JPH02107762A - 光磁気記録用合金ターゲット - Google Patents
光磁気記録用合金ターゲットInfo
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- JPH02107762A JPH02107762A JP63258381A JP25838188A JPH02107762A JP H02107762 A JPH02107762 A JP H02107762A JP 63258381 A JP63258381 A JP 63258381A JP 25838188 A JP25838188 A JP 25838188A JP H02107762 A JPH02107762 A JP H02107762A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光磁気記録媒体をスパッタリング法を用いて
製造するのに好適な合金ターゲットに関する。
製造するのに好適な合金ターゲットに関する。
近年、情報の消去、再記録が容易にできる光磁気メモリ
ーが注目されているが、この光磁気メモリーの材料とし
て、ガーネットなどの単結晶材料、MnB1. PtC
oなどの多結晶材料および希土類元素と遷移金属との合
金などの非晶質材料が知られている。
ーが注目されているが、この光磁気メモリーの材料とし
て、ガーネットなどの単結晶材料、MnB1. PtC
oなどの多結晶材料および希土類元素と遷移金属との合
金などの非晶質材料が知られている。
これらの中でも希土類元素と遷移金属からなる非晶質合
金(Tb−Fe−Go、 Gd−Tb−Feなど)は、
記録に必要なエネルギーが少な(てすむこと、粒界ノイ
ズが現われないこと、さらに比較的容易に大型のものが
作成できること等の多くの利点を持つ。この非晶質合金
の薄膜を作成する方法として、イオンをターゲットに衝
突させてターゲット近くにおかれた基板の上に薄膜を作
成するスパッタリング法がよく用いられる。このスパッ
タリング法に使用されるターゲット材料のうち、+1)
割れ難いこと、(2)組成の均一性が良好であることな
どを具備するものとして、例えば、希土類元素と遷移金
属との金属間化合物相および遷移金属単体相からなる混
合′!FJi織であるもの(特開昭62−70550号
)が提案されている。
金(Tb−Fe−Go、 Gd−Tb−Feなど)は、
記録に必要なエネルギーが少な(てすむこと、粒界ノイ
ズが現われないこと、さらに比較的容易に大型のものが
作成できること等の多くの利点を持つ。この非晶質合金
の薄膜を作成する方法として、イオンをターゲットに衝
突させてターゲット近くにおかれた基板の上に薄膜を作
成するスパッタリング法がよく用いられる。このスパッ
タリング法に使用されるターゲット材料のうち、+1)
割れ難いこと、(2)組成の均一性が良好であることな
どを具備するものとして、例えば、希土類元素と遷移金
属との金属間化合物相および遷移金属単体相からなる混
合′!FJi織であるもの(特開昭62−70550号
)が提案されている。
しかしながら、このターゲット材料は、(1)得られる
膜組成がターゲット組成から大幅にずれる、(2)透磁
率が高く、特にマグネトロンスパッタ装置に用いるとタ
ーゲット表面もれ磁束が小さく、スパッタ効率ひいては
ターゲット利用効率が悪くなる、(31(2)に関連し
てターゲット表面の形状変化が激しく、膜の組成に経時
変化を生じるなどの問題点を抱えている。
膜組成がターゲット組成から大幅にずれる、(2)透磁
率が高く、特にマグネトロンスパッタ装置に用いるとタ
ーゲット表面もれ磁束が小さく、スパッタ効率ひいては
ターゲット利用効率が悪くなる、(31(2)に関連し
てターゲット表面の形状変化が激しく、膜の組成に経時
変化を生じるなどの問題点を抱えている。
木発明者等は、これらの問題点を解消し、(1)割れ難
い、(2)膜組成の均一性を良好にする、(3)ターゲ
ット−膜の組成ずれの少ない1、(4)ターゲット利用
効率の大きい、(5)得られる膜組成に経時変化を生じ
させないターゲットを提供すべく鋭意研究した結果、タ
ーゲットの組織中に遷移金属単体相でなく、希土類元素
