JP2001226764A - スパッタリングのターゲット材用焼結体、その製造方法、及びスパッタリング用ターゲット - Google Patents
スパッタリングのターゲット材用焼結体、その製造方法、及びスパッタリング用ターゲットInfo
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 少なくとも１種の希土類金属（ＲＥ）と
少なくとも１種の遷移金属（ＴＭ）とから形成され、Ｒ
Ｅ−ＴＭ金属間化合物の少なくとも４相の合金相を有す
ることを特徴とするスパッタリングのターゲット材用焼
結体。 【効果】 本発明のスパッタリングに用いるターゲット
材用焼結体は、低い最大透磁率を与え、かつ良好なスパ
ッタ膜組成分布を与える。
少なくとも１種の遷移金属（ＴＭ）とから形成され、Ｒ
Ｅ−ＴＭ金属間化合物の少なくとも４相の合金相を有す
ることを特徴とするスパッタリングのターゲット材用焼
結体。 【効果】 本発明のスパッタリングに用いるターゲット
材用焼結体は、低い最大透磁率を与え、かつ良好なスパ
ッタ膜組成分布を与える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録媒体の
製造に好適に用いられるスパッタリング、特にマグネト
ロンスパッタリング用のターゲット材用焼結体、その製
造方法、及びスパッタリング用ターゲットに関する。
製造に好適に用いられるスパッタリング、特にマグネト
ロンスパッタリング用のターゲット材用焼結体、その製
造方法、及びスパッタリング用ターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
光磁気記録媒体において、希土類元素（ＲＥ）と遷移金
属（ＴＭ）の合金薄膜を製造する手段としてマグネトロ
ンスパッタリング法が広く用いられている。そのターゲ
ット材として、例えば、ＲＥ−ＴＭ化合物とＴＭもしく
はＲＥのチップを埋め込んだターゲット材や、ＲＥ−Ｔ
Ｍ化合物とＴＭもしくはＲＥの粉末を混合したターゲッ
ト材（例えば特開平７−６６５８５号、特開平７−８４
６５６号公報）、目標組成のＲＥ−ＴＭ化合物均一相の
ターゲット材（例えば特開平５−３１１４２０号、特開
平１０−２５１８４７号公報）が用いられている。
光磁気記録媒体において、希土類元素（ＲＥ）と遷移金
属（ＴＭ）の合金薄膜を製造する手段としてマグネトロ
ンスパッタリング法が広く用いられている。そのターゲ
ット材として、例えば、ＲＥ−ＴＭ化合物とＴＭもしく
はＲＥのチップを埋め込んだターゲット材や、ＲＥ−Ｔ
Ｍ化合物とＴＭもしくはＲＥの粉末を混合したターゲッ
ト材（例えば特開平７−６６５８５号、特開平７−８４
６５６号公報）、目標組成のＲＥ−ＴＭ化合物均一相の
ターゲット材（例えば特開平５−３１１４２０号、特開
平１０−２５１８４７号公報）が用いられている。
【０００３】しかし、マグネトロンスパッタリング用タ
ーゲット材の特徴として、ＲＥ−ＴＭ化合物とＴＭもし
くはＲＥのチップを埋め込んだターゲット材やＲＥ−Ｔ
Ｍ化合物とＴＭもしくはＲＥの粉末を混合したターゲッ
ト材は、スパッタ膜組成分布を良好にするが、最大透磁
率が高くなり、マグネトロンスパッタリング法に用いる
場合、充分な漏洩磁束を得るためにターゲットを厚くす
ることができず、スパッタ効率を上げられない。それに
対し、目標組成のＲＥ−ＴＭ化合物均一相のターゲット
材は、最大透磁率の低くなるＲＥ−ＴＭ合金組成の均一
相からなり、漏洩磁束を保ったままターゲットを厚くす
ることが可能である一方、スパッタ膜組成分布は悪くな
るという問題がある。
ーゲット材の特徴として、ＲＥ−ＴＭ化合物とＴＭもし
くはＲＥのチップを埋め込んだターゲット材やＲＥ−Ｔ
