄族金属よりもスパッタリング速度が高いために、ター
ゲット材中に単体の形で存在する希土類金属が、同じく
単体で存在する鉄族金属や金属間化合物を構成する各金
属成分よりも優先的にスパッタされ、それによって、ス
パッタリング中に生成しつつある膜の組成が時間の経過
とともに変化して、膜の組成が安定しない、 という問題があった。
ターゲット材は、 １）ターゲットの寸法が、溶解炉の大きさ、形状に依存
するために大径のターゲットが得られず、１１）ｆた、
アーク溶解だけでは所望の寸法、形状を有するターゲッ
ト、特に薄肉のターゲットを得ることができないために
切断、研削等の後加工を必要として、生産性が低下し、 １ｉｉ） Ｌかもこのターゲット材は脆いために、後
加工を施し難く、かつ歩留りが悪く、 つぎに、前記２）の方法によって構成された複合ターゲ
ット材は、 １）板とチップとの間で異常放電を起しやすく、１１）
希土類金属と鉄族金属が大きな塊シとなって分布し、し
かも単体の希土類金属と鉄族金属とはそのスパッタリン
グ速度が相違しているために、スパッタリングによって
生じた膜の組成が膜全体にわたって均一とならず、 また、前記３）の合金粉末をホットプレスによって成形
する方法では、 ｉ）合金インゴットの粉砕によって不純物が混入してく
るのを避けることができず、 １１）合金粉末をホットプレスしただけなので、でき上
ったターゲットは機械的に脆く、１１１）希土類金属自
体が元来極めて酸化しやすいために前記粉砕工程等によ
ってターケ゛ット材の中の希土類金属酸化物の景が増大
し、それに応じて単体の希土類金属の割合が低下するの
で、スパッタリングによって所望の磁気特性を有する膜
を得ることができないばかシか、甚だしい場合は、スパ
ッタリングによって生じた膜が、前記酸化物の影響で、
光磁気記録に必要な垂直磁化膜にならないことも多く、 さらに、微細に分割した希土類金属と鉄族金属とを混ぜ
合わせた混合物に熱開成形を施す前記４）の方法によっ
て製造されたターゲット材では、１）希土類金属は元来
鉄族金属よりもスパッタリング速度が高いために、ター
ゲット材中に単体の形で存在する希土類金属が、同じく
単体で存在する鉄族金属や金属間化合物を構成する各金
属成分よりも優先的にスパッタされ、それによって、ス
パッタリング中に生成しつつある膜の組成が時間の経過
とともに変化して、膜の組成が安定しない、 という問題があった。
そこで、本発明者等は、このような問題を解決するため
に種々研究を重ねだ結果、 （１） 微細に分割された状態のＧｄ、 Ｔｂ 、
Ｄｙ、 Ｈｏ 。
に種々研究を重ねだ結果、 （１） 微細に分割された状態のＧｄ、 Ｔｂ 、
Ｄｙ、 Ｈｏ 。
’ｒｍおよびＥｒ並びにそれらの合金のうちのいずれか
１種以上からなる希土類金属と、同様な状態のＦｅ。
１種以上からなる希土類金属と、同様な状態のＦｅ。
ＣＯおよびＮｉ並びにこれらの合金からなる鉄族金属と
を混合して形成させた、前記希土類金属：３０〜５０重
量％と、前記鉄族金属：残シ、からなる組成を有する混
合物に、その混合物に存在する金属成分系の液相発現温
度未満の温度において熱間成形を施すことによって得ら
れた緻密な成形体に適当な熱処理、すなわちその成形体
中に存在する金属成分系の液相発現温度以上の温度にそ
の成形体を短時間加熱する熱処理を施すと、前記成形体
の形状がくずれないで、しかも希土類金属と鉄族金属と
の金属間化合物生成反応が著しく促進されて、前記成形
体中に存在している希土類金属はすべて金属間化合物に
変化すること、 （２） このようにすべての希土類金属が金属間化合
物に変化することによってもはや単体の希土類金属を含
んでいないターゲット材では、希土類金属と鉄族金属と
のスパッタリング速度の差が殆ど無くなる結果、スパッ
タリング中に膜の組成が変化していくという現象を回避
できること、（３） このようなターゲット材では金
属間化合物の含有量が著しく増大するので、その強度が
低下するものと予想されるにも拘らず、このターゲット
材の組織中に混在している単体の鉄族金属によって、タ
ーゲット材の強度は意外に低下しないで、その十分な加
工性が保証されるとともに、熱収縮に基づく割れの発生
も回避できること、を見出した。
を混合して形成させた、前記希土類金属：３０〜５０重
量％と、前記鉄族金属：残シ、からなる組成を有する混
合物に、その混合物に存在する金属成分系の液相発現温
度未満の温度において熱間成形を施すことによって得ら
れた緻密な成形体に適当な熱処理、すなわちその成形体
中に存在する金属成分系の液相発現温度以上の温度にそ
の成形体を短時間加熱する熱処理を施すと、前記成形体
の形状がくずれないで、しかも希土類金属と鉄族金属と
の金属間化合物生成反応が著しく促進されて、前記成形
体中に存在している希土類金属はすべて金属間化合物に
変化すること、 （２） このようにすべての希土類金属が金属間化合
物に変化することによってもはや単体の希土類金属を含
んでいないターゲット材では、希土類金属と鉄族金属と
のスパッタリング速度の差が殆ど無くなる結果、スパッ
タリング中に膜の組成が変化していくという現象を回避
できること、（３） このようなターゲット材では金
属間化合物の含有量が著しく増大するので、その強度が
低下するものと予想されるにも拘らず、このターゲット
材の組織中に混在している単体の鉄族金属によって、タ