と希土類元素および遷移金属の金属間化合物との微細混
合相を存在させることによって、前記目的が達成され得
ることを見出し、本発明に到達した。
い、(2)膜組成の均一性を良好にする、(3)ターゲ
ット−膜の組成ずれの少ない1、(4)ターゲット利用
効率の大きい、(5)得られる膜組成に経時変化を生じ
させないターゲットを提供すべく鋭意研究した結果、タ
ーゲットの組織中に遷移金属単体相でなく、希土類元素
と希土類元素および遷移金属の金属間化合物との微細混
合相を存在させることによって、前記目的が達成され得
ることを見出し、本発明に到達した。
〔課題を解決するための手段および作用〕即ち、本発明
の光磁気記録用合金ターゲットは、成分、組成が、Sm
、 Nd、 Gd、 Tb、 Dy、 Ha、 Tm、
Erの中の少なくとも1種の希土類元素10〜50原
子%、残部実質的にCo、 Fe、 NiO中の少なく
とも1種の遷移金属であり、′fFJl織が該希土類元
素と該遷移金属との金属間化合物相、並びに該希土類元
素と該希土類元素および該遷移金属の金属間化合物との
微細混合相からなる混合組織であることを特徴とするも
のである。
の光磁気記録用合金ターゲットは、成分、組成が、Sm
、 Nd、 Gd、 Tb、 Dy、 Ha、 Tm、
Erの中の少なくとも1種の希土類元素10〜50原
子%、残部実質的にCo、 Fe、 NiO中の少なく
とも1種の遷移金属であり、′fFJl織が該希土類元
素と該遷移金属との金属間化合物相、並びに該希土類元
素と該希土類元素および該遷移金属の金属間化合物との
微細混合相からなる混合組織であることを特徴とするも
のである。
また、他の本発明の光磁気記録用合金クーゲットは、成
分、組成が、Sm、 Nd、 Gd、 Tb、 Dy、
Ho。
分、組成が、Sm、 Nd、 Gd、 Tb、 Dy、
Ho。
Tm、 Erの中の少なくとも1種の希土類元素10〜
50原子%、残部実質的にCo、 Fe、 Niの中の
少なくとも1種の遷移金属であり、Ni織が該希土類元
素と該遷移金属との金属間化合物相、該希土類元素と該
希土類元素および該遷移金属の金属間化合物との微細混
合相、並びに該希土類元素単体相からなる混合M146
であることを特徴とするものである。
50原子%、残部実質的にCo、 Fe、 Niの中の
少なくとも1種の遷移金属であり、Ni織が該希土類元
素と該遷移金属との金属間化合物相、該希土類元素と該
希土類元素および該遷移金属の金属間化合物との微細混
合相、並びに該希土類元素単体相からなる混合M146
であることを特徴とするものである。
本発明の合金ターゲットの成分組成は、Sm、 Nd+
Gd+ Tb+ Dy、 llo、 Tm、 Erの中
の少なくとも1種の希土類元素10〜50原子%、残部
実質的にC。
Gd+ Tb+ Dy、 llo、 Tm、 Erの中
の少なくとも1種の希土類元素10〜50原子%、残部
実質的にC。
Fe、 NiO中の少なくとも1種の遷移金属である必
要がある。希土類元素の量が10原子%未溝になったり
、50原子%を超えると、スパッタリング法により得ら
れる薄膜の光磁気特性が充分なものとならない。
要がある。希土類元素の量が10原子%未溝になったり
、50原子%を超えると、スパッタリング法により得ら
れる薄膜の光磁気特性が充分なものとならない。
本発明の合金ターゲットは、製造上不可避的に混入する
不純物、例えばCa、 Si、 C,P、 S、
Mnなどを含んでいてもよい。
不純物、例えばCa、 Si、 C,P、 S、
Mnなどを含んでいてもよい。
また、本発明の合金ターゲットの組織は、該希土類元素
と該遷移金属との金属間化合物相、並びに該希土類元素
と該希土類元素および該遷移金属の金属間化合物との微
細混合相からなる混合組織、または上記諸相と該希土類
元素華相からなる混合組織を呈する。
と該遷移金属との金属間化合物相、並びに該希土類元素
と該希土類元素および該遷移金属の金属間化合物との微
細混合相からなる混合組織、または上記諸相と該希土類
元素華相からなる混合組織を呈する。
上記微細混合相は、希土類元素と希土類元素および遷移
金属の金属間化合物とが微細に混合したもので、融体が