Ｍ化合物とＴＭもしくはＲＥの粉末を混合したターゲッ
ト材は、スパッタ膜組成分布を良好にするが、最大透磁
率が高くなり、マグネトロンスパッタリング法に用いる
場合、充分な漏洩磁束を得るためにターゲットを厚くす
ることができず、スパッタ効率を上げられない。それに
対し、目標組成のＲＥ−ＴＭ化合物均一相のターゲット
材は、最大透磁率の低くなるＲＥ−ＴＭ合金組成の均一
相からなり、漏洩磁束を保ったままターゲットを厚くす
ることが可能である一方、スパッタ膜組成分布は悪くな
るという問題がある。
【０００４】本発明は、上記問題を解決したもので、最
大透磁率を低くすることができ、しかもスパッタ膜組成
分布を良好にすることができるスパッタリングのターゲ
ット材用焼結体、その製造方法、及びスパッタリング用
ターゲットを提供することを目的とする。
大透磁率を低くすることができ、しかもスパッタ膜組成
分布を良好にすることができるスパッタリングのターゲ
ット材用焼結体、その製造方法、及びスパッタリング用
ターゲットを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、少なくとも１種の希土類金属（ＲＥ）と少なくとも
１種の遷移金属（ＴＭ）とを用い、ＲＥ−ＴＭ金属間化
合物の少なくとも４相以上の合金相をもった焼結体が、
特に光磁気記録媒体の製造に用いられるマグネトロンス
パッタリングのターゲット材として有効であり、ＲＥ−
ＴＭ合金相にＲＥやＴＭの単一金属相を有するターゲッ
トより最大透磁率を低くし得、合金単一相のターゲット
よりスパッタ膜組成分布が良好となることを見出し、本
発明をなすに至った。
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、少なくとも１種の希土類金属（ＲＥ）と少なくとも
１種の遷移金属（ＴＭ）とを用い、ＲＥ−ＴＭ金属間化
合物の少なくとも４相以上の合金相をもった焼結体が、
特に光磁気記録媒体の製造に用いられるマグネトロンス
パッタリングのターゲット材として有効であり、ＲＥ−
ＴＭ合金相にＲＥやＴＭの単一金属相を有するターゲッ
トより最大透磁率を低くし得、合金単一相のターゲット
よりスパッタ膜組成分布が良好となることを見出し、本
発明をなすに至った。
【０００６】従って、本発明は、（１）少なくとも１種
の希土類金属（ＲＥ）と少なくとも１種の遷移金属（Ｔ
Ｍ）とから形成され、ＲＥ−ＴＭ金属間化合物の少なく
とも４相の合金相を有することを特徴とするスパッタリ
ングのターゲット材用焼結体、（２）粒径３０〜８００
μｍのＲＥ2−ＴＭ17相を有する上記焼結体、（３）Ｒ
Ｅ2−ＴＭ17相の焼結体に占める割合が焼結体表面積比
１０％以上５０％未満であり、更にＲＥ−ＴＭ2及びＲ
Ｅ−ＴＭ3の合金相を有する上記焼結体、（４）最大透
磁率が３〜７である上記焼結体、（５）ＲＥ−ＴＭ2及
びＲＥ2−ＴＭ17を含む合金混合物の粉末を不活性ガス
雰囲気もしくは真空中で加圧焼結して、ＲＥ−ＴＭ金属
間化合物の少なくとも４相以上の合金相を有する焼結体
を得ることを特徴とするスパッタリングのターゲット材
用焼結体の製造方法、（６）ＲＥ−ＴＭ2と、ＲＥ2−Ｔ
Ｍ17と、ＲＥ−ＴＭ3及び／又はＲＥ6−ＴＭ23を含む合
金混合物の粉末を不活性ガス雰囲気もしくは真空中で加
圧焼結して、ＲＥ−ＴＭ金属間化合物の少なくとも４相
以上の合金相を有する焼結体を得ることを特徴とするス
パッタリングのターゲット材用焼結体の製造方法、
（７）上記焼結体よりなるスパッタリング用ターゲット
を提供する。
の希土類金属（ＲＥ）と少なくとも１種の遷移金属（Ｔ
Ｍ）とから形成され、ＲＥ−ＴＭ金属間化合物の少なく
とも４相の合金相を有することを特徴とするスパッタリ