ーゲット材の強度は意外に低下しないで、その十分な加
工性が保証されるとともに、熱収縮に基づく割れの発生
も回避できること、を見出した。
この発明は、上記知見に基づいて発明されたもので、光
磁気記録媒体として利用される希土類金属と鉄族金属と
からなる膜をスパッタリングによって製造する場合、そ
のスパッタリング中に膜の組成変化を起さないターゲッ
ト材の製造方法を提供することを目的とし、 ａ）微細に分割されたＧｄ、 Ｔｂ 、 Ｄｙ、 Ｈｏ
％ＴｍおよびＥｒ並びにこれらの合金からなる群よシ選
ばれた希土類金属１種または２種以上と、微細に分割さ
れたＦｅ、 ＣｏおよびＮｉ並びにこれらの合金からな
る群より選ばれた鉄族金属１種または２種以上とを混合
して、前記希土類金属＝３０〜５０３０〜５０重量％族
金属：残り、からなる組成を有する混合物を形成させ、 ｂ）ついで、この混合物に、真空中または不活性ガス雰
囲気中で、前記混合物中に存在する金属成分系の液相発
現温度未満の温度において熱間成形を施して、前記希土
類金属と前記鉄族金属からなる緻密な成形体を形成させ
、 Ｃ）その後、真空中または不活性ガス雰囲気中で、前記
成形体中に存在する金属成分系の液相発現温度以上の温
度に、その成形体を短時間加熱する熱処理を前記成形体
に施すことによって、前記希土類金属と鉄族金属との金
属間化合物と、鉄族金属単体との混合組織を有するター
ゲット材を製造する方法、 に係るものである。
磁気記録媒体として利用される希土類金属と鉄族金属と
からなる膜をスパッタリングによって製造する場合、そ
のスパッタリング中に膜の組成変化を起さないターゲッ
ト材の製造方法を提供することを目的とし、 ａ）微細に分割されたＧｄ、 Ｔｂ 、 Ｄｙ、 Ｈｏ
％ＴｍおよびＥｒ並びにこれらの合金からなる群よシ選
ばれた希土類金属１種または２種以上と、微細に分割さ
れたＦｅ、 ＣｏおよびＮｉ並びにこれらの合金からな
る群より選ばれた鉄族金属１種または２種以上とを混合
して、前記希土類金属＝３０〜５０３０〜５０重量％族
金属：残り、からなる組成を有する混合物を形成させ、 ｂ）ついで、この混合物に、真空中または不活性ガス雰
囲気中で、前記混合物中に存在する金属成分系の液相発
現温度未満の温度において熱間成形を施して、前記希土
類金属と前記鉄族金属からなる緻密な成形体を形成させ
、 Ｃ）その後、真空中または不活性ガス雰囲気中で、前記
成形体中に存在する金属成分系の液相発現温度以上の温
度に、その成形体を短時間加熱する熱処理を前記成形体
に施すことによって、前記希土類金属と鉄族金属との金
属間化合物と、鉄族金属単体との混合組織を有するター
ゲット材を製造する方法、 に係るものである。
以下、この発明の構成について具体的に説明する。
１、原料
ターゲット材の原料となるＧｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙ、 Ｈ
ｏ、 ＴｍおよびＥｒ並びにこれらの合金から選ばれた
希土類金属は、微細に分割された状態であれば、一般に
その形状について制限を受けないが、この希土類金属は
通常粉末、または小粒であるのが望ましく、その平均粒
径が１０μＩ１１未満の場合は、得られたターゲット材
の酸素濃度が０．５％以上に増加して、これのスパッタ
リングによって生成した膜は光磁気記録に必要な磁気特
性を備えなくなり、一方それが３００μｍを越えると、
希土類金属が完全に鉄族金属と反応しないで、単体の希
土類金属がターゲット材の組織中に残存するようになる
ので、この平均粒径は一般に１０〜３００μｍでなけれ
ばならず、好ましくは１０〜１００μｍである。
ｏ、 ＴｍおよびＥｒ並びにこれらの合金から選ばれた
希土類金属は、微細に分割された状態であれば、一般に
その形状について制限を受けないが、この希土類金属は
通常粉末、または小粒であるのが望ましく、その平均粒
径が１０μＩ１１未満の場合は、得られたターゲット材
の酸素濃度が０．５％以上に増加して、これのスパッタ
リングによって生成した膜は光磁気記録に必要な磁気特
性を備えなくなり、一方それが３００μｍを越えると、
希土類金属が完全に鉄族金属と反応しないで、単体の希
土類金属がターゲット材の組織中に残存するようになる
ので、この平均粒径は一般に１０〜３００μｍでなけれ
ばならず、好ましくは１０〜１００μｍである。
希土類金属の純度は高純度（純度：９９重重量板上）で
あること、特に、低酸素濃度（酸素濃度二０４重量％以
下）であることが望塘しい。
あること、特に、低酸素濃度（酸素濃度二０４重量％以
下）であることが望塘しい。
これらの合金とは、Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙ、 Ｈｏ、
ＴｍおよびＥｒのうちの２種以上からなる合金を意味し
、例えばＴｂ５ｏＧｄ５ｏ、Ｔｂ７５Ｄｙ２５、Ｇｄ
９ｏＨ０１０のような合金を意味する。
ＴｍおよびＥｒのうちの２種以上からなる合金を意味し
、例えばＴｂ５ｏＧｄ５ｏ、Ｔｂ７５Ｄｙ２５、Ｇｄ
９ｏＨ０１０のような合金を意味する。
ターゲット材のもう一つの原料となるＦｅ、Ｃｏおよび
Ｎｉ並びにこれらの合金から選ばれた鉄族金属も微細に
分割された状態であれば、その形状は一般にどのような
ものであっても差支えないが、この鉄族金属も通常粉末
または小粒であるのが望ましく、その平均粒径が１μｍ