常温に冷却される際におこる共晶、包晶、包共晶などの
反応により生成するものである。また、急速に冷却され
て非晶質Ni織を呈していたものが、加熱により結晶質
組織となったものでもよい。この混合相は、(1)脆い
前記金属間化合物相の結合相となる、(2)膜組成を均
一にする、そして、(3)ターゲットと膜との組成差を
少くするように作用する。この相は、500μm以下の
大きさで、3容量%以上存在することが、前記作用を有
効に発揮させる上で好ましく、形状は粒状、角状、柱状
などでよく、特に制限はない。遷移金属単体相は実質的
に存在しないことが必要であり、存在すると、ターゲフ
[・利用効率や膜の経時変化に悪い影響を及ぼす。他の
相である希土類元素と遷移金属との金属間化合物相は、
l相でも2相以上でもよく、それらの形状、大きさも特
に制限はない。
金属の金属間化合物とが微細に混合したもので、融体が
常温に冷却される際におこる共晶、包晶、包共晶などの
反応により生成するものである。また、急速に冷却され
て非晶質Ni織を呈していたものが、加熱により結晶質
組織となったものでもよい。この混合相は、(1)脆い
前記金属間化合物相の結合相となる、(2)膜組成を均
一にする、そして、(3)ターゲットと膜との組成差を
少くするように作用する。この相は、500μm以下の
大きさで、3容量%以上存在することが、前記作用を有
効に発揮させる上で好ましく、形状は粒状、角状、柱状
などでよく、特に制限はない。遷移金属単体相は実質的
に存在しないことが必要であり、存在すると、ターゲフ
[・利用効率や膜の経時変化に悪い影響を及ぼす。他の
相である希土類元素と遷移金属との金属間化合物相は、
l相でも2相以上でもよく、それらの形状、大きさも特
に制限はない。
一方、希土類元素単体相は、別の他の相として存在して
も、存在しないものと作用に特に著しい相違はない。
も、存在しないものと作用に特に著しい相違はない。
次に、本発明の合金ターゲットの製造方法例を説明する
。
。
本発明の合金ターゲットを製造するには溶解法により製
造された希土類元素−遷移金属合金粉末、換言すれば、
−旦、希土類元素−遷移金属合金の溶湯となった履歴を
有する合金粉末を使用するか、または、後述の粉末冶金
法による焼結の際、液相を生せしめることが必要である
。このような合金粉末としては、(1)希土類元素と遷
移金属を溶解して得られた合金鋳塊を機械粉砕して製造
したもの、(2)希土類元素−遷移金属合金を電極とし
てプラズマRE P (Rotation Elect
rode Process)法により製造したもの、(
3)希土類元素−遷移金属合金溶湯をロールなどの常温
の冷却装置により急速に冷却凝固させて得られた薄帯を
粉砕して製造したものなどが挙げられる。
造された希土類元素−遷移金属合金粉末、換言すれば、
−旦、希土類元素−遷移金属合金の溶湯となった履歴を
有する合金粉末を使用するか、または、後述の粉末冶金
法による焼結の際、液相を生せしめることが必要である
。このような合金粉末としては、(1)希土類元素と遷
移金属を溶解して得られた合金鋳塊を機械粉砕して製造
したもの、(2)希土類元素−遷移金属合金を電極とし
てプラズマRE P (Rotation Elect
rode Process)法により製造したもの、(
3)希土類元素−遷移金属合金溶湯をロールなどの常温
の冷却装置により急速に冷却凝固させて得られた薄帯を
粉砕して製造したものなどが挙げられる。
上記合金粉末以外の粉末を使用する場合、その粉末の例
として、希土類酸化物粉、遷移金属粉および金属カルシ
ウムのような還元剤を混合し、加熱して、希土類酸化物
の還元、遷移金属への拡散の反応を行なわせる還元拡散
法により製造したものなどが挙げられる。但し、遷移金
属の単体またはその合金粉末の使用は、合金ターゲット
の組織に遷移金属単体相を存在させないという観点から
留意すべきであり、使用するとしてもできるだけ細粒の
ものを使用するのが好ましい。
として、希土類酸化物粉、遷移金属粉および金属カルシ
ウムのような還元剤を混合し、加熱して、希土類酸化物
の還元、遷移金属への拡散の反応を行なわせる還元拡散