ングのターゲット材用焼結体、（２）粒径３０〜８００
μｍのＲＥ2−ＴＭ17相を有する上記焼結体、（３）Ｒ
Ｅ2−ＴＭ17相の焼結体に占める割合が焼結体表面積比
１０％以上５０％未満であり、更にＲＥ−ＴＭ2及びＲ
Ｅ−ＴＭ3の合金相を有する上記焼結体、（４）最大透
磁率が３〜７である上記焼結体、（５）ＲＥ−ＴＭ2及
びＲＥ2−ＴＭ17を含む合金混合物の粉末を不活性ガス
雰囲気もしくは真空中で加圧焼結して、ＲＥ−ＴＭ金属
間化合物の少なくとも４相以上の合金相を有する焼結体
を得ることを特徴とするスパッタリングのターゲット材
用焼結体の製造方法、（６）ＲＥ−ＴＭ2と、ＲＥ2−Ｔ
Ｍ17と、ＲＥ−ＴＭ3及び／又はＲＥ6−ＴＭ23を含む合
金混合物の粉末を不活性ガス雰囲気もしくは真空中で加
圧焼結して、ＲＥ−ＴＭ金属間化合物の少なくとも４相
以上の合金相を有する焼結体を得ることを特徴とするス
パッタリングのターゲット材用焼結体の製造方法、
（７）上記焼結体よりなるスパッタリング用ターゲット
を提供する。
【０００７】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明のスパッタリングのターゲット材用焼結体は、Ｒ
Ｅ（希土類金属のうち少なくとも１種以上）と、ＴＭ
（遷移金属のうち少なくとも１種以上）からなる焼結体
であり、ＲＥ−ＴＭ金属間化合物の少なくとも４相以上
の合金相を有するものである。
本発明のスパッタリングのターゲット材用焼結体は、Ｒ
Ｅ（希土類金属のうち少なくとも１種以上）と、ＴＭ
（遷移金属のうち少なくとも１種以上）からなる焼結体
であり、ＲＥ−ＴＭ金属間化合物の少なくとも４相以上
の合金相を有するものである。
【０００８】この場合、希土類金属（ＲＥ）としては、
Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ等が
好ましく、これらの１種又は２種以上を使用することが
できる。また、遷移金属としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，
Ｃｒ等の１種又は２種以上を用いることが好ましい。
Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ等が
好ましく、これらの１種又は２種以上を使用することが
できる。また、遷移金属としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，
Ｃｒ等の１種又は２種以上を用いることが好ましい。
【０００９】上記焼結体は、ＲＥ2−ＴＭ17相を有する
ことが好ましく、その他ＲＥ−ＴＭ2、ＲＥ−ＴＭ3、Ｒ
Ｅ6−ＴＭ23等の合金相を有することが好ましい。この
場合、合金相のうち、ＲＥ2−ＴＭ17相は粒径３０〜８
００μｍであり、焼結体表面積比１０％以上５０％未
満、残部ＲＥ−ＴＭ2、ＲＥ−ＴＭ3等の合金相を有する
焼結体であることがよい。このような相をもつことによ
り、その焼結体をターゲット材として用いた時、現在広
く用いられているＲＥ−ＴＭ合金相にＲＥやＴＭの単一
金属相を有するターゲット材と目標組成の合金単一相を
有するターゲット材の中間的な性質をもたせることがで
きる。即ち、この焼結体の最大透磁率は３〜７程度であ
り、ＲＥ−ＴＭ合金相にＲＥやＴＭの単一金属相を有す
るターゲット材の最大透磁率よりも低く抑えられ、複数
の合金相を有することから、合金単一相のターゲットよ
りスパッタ膜組成分布が良好となる。
ことが好ましく、その他ＲＥ−ＴＭ2、ＲＥ−ＴＭ3、Ｒ
Ｅ6−ＴＭ23等の合金相を有することが好ましい。この
場合、合金相のうち、ＲＥ2−ＴＭ17相は粒径３０〜８
００μｍであり、焼結体表面積比１０％以上５０％未