未満では、粒子が細か過ぎるため、熱処理を施した後に
残留する鉄族金属単体粒子の寸法が小さくなり過ぎて、
ターゲット材の強度が著しく低下するようになり、一方
それが３００μｍを越えると、製造されたターゲット材
中の個々の鉄族金属単体の粒子寸法が大きくなシ過ぎて
、膜の組成が安定したスパッタリングを遂行できなくな
るので、この平均粒径は一般に１−３００μｍでなけれ
ばならず、好ましくば５ｏ〜３００μｍである。
Ｎｉ並びにこれらの合金から選ばれた鉄族金属も微細に
分割された状態であれば、その形状は一般にどのような
ものであっても差支えないが、この鉄族金属も通常粉末
または小粒であるのが望ましく、その平均粒径が１μｍ
未満では、粒子が細か過ぎるため、熱処理を施した後に
残留する鉄族金属単体粒子の寸法が小さくなり過ぎて、
ターゲット材の強度が著しく低下するようになり、一方
それが３００μｍを越えると、製造されたターゲット材
中の個々の鉄族金属単体の粒子寸法が大きくなシ過ぎて
、膜の組成が安定したスパッタリングを遂行できなくな
るので、この平均粒径は一般に１−３００μｍでなけれ
ばならず、好ましくば５ｏ〜３００μｍである。
鉄族金属の純度も高純度（純度：９９．９９重重量板上
）であること、特【、低酸素濃度（酸素ａ度：０．０１
重量％以下）であることが望ましい。
）であること、特【、低酸素濃度（酸素ａ度：０．０１
重量％以下）であることが望ましい。
これらの合金とは、Ｆｅ、 ＣｏおよびＮｉのうちの２
種以上からなる合金を意味し、例えばＦｅ ７５ ＣＯ
２５、Ｆｅ３０ｃｏ５０ 、 Ｆｅ７５ＣＯ２ｇＮｉ５
、ＣＯｑ ＯＮｌ １ （３のような合金を意味する。
種以上からなる合金を意味し、例えばＦｅ ７５ ＣＯ
２５、Ｆｅ３０ｃｏ５０ 、 Ｆｅ７５ＣＯ２ｇＮｉ５
、ＣＯｑ ＯＮｌ １ （３のような合金を意味する。
また、この発明においては、希土類金属と鉄族金属との
混合物中に配合された希土類金属の割合が３０重量係未
満になっても、また５０重量饅を越えても、それによっ
て得られたターゲット材は、光磁気記録媒体として利用
するのに適した磁気特性を備えた膜を生成しなくなると
ころから、前記混合物における希土類金属の配合割合を
３０〜５０重量係と定めだ。
混合物中に配合された希土類金属の割合が３０重量係未
満になっても、また５０重量饅を越えても、それによっ
て得られたターゲット材は、光磁気記録媒体として利用
するのに適した磁気特性を備えた膜を生成しなくなると
ころから、前記混合物における希土類金属の配合割合を
３０〜５０重量係と定めだ。
２、熱開成形
この発明では、前記混合物を緻密な成形体てするために
、その混合物にホットプレス、熱間パック圧延、熱間静
水圧プレス（ＨＩＰ）、熱間鍛造等による熱開成形が施
されるが、薄板状のターゲット材を製造するには、特に
ホットプレスと熱間圧延が適しており、この熱開成形中
に酸素が成形体に混入してくるのを防ぐために、熱開成
形を真空または不活性ガス雰囲気の下で遂行する必要が
あり、それには一般に圧カニ０．０１〜１０−６Ｔｏｒ
ｒの真空または例えば、露点が一６０℃以下のアルゴン
ガスが使用される。
、その混合物にホットプレス、熱間パック圧延、熱間静
水圧プレス（ＨＩＰ）、熱間鍛造等による熱開成形が施
されるが、薄板状のターゲット材を製造するには、特に
ホットプレスと熱間圧延が適しており、この熱開成形中
に酸素が成形体に混入してくるのを防ぐために、熱開成
形を真空または不活性ガス雰囲気の下で遂行する必要が
あり、それには一般に圧カニ０．０１〜１０−６Ｔｏｒ
ｒの真空または例えば、露点が一６０℃以下のアルゴン
ガスが使用される。
熱開成形において前記混合物に適用される温度は、その
混合物中に存在する金属成分系の液相発現温度未満の温
度であることが必要であるが、これは、そうでないと、
熱間成形中に生じた液相によって金属が酸化されやすく
なる結果、ターゲット材の酸素濃度が０５重重量板上に
上昇する上に、液相だけが流動するというトラブルの発
生を招くことに基づいておシ、この熱開成形において適
用する温度は成形方法によって異るが、例えば熱間圧延
では一般に前記液相発現温度よシも２０〜３５０℃低く
保持される。前記金属成分系の液相発現１偏度は、例え
ば、その系がＦｅ−Ｔｂの場合は８４０℃、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｔｂの場合は６９５℃、Ｆｅ −Ｔｂ−Ｃｄの場合は
８３０℃、そしてＣｏ−Ｇｄの場合は６３０℃である。
混合物中に存在する金属成分系の液相発現温度未満の温
度であることが必要であるが、これは、そうでないと、
熱間成形中に生じた液相によって金属が酸化されやすく
なる結果、ターゲット材の酸素濃度が０５重重量板上に
上昇する上に、液相だけが流動するというトラブルの発
生を招くことに基づいておシ、この熱開成形において適
用する温度は成形方法によって異るが、例えば熱間圧延
では一般に前記液相発現温度よシも２０〜３５０℃低く
保持される。前記金属成分系の液相発現１偏度は、例え
ば、その系がＦｅ−Ｔｂの場合は８４０℃、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｔｂの場合は６９５℃、Ｆｅ −Ｔｂ−Ｃｄの場合は