法により製造したものなどが挙げられる。但し、遷移金
属の単体またはその合金粉末の使用は、合金ターゲット
の組織に遷移金属単体相を存在させないという観点から
留意すべきであり、使用するとしてもできるだけ細粒の
ものを使用するのが好ましい。
こうして得られた合金粉末は、次に、粉末冶金法による
焼結に供され、焼結体である合金ターゲットが製造され
る。即ち、例えば、合金粉末を、常温で0.5〜5t/
cJAの圧力で単純圧縮するか、0.5〜2t/cff
lの圧力で静水圧プレスにて成形した後、真空あるいは
Ar雰囲気中、700〜1300℃の温度で0.5〜5
時間焼結する常圧焼結法、真空中、0.1〜0.5t/
cIIIの圧力で600〜1200℃の温度で1〜5時
間焼結する熱間加圧法、更には弾性体中に封入後、60
0〜1200℃の温度、0.1〜2t / ciの圧力
で0.5〜5時間焼結する熱間静水圧加圧法等により焼
結を行なう。
焼結に供され、焼結体である合金ターゲットが製造され
る。即ち、例えば、合金粉末を、常温で0.5〜5t/
cJAの圧力で単純圧縮するか、0.5〜2t/cff
lの圧力で静水圧プレスにて成形した後、真空あるいは
Ar雰囲気中、700〜1300℃の温度で0.5〜5
時間焼結する常圧焼結法、真空中、0.1〜0.5t/
cIIIの圧力で600〜1200℃の温度で1〜5時
間焼結する熱間加圧法、更には弾性体中に封入後、60
0〜1200℃の温度、0.1〜2t / ciの圧力
で0.5〜5時間焼結する熱間静水圧加圧法等により焼
結を行なう。
以上のような方法で製造された合金ターゲットは本発明
の組織を呈する。このU織の中で希土類元素と希土類元
素および遷移金属の金属間化合物との微細混合相は、前
記溶解法により製造された合金粉末中に存在していたか
、あるいは、前記粉末冶金法による焼結の際に液相が生
成したことにより新たに存在したものと推察される。
の組織を呈する。このU織の中で希土類元素と希土類元
素および遷移金属の金属間化合物との微細混合相は、前
記溶解法により製造された合金粉末中に存在していたか
、あるいは、前記粉末冶金法による焼結の際に液相が生
成したことにより新たに存在したものと推察される。
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
実施例1
組成TbtsFeiaCOtの合金ターゲットの製造を
目的として、プラズマREP法により製造したTb−F
e合金粉末(重量組成比Tb:Fe=88 : 12、
平均粒径100μm)と還元拡散法により製造したTb
−Fe −Co合金粉末(重量組成比Tb : Fe
:・Go=34.5 : 5 B、7 : 6.8、
平均粒径60μm)(以上、いずれも純度99,9重量
%以上、以下の例における配合原料も同様)とを配合し
、アルゴンガス雰囲気中ボ′−ルミルで1時間混合した
。
目的として、プラズマREP法により製造したTb−F
e合金粉末(重量組成比Tb:Fe=88 : 12、
平均粒径100μm)と還元拡散法により製造したTb
−Fe −Co合金粉末(重量組成比Tb : Fe
:・Go=34.5 : 5 B、7 : 6.8、
平均粒径60μm)(以上、いずれも純度99,9重量
%以上、以下の例における配合原料も同様)とを配合し
、アルゴンガス雰囲気中ボ′−ルミルで1時間混合した
。
この混合粉末を内径152龍の黒鉛製の成形器に装入し
熱間加圧した。熱間加圧の条件として、真空度をI X
10−’Torrとし、粉末を加圧するために、10
0 kg/crAの圧力を860℃に昇温するまで加え
、昇温後は圧力を250 kg/ctAとしその温度を
30分保持した後、室温まで冷却した。
熱間加圧した。熱間加圧の条件として、真空度をI X
10−’Torrとし、粉末を加圧するために、10
0 kg/crAの圧力を860℃に昇温するまで加え
、昇温後は圧力を250 kg/ctAとしその温度を
30分保持した後、室温まで冷却した。
成形器から取り出した合金ターゲットである焼結体のヒ
ビ、割れを検査した。これらは目視にて全く見あたらず
、透過X線の照射による内部検査でも観測されなかった
。また、この焼結体の組成、1織の検鏡結果を第1表に