満、残部ＲＥ−ＴＭ2、ＲＥ−ＴＭ3等の合金相を有する
焼結体であることがよい。このような相をもつことによ
り、その焼結体をターゲット材として用いた時、現在広
く用いられているＲＥ−ＴＭ合金相にＲＥやＴＭの単一
金属相を有するターゲット材と目標組成の合金単一相を
有するターゲット材の中間的な性質をもたせることがで
きる。即ち、この焼結体の最大透磁率は３〜７程度であ
り、ＲＥ−ＴＭ合金相にＲＥやＴＭの単一金属相を有す
るターゲット材の最大透磁率よりも低く抑えられ、複数
の合金相を有することから、合金単一相のターゲットよ
りスパッタ膜組成分布が良好となる。
【００１０】このような焼結体は、ＲＥとＴＭの金属間
化合物ＲＥ−ＴＭ2、ＲＥ2−ＴＭ17の合金あるいはＲＥ
−ＴＭ2と、ＲＥ2−ＴＭ17と、ＲＥ−ＴＭ3もしくはＲ
Ｅ6−ＴＭ23との合金をＡｒなどの不活性ガス雰囲気で
溶解し、インゴットを製造し、Ａｒなどの不活性ガス雰
囲気で粉砕もしくはガスアトマイズ法などにより粉末化
し、篩い分けし、次いで目標組成となるように配合した
粉末をＡｒなどの不活性ガス雰囲気で加圧焼結すること
により得ることができる。なお、雰囲気は不活性ガス雰
囲気に限られず、上記雰囲気はいずれも真空中であって
もよい。
化合物ＲＥ−ＴＭ2、ＲＥ2−ＴＭ17の合金あるいはＲＥ
−ＴＭ2と、ＲＥ2−ＴＭ17と、ＲＥ−ＴＭ3もしくはＲ
Ｅ6−ＴＭ23との合金をＡｒなどの不活性ガス雰囲気で
溶解し、インゴットを製造し、Ａｒなどの不活性ガス雰
囲気で粉砕もしくはガスアトマイズ法などにより粉末化
し、篩い分けし、次いで目標組成となるように配合した
粉末をＡｒなどの不活性ガス雰囲気で加圧焼結すること
により得ることができる。なお、雰囲気は不活性ガス雰
囲気に限られず、上記雰囲気はいずれも真空中であって
もよい。
【００１１】また、加圧焼結は、例えばホットプレス法
の場合、原料合金粉末のうち、低融点側の融点より３０
〜１００℃低い温度を焼結温度とし、圧力を少なくとも
２９．４ＭＰａ（３００ｋｇｆ／ｃｍ2）以上かけ、こ
の状態を少なくとも３０分以上保持し、その雰囲気は真
空中もしくはＡｒ等の不活性ガス中で行うことにより、
同組成のインゴットとの相対密度９５％以上、酸素濃度
７００ｐｐｍ未満の焼結体を得ることができる。
の場合、原料合金粉末のうち、低融点側の融点より３０
〜１００℃低い温度を焼結温度とし、圧力を少なくとも
２９．４ＭＰａ（３００ｋｇｆ／ｃｍ2）以上かけ、こ
の状態を少なくとも３０分以上保持し、その雰囲気は真
空中もしくはＡｒ等の不活性ガス中で行うことにより、
同組成のインゴットとの相対密度９５％以上、酸素濃度
７００ｐｐｍ未満の焼結体を得ることができる。
【００１２】本発明の焼結体は、スパッタリング法、特
にマグネトロンスパッタリング法のターゲット材として
使用されるものであり、この焼結体からなるターゲット
を用いることにより、良好なスパッタ膜組成分布を与え
ると共に、透磁率が低く、ターゲットを厚くしても充分
な漏洩磁束を得ることができることから、スパッタ効率
を上げることができ、光磁気記録媒体の製造に好適に用
いられる。
にマグネトロンスパッタリング法のターゲット材として
使用されるものであり、この焼結体からなるターゲット
を用いることにより、良好なスパッタ膜組成分布を与え
ると共に、透磁率が低く、ターゲットを厚くしても充分
な漏洩磁束を得ることができることから、スパッタ効率
を上げることができ、光磁気記録媒体の製造に好適に用
いられる。
【００１３】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００１４】〔実施例１〕Ａｒ雰囲気中でＴｂ−Ｆｅ2
（合金Ａ）、Ｔｂ2−（Ｆｅ0.785−Ｃｏ0.215）17（合