８３０℃、そしてＣｏ−Ｇｄの場合は６３０℃である。
熱開成形により、混合物中の各金属粒子の塑性変形、希
土類金、馬と鉄族金属との間の部分的な固相拡散、およ
びその結果としての界面における金属間化合物の形成と
接合が起るので、成形体の高密度化と、その中の各粒子
間の接合が達成されて、一般に９５〜１００％の相対密
度を有する緻密で高強度の成形体が得られる。
土類金、馬と鉄族金属との間の部分的な固相拡散、およ
びその結果としての界面における金属間化合物の形成と
接合が起るので、成形体の高密度化と、その中の各粒子
間の接合が達成されて、一般に９５〜１００％の相対密
度を有する緻密で高強度の成形体が得られる。
ホットプレスにおいては通常１００〜２００ ｋｇ／Ｃ
ｒＩＬ２の圧力が適用され、そのホットプレスを施す時
間は、前記の作用を起すのに十分な時間であればよく、
その温度や圧力によっても異なるが、一般に１時間以上
である。
ｒＩＬ２の圧力が適用され、そのホットプレスを施す時
間は、前記の作用を起すのに十分な時間であればよく、
その温度や圧力によっても異なるが、一般に１時間以上
である。
熱間パック圧延においては、希土類金属と鉄族金属との
混合粉末を鉄合金製容器に入れてから、その中の圧力が
１０Ｔｏｒｒ以下になるまで、容器内のガスを真空排気
することによって、前記混合物を鉄合金製容器内に真空
・ξツクした後、これを、前記混合物中に存在する金属
成分系の液相発現未満の温度において、熱間圧延する。
混合粉末を鉄合金製容器に入れてから、その中の圧力が
１０Ｔｏｒｒ以下になるまで、容器内のガスを真空排気
することによって、前記混合物を鉄合金製容器内に真空
・ξツクした後、これを、前記混合物中に存在する金属
成分系の液相発現未満の温度において、熱間圧延する。
圧延によって形成された成形体は、その周囲の缶を施盤
ま、たけシェーパで取り除くことによって、缶の中から
取り出される。
ま、たけシェーパで取り除くことによって、缶の中から
取り出される。
３、熱処理
前記熱間成形によって製造された成形体には希土類金属
がまだ単体の状態で残っているので、これをすべて金属
間化合物に転化すると同時に、その金属間化合物と鉄族
金属単体との均一な混合組織を形成させるために熱処理
が施されるが、そのためには、この熱処理において成形
体を、その中に存在する金属成分系の液相発現温度以上
の温度に加熱する必要があり、この温度は一般に前記液
相発現温度ないしこれよりも１００〜３ｏｏ℃高い温度
が適しており、その加熱を余り長くつづけると成形体の
形がくずれたシ、あるいはターゲット材の酸素量が増大
してくるので、この加熱の時間は短くなければならず、
その時間はターゲット材の組成、寸法、熱処理温度等に
よって異なるが、通常１０〜９００秒程度である。
がまだ単体の状態で残っているので、これをすべて金属
間化合物に転化すると同時に、その金属間化合物と鉄族
金属単体との均一な混合組織を形成させるために熱処理
が施されるが、そのためには、この熱処理において成形
体を、その中に存在する金属成分系の液相発現温度以上
の温度に加熱する必要があり、この温度は一般に前記液
相発現温度ないしこれよりも１００〜３ｏｏ℃高い温度
が適しており、その加熱を余り長くつづけると成形体の
形がくずれたシ、あるいはターゲット材の酸素量が増大
してくるので、この加熱の時間は短くなければならず、
その時間はターゲット材の組成、寸法、熱処理温度等に
よって異なるが、通常１０〜９００秒程度である。
このような条件を満たす熱処理は、特に高周波加熱およ
び電子ビーム照射の加熱によって好都合に達成され、こ
の熱処理においてもターゲット材の酸素含有量の増大を
防ぐだめに、前記熱間成形において用いた雰囲気と同様
な真空または不活性ガスの雰囲気が適用される。
び電子ビーム照射の加熱によって好都合に達成され、こ
の熱処理においてもターゲット材の酸素含有量の増大を
防ぐだめに、前記熱間成形において用いた雰囲気と同様
な真空または不活性ガスの雰囲気が適用される。
高周波加熱は、例えば下記の方法、すなわち、高周波加
熱炉中でグラファイト類またはアルミナ製の治具上に成
形体を載せ、１ｏ−５〜１０ ”−’ Ｔｏｒｒの真空
中または圧力＝〇、１〜１０−’Ｔｏｒｒのアルゴンガ
ス中、高周波加熱により、前記成形体を１０〜ｂて、こ
の温度に１０〜９ｏ６秒保持した後、例えば不活性ガス
の吹付けなどで急冷することによって遂行され、また電
子ビーム照射による熱処理は、例えば下記の方法、すな
わち、Ｉ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ以上の真空度に保持さ
れた電子ビーム溶解炉中で、水冷Ｃｕ・・−ス上に置か
れた成形体に、出カニ６、。
熱炉中でグラファイト類またはアルミナ製の治具上に成
形体を載せ、１ｏ−５〜１０ ”−’ Ｔｏｒｒの真空
中または圧力＝〇、１〜１０−’Ｔｏｒｒのアルゴンガ
ス中、高周波加熱により、前記成形体を１０〜ｂて、こ
の温度に１０〜９ｏ６秒保持した後、例えば不活性ガス
の吹付けなどで急冷することによって遂行され、また電
子ビーム照射による熱処理は、例えば下記の方法、すな
わち、Ｉ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ以上の真空度に保持さ
れた電子ビーム溶解炉中で、水冷Ｃｕ・・−ス上に置か