示す。このうち、検鏡結果における相の大きさおよび容
量%は切断法によった。なお、希土類元素単体相および
遷移金属単体相は認められなかった。
ビ、割れを検査した。これらは目視にて全く見あたらず
、透過X線の照射による内部検査でも観測されなかった
。また、この焼結体の組成、1織の検鏡結果を第1表に
示す。このうち、検鏡結果における相の大きさおよび容
量%は切断法によった。なお、希土類元素単体相および
遷移金属単体相は認められなかった。
このような合金ターゲット(直径151mm、厚さ3m
5)を使用し、スパッタリング法(Arガス圧:6 X
10−’Torrsスパッタリング電カニ4W/cr
l、基板:ソーダガラス)により薄膜(膜厚3000人
)を作成した。作成中スパッタリングはいずれの試験も
充分安定していた。また、作成後の合金ターゲットのヒ
ビ、割れを前記と同様に観察、検査したが観測されなか
った。薄膜作成後、(1)膜組成のバラツキ、(2)タ
ーゲット−膜の組成ずれ、(3)ターゲット利用効率、
(4)膜組成の経時変化を測定した。
5)を使用し、スパッタリング法(Arガス圧:6 X
10−’Torrsスパッタリング電カニ4W/cr
l、基板:ソーダガラス)により薄膜(膜厚3000人
)を作成した。作成中スパッタリングはいずれの試験も
充分安定していた。また、作成後の合金ターゲットのヒ
ビ、割れを前記と同様に観察、検査したが観測されなか
った。薄膜作成後、(1)膜組成のバラツキ、(2)タ
ーゲット−膜の組成ずれ、(3)ターゲット利用効率、
(4)膜組成の経時変化を測定した。
なお、上記fil〜(4)の測定方法は、次の通りであ
る。
る。
(1)膜組成のバラツキ:基板のターゲット中心直上位
置を原点とし、半径方向に30mm間隔の6点を取り、
それらの点における全希土類元素量をEPMAにより定
量分析し、そのバラツキ(範囲)を求める。
置を原点とし、半径方向に30mm間隔の6点を取り、
それらの点における全希土類元素量をEPMAにより定
量分析し、そのバラツキ(範囲)を求める。
(2) ターゲット−膜の組成ずれ:ターゲットおよ
び膜中の全希土類元素量をEPMAにより定量分析し、
その組成差を求める。
び膜中の全希土類元素量をEPMAにより定量分析し、
その組成差を求める。
(3) ターゲント利用効率−長時間使用し、ターゲ
ット厚さが最も薄いところで0.5mmとなったターゲ
ットの減量を測定する。
ット厚さが最も薄いところで0.5mmとなったターゲ
ットの減量を測定する。
(4)膜組成の経時変化二スパッタ時間が1,5゜10
および30時間経過した時点で得られた薄膜中の全希土
類元素量のバラツキ(範囲)を求める。
および30時間経過した時点で得られた薄膜中の全希土
類元素量のバラツキ(範囲)を求める。
上記測定により得られた結果を第2表に示す。
実施例2
組成C0taGdz6の合金ターゲットの製造を目的と
して、プラズマREP法により製造したCo−Gd合金
粉末(重量組成比Co:Gd= 5 : 95、平均粒
径80μm)と還元拡散法により製造したCo −Gd
合金粉末(重量組成比Co:Gd=53 : 47、平
均粒径50μm)とを配合し、アルゴンガス雰囲気中ボ
ールミルで1時間混合した。
して、プラズマREP法により製造したCo−Gd合金
粉末(重量組成比Co:Gd= 5 : 95、平均粒
径80μm)と還元拡散法により製造したCo −Gd
合金粉末(重量組成比Co:Gd=53 : 47、平
均粒径50μm)とを配合し、アルゴンガス雰囲気中ボ
ールミルで1時間混合した。
この後、混合粉末を650℃で熱間加圧した以外は、実
施例1と同様に試験した。
施例1と同様に試験した。
得られた実施例1と同様の結果を第1表および第2表に
示す。
示す。
実施例3
組成Tbz5FebaCOqの合金ターゲットの製造を
目的として、プラズマREP法により製造したTbFe
合金粉末(重量組成比Tb:Fe=90 : 10、平
均粒径90μm)、プラズマREP法により製造したT
b粉末(平均粒径100μm)および還元拡散法により
製造したTb −Fe −Co合金粉末(重量組成比T
b:Fe:Co= 32.6 : 60.5:6.9.