金Ｂ）をアーク溶解炉にて溶解し、インゴットを得た。
Ａｒ雰囲気のグローブボックス内で粉砕後、４５〜２５
０μｍに篩い分けを行った。合金Ａ粉末と合金Ｂ粉末を
目標組成Ｔｂ21.5−Ｆｅ68.5−Ｃｏ10となるよう５５．
４：４４．６（ｗｔ％）で混合し、加圧焼結原料粉末と
した。ホットプレス法にて焼結温度１１００℃、印加圧
力３９．２ＭＰａ（４００ｋｇｆ／ｃｍ2）、焼結時間
９０分、Ａｒ雰囲気で焼結したところ、相対密度９７．
１％、最大透磁率５．１３、酸素濃度６８０ｐｐｍの焼
結体が得られた。
（合金Ａ）、Ｔｂ2−（Ｆｅ0.785−Ｃｏ0.215）17（合
金Ｂ）をアーク溶解炉にて溶解し、インゴットを得た。
Ａｒ雰囲気のグローブボックス内で粉砕後、４５〜２５
０μｍに篩い分けを行った。合金Ａ粉末と合金Ｂ粉末を
目標組成Ｔｂ21.5−Ｆｅ68.5−Ｃｏ10となるよう５５．
４：４４．６（ｗｔ％）で混合し、加圧焼結原料粉末と
した。ホットプレス法にて焼結温度１１００℃、印加圧
力３９．２ＭＰａ（４００ｋｇｆ／ｃｍ2）、焼結時間
９０分、Ａｒ雰囲気で焼結したところ、相対密度９７．
１％、最大透磁率５．１３、酸素濃度６８０ｐｐｍの焼
結体が得られた。
【００１５】なお、相対密度は目標組成合金インゴット
との相対密度であり、それぞれの密度はアルキメデス法
で得た。最大透磁率はＶＳＭ法による磁化測定結果から
算出した値で、酸素濃度は不活性ガス融解赤外吸収法に
て得た値である。以後、本例中で用いている測定値は同
様の測定法にて得られた値である。
との相対密度であり、それぞれの密度はアルキメデス法
で得た。最大透磁率はＶＳＭ法による磁化測定結果から
算出した値で、酸素濃度は不活性ガス融解赤外吸収法に
て得た値である。以後、本例中で用いている測定値は同
様の測定法にて得られた値である。
【００１６】この焼結体の反射電子像を図１に示す。こ
の反射電子像及びＥＰＭＡ分析より、合金ＡのＲＥ−Ｔ
Ｍ2相（粒径５０〜１５０μｍ）、合金ＢのＲＥ2−ＴＭ
17相（粒径５０〜２５０μｍ）、粒界に拡散相のＲＥ−
ＴＭ3相、ＲＥ6−ＴＭ23相の４種の合金相をもった焼結
体であることが分かった。
の反射電子像及びＥＰＭＡ分析より、合金ＡのＲＥ−Ｔ
Ｍ2相（粒径５０〜１５０μｍ）、合金ＢのＲＥ2−ＴＭ
17相（粒径５０〜２５０μｍ）、粒界に拡散相のＲＥ−
ＴＭ3相、ＲＥ6−ＴＭ23相の４種の合金相をもった焼結
体であることが分かった。
【００１７】〔実施例２〕Ａｒ雰囲気中でＴｂ−Ｆｅ2
（合金Ａ）、Ｔｂ−Ｆｅ3（合金Ｂ）、Ｔｂ2−（Ｆｅ
0.765−Ｃｏ0.235）17（合金Ｃ）をアーク溶解炉にて溶
解し、インゴットを得た。Ａｒ雰囲気のグローブボック
ス内で粉砕後、４５〜２５０μｍに篩い分けを行った。
合金Ａ粉末と合金Ｂ粉末と合金Ｃ粉末をＴｂ21.5−Ｆｅ
68.5−Ｃｏ10となるよう５１．３：１１．４：３７．３
（ｗｔ％）で混合し、加圧焼結原料粉末とした。ホット
プレス法にて焼結温度１１００℃、印加圧力３９．２Ｍ
Ｐａ（４００ｋｇｆ／ｃｍ2）、焼結時間９０分、Ａｒ
雰囲気中で焼結したところ、相対密度９６．１％、最大
透磁率４．３３、酸素濃度６９０ｐｐｍの焼結体が得ら
れた。
（合金Ａ）、Ｔｂ−Ｆｅ3（合金Ｂ）、Ｔｂ2−（Ｆｅ
0.765−Ｃｏ0.235）17（合金Ｃ）をアーク溶解炉にて溶
解し、インゴットを得た。Ａｒ雰囲気のグローブボック
ス内で粉砕後、４５〜２５０μｍに篩い分けを行った。
合金Ａ粉末と合金Ｂ粉末と合金Ｃ粉末をＴｂ21.5−Ｆｅ
68.5−Ｃｏ10となるよう５１．３：１１．４：３７．３
（ｗｔ％）で混合し、加圧焼結原料粉末とした。ホット
プレス法にて焼結温度１１００℃、印加圧力３９．２Ｍ
Ｐａ（４００ｋｇｆ／ｃｍ2）、焼結時間９０分、Ａｒ