れた成形体に、出カニ６、。
Ｘ １０ 〜３．ＯＸ １０ ＫＷの電子ビームを照
射した後、急速に冷却することによって遂行される。
射した後、急速に冷却することによって遂行される。
４ ターゲット材の組成および組織
以上のような工程を経て製造されたターゲット材は、原
料となった希土類金属や鉄族金属に不可避的に含まれて
いた不純物、例えば周期律表の第［ａ族元素、Ｓｌ、Ｃ
ａｌＡｇ、、Ｃ，ＰＳＳ、ＴａｌＭｎ。
料となった希土類金属や鉄族金属に不可避的に含まれて
いた不純物、例えば周期律表の第［ａ族元素、Ｓｌ、Ｃ
ａｌＡｇ、、Ｃ，ＰＳＳ、ＴａｌＭｎ。
０等を微量含むことは避けられないけれども、実質的に
希土類金属と鉄族金属との金属間化合物と、単体の鉄族
金属との均一な混合組織からなり、その組織中で金属間
化合物の形に変化した希土類金属はそのス・ξツタリン
グ速度が鉄族金属のそれと同程度に調整されるとともに
、鉄族金属単体は、前記ｌで述べた原料の平均粒径や形
状により、一般に１〜３００μｍの寸法を有する球状ま
たは片状の粒子となって、ターゲット材に必要な強度を
与える。
希土類金属と鉄族金属との金属間化合物と、単体の鉄族
金属との均一な混合組織からなり、その組織中で金属間
化合物の形に変化した希土類金属はそのス・ξツタリン
グ速度が鉄族金属のそれと同程度に調整されるとともに
、鉄族金属単体は、前記ｌで述べた原料の平均粒径や形
状により、一般に１〜３００μｍの寸法を有する球状ま
たは片状の粒子となって、ターゲット材に必要な強度を
与える。
ついで、この発明を実施例によシ比較例と対比しながら
説明する。
説明する。
実施例１
ａ）いずれも平均粒径：１００μｍを有する純度：９９
．９重量係のＴｂ粉末と純度：９９．９９重量係のＦθ
粉末とを、Ｔｂ；Ｆｅの配合割合が４４．５２：５５、
４ ｓ （重量％）となるように所定量秤量したものを
ボールミルを用いて３０分間トルエン中で混合し、乾燥
して総重量２５０りの混合粉末を調製した。
．９重量係のＴｂ粉末と純度：９９．９９重量係のＦθ
粉末とを、Ｔｂ；Ｆｅの配合割合が４４．５２：５５、
４ ｓ （重量％）となるように所定量秤量したものを
ボールミルを用いて３０分間トルエン中で混合し、乾燥
して総重量２５０りの混合粉末を調製した。
ｂ） ついで、肉厚＝１．２朋を有し、かつ内部に直径
：１２０朋×厚さく高さ）：４．Ｏ，、の円板状の空間
を有するステンレス缶に内径： １２．７ ｍｍｘ長さ
：５ｏｏｍｍＸ厚さ： ２． Ｏｉｎのステンレス管を
垂直に取ｐ付けて、前記円板状の空間内に前記混合粉末
を充填してから、前記ステンレス缶の内部を排気して真
空度： Ｉ Ｘ １０ Ｔｏｒｒまで真空引きした後
、前記ステンレス管の根もとをガスバーナーで加熱圧着
して前記混合粉末を前記ステンレス缶内に密封した。こ
のようにステンレス缶内に真空ノミツクされた混合粉末
に、缶全体の厚みが４朋となるまで、温度：５５０℃に
おいて熱間圧延を施し、この圧延されたステンレス缶を
旋盤で取り除いて、その内部に形成された円板状のＴｂ
−Ｆｅ成形体を取シ出した。
：１２０朋×厚さく高さ）：４．Ｏ，、の円板状の空間
を有するステンレス缶に内径： １２．７ ｍｍｘ長さ
：５ｏｏｍｍＸ厚さ： ２． Ｏｉｎのステンレス管を
垂直に取ｐ付けて、前記円板状の空間内に前記混合粉末
を充填してから、前記ステンレス缶の内部を排気して真
空度： Ｉ Ｘ １０ Ｔｏｒｒまで真空引きした後
、前記ステンレス管の根もとをガスバーナーで加熱圧着
して前記混合粉末を前記ステンレス缶内に密封した。こ
のようにステンレス缶内に真空ノミツクされた混合粉末
に、缶全体の厚みが４朋となるまで、温度：５５０℃に
おいて熱間圧延を施し、この圧延されたステンレス缶を
旋盤で取り除いて、その内部に形成された円板状のＴｂ
−Ｆｅ成形体を取シ出した。
Ｃ）その後この成形体を、高周波加熱炉内のグラファイ
トｇ治具上にセットし、圧カニ Ｉ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏ
ｒｒ のアルゴンガス雰囲気の下に、２０℃７ｅｅｃ
の昇温速度で１１００℃まで昇温し、この温度に６０秒
間保持した後、室温のアルゴンガスを吹き付けて室温ま
で冷却した。
トｇ治具上にセットし、圧カニ Ｉ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏ
ｒｒ のアルゴンガス雰囲気の下に、２０℃７ｅｅｃ
の昇温速度で１１００℃まで昇温し、この温度に６０秒
間保持した後、室温のアルゴンガスを吹き付けて室温ま
で冷却した。
このようにして得られたＴｂ２２Ｆｅ７８の組成を有す
るターゲット材を顕微鏡によって組織観察したところ、
ＴｂはすべてＦｓとの間で金属間化合物を生成すると
ともに、その一部が共晶反応を起して融液を析出し、こ
のターゲット材では、第５図のａおよびｂに示しだよう
な、この金属間化合物とその共晶の間にＦｅ単体が均一
に分布した混合組織が形成され、このＦｅ単体粒子の寸
法は２０〜７０μｍであり、まだこのターゲット材の相
対密度は１００チで抗折力は１０．８ ｋｇ／ｍｍ２で
あった。
るターゲット材を顕微鏡によって組織観察したところ、
ＴｂはすべてＦｓとの間で金属間化合物を生成すると
ともに、その一部が共晶反応を起して融液を析出し、こ