平均粒径50μm)を配合し、アルゴンガス雰囲気中ボ
ールミルで1時間混合した。
目的として、プラズマREP法により製造したTbFe
合金粉末(重量組成比Tb:Fe=90 : 10、平
均粒径90μm)、プラズマREP法により製造したT
b粉末(平均粒径100μm)および還元拡散法により
製造したTb −Fe −Co合金粉末(重量組成比T
b:Fe:Co= 32.6 : 60.5:6.9.
平均粒径50μm)を配合し、アルゴンガス雰囲気中ボ
ールミルで1時間混合した。
この後、混合粉末を840℃で熱間加圧した以外は、実
施例1と同様に試験した。
施例1と同様に試験した。
得られた実施例1と同様の結果を第1表および第2表に
示す。
示す。
実施例4
組成TbzsFe6eCOtの合金ターゲットの製造を
目的として、真空溶解して得られた合金鋳塊を機械粉砕
して製造したTb −Co合金粉末(重量組成比Tb:
Co=95:5、平均粒径80μm)、プラズマREP
法により製造したTb粉末(平均粒径100μm)およ
び還元拡散法により製造したTb−FeCo合金粉末(
重量組成比1’b:Fe:Co=25.4 :69.3
:5.3、平均粒径50μm)を配合し、アルゴンガス
雰囲気中ボールミルで1時間混合した。
目的として、真空溶解して得られた合金鋳塊を機械粉砕
して製造したTb −Co合金粉末(重量組成比Tb:
Co=95:5、平均粒径80μm)、プラズマREP
法により製造したTb粉末(平均粒径100μm)およ
び還元拡散法により製造したTb−FeCo合金粉末(
重量組成比1’b:Fe:Co=25.4 :69.3
:5.3、平均粒径50μm)を配合し、アルゴンガス
雰囲気中ボールミルで1時間混合した。
この後、混合粉末を820 ’Cで熱間加圧した以外は
、実施例1と同様に試験した。
、実施例1と同様に試験した。
得られた実施例1と同様の結果を第1表および第2表に
示す。
示す。
なお、以上実施例2〜4において薄膜作成前後で合金ク
ーゲットのヒビ、割れを観察検査した結果、それらは何
ら観測されなかった。
ーゲットのヒビ、割れを観察検査した結果、それらは何
ら観測されなかった。
比較例
組成TbzsFe6eCOtの合金クーゲットの製造を
目的として、プラズマREP法により製造した組成Tb
++Je+zの合金粉末(平均粒径100μm)、Fe
Co合金粉末(平均粒径60μm)および金属Fe粉末
(平均粒径20μm)を配合し、アルゴンガス雰囲気中
ボールミルで1時間混合した。
目的として、プラズマREP法により製造した組成Tb
++Je+zの合金粉末(平均粒径100μm)、Fe
Co合金粉末(平均粒径60μm)および金属Fe粉末
(平均粒径20μm)を配合し、アルゴンガス雰囲気中
ボールミルで1時間混合した。
この合金粉末を内径152mmの黒鉛製の成形器に装入
し、熱間加圧した。熱間加圧の条件として、真空度を5
X 10−5Torrとし、粉末を加圧するために、
200kg/cnlの圧力を840″Cに昇温するまで
加え、昇温後は圧力はそのままにしその温度を1時間保
持した後、室温まで冷却した。
し、熱間加圧した。熱間加圧の条件として、真空度を5
X 10−5Torrとし、粉末を加圧するために、
200kg/cnlの圧力を840″Cに昇温するまで
加え、昇温後は圧力はそのままにしその温度を1時間保
持した後、室温まで冷却した。
得られた合金ターゲットについて、実施例1と同様に分
析、測定を行なった。その結果を第1表および第2表に
示す。
析、測定を行なった。その結果を第1表および第2表に
示す。
従来例1
組成TtlzsFeaaCOtの合金ターゲットの製造
を目的としてアルゴンガス雰囲気中、高周波溶解して上
記組成の合金を得た。次に、この合金をショークラッシ
ャーおよびボールミルで粗粉砕した(アルゴンガス雰囲
気)後、ジェットミルで微粉砕した(窒素ガス雰囲気)
。
を目的としてアルゴンガス雰囲気中、高周波溶解して上
記組成の合金を得た。次に、この合金をショークラッシ
ャーおよびボールミルで粗粉砕した(アルゴンガス雰囲
気)後、ジェットミルで微粉砕した(窒素ガス雰囲気)
。
この合金粉末(平均粒径10.um)を内径152II
III+の黒鉛製の成形器に装入し、熱間加圧した。熱
間加圧の条件として、真空度を5 X 10−’Tor
rとし、粉末を加圧するために、250Kg/cdの圧
力を1070℃に昇温するまで加え、昇温後は圧力はそ
のままにしその温度を2時間保持した後、室温まで冷却
した。
III+の黒鉛製の成形器に装入し、熱間加圧した。熱
間加圧の条件として、真空度を5 X 10−’Tor
rとし、粉末を加圧するために、250Kg/cdの圧
力を1070℃に昇温するまで加え、昇温後は圧力はそ
のままにしその温度を2時間保持した後、室温まで冷却
した。
得られた合金ターゲットについて、実施例1と同様に分
析、測定を行なった。その結果を第1表および第2表に
示す。
析、測定を行なった。その結果を第1表および第2表に
示す。