雰囲気中で焼結したところ、相対密度９６．１％、最大
透磁率４．３３、酸素濃度６９０ｐｐｍの焼結体が得ら
れた。
【００１８】焼結体の反射電子像（図２）、ＥＰＭＡ分
析より、合金ＡのＲＥ−ＴＭ2相（粒径５０〜１００μ
ｍ）、合金ＢのＲＥ−ＴＭ3相（粒径３０〜１００μ
ｍ）、合金ＣのＲＥ2−ＴＭ17相（粒径５０〜２００μ
ｍ）、粒界に拡散相のＲＥ−ＴＭ3相、ＲＥ6−ＴＭ23相
の４種の合金相をもった焼結体であることが分かった。
析より、合金ＡのＲＥ−ＴＭ2相（粒径５０〜１００μ
ｍ）、合金ＢのＲＥ−ＴＭ3相（粒径３０〜１００μ
ｍ）、合金ＣのＲＥ2−ＴＭ17相（粒径５０〜２００μ
ｍ）、粒界に拡散相のＲＥ−ＴＭ3相、ＲＥ6−ＴＭ23相
の４種の合金相をもった焼結体であることが分かった。
【００１９】〔比較例１〕原料をＴｂ21.5−Ｆｅ68.5−
Ｃｏ10となるように秤量し、アーク溶解炉にてＡｒ雰囲
気中で溶解し、インゴットを得た。Ａｒ雰囲気のグロー
ブボックス内で粉砕後、４５〜２５０μｍに篩い分けを
行った。得られた粉末を加圧焼結原料粉末とした。ホッ
トプレス法にて焼結温度１１００℃、印加圧力３９．２
ＭＰａ（４００ｋｇｆ／ｃｍ2）、Ａｒ雰囲気、焼結時
間９０分で焼結したところ、相対密度９３．２％、最大
透磁率２．９４、酸素濃度６８０ｐｐｍの焼結体が得ら
れた。
Ｃｏ10となるように秤量し、アーク溶解炉にてＡｒ雰囲
気中で溶解し、インゴットを得た。Ａｒ雰囲気のグロー
ブボックス内で粉砕後、４５〜２５０μｍに篩い分けを
行った。得られた粉末を加圧焼結原料粉末とした。ホッ
トプレス法にて焼結温度１１００℃、印加圧力３９．２
ＭＰａ（４００ｋｇｆ／ｃｍ2）、Ａｒ雰囲気、焼結時
間９０分で焼結したところ、相対密度９３．２％、最大
透磁率２．９４、酸素濃度６８０ｐｐｍの焼結体が得ら
れた。
【００２０】焼結体の反射電子像（図３）、ＥＰＭＡ分
析より、ＲＥ−ＴＭ3相の中に〜５０μｍの析出相ＲＥ2
−ＴＭ17、粒界に拡散相ＲＥ6−ＴＭ23の３種の合金相
をもった焼結体であることが分かった。
析より、ＲＥ−ＴＭ3相の中に〜５０μｍの析出相ＲＥ2
−ＴＭ17、粒界に拡散相ＲＥ6−ＴＭ23の３種の合金相
をもった焼結体であることが分かった。
【００２１】〔比較例２〕原料をＴｂ21.5−Ｆｅ68.5−
Ｃｏ10となるように秤量し、Ａｒ雰囲気中で高周波溶解
炉にて溶解し、インゴットを得た。ガスアトマイズ法で
粉末化し、２５０μｍ以下に篩い分けした粉末を加圧焼
結原料粉末とした。ホットプレス法にて焼結温度１１０
０℃、印加圧力３９．２ＭＰａ（４００ｋｇｆ／ｃ
ｍ2）、Ａｒ雰囲気、焼結時間３０分で焼結したとこ
ろ、相対密度９７．３％、最大透磁率２．３７、酸素濃
度９２０ｐｐｍの焼結体が得られた。
Ｃｏ10となるように秤量し、Ａｒ雰囲気中で高周波溶解
炉にて溶解し、インゴットを得た。ガスアトマイズ法で
粉末化し、２５０μｍ以下に篩い分けした粉末を加圧焼
結原料粉末とした。ホットプレス法にて焼結温度１１０
０℃、印加圧力３９．２ＭＰａ（４００ｋｇｆ／ｃ
ｍ2）、Ａｒ雰囲気、焼結時間３０分で焼結したとこ
ろ、相対密度９７．３％、最大透磁率２．３７、酸素濃
度９２０ｐｐｍの焼結体が得られた。
【００２２】焼結体の反射電子像（図４）、ＥＰＭＡ分
析より、ＲＥ−ＴＭ3中に〜１０μｍの析出相ＲＥ2−Ｔ
Ｍ17が均一に分布し、粒界に拡散相ＲＥ6−ＴＭ23を有
した３種の合金相をもった焼結体であることが分かっ
た。
析より、ＲＥ−ＴＭ3中に〜１０μｍの析出相ＲＥ2−Ｔ
Ｍ17が均一に分布し、粒界に拡散相ＲＥ6−ＴＭ23を有
した３種の合金相をもった焼結体であることが分かっ
た。
【００２３】上記各焼結体の測定結果について表１に示
す。
す。
【００２４】
【表１】