のターゲット材では、第５図のａおよびｂに示しだよう
な、この金属間化合物とその共晶の間にＦｅ単体が均一
に分布した混合組織が形成され、このＦｅ単体粒子の寸
法は２０〜７０μｍであり、まだこのターゲット材の相
対密度は１００チで抗折力は１０．８ ｋｇ／ｍｍ２で
あった。
つぎに、このターゲット材の性能を評価するだめに、こ
れを直径：１２７關Ｘ厚さ：２韻の円板に加工したター
ゲットを基にして、アルゴン分圧：５×１０”−２Ｔｏ
ｒｒでブリスパッタを３０〜６０秒間施しだ後、バイア
ス電圧：ＱＶ、スノξツタ電カニ７５Ｗと一定に保ち、
前記ターゲット材 回転させながらスライドガラスをターゲットから７０朋
離し、ターゲット直上中心、その中心から３ｃｒｎ、同
６ＬＭと位置を換えてマグネトロ／スパッタリングを施
して光磁気記録用の膜を製造した。
れを直径：１２７關Ｘ厚さ：２韻の円板に加工したター
ゲットを基にして、アルゴン分圧：５×１０”−２Ｔｏ
ｒｒでブリスパッタを３０〜６０秒間施しだ後、バイア
ス電圧：ＱＶ、スノξツタ電カニ７５Ｗと一定に保ち、
前記ターゲット材 回転させながらスライドガラスをターゲットから７０朋
離し、ターゲット直上中心、その中心から３ｃｒｎ、同
６ＬＭと位置を換えてマグネトロ／スパッタリングを施
して光磁気記録用の膜を製造した。
このときに得られた膜の酸素含有量は、１．５〜２．１
ａｔ１％で、その膜のＴｂ量のスパッタリング時間の
経過に対する変化を第１図に示す。
ａｔ１％で、その膜のＴｂ量のスパッタリング時間の
経過に対する変化を第１図に示す。
第１図から、スパッタリング時間が長時間にわたっても
膜組成の変化がｌ二〇、 ２ ａｔ、’ ％ と極め
て小さいことがわかる。
膜組成の変化がｌ二〇、 ２ ａｔ、’ ％ と極め
て小さいことがわかる。
実施例２
ａ）いずれも平均粒径：１００μｍを有する純度９９９
％のＴｌ）粉末、純度９９．９９％のＦｅ粉末および純
度９９．９９ ％のＦｅ −Ｃｏ合金（ＩＩＩ’ｓ：Ｃ
０＝７５： ２５ ａｔ、 ％ ）粉末を、Ｔｂ：Ｆｅ
ＨＣｏの配合割合が４５．４：４７．９：６．７３（重
量％）となるように所定量秤量したものをボールミルを
用いて３０分間トルエン中で混合し、乾燥して混合粉末
を製造した。
％のＴｌ）粉末、純度９９．９９％のＦｅ粉末および純
度９９．９９ ％のＦｅ −Ｃｏ合金（ＩＩＩ’ｓ：Ｃ
０＝７５： ２５ ａｔ、 ％ ）粉末を、Ｔｂ：Ｆｅ
ＨＣｏの配合割合が４５．４：４７．９：６．７３（重
量％）となるように所定量秤量したものをボールミルを
用いて３０分間トルエン中で混合し、乾燥して混合粉末
を製造した。
ｂ） ついで、内径：１２７ｍｘのホットプレスモー
ルド内に前記混合粉末２００１を充填し、昇温速度：８
００℃／ｈｒで昇温し、６６０℃に達した時点で前記混
合粉末に、真空度：１Ｘ１０Ｔｏｒｒ以上、圧カニ ２
００ ｋｇ／ｃｍ２および保持時間：１時間の条件でホ
ットプレスを施し、加熱終了後炉冷して円板状の緻密な
成形体を取り出した。
ルド内に前記混合粉末２００１を充填し、昇温速度：８
００℃／ｈｒで昇温し、６６０℃に達した時点で前記混
合粉末に、真空度：１Ｘ１０Ｔｏｒｒ以上、圧カニ ２
００ ｋｇ／ｃｍ２および保持時間：１時間の条件でホ
ットプレスを施し、加熱終了後炉冷して円板状の緻密な
成形体を取り出した。
Ｃ）その後この成形体を電子ビーム炉内の水冷Ｃｕｚｓ
−ス上に載せ、Ｉ Ｘ Ｉ ０−５Ｔｏｒｒ以上の真
空度においてこの成形体に出カニ１．３Ｘ１０ＫＷの電
子ビームを照射して、Ｔｂ２２．７Ｆｅ６ａ２Ｃｏ９．
１の組成を有するターゲット材を製造した。
−ス上に載せ、Ｉ Ｘ Ｉ ０−５Ｔｏｒｒ以上の真
空度においてこの成形体に出カニ１．３Ｘ１０ＫＷの電
子ビームを照射して、Ｔｂ２２．７Ｆｅ６ａ２Ｃｏ９．
１の組成を有するターゲット材を製造した。
このターゲット材を実施例１と同様に組織観察したとこ
ろ、ＴＩ）はすべてＦｅおよびＦｅ−Ｃｏとの間で金属
間化合物を生成するとともに、その一部が共晶を生成し
、このターゲット材では、これらの金属間化合物とその
共晶の間に２０〜６０μｍの大きさのＦｅ単体粒子が均
一に分布した混合組織が形成され、またこのターゲット
材の相対密度は９８チで抗折力は９．１ ｋｇ ７ｍｍ
２であった。
ろ、ＴＩ）はすべてＦｅおよびＦｅ−Ｃｏとの間で金属
間化合物を生成するとともに、その一部が共晶を生成し
、このターゲット材では、これらの金属間化合物とその
共晶の間に２０〜６０μｍの大きさのＦｅ単体粒子が均
一に分布した混合組織が形成され、またこのターゲット
材の相対密度は９８チで抗折力は９．１ ｋｇ ７ｍｍ
２であった。
つぎに、前記ターゲット材の性能を評価するために、こ
のターゲット材から得たターゲットを使用して、位置を
換えないことを除き、実施例１と全く同じ条件のスパッ
タリングを施して光磁気記録用の膜を製造した。
のターゲット材から得たターゲットを使用して、位置を
換えないことを除き、実施例１と全く同じ条件のスパッ
タリングを施して光磁気記録用の膜を製造した。
このときに得られた膜の酸素含有量は１．５〜１．９ａ
ｔ、４ で、その膜のＴｂｔおよびＣｏ量のスパッタリ
ング時間の経過に対す１丁）変化を第２図に示した。
ｔ、４ で、その膜のＴｂｔおよびＣｏ量のスパッタリ
ング時間の経過に対す１丁）変化を第２図に示した。