従来例2
組成TbzsFethsCOtの合金ターゲットの製造
を目的として、溶湯を単一のロールに噴出して急速に冷
却凝固させて得られた薄帯を粉砕して製造した片状Tb
粉末(厚み10 IJm) 、’ Fe Co合金粉
末(平均粒径200μm)、および金属Fe粉末(平均
粒径60μm)を配合し、アルゴンガス雰囲気中ボール
ミルで1時間混合した。
を目的として、溶湯を単一のロールに噴出して急速に冷
却凝固させて得られた薄帯を粉砕して製造した片状Tb
粉末(厚み10 IJm) 、’ Fe Co合金粉
末(平均粒径200μm)、および金属Fe粉末(平均
粒径60μm)を配合し、アルゴンガス雰囲気中ボール
ミルで1時間混合した。
この混合粉末を内径152mmの黒鉛製の成形器に装入
し、熱間加圧した。熱間加圧の条件として、真空度を5
X 10−’Torrとし、粉末を加圧するために、
250Kg/cdの圧力を680℃に昇温するまで加え
、昇温後は圧力はそのままにしその温度を1時間保持し
た後、加圧を行なうことなく890℃まで加熱して室温
まで冷却した。
し、熱間加圧した。熱間加圧の条件として、真空度を5
X 10−’Torrとし、粉末を加圧するために、
250Kg/cdの圧力を680℃に昇温するまで加え
、昇温後は圧力はそのままにしその温度を1時間保持し
た後、加圧を行なうことなく890℃まで加熱して室温
まで冷却した。
得られた合金ターゲットについて、実施例1と同様に分
析、測定を行なった。その結果を第1表および第2表に
示す。
析、測定を行なった。その結果を第1表および第2表に
示す。
以上から明らかなように、本発明により、組成が均一で
、ヒビ、割れがなく高強度をもち、かつ、ターゲット−
膜の組成ずれや膜組成の経時変化が少なく、利用効率が
よい、優れたターゲットを提供することができる。
、ヒビ、割れがなく高強度をもち、かつ、ターゲット−
膜の組成ずれや膜組成の経時変化が少なく、利用効率が
よい、優れたターゲットを提供することができる。
Claims (2)
- (1)成分、組成が、Sm、Nd、Gd、Tb、Dy、
Ho、Tm、Erの中の少なくとも1種の希土類元素1
0〜50原子%、残部実質的にCo、Fe、Niの中の
少なくとも1種の遷移金属であり、組織が該希土類元素
と該遷移金属との金属間化合物相、並びに該希土類元素
と該希土類元素および該遷移金属の金属間化合物との微
細混合相からなる混合組織であることを特徴とする光磁
気記録用合金ターゲット。 - (2)成分、組成が、Sm、Nd、Gd、Tb、Dy、
Ho、Tm、Erの中の少なくとも1種の希土類元素1
0〜50原子%、残部実質的にCo、Fe、Niの中の
少なくとも1種の遷移金属であり、組織が該希土類元素
と該遷移金属との金属間化合物相、該希土類元素と該希
土類元素および該遷移金属の金属間化合物との微細混合
相、並びに該希土類元素単体相からなる混合組織である
ことを特徴とする光磁気記録用合金ターゲット。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63258381A JPH0784656B2 (ja) | 1988-10-15 | 1988-10-15 | 光磁気記録用合金ターゲット |
DE3934317A DE3934317C2 (de) | 1988-10-15 | 1989-10-13 | Legierungstarget zur Herstellung eines magneto-optischen Aufzeichnungsmediums |
US07/421,958 US4946501A (en) | 1988-10-15 | 1989-10-16 | Alloy target for magneto-optical recording |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63258381A JPH0784656B2 (ja) | 1988-10-15 | 1988-10-15 | 光磁気記録用合金ターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02107762A true JPH02107762A (ja) | 1990-04-19 |
JPH0784656B2 JPH0784656B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=17319452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63258381A Expired - Fee Related JPH0784656B2 (ja) | 1988-10-15 | 1988-10-15 | 光磁気記録用合金ターゲット |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4946501A (ja) |