【００２５】上記分析結果と反射電子像より、７００ｐ
ｐｍ以下の低酸素濃度で最大透磁率を５程度に抑えた、
粒径５０〜２５０μｍのＲＥ−ＴＭ2相、ＲＥ2−ＴＭ17
相が混在し、粒界拡散相にＲＥ−ＴＭ3、ＲＥ6−ＴＭ23
の合計４相の合金相をもった、マグネトロンスパッタリ
ングに有効な合金ターゲット材用焼結体を提供できるこ
とが認められた。
ｐｍ以下の低酸素濃度で最大透磁率を５程度に抑えた、
粒径５０〜２５０μｍのＲＥ−ＴＭ2相、ＲＥ2−ＴＭ17
相が混在し、粒界拡散相にＲＥ−ＴＭ3、ＲＥ6−ＴＭ23
の合計４相の合金相をもった、マグネトロンスパッタリ
ングに有効な合金ターゲット材用焼結体を提供できるこ
とが認められた。
【００２６】
【発明の効果】本発明のスパッタリングに用いるターゲ
ット材用焼結体は、低い最大透磁率を与え、かつ良好な
スパッタ膜組成分布を与える。
ット材用焼結体は、低い最大透磁率を与え、かつ良好な
スパッタ膜組成分布を与える。
【図１】実施例１の焼結体の反射電子像（倍率２００
倍）である。
倍）である。
【図２】実施例２の焼結体の反射電子像（倍率２００
倍）である。
倍）である。
【図３】比較例１の焼結体の反射電子像（倍率２００
倍）である。
倍）である。
【図４】比較例２の焼結体の反射電子像（倍率２００
倍）である。
倍）である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２２Ｆ 3/14 Ｂ２２Ｆ 3/14 Ｄ
Claims (7)
- 【請求項１】 少なくとも１種の希土類金属（ＲＥ）と
少なくとも１種の遷移金属（ＴＭ）とから形成され、Ｒ
Ｅ−ＴＭ金属間化合物の少なくとも４相の合金相を有す
ることを特徴とするスパッタリングのターゲット材用焼
結体。 - 【請求項２】 粒径３０〜８００μｍのＲＥ2−ＴＭ17
相を有する請求項１記載の焼結体。 - 【請求項３】 ＲＥ2−ＴＭ17相の焼結体に占める割合
が焼結体表面積比１０％以上５０％未満であり、更にＲ
Ｅ−ＴＭ2及びＲＥ−ＴＭ3の合金相を有する請求項２記
載の焼結体。 - 【請求項４】 最大透磁率が３〜７である請求項１乃至
３のいずれか１項記載の焼結体。 - 【請求項５】 ＲＥ−ＴＭ2及びＲＥ2−ＴＭ17を含む合
金混合物の粉末を不活性ガス雰囲気もしくは真空中で加
圧焼結して、ＲＥ−ＴＭ金属間化合物の少なくとも４相
以上の合金相を有する焼結体を得ることを特徴とするス
パッタリングのターゲット材用焼結体の製造方法。 - 【請求項６】 ＲＥ−ＴＭ2と、ＲＥ2−ＴＭ17と、ＲＥ
−ＴＭ3及び／又はＲＥ6−ＴＭ23を含む合金混合物の粉
末を不活性ガス雰囲気もしくは真空中で加圧焼結して、
ＲＥ−ＴＭ金属間化合物の少なくとも４相以上の合金相
を有する焼結体を得ることを特徴とするスパッタリング
のターゲット材用焼結体の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至４のいずれか１項記載の焼
結体よりなるスパッタリング用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000032930A JP2001226764A (ja) | 2000-02-10 | 2000-02-10 | スパッタリングのターゲット材用焼結体、その製造方法、及びスパッタリング用ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000032930A JP2001226764A (ja) | 2000-02-10 | 2000-02-10 | スパッタリングのターゲット材用焼結体、その製造方法、及びスパッタリング用ターゲット |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001226764A true JP2001226764A (ja) | 2001-08-21 |
Family
ID=18557481
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|---|---|---|---|
| JP2000032930A Pending JP2001226764A (ja) | 2000-02-10 | 2000-02-10 | スパッタリングのターゲット材用焼結体、その製造方法、及びスパッタリング用ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001226764A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010248603A (ja) * | 2009-04-20 | 2010-11-04 | Hitachi Metals Ltd | Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 |
| JP2011026702A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-02-10 | Hitachi Metals Ltd | Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材 |
| WO2014170003A1 (de) * | 2013-04-18 | 2014-10-23 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Funkenverdampfen von metallischen, intermetallischen und keramischen targetmaterialien um al-cr-n beschichtungen herzustellen |
| JP2016180179A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-13 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶タングステン及びタングステン合金焼結体並びにその製造方法 |
-
2000
- 2000-02-10 JP JP2000032930A patent/JP2001226764A/ja active Pending
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| CN105164306A (zh) * | 2013-04-18 | 2015-12-16 | 欧瑞康表面处理解决方案股份公司特鲁巴赫 | 电弧蒸发金属靶材、金属间化合物靶材和陶瓷靶材以制造Al-Cr-N涂层 |
| JP2016519218A (ja) * | 2013-04-18 | 2016-06-30 | エリコン サーフェス ソリューションズ アーゲー、 トリュープバッハ | Ａｌ−Ｃｒ−Ｎコーティングを生成するための金属、金属間化合物及びセラミックターゲット材料のアーク蒸着 |
| JP2016180179A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-13 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶タングステン及びタングステン合金焼結体並びにその製造方法 |
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