第２図から、長時間のス・ξツタリング時間にわたって
膜の組成変化が±０．２ ａｔ、％と７陰めて小さいこ
とがわかる。
膜の組成変化が±０．２ ａｔ、％と７陰めて小さいこ
とがわかる。
比較例１
直径：１２７ｍｍＸ厚さ ２．０朋の寸法を有する純度
９９．９９ ％のＦｅ板上に、直径：８朋×厚さ：２．
０ルの寸法を有する純度１９９９％のＴｂチップ１０２
個を同心円状に並べることによって形成されたＰａとＴ
ｂとの複合ターゲットを使用して、実施例１と全く同じ
条件でスパッタリングを実施し九この複合ターゲットは
、上からみると、原子量比チで表わして、Ｔｂ２ｏＦｅ
８ｏのターゲットに相当していた。
９９．９９ ％のＦｅ板上に、直径：８朋×厚さ：２．
０ルの寸法を有する純度１９９９％のＴｂチップ１０２
個を同心円状に並べることによって形成されたＰａとＴ
ｂとの複合ターゲットを使用して、実施例１と全く同じ
条件でスパッタリングを実施し九この複合ターゲットは
、上からみると、原子量比チで表わして、Ｔｂ２ｏＦｅ
８ｏのターゲットに相当していた。
このときに得られた膜の酸素含有量は１．８〜２、５
ａｔ、 ％ で、スパッタリング時間の経過に対するそ
の膜のＴｂ量の変化を第３図に示しだ。
ａｔ、 ％ で、スパッタリング時間の経過に対するそ
の膜のＴｂ量の変化を第３図に示しだ。
第３図から、時間の経過とともに膜の組成が著しく変化
することがわかる。
することがわかる。
比較例２
実施例１のｂ）において得られた’ｆ’ｂ−Ｆｅ成形体
を仕上加工することによって製造したターゲットを使用
して、実施例１と全く同じ条件でスパッタリングを実施
した。
を仕上加工することによって製造したターゲットを使用
して、実施例１と全く同じ条件でスパッタリングを実施
した。
このときに得られた膜の酸素含有量は１．３〜１、７
ａｔ、％で、その膜のＴｂ量のス／ξツタリング時間の
経過に対する変化を第４図に示した。
ａｔ、％で、その膜のＴｂ量のス／ξツタリング時間の
経過に対する変化を第４図に示した。
第４図から、このターゲットによって得られた膜の組成
も時間の経過とともに著しく変化することがわかる。
も時間の経過とともに著しく変化することがわかる。
以上の説明から明らかなように、この発明によると、組
成が安定し、かつ酸素濃度の低い光磁気記録媒体を生成
する、高強度のスパッタリング用ターゲット材を提供す
ることができる。
成が安定し、かつ酸素濃度の低い光磁気記録媒体を生成
する、高強度のスパッタリング用ターゲット材を提供す
ることができる。
第１図および第２図は、この発明によって製造されたタ
ーゲット材を使用して薄膜を生成させた場合、スパッタ
リング中にその薄膜で起る組成変化を示すグラフ、第３
図および第４図は、比較方法によって製造したターゲッ
ト材を使用した場合に同様な薄膜の組成変化を示すグラ
フ、第５図のａはこの発明によって製造されたターゲッ
ト材の金属組織を示す顕微鏡写真、そして第５図のｂは
その顕微鏡写真によって示された金属組織をわかりやす
くするための模式的な説明図である。
ーゲット材を使用して薄膜を生成させた場合、スパッタ
リング中にその薄膜で起る組成変化を示すグラフ、第３
図および第４図は、比較方法によって製造したターゲッ
ト材を使用した場合に同様な薄膜の組成変化を示すグラ
フ、第５図のａはこの発明によって製造されたターゲッ
ト材の金属組織を示す顕微鏡写真、そして第５図のｂは
その顕微鏡写真によって示された金属組織をわかりやす
くするための模式的な説明図である。
Claims (5)
- （１）ａ）微細に分割されたＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、
ＴｍおよびＥｒ並びにこれらの合金からなる群より選ば
れた希土類金属１種または２種以上と、微細に分割され
たＦｅ、ＣｏおよびＮｉ並びにこれらの合金からなる群
より選ばれた鉄族金属１種または２種以上とを混合して
、前記希土類金属：３０〜５０重量％と、前記鉄族金属
：残り、からなる組成を有する混合物を形成させ、 ｂ）ついで、この混合物に、真空中または不活性ガス雰
囲気中で、前記混合物中に存在する金属成分系の液相発
現温度未満の温度において熱間成形を施して、前記希土
類金属と前記鉄族金属からなる緻密な成形体を形成させ
、 ｃ）その後、真空中または不活性ガス雰囲気中で、前記
成形体中に存在する金属成分系の液相発現温度以上の温
度に、その成形体を短時間加熱する熱処理を前記成形体
に施すことによつて、前記希土類金属と鉄族金属との金
属間化合物と、鉄族金属単体との混合組織を有するター
ゲット材を製造する方法。 - （２）前記希土類金属と鉄族金属との混合物を金族容器
で真空パックした後、この混合物に熱間パック圧延を施
すことによつて前記熱間成形を遂行することを特徴とす
る、特許請求の範囲第（１）項記載の製造方法。 - （３）前記希土類金属と鉄族金属との混合物にホットプ
レスを施すことによつて前記熱間成形を遂行することを
特徴とする、特許請求の範囲第（１）項記載の製造方法
。 - （４）高周波加熱により、前記希土類金属と鉄族金属と
からなる成形体を前記金属成分系の液相発現温度以上の
温度に至るまで急速に加熱し、かつ前記成形体の形状が
くずれない時間、その成形体を前記温度に保持すること
によつて前記熱処理を遂行することを特徴とする、特許
請求の範囲第（１）項〜第（３）項のいずれか一つに記
載の製造方法。 - （５）前記希土類金属と鉄族金属とからなる成形体に電
子ビームを照射して、前記成形体を前記金属成分系の液
相発現温度以上の温度に至るまで加熱する処理を、前記
電子ビームの走査により前記成形体全体にわたつて施す
ことによつて前記熱処理を遂行することを特徴とする、
特許請求の範囲第（１）項〜第（３）項のいずれか一つ
に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60271144A JPS62130235A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | タ−ゲツト材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60271144A JPS62130235A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | タ−ゲツト材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62130235A true JPS62130235A (ja) | 1987-06-12 |
| JPH0119448B2 JPH0119448B2 (ja) | 1989-04-11 |
Family
ID=17495932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60271144A Granted JPS62130235A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | タ−ゲツト材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62130235A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6350469A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-03 | Hitachi Metals Ltd | スパツタリング用合金タ−ゲツトの製造方法 |
| JPS6431966A (en) * | 1987-07-25 | 1989-02-02 | Tokin Corp | Alloy target material and its production |
| JPH01215972A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-29 | Tokin Corp | 光磁気記録媒体用ターゲットの製造方法 |
| JPH01298155A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Seiko Epson Corp | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02130650U (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-29 | ||
| JPH02149251U (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-19 | ||
| JPH0313153U (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-08 |
-
1985
- 1985-12-02 JP JP60271144A patent/JPS62130235A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6350469A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-03 | Hitachi Metals Ltd | スパツタリング用合金タ−ゲツトの製造方法 |
| JPS6431966A (en) * | 1987-07-25 | 1989-02-02 | Tokin Corp | Alloy target material and its production |
| JPH01215972A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-29 | Tokin Corp | 光磁気記録媒体用ターゲットの製造方法 |
| JPH01298155A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Seiko Epson Corp | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2692139B2 (ja) * | 1988-05-27 | 1997-12-17 | セイコーエプソン株式会社 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0119448B2 (ja) | 1989-04-11 |
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