JP (1) | JPH0784656B2 (ja) |
DE (1) | DE3934317C2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5338331A (en) * | 1991-06-12 | 1994-08-16 | Mitsubishi Materials Corporation | Low-permeability high-strength target material for the formation of thin magnetooptical recording films |
US7730875B2 (en) | 2004-09-24 | 2010-06-08 | Denso Corporation | Flow control valve |
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CA2070779A1 (en) * | 1990-10-09 | 1992-04-10 | Iver E. Anderson | Environmentally stable reactive alloy powders and method of making same |
US5330708A (en) * | 1993-04-26 | 1994-07-19 | The University Of Iowa Research Foundation | Sulfide alloys that exhibit thermal bistability |
US5593517A (en) * | 1993-09-17 | 1997-01-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Regenerating material and refrigerator using the same |
US5439500A (en) * | 1993-12-02 | 1995-08-08 | Materials Research Corporation | Magneto-optical alloy sputter targets |
JP3098204B2 (ja) * | 1997-03-07 | 2000-10-16 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気記録用合金ターゲット、その製造方法およびその再生方法 |
TWI297948B (en) * | 2006-06-26 | 2008-06-11 | Ind Tech Res Inst | Phase change memory device and fabrications thereof |
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JPS63290272A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Hitachi Metals Ltd | 希土類元素−遷移金属元素タ−ゲット材の製造方法 |
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US4767450A (en) * | 1984-11-27 | 1988-08-30 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Process for producing the rare earth alloy powders |
US4824481A (en) * | 1988-01-11 | 1989-04-25 | Eaastman Kodak Company | Sputtering targets for magneto-optic films and a method for making |
-
1988
- 1988-10-15 JP JP63258381A patent/JPH0784656B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-10-13 DE DE3934317A patent/DE3934317C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-10-16 US US07/421,958 patent/US4946501A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4946501A (en) | 1990-08-07 |
DE3934317A1 (de) | 1990-04-19 |
DE3934317C2 (de) | 1994-12-22 |
JPH0784656B2 (ja) | 1995-09-13 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |